JPS63174315A - ３−５族化合物半導体結晶のド−ピング方法 - Google Patents
３−５族化合物半導体結晶のド−ピング方法Info
- Publication number
- JPS63174315A JPS63174315A JP671687A JP671687A JPS63174315A JP S63174315 A JPS63174315 A JP S63174315A JP 671687 A JP671687 A JP 671687A JP 671687 A JP671687 A JP 671687A JP S63174315 A JPS63174315 A JP S63174315A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- doping
- compound semiconductor
- group
- semiconductor crystal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 20
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims abstract description 16
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 25
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims abstract description 11
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 7
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 claims abstract description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 30
- 241000894007 species Species 0.000 description 23
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 22
- 238000003877 atomic layer epitaxy Methods 0.000 description 5
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 4
- 239000003463 adsorbent Substances 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 3
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 235000003434 Sesamum indicum Nutrition 0.000 description 1
- 244000000231 Sesamum indicum Species 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N arsane Chemical compound [AsH3] RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000070 arsenic hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000002860 competitive effect Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 230000005533 two-dimensional electron gas Effects 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は■−■族化合物半導体結晶のドーピング方法に
関するものである。
関するものである。
近年、数原子層以下、さらには単原子層の超薄膜および
その積層構造を有する量子効果素子が提案された。超薄
膜内二次元電子ガスの特異な電気的および光学的性質は
新たなデバイス機能の可能性を示しており、量子井戸レ
ーザなどへの応用に加えて高速新機能の電子／光デバイ
スへの展開が期待されている。
その積層構造を有する量子効果素子が提案された。超薄
膜内二次元電子ガスの特異な電気的および光学的性質は
