JPH0582060U - 光半導体結合装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 受光素子としてダリーントン出力型のフォト
トランジスタを使用したものより暗電流及びコレクタ飽
和電圧を低く抑え、かつシングル出力型のフォトトラン
ジスタを１つ使用したものより高感度とする。 【構成】 １つの発光素子100 と２つの受光素子200a、
200bとを有しており、前記２つの受光素子200a、200bに
はシングル出力型のフォトトランジスタが用いられてい
る。

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】

本考案は、発光素子と受光素子とを組み合わせてなる光半導体結合装置に関す る。

【０００２】

【従来の技術】

従来のこの種の光半導体結合装置は、図４に示すように、パッケージ300 の内 部に１つ又は２つの発光素子100 と、１つの受光素子200 とを空間310 の内部に 封止することによって構成されている。発光素子100 は一対の発光素子側リード 片110a、110bに、一方受光素子200 は一対の受光素子側リード片210a、210bにそ れぞれ接続されており、両素子100 、200 は向かい合うようにして設置されてい る。高感度の光半導体結合装置では、受光素子200 に図３（Ｂ）に示すようにダ ーリントン出力型のフォトトランジスタが使用されている。

【０００３】

【考案が解決しようとする課題】

しかしながら、ダーリントン出力型のフォトトランジスタは、シングル出力型 のフォトトランジスタと比較して暗電流Ｉceo が高く、コレクタ飽和電圧も高い という問題点がある。また、シングル出力型のフォトトランジスタを１つ使用し たものは、感度が低いという問題点がある。

【０００４】 本考案に係る光半導体結合装置は、上記事情に鑑みて創案されたもので、ダリ ーントン出力型のフォトトランジスタを使用したものより暗電流及びコレクタ飽 和電圧を低く抑え、かつシングル出力型のフォトトランジスタを１つ使用したも のより高感度な光半導体結合装置を提供することを目的としている。

【０００５】

【課題を解決するための手段】

本考案に係る光半導体結合装置は、１つの発光素子と複数の受光素子とを有し ており、前記受光素子にはシングル出力型のフォトトランジスタが用いられてい る。

【０００６】

【実施例】

図１は本考案の一実施例に係る光半導体結合装置の概略的構造を示す図面であ って、同図（Ａ）は概略的平面図、同図（Ｂ）は回路図である。また、図２は本 考案の他の実施例に係る光半導体結合装置の概略的構造を示す図面であって、同 図（Ａ）は概略的平面図、同図（Ｂ）は回路図である。

【０００７】 本実施例に係る光半導体結合装置は、１つの発光素子100 と２つの受光素子20 0a、200bとを有しており、前記２つの受光素子200a、200bにはシングル出力型の フォトトランジスタが用いられている。

【０００８】 発光素子100 には、発光ダイオード等が用いられており、一対の発光素子側リ ード片110a、110bに接続されている。すなわち、発光素子100 がアイランド111a にダイボンディングされる発光素子側リード片110aと、金線等のボンディングワ イヤ120 で前記発光素子100 と接続される発光素子側リード片110bとである。

【０００９】 一方、２つの受光素子200a、200bには、シングル出力型のフォトトランジスタ が用いられており、前記アイランド111aより大きなアイランド211aを有する受光 素子側リード片210aにダイボンディングされている。そして、当該受光素子200a 、200bはボンディングワイヤ220a、220bで他方の受光素子側リード片210bが接続 されている。

【００１０】 すなわち、受光素子200a、200bとしてのフォトトランジスタのコレクタを受光 素子側リード片210aに、エミッタを受光素子側リード片210bにそれぞれ接続する ようにするのである。従って、２つの受光素子200a、200bの出力は、受光素子側 リード片210bから取り出すことができる。このように、２つのシングル出力型の フォトトランジスタを受光素子200a、200bとして使用すると、暗電流を低くかつ コレクタ飽和電圧を低く設定することができる。

【００１１】 なお、図４に示すように、１つの発光素子100 と、２つの受光素子200a、200b とは、パッケージ300 の内部の空間310 に向かい合わせに設置されており、発光 素子100 と受光素子200aと間の寸法は、発光素子100 と受光素子200bとの間の寸 法と同一に設定されている。また、発光素子100 は、応力緩和用樹脂としてのシ リコン樹脂320 で封止されており、さらにパッケージ300 の空間310 には、赤外 線透過性モールド樹脂400 が充填されている。また、各リード片110a、110b、21 0a、210b、は、パッケージ300 の側面側から延出されている。

【００１２】 なお、上述した実施例では受光素子側リード片を２つとして説明したが、図２ (Ａ）に示すように３つとすることも可能である。このように構成したものは、 １入力２出力の光半導体結合装置とすることができる。すなわち、受光素子200a の出力は第１の受光素子側リード片210cから、受光素子200bの出力は第２の受光 素子側リード片210bからそれぞれ別個に取り出すことが可能になるからである。

【００１３】 また、受光素子を２つではなく３つ以上使用することも可能である。このよう にすると、より高精度の光半導体結合装置とすることができる。さらに、図２に 示した光半導体結合装置のように構成すれば、１入力多出力の光半導体結合装置 とすることも可能である。

【００１４】

【考案の効果】

本考案に係る光半導体結合装置は、１つの発光素子と複数の受光素子とを有し ており、前記受光素子にはシングル出力型のフォトトランジスタを用いるので、 ダーリントン出力型のフォトトランジスタを受光素子として使用していた従来の ものより暗電流を低く、かつコレクタ飽和電圧も低くすることができる。従って 、光半導体結合装置の性能を向上させることができる。また、１入力２出力の光 半導体結合装置とすることもできる等の種々の応用が可能であるため、産業上の 価値が高いものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本考案の一実施例に係る光半導体結合装置の概
略的構造を示す図面であって、同図（Ａ）は概略的平面
図、同図（Ｂ）は回路図である。

【図２】本考案の他の実施例に係る光半導体結合装置の
概略的構造を示す図面であって、同図（Ａ）は概略的平
面図、同図（Ｂ）は回路図である。

【図３】従来の光半導体結合装置の概略的構成を示す図
面であって、同図（Ａ）は概略的平面図、同図（Ｂ）は
回路図である。

【図４】光半導体結合装置の概略的構成を示す断面図で
ある。

【符号の説明】

100 発光素子 200a、200b 受光素子

Claims (2)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】 １つの発光素子と複数の受光素子とを具
   備したことを特徴とする光半導体結合装置。
2. 【請求項２】 前記受光素子は、シングル出力型のフォ
   トトランジスタであることを特徴とする請求項１記載の
   光半導体結合装置。