JPS6031282A - 多方向光結合装置 - Google Patents
多方向光結合装置Info
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- JPS6031282A JPS6031282A JP58139009A JP13900983A JPS6031282A JP S6031282 A JPS6031282 A JP S6031282A JP 58139009 A JP58139009 A JP 58139009A JP 13900983 A JP13900983 A JP 13900983A JP S6031282 A JPS6031282 A JP S6031282A
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- light emitting
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- 238000010168 coupling process Methods 0.000 title claims description 4
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- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 14
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 14
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
- H01L31/16—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources
- H01L31/167—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources the light sources and the devices sensitive to radiation all being semiconductor devices characterised by potential barriers
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はホトカブ２に関する。
ホトカブ２と呼ばれるものは現在多くの種類が実用化さ
れている。機能で分類してみると次の４種類となる。（
イ）１人力に対し１出カ、（ｏ）１人力に対し複数の出
力計１複数の入力に対し１つの出方。
れている。機能で分類してみると次の４種類となる。（
イ）１人力に対し１出カ、（ｏ）１人力に対し複数の出
力計１複数の入力に対し１つの出方。
（−１複数の入力に対し複数の出方、さらに入力素子出
力素子について考えてみると、入力素子でありかつ出力
素子として動作するものは無い。入力素子としてはＧａ
Ａ’＋ ＧａＡｓＰ、（ＪａＰ、ＧａＡ／Ａｓ等の発光
ダイオードが使用されておシ、出方素子としてはホトダ
イオード、ホトトランジスタ、ホトサイリスタ、ホトト
ライアック、ホトＦＥＴ、ホトダイオード士アンプ回路
、ホトダイオード＋シュミットトリガ回路等が使用され
ている。
力素子について考えてみると、入力素子でありかつ出力
素子として動作するものは無い。入力素子としてはＧａ
Ａ’＋ ＧａＡｓＰ、（ＪａＰ、ＧａＡ／Ａｓ等の発光
ダイオードが使用されておシ、出方素子としてはホトダ
イオード、ホトトランジスタ、ホトサイリスタ、ホトト
ライアック、ホトＦＥＴ、ホトダイオード士アンプ回路
、ホトダイオード＋シュミットトリガ回路等が使用され
ている。
さて、この様なホトカブ２の現状に対し、ホトカプラの
機能に″）ｔｎで新らしい考えが要求されはじめている
。それは近年成長が著しい（ＪＡ、ＦＡの進歩に関係す
る。この進歩に伴い２機能は複雑化し、高精度となル、
装置は小型化して行く。ホトカプラはＯＡ、ＦＡには欠
かせない素子である。
機能に″）ｔｎで新らしい考えが要求されはじめている
。それは近年成長が著しい（ＪＡ、ＦＡの進歩に関係す
る。この進歩に伴い２機能は複雑化し、高精度となル、