新たなデバイス機能の可能性を示しており、量子井戸レ
ーザなどへの応用に加えて高速新機能の電子／光デバイ
スへの展開が期待されている。
しかしながら従来の化合物半導体のエピタキシャル成長
方法では実現が難しいという問題を有していた。例えば
ＭＯ−ＣＶＤ法、ＭＢＥ法においては原料供給量によっ
て成長速度が決るため、原料供給量を少なくして成長速
度を遅くすることによって数原子層レベルの成長制御が
可能であるが、その供給量の精密なモニターと制御が必
要となり、単原子層レベルで高い制御精度を得るのは困
難である。
方法では実現が難しいという問題を有していた。例えば
ＭＯ−ＣＶＤ法、ＭＢＥ法においては原料供給量によっ
て成長速度が決るため、原料供給量を少なくして成長速
度を遅くすることによって数原子層レベルの成長制御が
可能であるが、その供給量の精密なモニターと制御が必
要となり、単原子層レベルで高い制御精度を得るのは困
難である。
そこで最近、スントラ（Ｓｕｎｔｏｌａ）等によって報
告された原子層エピタキシャル法（ＡＬＥ法）が注目を
集めている〔第１６同面体素子、材料コンファレンス予
稿ｆｉ（Ｔ、５ｕｎｔｏｌａ、 Ｅｘｔｅｎｄｅｄ Ａ
ｂｓｔｒａｃｔ ｏｆ ｔｈｅ１６ｔｈ Ｃｏｎｆｅ
ｒｅｎｃｅ ｏｎ ５ｏｌｉｄ ５ｔａｔｅ
Ｄｅｖｉｃｅ ａｎｄ Ｍ−ａｔａｒｉａｌｓｓ、
Ｋｏｂａ、 １９８４． ｐｐ、６４７−６５０））
、この方法は、化合物半導体の構成元素、あるいはそ
の元素を含むガス種を交互に導入することにより一原子
層づつ積層して所望の化合物半導体結晶を成長させよう
とする方法である。この方法によると、膜厚の制御のた
めには従来の原料ガスや供給時間で成長速度を制御する
方法とは異なり、ガスの切り替え回数を制御すればよい
ことになり、その精度は格段に向上することが期待され
る。
告された原子層エピタキシャル法（ＡＬＥ法）が注目を
集めている〔第１６同面体素子、材料コンファレンス予
稿ｆｉ（Ｔ、５ｕｎｔｏｌａ、 Ｅｘｔｅｎｄｅｄ Ａ
ｂｓｔｒａｃｔ ｏｆ ｔｈｅ１６ｔｈ Ｃｏｎｆｅ
ｒｅｎｃｅ ｏｎ ５ｏｌｉｄ ５ｔａｔｅ
Ｄｅｖｉｃｅ ａｎｄ Ｍ−ａｔａｒｉａｌｓｓ、
Ｋｏｂａ、 １９８４． ｐｐ、６４７−６５０））
、この方法は、化合物半導体の構成元素、あるいはそ
の元素を含むガス種を交互に導入することにより一原子
層づつ積層して所望の化合物半導体結晶を成長させよう
とする方法である。この方法によると、膜厚の制御のた
めには従来の原料ガスや供給時間で成長速度を制御する
方法とは異なり、ガスの切り替え回数を制御すればよい
ことになり、その精度は格段に向上することが期待され
る。
またすでに碓井等、西沢等によって、原子層エピタキシ
ャル法（ＡＬＥ法）は一定の領域において原料供給量に
よらず、一原子層成長が達成されていることが報告され
ている［ジャパニーズ ジャーナル オブ アプライド
フィジックス（Ｊａｐａｎ−ｅｓｅ Ｊｏｕｒｎａｌ
ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ）２５．１９
８６． ｐｐ。
ャル法（ＡＬＥ法）は一定の領域において原料供給量に
よらず、一原子層成長が達成されていることが報告され
ている［ジャパニーズ ジャーナル オブ アプライド
フィジックス（Ｊａｐａｎ−ｅｓｅ Ｊｏｕｒｎａｌ
ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ）２５．１９
８６． ｐｐ。
Ｌ２１２−２１４．ジャーナル オブ ザ エレクトロ
ケミカルソサイエテ！ （Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｔ
ｈｅ Ｅｌｅｃｔｒｏｃ−ｈｅｍｉｃａｌ ５ｏｃｉｅ
ｔｙ）１３２，１９８５． ｐｐ、１１９７−１２００
．１゜〔発明が解決しようとする問題点〕 しかしながら、原子層エピタキシャル成長はドーピング
の制御性に問題を有していた。原子層エピタキシャル成
長のドーピング方法に関して、２種類のドーピング方法
が提案されていた。まず第一に教本らがジャパニーズジ
ャーナルオブアプライド フィジックス（Ｊａｐａｎｅ
ｓｅ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａ−ｐｐｌｉｅｄ Ｐｔ
＋ｙｓｉｃｓ）２５，１９８６． ｐｐ、Ｌ５１３−５
１５．で述べているように、原料ガスと同時にドーパン
トガスを供給する方法である。第二に碓井らがガリウム
ひ素・化合物半導体国際シンポジウム（Ｇａｌｌｉｕｍ
