JPS59200476A - 双方向光結合装置 - Google Patents
双方向光結合装置Info
- Publication number
- JPS59200476A JPS59200476A JP58074982A JP7498283A JPS59200476A JP S59200476 A JPS59200476 A JP S59200476A JP 58074982 A JP58074982 A JP 58074982A JP 7498283 A JP7498283 A JP 7498283A JP S59200476 A JPS59200476 A JP S59200476A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- coupling device
- elements
- receiving element
- signal transmission
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
半導体素子を用いた光ρ合装置は現在すでに多くの種類
が、実用化されている。ノイズフィルター、リレー、ト
ランスに代るものとしてホトカプラ、無接点固体スイッ
チとしてホトインタラプタ、近接スイッチ、光学読取セ
ンサーとしてマークセンサー、等が有る。
が、実用化されている。ノイズフィルター、リレー、ト
ランスに代るものとしてホトカプラ、無接点固体スイッ
チとしてホトインタラプタ、近接スイッチ、光学読取セ
ンサーとしてマークセンサー、等が有る。
これらの光結合装置の発光素子は、一般にＧａＡｓ発光
ダイオード、ＧａＡｓＰ発光ダイオード、半導体レーザ
等が用いられ、受光素子は、シリコントランジスタ、シ
リコンホトダイオード、シリコンフォトサイリスタ等が
用いられる。以上に述べた光結合装置は発光素子及び受
光素子として専用の半導体素子が用いられておシ、信号
伝達方向は一方向に限られる。
ダイオード、ＧａＡｓＰ発光ダイオード、半導体レーザ
等が用いられ、受光素子は、シリコントランジスタ、シ
リコンホトダイオード、シリコンフォトサイリスタ等が
用いられる。以上に述べた光結合装置は発光素子及び受
光素子として専用の半導体素子が用いられておシ、信号
伝達方向は一方向に限られる。
さて、最近成長が著しいロボット等に使われている光結
合装置特にホトカブ２の使用方法を見ると、制御部と機
械部を接続するインターフェースとして使用されている
が、この場合制御部から機械部への信号伝達と、これと
は逆方向のフィードバック信号伝達径路が必要であシ、
現状では先に述べた様に各々の回路に一方向性のホトカ
プラが使われている。今後ますますロボット等は高度な
ものとなるであろうと考えられ、これに伴いホトカプラ
を使ったインターフェース回路が非常に多く々らざるを
得す、設備の大型化、信頼度の低下が心配される。この
様な状況を考えるに、複数個の一方向性ホトカプラを１
ケの双方向性ホトカプラに置き換えることが必然的に要
求されて来るであろうことは明白である。
合装置特にホトカブ２の使用方法を見ると、制御部と機
械部を接続するインターフェースとして使用されている
が、この場合制御部から機械部への信号伝達と、これと
は逆方向のフィードバック信号伝達径路が必要であシ、
現状では先に述べた様に各々の回路に一方向性のホトカ
プラが使われている。今後ますますロボット等は高度な
ものとなるであろうと考えられ、これに伴いホトカプラ
を使ったインターフェース回路が非常に多く々らざるを
得す、設備の大型化、信頼度の低下が心配される。この
様な状況を考えるに、複数個の一方向性ホトカプラを１
ケの双方向性ホトカプラに置き換えることが必然的に要
求されて来るであろうことは明白である。
本発明は以上の様な状況に鑑み、双方向性光結合装置を
提供するものである。
提供するものである。
Ｐ−Ｎ接合を有する半導体素子は、光が照射されると電
流を発生する。一般に発光ダイオードと呼ばれる半導体
素子も同様の性質を持つ。そこで発光ダイオードを２ケ
光学的に結合させて光結合装置が作られるのは明らかで
ある。一方を発光素子として使用し、他方を逆方向にバ
イアスして受光素子として使用する。例えば、ＧａＡｓ
ＬＥＤを用いたとき第２図の構造において入力２０ｍＡ
のとき１０μＡの出力電流を得ている。又第１図の構造
では２０μＡが得られた。ここで一般的な使用例を示す
。一方を発光素子とし、他方を受光素子としてまず、一
方向の信号伝達が行なえる。
流を発生する。一般に発光ダイオードと呼ばれる半導体
素子も同様の性質を持つ。そこで発光ダイオードを２ケ
光学的に結合させて光結合装置が作られるのは明らかで
ある。一方を発光素子として使用し、他方を逆方向にバ
イアスして受光素子として使用する。例えば、ＧａＡｓ
ＬＥＤを用いたとき第２図の構造において入力２０ｍＡ
のとき１０μＡの出力電流を得ている。又第１図の構造
では２０μＡが得られた。ここで一般的な使用例を示す
。一方を発光素子とし、他方を受光素子としてまず、一
方向の信号伝達が行なえる。