装置は小型化して行く。ホトカプラはＯＡ、ＦＡには欠
かせない素子である。
他の電子回路１急速にＩＣ，ＬＳＩ、又はＨＩＣ化が進
んでいるのに対し、ホトカプラは電気的絶縁が特長であ
るため、ＩＣ化は困難である。そこでホトカプラに対し
、小席、多機能が要求されるのは当然のことと言える。
んでいるのに対し、ホトカプラは電気的絶縁が特長であ
るため、ＩＣ化は困難である。そこでホトカプラに対し
、小席、多機能が要求されるのは当然のことと言える。
本発明の目的は、小型、多機能の要求に対し、前述の４
種類の機能を全て有し、かつ、入出力素子を任意に切替
えかつ選択できる多方向ホトカプラを提供することにあ
る。
種類の機能を全て有し、かつ、入出力素子を任意に切替
えかつ選択できる多方向ホトカプラを提供することにあ
る。
本発明によれば５発光するＰ−Ｎ接合を有する半導体素
子３ヶ以上と、上記半導体素子が１ケづつダイボンディ
ングされた、互に電気的に独立した第１のリードフレー
ムと、上記半導体素子に１本づつワイヤボンディングさ
れた導線と、この導線が接続される、第１のリードフレ
ームとは電気的に独立しかつ、互にも電気的に独立した
第２のリードフレームと、半導体素子全てを一体に包含
する透光性樹脂と、この透光性樹脂と、第１及び第２の
リードフレームの少なくとも一部を封止する少なくとも
１種類の不透光性樹脂とから成る多方向光結合装置が得
られる。
子３ヶ以上と、上記半導体素子が１ケづつダイボンディ
ングされた、互に電気的に独立した第１のリードフレー
ムと、上記半導体素子に１本づつワイヤボンディングさ
れた導線と、この導線が接続される、第１のリードフレ
ームとは電気的に独立しかつ、互にも電気的に独立した
第２のリードフレームと、半導体素子全てを一体に包含
する透光性樹脂と、この透光性樹脂と、第１及び第２の
リードフレームの少なくとも一部を封止する少なくとも
１種類の不透光性樹脂とから成る多方向光結合装置が得
られる。
以下本発明について詳細に説明する。
一般に発光ダイオードとしてＧａＡｓ、ＧａＡｓ１’。
ＧａＰ、ＧａＡｓ１’等が使用されているが、これらは
そのまま逆バイアスして受光素子として使用できる。例
えば従来タイプのホトカプラにおいてＧａＡｓ発光ダイ
オードを組合せたとき第１図の対向型の場合入力電流２
Ｑ ｍＡのとき出力電流ｌＯμＡを得ておシ、第２図
の平面配置型の場合入力電流２０ ｍＡのとき出力電流
１５μＡを得ている。
そのまま逆バイアスして受光素子として使用できる。例
えば従来タイプのホトカプラにおいてＧａＡｓ発光ダイ
オードを組合せたとき第１図の対向型の場合入力電流２
Ｑ ｍＡのとき出力電流ｌＯμＡを得ておシ、第２図
の平面配置型の場合入力電流２０ ｍＡのとき出力電流
１５μＡを得ている。
他の発光ダイオードの場合でも同等の入出力特性が得ら
れる。この特性を生かして３ケ以上の発光ダイオードを
光学的に結合させホトカブラを構成出来る。
れる。この特性を生かして３ケ以上の発光ダイオードを
光学的に結合させホトカブラを構成出来る。
構造は従来の対向型（第１図）をアレンジしても良く、
平面配置を（第２図うをアレンジしても良い。第７図、
第８図に具体例を示す。つまり従来の製法技術がそのま
ま生かせる。
平面配置を（第２図うをアレンジしても良い。第７図、
第８図に具体例を示す。つまり従来の製法技術がそのま
ま生かせる。
さてここで本発明による多方向ホトカプラの「史用例を
考えてみる。ここでは４個の発光ダイオードを一体化し
た多方向ホトカプラについて説明する。第３図に回路構
成図を示す。４つの発光ダイオードの回路をそれぞれＡ
、Ｄ、Ｃ，Ｄ、！：記号を付ける。まず第一の関用例は
１つの入力回路に対１７１個ないし３個の出力回路が得
られる。第４図はＡが入力回路で１３． Ｃ，Ｄが出力
回路である。
考えてみる。ここでは４個の発光ダイオードを一体化し
た多方向ホトカプラについて説明する。第３図に回路構
成図を示す。４つの発光ダイオードの回路をそれぞれＡ
、Ｄ、Ｃ，Ｄ、！：記号を付ける。まず第一の関用例は
１つの入力回路に対１７１個ないし３個の出力回路が得
られる。第４図はＡが入力回路で１３． Ｃ，Ｄが出力
回路である。
ｅは発光ダイオードとして動作し、ｄは受光ダイオード