Ａｒ−５ｅｎｉｄｅ ａｎｄ Ｒｅ１ａｔｅｄ Ｃｏ
ｍｐｏｕｎｄｓ） １９８６で述べているように■族あ
るいは■族の構成面を一部ドーパント構成面に置き換え
てしまう方法である。第二の方法はドーパントの活性化
率に問題点はあるものの、高均一な高濃度ドーピング層
が得られる。
ケミカルソサイエテ！ （Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｔ
ｈｅ Ｅｌｅｃｔｒｏｃ−ｈｅｍｉｃａｌ ５ｏｃｉｅ
ｔｙ）１３２，１９８５． ｐｐ、１１９７−１２００
．１゜〔発明が解決しようとする問題点〕 しかしながら、原子層エピタキシャル成長はドーピング
の制御性に問題を有していた。原子層エピタキシャル成
長のドーピング方法に関して、２種類のドーピング方法
が提案されていた。まず第一に教本らがジャパニーズジ
ャーナルオブアプライド フィジックス（Ｊａｐａｎｅ
ｓｅ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａ−ｐｐｌｉｅｄ Ｐｔ
＋ｙｓｉｃｓ）２５，１９８６． ｐｐ、Ｌ５１３−５
１５．で述べているように、原料ガスと同時にドーパン
トガスを供給する方法である。第二に碓井らがガリウム
ひ素・化合物半導体国際シンポジウム（Ｇａｌｌｉｕｍ
Ａｒ−５ｅｎｉｄｅ ａｎｄ Ｒｅ１ａｔｅｄ Ｃｏ
ｍｐｏｕｎｄｓ） １９８６で述べているように■族あ
るいは■族の構成面を一部ドーパント構成面に置き換え
てしまう方法である。第二の方法はドーパントの活性化
率に問題点はあるものの、高均一な高濃度ドーピング層
が得られる。
しかし低濃度ドーピング層を得ることは困難であった・
第一の方法は原料ガスと同時にドーパントガスの濃度を
コントロールすることによって、高濃度から低濃度のド
ーピングを行うことができるが、原料ガスとドーピング
ガスの吸着速度、脱離速度が異なるためにガスの消費割
合が基板の上流部と下流部で異なり、ドーピングの均一
性が低下してしまうという欠点があった。
コントロールすることによって、高濃度から低濃度のド
ーピングを行うことができるが、原料ガスとドーピング
ガスの吸着速度、脱離速度が異なるためにガスの消費割
合が基板の上流部と下流部で異なり、ドーピングの均一
性が低下してしまうという欠点があった。
本発明の目的は■−■族化合物半導体結晶のクロライド
輸送法による原子層エピタキシャル成長において、従来
のかかる欠点を除去し、高均一でかつ濃度制御性が高い
ドーピング方法を提供することにある。
輸送法による原子層エピタキシャル成長において、従来
のかかる欠点を除去し、高均一でかつ濃度制御性が高い
ドーピング方法を提供することにある。
本発明は■族構成元素を含むガス種と、■族構成元素を
含むガス種との供給を交互に繰り返しながら気相成長を
行う■−■族化合物半導体結晶の原子層エピタキシャル
成長方法において、ｎ型ドーパントガスとしてＳｉの塩
化物： ５ｘＨ４−ｘＣＩＩＩｘ（ｘ＝１−４）を用い
ることを特徴とする■−Ｖ族化合物半溝体結晶のドーピ
ング方、法である。
含むガス種との供給を交互に繰り返しながら気相成長を
行う■−■族化合物半導体結晶の原子層エピタキシャル
成長方法において、ｎ型ドーパントガスとしてＳｉの塩
化物： ５ｘＨ４−ｘＣＩＩＩｘ（ｘ＝１−４）を用い
ることを特徴とする■−Ｖ族化合物半溝体結晶のドーピ
ング方、法である。
■−■族化合物半導体の原子層エピタキシィ−の成長機
構としては、まず■族構成元素を含むガス種を基板上に
供給し、■族構成元素を含む吸着種を基板上に吸着させ
１次にＶ族構成元素を含むガス種を基板上に供給し、吸
着種と反応させ、■−Ｖ族化合物半導体結晶を一分子層
成長させる。
構としては、まず■族構成元素を含むガス種を基板上に
供給し、■族構成元素を含む吸着種を基板上に吸着させ
１次にＶ族構成元素を含むガス種を基板上に供給し、吸
着種と反応させ、■−Ｖ族化合物半導体結晶を一分子層
成長させる。
ここでｎ型ドーパントとして■族すイトを占める■族不
純物のドーピングを考えると、まず■族構成元素：Ａの
塩化物を含む第一のガス種を基板上に供給し、基板上に
第一の吸着種を形成する。
純物のドーピングを考えると、まず■族構成元素：Ａの
塩化物を含む第一のガス種を基板上に供給し、基板上に
第一の吸着種を形成する。
一方ｎ型ドーパントガスとしてＳｉを含む第二のガス種
を基板上に供給し、基板上に第二の吸着種を形成する。
を基板上に供給し、基板上に第二の吸着種を形成する。
ここで第二のガス種としてＳｉｎ、を用いた場合、Ｓｉ
Ｈ４ガスは反応管内のガス相で分解して基板上にＳｉを