次に入力信号供給回路と出力信号増幅回路よシ成る周辺
回路を各々切替、各素子の機能を全く逆にすることによ
シ逆方向の信号伝達が実現出来る。
回路を各々切替、各素子の機能を全く逆にすることによ
シ逆方向の信号伝達が実現出来る。
以上に述べたホトカプラの例は、他の光結合装置、例え
ばインタラプタ、マークセンサーにも応用できることは
言うまでもない。以下具体的な例で説明する。
ばインタラプタ、マークセンサーにも応用できることは
言うまでもない。以下具体的な例で説明する。
第２図はホトカプラの例である。同一の光半導体素子１
がお互に対向し透光性樹脂３で光学的に結合されて、そ
の周囲を不透光樹脂４でおおっている。第１図は従来の
ホトトランジスタ２を受光素子としたホトカプラである
が、形状・構造は全く同様に出来ることが判る。第３図
、第４図もホトカプラの実施例である。第３図は二重モ
ールド型ホトカプラ、第４図はシングルリードフレーム
のホトカプラであシ、いずれも従来のホトカプラと全く
同様に出来る。
がお互に対向し透光性樹脂３で光学的に結合されて、そ
の周囲を不透光樹脂４でおおっている。第１図は従来の
ホトトランジスタ２を受光素子としたホトカプラである
が、形状・構造は全く同様に出来ることが判る。第３図
、第４図もホトカプラの実施例である。第３図は二重モ
ールド型ホトカプラ、第４図はシングルリードフレーム
のホトカプラであシ、いずれも従来のホトカプラと全く
同様に出来る。
第５図はホトインタラプタの例である。第６図は伝達効
率を向上させるために透明樹脂９でレンズを形成したも
のである。
率を向上させるために透明樹脂９でレンズを形成したも
のである。
第７図はマークセンサーの例である。
第８図は樹脂モールドされた光半導体素子１を向かい合
わせて作られる高耐圧ホトカプラの例である。
わせて作られる高耐圧ホトカプラの例である。
以上述べた様に従来の光結合装置全てにおいて、形状・
構造を変えることなく本発明による、双方向光結合素子
を作ることが出来るのである。
構造を変えることなく本発明による、双方向光結合素子
を作ることが出来るのである。
第１図は従来タイプの受光素子としてホトトランジスタ
を使ったホトカブ２の断面図である。 第２図、第３図〜第８図は本発明による光結合装置の断
面図である。 １“・・・・発光ダイオード素子、２・・曲トランジス
タ素子、３・・・・・・リードフレーム、４・・曲外装
モールド樹脂、５゛°・・・・ポツティング樹脂、６・
・・・・・内装透光性モールド樹脂、７・・曲反射用ポ
ツティング樹脂、８・・・・・・インタラプタケース、
９・・曲送光性モールド樹脂、１０・・・・・・レンズ
ｍ、１１・・・用ステム、１３・・・・・・高耐カプラ
用ケース。 第３図 Ｉ 第５図 第４図 第す図
を使ったホトカブ２の断面図である。 第２図、第３図〜第８図は本発明による光結合装置の断
面図である。 １“・・・・発光ダイオード素子、２・・曲トランジス
タ素子、３・・・・・・リードフレーム、４・・曲外装
モールド樹脂、５゛°・・・・ポツティング樹脂、６・
・・・・・内装透光性モールド樹脂、７・・曲反射用ポ
ツティング樹脂、８・・・・・・インタラプタケース、
９・・曲送光性モールド樹脂、１０・・・・・・レンズ
ｍ、１１・・・用ステム、１３・・・・・・高耐カプラ
用ケース。 第３図 Ｉ 第５図 第４図 第す図
Claims (1)
- Ｐ−Ｎ接合を有する光半導体素子を発光素子又は受光素
子とし、前記光半導体素子と同一の半導体素子を受光素
子又は発光素子とし、前記発光素子と受光素子を光学的
に結合させた双方向光結合装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58074982A JPS59200476A (ja) | 1983-04-28 | 1983-04-28 | 双方向光結合装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58074982A JPS59200476A (ja) | 1983-04-28 | 1983-04-28 | 双方向光結合装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59200476A true JPS59200476A (ja) | 1984-11-13 |
Family
ID=13562994
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58074982A Pending JPS59200476A (ja) | 1983-04-28 | 1983-04-28 | 双方向光結合装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59200476A (ja) |
-
1983
- 1983-04-28 JP JP58074982A patent/JPS59200476A/ja active Pending
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