として動作することを表わしている。入力回路はＡに固
定されることは無（Ｂ、Ｃ又はＤでありてもよいのは明
らか４である。
として動作することを表わしている。入力回路はＡに固
定されることは無（Ｂ、Ｃ又はＤでありてもよいのは明
らか４である。
第２の使用例は複数の入力回路に対し１個ないし複数個
の出力回路が得られる。第５図（ａ）はＡとＣが入力回
路でＢとＤが出力回路である。第５図（ｂ）はＡ、Ｂ、
Ｃが入力回路でＤが出力回路である。
の出力回路が得られる。第５図（ａ）はＡとＣが入力回
路でＢとＤが出力回路である。第５図（ｂ）はＡ、Ｂ、
Ｃが入力回路でＤが出力回路である。
第５図（ａ）の場合Ａ又はＣに入力信号が入るとＢとＤ
に同時に出力信号が得られる。又第５図（ｂ）の場合は
Ａ又はＢ又はＣに入力信号が入ると、Ｄに出力信号が得
られる。ここで注目されるのは論理回路のＯ几回路が構
成されることである。さらに第５図（ａｌ、 （ｂ）の
場合出力信号レベルを検知するＣとによＪＡＮＤＡＮＤ
回路も使えるのは画期的である。つまり第５図ｆａ）の
場合で考えると、Ａだけの入力の場合Ｘレベルの出力が
得られるとすると。
に同時に出力信号が得られる。又第５図（ｂ）の場合は
Ａ又はＢ又はＣに入力信号が入ると、Ｄに出力信号が得
られる。ここで注目されるのは論理回路のＯ几回路が構
成されることである。さらに第５図（ａｌ、 （ｂ）の
場合出力信号レベルを検知するＣとによＪＡＮＤＡＮＤ
回路も使えるのは画期的である。つまり第５図ｆａ）の
場合で考えると、Ａだけの入力の場合Ｘレベルの出力が
得られるとすると。
ＡとＣの同時入力の場合２ＸＸレベルの出力が得られる
。即ち出力信号レベルをＸと２ＸＱ間に設定してやれば
Ａ、Ｃの入力に対して１３． Ｄの出力はＡＮＤ回路と
なる。
。即ち出力信号レベルをＸと２ＸＱ間に設定してやれば
Ａ、Ｃの入力に対して１３． Ｄの出力はＡＮＤ回路と
なる。
第３の使用例は各発光ダイオードを発光素子として又は
受光素子として切替て開用する。第６図に示す回路によ
ればリレーがＯＮＩ、ているときはＡとＢは入力回路と
な＃）ＣとＤは出力回路となる。
受光素子として切替て開用する。第６図に示す回路によ
ればリレーがＯＮＩ、ているときはＡとＢは入力回路と
な＃）ＣとＤは出力回路となる。
一方リレーがＵＦＦＩ、でいるときはＡとＢは出力回路
に切替シＣとＤは入力回路に切替る。表−１にリレーの
動作に対応した回路動作の説明をしている。（ＪＮとは
リレーの接続は第６図の通りの場合であり、ＯＦＦはそ
の逆の接続である。表中のｅは回路Ａ、Ｄが発光ダイオ
ードとして動作することを表わしており、ｄは回路Ａ、
Ｄが受光ダイオードとして動作することを表わしている
。第６図の１は発光ダイオードをドライブする回路のプ
ロック図で、Ｏは受光ダイオードを動作させるための回
路のブロック図である。
に切替シＣとＤは入力回路に切替る。表−１にリレーの
動作に対応した回路動作の説明をしている。（ＪＮとは
リレーの接続は第６図の通りの場合であり、ＯＦＦはそ
の逆の接続である。表中のｅは回路Ａ、Ｄが発光ダイオ
ードとして動作することを表わしており、ｄは回路Ａ、
Ｄが受光ダイオードとして動作することを表わしている
。第６図の１は発光ダイオードをドライブする回路のプ
ロック図で、Ｏは受光ダイオードを動作させるための回
路のブロック図である。
表−１
以下本発明につき具体的に説明する。
第７図は本発明による平面配置哉の多方向ホトカプラの
構造図であり、４個の発光ダイオードを使った例である
。第７図＋８）は平面断面図、第７図（ｂ）は側面断面
図を表わす。リードフレーム１〜４は発光ダイオード５
〜８をダイボンディングしており、各々電気的には独立
している。導（ｌｌｔ５〜１８は、電気的に独立したリ
ードフレーム９〜１２と発光ダイオード５〜８をワイヤ
ーボンディングしている。透光性樹脂１３は４個の発光
ダイオード５〜８ｔ−一体化しておおっており４個の発
光ダイオード５〜８相互間の光伝達時となっている。さ
らに不透光性樹脂１４は透光性樹脂１３及びリードフレ
ーム１〜８を封止固定している。
構造図であり、４個の発光ダイオードを使った例である
。第７図＋８）は平面断面図、第７図（ｂ）は側面断面
図を表わす。リードフレーム１〜４は発光ダイオード５