含む第二の吸着種が形成されてしまい、基板面内でドー
ピングの均一性が低下するが、第二のガス種としてＳｉ
Ｈ４−ｘ（ＪＸ（ｘ＝１〜４）を用いた場合には、第一
の吸着種と第二の吸着種は容易に競争吸着を実現するこ
とができる。このため、第一の吸着種と第二の吸着種が
混合した吸着面上にＶ族構成元素二Ｂを含む第三のガス
種を基板上に供給し、第一、第二の吸着種と反応させ、
ｎ型■−Ｖ族化合物半導体（Ａ −Ｂ）結晶を成長させ
ると、模めて均一性の良好な成長層が得られる。
Ｈ４ガスは反応管内のガス相で分解して基板上にＳｉを
含む第二の吸着種が形成されてしまい、基板面内でドー
ピングの均一性が低下するが、第二のガス種としてＳｉ
Ｈ４−ｘ（ＪＸ（ｘ＝１〜４）を用いた場合には、第一
の吸着種と第二の吸着種は容易に競争吸着を実現するこ
とができる。このため、第一の吸着種と第二の吸着種が
混合した吸着面上にＶ族構成元素二Ｂを含む第三のガス
種を基板上に供給し、第一、第二の吸着種と反応させ、
ｎ型■−Ｖ族化合物半導体（Ａ −Ｂ）結晶を成長させ
ると、模めて均一性の良好な成長層が得られる。
またドーピング濃度の制御にはＳｉＨ，−１ｃＱ１（ｘ
＝１〜４）を含む第二のガス種の濃度を変化させること
によって可能である。
＝１〜４）を含む第二のガス種の濃度を変化させること
によって可能である。
以下に本発明の実施例を図によって説明する。
（実施例１）
本実施例ではハロゲン輸送法に基づ＜ ＡＬＥ法エピタ
キシャル成長によってＳｉドープＧａＡｓ層を成長させ
た例について述べる。成長装置の概略を第１図に示した
。なお多成長室を有するＡＩＪ成長装置については碓井
等によってジャパニーズ ジャーナル オブ アプライ
ド フィジックス（Ｊａｐａｎ−ｅｓｅ Ｊｏｕｒｎａ
ｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ）２５．１
９８６． ｐｐ。
キシャル成長によってＳｉドープＧａＡｓ層を成長させ
た例について述べる。成長装置の概略を第１図に示した
。なお多成長室を有するＡＩＪ成長装置については碓井
等によってジャパニーズ ジャーナル オブ アプライ
ド フィジックス（Ｊａｐａｎ−ｅｓｅ Ｊｏｕｒｎａ
ｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ）２５．１
９８６． ｐｐ。
Ｌ２Ｌ２−２１４に報告されている。この成長装置では
、下段の成長室１１の上流にＧａソースポート１２を置
き、その上流からＨ２キャリアガスと共にＨＣＱガスを
供給する。この結果、ＧａＣＱが生成され下流に輸送さ
れる。一方上段の成長室１３はＡｓの水素化物であるＡ
ｓＨ３を１１２キヤリアガスと共に供給できる。基板結
晶１４としては２インチＧａＡｓ（１００）面を用いた
。反応管の温度は抵抗加熱炉によりＧａソース部は７３
０℃、基板結晶部は５００℃に設定した。ガス流量条件
は次のとおりである。
、下段の成長室１１の上流にＧａソースポート１２を置
き、その上流からＨ２キャリアガスと共にＨＣＱガスを
供給する。この結果、ＧａＣＱが生成され下流に輸送さ
れる。一方上段の成長室１３はＡｓの水素化物であるＡ
ｓＨ３を１１２キヤリアガスと共に供給できる。基板結
晶１４としては２インチＧａＡｓ（１００）面を用いた
。反応管の温度は抵抗加熱炉によりＧａソース部は７３
０℃、基板結晶部は５００℃に設定した。ガス流量条件
は次のとおりである。
ガス種 流量
ＨＣＱ ２ ｓｅｃｍ
Ａｓ）１３６ ｓｅｃ＋ａ
ＳｉＨ，ＣＱ、 Ｉ Ｘ １０−”ｓｅｅｍｌ、
５ ｓｌｍ まず下段の成長室１１でＧａＣＱおよびＳｉＨ，ＣＱ２
を供給し、基板移送機構部１５を動作させ、基板を上段
の成長室１３へ移動して、ＡｓＨ，を供給し、ｎ型（Ｇ
ａＡＳ）層を一分子層成長させる操作を５０００回繰り
返した。
５ ｓｌｍ まず下段の成長室１１でＧａＣＱおよびＳｉＨ，ＣＱ２
を供給し、基板移送機構部１５を動作させ、基板を上段
の成長室１３へ移動して、ＡｓＨ，を供給し、ｎ型（Ｇ
ａＡＳ）層を一分子層成長させる操作を５０００回繰り
返した。
得られた結晶をホール測定にてキャリア濃度を調べた結
果、ｎ＝３Ｘ１０１７（ａｍ−”）であり、均一性は５
％以内で２インチ基板全面にわたって測定誤差範囲内で
あった。
果、ｎ＝３Ｘ１０１７（ａｍ−”）であり、均一性は５
％以内で２インチ基板全面にわたって測定誤差範囲内で
あった。
（実施例２）
本実施例では（Ｃ＊Ｈｓ）ｚＧａｃＡ：ディエチルガリ
ウムクロライドを用いたＭＯＣＶＤ法に基づ＜ ＡＬＥ
法エピタキシャル成長によってＳｉドープＧａＡｓ層を
成長させた例について述べる。
ウムクロライドを用いたＭＯＣＶＤ法に基づ＜ ＡＬＥ
法エピタキシャル成長によってＳｉドープＧａＡｓ層を
成長させた例について述べる。
成長装置の概略を第２図に示した。■族原料については
ＡｓＨ３を用い、ｎ型ドーパントとしてＳｉＨ。
ＡｓＨ３を用い、ｎ型ドーパントとしてＳｉＨ。
ＣＱを用いた。基板結晶１４としてはＧａＡｓ （１０
０）面を用いた。基板結晶はカーボンサセプタ１６上に
設置し、高周波加熱コイル１７に通電して基板温度を５
００℃とした。
０）面を用いた。基板結晶はカーボンサセプタ１６上に
設置し、高周波加熱コイル１７に通電して基板温度を５
００℃とした。
ガス分圧条件は次のとおりである。
ガス種 分圧
（Ｃ２Ｈｇ）ｚＧａｃＱ ５Ｘ１０″″’ ａｔｍ
ＡｓＨ，５Ｘ １０−’ａｔｍ ＳｉＨ，ＣＱ Ｉ Ｘ １０−”ａｔｍＨ，
５５１ｍ まず（Ｃ２Ｈ６）、ＧａＣＱとＳｉＨ，ＣＱを同時に３
秒間供給し、つぎにＡｓＨ，を５秒間供給し、ｎ型（Ｇ
ａＡｓ）層を一分子層成長した。これらの操作を５００
０回繰り返した。
ＡｓＨ，５Ｘ １０−’ａｔｍ ＳｉＨ，ＣＱ Ｉ Ｘ １０−”ａｔｍＨ，
５５１ｍ まず（Ｃ２Ｈ６）、ＧａＣＱとＳｉＨ，ＣＱを同時に３
秒間供給し、つぎにＡｓＨ，を５秒間供給し、ｎ型（Ｇ
ａＡｓ）層を一分子層成長した。これらの操作を５００
０回繰り返した。
得られた結晶をホール測定にてキャリア濃度を調べた結
果、ｎ ＝８ Ｘ １０” （（！１−’ ）であり、
均一性は５％以内で３インチ基板全面にわたって測定誤
差範囲内であった。
果、ｎ ＝８ Ｘ １０” （（！１−’ ）であり、
均一性は５％以内で３インチ基板全面にわたって測定誤
差範囲内であった。
以上述べたように、ｎ型ドーパントガスとしてＳＬの塩
化物： ＳｉＨ４−ｘＣｌｘ（ｘ＝１〜４）を用いたｍ
−ｖ族化合物半導体結晶のドーピング方法によれば、■
族構成元素の塩化物を含むガス種と、■族構成元素を含
むガス種の供給を交互に繰返して原子層エピタキシャル
気相成長を行うことにより、高均一でかつ濃度制御性が
高いドーピングを行うことができる効果を有するもので
ある。
化物： ＳｉＨ４−ｘＣｌｘ（ｘ＝１〜４）を用いたｍ
−ｖ族化合物半導体結晶のドーピング方法によれば、■
族構成元素の塩化物を含むガス種と、■族構成元素を含
むガス種の供給を交互に繰返して原子層エピタキシャル
気相成長を行うことにより、高均一でかつ濃度制御性が
高いドーピングを行うことができる効果を有するもので
ある。
第１図は本発明の第１の実施例を説明するため明するた
めのＭＯ−ＣＶＤ法に基づく原子層エピタキシャル成長
装置の概略図である。 １１・・・下段成長室 １２・・・Ｇａソース
ポート１３・・・上段成長室 １４・・・基板
結晶１５・・・基板移動機構部 １６・・・カーボ
ンサセプタ１７・・・高周波加熱コイル □−’＋／’ノ
めのＭＯ−ＣＶＤ法に基づく原子層エピタキシャル成長
装置の概略図である。 １１・・・下段成長室 １２・・・Ｇａソース
ポート１３・・・上段成長室 １４・・・基板
結晶１５・・・基板移動機構部 １６・・・カーボ
ンサセプタ１７・・・高周波加熱コイル □−’＋／’ノ
Claims (1)
- （１）III族構成元素を含むガス種と、Ｖ族構成元素を
含むガス種との供給を交互に繰り返しながら気相成長を
行うIII−Ｖ族化合物半導体結晶の原子層エピタキシャ
ル成長方法において、ｎ型ドーパントガスとしてＳｉの
塩化物：ＳｉＨ＿４＿−＿ｘＣｌ＿ｘ（ｘ＝１〜４）を
用いることを特徴とするIII−Ｖ族化合物半導体結晶の
ドーピング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP671687A JPH0620043B2 (ja) | 1987-01-13 | 1987-01-13 | ▲ｉｉｉ▼−▲ｖ▼族化合物半導体結晶のド−ピング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP671687A JPH0620043B2 (ja) | 1987-01-13 | 1987-01-13 | ▲ｉｉｉ▼−▲ｖ▼族化合物半導体結晶のド−ピング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63174315A true JPS63174315A (ja) | 1988-07-18 |
| JPH0620043B2 JPH0620043B2 (ja) | 1994-03-16 |
Family