〜８をダイボンディングしており、各々電気的には独立
している。導（ｌｌｔ５〜１８は、電気的に独立したリ
ードフレーム９〜１２と発光ダイオード５〜８をワイヤ
ーボンディングしている。透光性樹脂１３は４個の発光
ダイオード５〜８ｔ−一体化しておおっており４個の発
光ダイオード５〜８相互間の光伝達時となっている。さ
らに不透光性樹脂１４は透光性樹脂１３及びリードフレ
ーム１〜８を封止固定している。
第８図は本発明による対向型の多方向ホトカプラの構造
図であり、４個の発光ダイオードを使った例である。
図であり、４個の発光ダイオードを使った例である。
第１図、第２図社従来タイプのホトカブラ構造を示す断
面図、第３図〜第６図は本発明によるホトカプラの１炉
用例を説明する等価回路図、第７図（ａ）、 （ｂ）、
第８図は本発明による多方向ホトカプラ構造を示す断面
図。 １〜４・・・・・・ダイボンディング用リードフレーム
。 ５〜８・・・・・・発光ダイオード、９〜１２・・・・
・・ワイヤボンディング用リードフレーム、１３・・・
・・・透光性樹脂％ １４・・・・・・不透光性樹脂、
１５〜１８・・・・・・導線、２５・・・・・・ホトト
ランジスタ、２６・・・・・・リードフレーム。 ｕｌ − 代理人 弁理士 内 原 ロｉ キ３需 茅千目（久） Ｖｚ回 ＄ｑ−例 を 仝毛Ｉ（レノ 矛２ 回 ｆ ７’Ｅン■（レジ 率、！？回
面図、第３図〜第６図は本発明によるホトカプラの１炉
用例を説明する等価回路図、第７図（ａ）、 （ｂ）、
第８図は本発明による多方向ホトカプラ構造を示す断面
図。 １〜４・・・・・・ダイボンディング用リードフレーム
。 ５〜８・・・・・・発光ダイオード、９〜１２・・・・
・・ワイヤボンディング用リードフレーム、１３・・・
・・・透光性樹脂％ １４・・・・・・不透光性樹脂、
１５〜１８・・・・・・導線、２５・・・・・・ホトト
ランジスタ、２６・・・・・・リードフレーム。 ｕｌ − 代理人 弁理士 内 原 ロｉ キ３需 茅千目（久） Ｖｚ回 ＄ｑ−例 を 仝毛Ｉ（レノ 矛２ 回 ｆ ７’Ｅン■（レジ 率、！？回
Claims (1)
- 発光するＰ−Ｎ接合を有する半導体素子３ヶ以上と、前
記半導体素子が１ケづつダイボンデインクされた。互に
電気的に独立した第１のリードフレームと、前記半導体
素子に１本づつワイヤポンディングされた導線と、前記
導線が接続される、前記第１のリードフレームと社屯気
的に独立しかつ、互にも電気的に独立した第２のリード
フレームと、前記半導体素子全てを一体に包含する透光
性樹脂と、前記透光性樹脂と、前記第１及び第２のリー
ドフレームの少な（とも一部を封止する少なくとも１種
類の不透光性樹脂とを有する多方向光結合装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58139009A JPS6031282A (ja) | 1983-07-29 | 1983-07-29 | 多方向光結合装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58139009A JPS6031282A (ja) | 1983-07-29 | 1983-07-29 | 多方向光結合装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6031282A true JPS6031282A (ja) | 1985-02-18 |
Family
ID=15235343
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58139009A Pending JPS6031282A (ja) | 1983-07-29 | 1983-07-29 | 多方向光結合装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6031282A (ja) |
-
1983
- 1983-07-29 JP JP58139009A patent/JPS6031282A/ja active Pending
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