ID=11645987
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP671687A Expired - Lifetime JPH0620043B2 (ja) | 1987-01-13 | 1987-01-13 | ▲ｉｉｉ▼−▲ｖ▼族化合物半導体結晶のド−ピング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0620043B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0541529A (ja) * | 1991-08-06 | 1993-02-19 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 化合物半導体素子およびその作製方法 |
-
1987
- 1987-01-13 JP JP671687A patent/JPH0620043B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0541529A (ja) * | 1991-08-06 | 1993-02-19 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 化合物半導体素子およびその作製方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0620043B2 (ja) | 1994-03-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5294286A (en) | Process for forming a thin film of silicon | |
| US5270247A (en) | Atomic layer epitaxy of compound semiconductor | |
| US4193835A (en) | Method for growing semiconductor crystal | |
| GB2192198A (en) | Preparing compound semiconductor | |
| JPS63174315A (ja) | ３−５族化合物半導体結晶のド−ピング方法 | |
| JP2577550B2 (ja) | ▲ｉｉｉ▼−▲ｖ▼族化合物半導体単結晶薄膜の不純物添加法 | |
| US5037674A (en) | Method of chemically vapor depositing a thin film of GaAs | |
| JPS63174314A (ja) | ３−５族化合物半導体結晶のド−ピング方法 | |
| KR960004591B1 (ko) | 도우프된 결정 성장 방법 | |
| JPS63181314A (ja) | ３−５族化合物半導体結晶のド−ピング方法 | |
| JPH04162418A (ja) | 化学気相成長法 | |
| JPS61260622A (ja) | ＧａＡｓ単結晶薄膜の成長法 | |
| JP3141628B2 (ja) | 化合物半導体素子及びその製造方法 | |
| JPH0620046B2 (ja) | ▲ｉｉｉ▼−▲ｖ▼族化合物半導体の原子層エピタキシヤル成長方法 | |
| JP3109149B2 (ja) | 化合物半導体結晶成長方法 | |
| JPH0535719B2 (ja) | ||
| JPH0657636B2 (ja) | 化合物半導体薄膜形成法 | |
| JPH0620041B2 (ja) | ▲ｉｉｉ▼−▲ｖ▼族化合物半導体結晶の成長方法 | |
| JP2847198B2 (ja) | 化合物半導体の気相成長方法 | |
| JPS6317293A (ja) | 化合物半導体薄膜形成法 | |
| JPS62182195A (ja) | ３−ｖ族化合物半導体の成長方法 | |
| Flemish et al. | Altering the Composition of InGaAsP Grown by the Hydride Technique by Introducing HCl Downstream | |
| JPH0620047B2 (ja) | ▲ｉｉｉ▼−▲ｖ▼族化合物半導体の原子層エピタキシヤル成長方法 | |
| JPS6355193A (ja) | 化合物半導体結晶成長装置 | |
| JPH02116120A (ja) | 結晶成長方法 |