JPS63172428A - Photoresist developing apparatus - Google Patents
Photoresist developing apparatusInfo
- Publication number
- JPS63172428A JPS63172428A JP362487A JP362487A JPS63172428A JP S63172428 A JPS63172428 A JP S63172428A JP 362487 A JP362487 A JP 362487A JP 362487 A JP362487 A JP 362487A JP S63172428 A JPS63172428 A JP S63172428A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- photoresist
- developer
- pure water
- fixing means
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 title claims abstract description 56
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 23
- 101100327917 Caenorhabditis elegans chup-1 gene Proteins 0.000 abstract description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体製造等における写真製版工程におい
て用いられるフォトレジスト現像装置に関するものであ
る。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a photoresist developing device used in a photolithography process in semiconductor manufacturing and the like.
[従来の技術]
半導体製造における写真製版工程においては、まず、ウ
ェハ上にフォトレジストを形成し、そのフォトレジスト
の表面をマスクを用いて所定のパターンに露光した後、
フォトレジストを現像することによってウェハの表面に
所定のフォトレジストのパターンを得る。[Prior Art] In a photolithography process in semiconductor manufacturing, a photoresist is first formed on a wafer, and the surface of the photoresist is exposed to light in a predetermined pattern using a mask.
A predetermined photoresist pattern is obtained on the surface of the wafer by developing the photoresist.
第2図は、フォトレジストの現像を行なうために用いる
従来のフォトレジスト現像装置である。FIG. 2 shows a conventional photoresist developing apparatus used for developing photoresist.
図において、カップl内にウェハ固定手段2が備えられ
ており、このウェハ固定手段2上に半導体のウェハ10
がフォトレジストの形成された面を上にして固定される
。また、前記カップ1の上部にはウェハ固定手段2上に
固定されたウェハ10の表面に現像液を吐出させるため
の現像液ノズル3および純水を吐出させるための純水ノ
ズル4が備えられている。さらに、前記カップlの底部
には現像液または純水20を排出するための排出口5が
設けられている。In the figure, a wafer fixing means 2 is provided in a cup l, and a semiconductor wafer 10 is placed on the wafer fixing means 2.
is fixed with the side on which the photoresist is formed facing upward. Furthermore, a developer nozzle 3 for discharging a developer onto the surface of the wafer 10 fixed on the wafer fixing means 2 and a pure water nozzle 4 for discharging pure water are provided at the upper part of the cup 1. There is. Furthermore, a discharge port 5 for discharging the developer or pure water 20 is provided at the bottom of the cup 1.
このフォトレジスト現像装置を用いて、所定のパターン
に露光されたフォトレジストを現像する場合、まず、現
像液ノズル3から現像液をウェハ10上のフォトレジス
トの表面11に吐出させてフォトレジストの現像を行な
う。そして、純水ノズル4から前記フォトレジストの表
面11に純水を吐出させてウェハ10の表面を純水で洗
浄すると、ウェハ10の表面に所定のフォトレジストの
パターンが形成される。When developing a photoresist exposed to a predetermined pattern using this photoresist developing device, first, a developer is discharged from the developer nozzle 3 onto the surface 11 of the photoresist on the wafer 10 to develop the photoresist. Do this. Then, when pure water is discharged from the pure water nozzle 4 onto the surface 11 of the photoresist and the surface of the wafer 10 is cleaned with pure water, a predetermined photoresist pattern is formed on the surface of the wafer 10.
[発明が解決しようとする問題点]
上記の従来のフォトレジスト現像装置によると、現像液
を現像液ノズル3からウェハ10上のフォトレジストの
表面11に吐出させる際に、現像液がウェハ10上のフ
ォトレジストの表面11に均一に当たらないので、現像
により形成されるフォトレジストのパターンの寸法がウ
ェハ10の面内において不均一となり、また、フォトレ
ジストのパターンが形成されるウェハ10の面が上を向
いているため、現像時にフォトレジストから発生する現
像液に不溶の物質が、純水によるリンスによって十分に
除去されないという問題点があった。[Problems to be Solved by the Invention] According to the conventional photoresist developing apparatus described above, when the developer is discharged from the developer nozzle 3 onto the surface 11 of the photoresist on the wafer 10, the developer is discharged onto the wafer 10. Since the surface 11 of the photoresist is not uniformly applied, the dimensions of the photoresist pattern formed by development become non-uniform within the surface of the wafer 10, and the surface of the wafer 10 on which the photoresist pattern is formed is uneven. Since the photoresist is facing upward, there is a problem in that substances insoluble in the developer generated from the photoresist during development are not sufficiently removed by rinsing with pure water.
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、フォトレジストのパターン寸法がウェハ面
内において均一となるとともに、現像時に発生する物質
を十分除去することができるフォトレジスト現像装置を
得ることを目的とする。This invention was made to solve the above-mentioned problems, and it is a photoresist development method that makes the pattern dimensions of the photoresist uniform within the wafer surface and that can sufficiently remove substances generated during development. The purpose is to obtain equipment.
[問題点を解決するための手段]
この発明に係るフォトレジスト現像装置は、現像液、洗
浄液等の所定の液を収容する容器と、フォトレジストが
形成されたウェハを固定保持するウェハ固定手段とを備
えている。[Means for Solving the Problems] A photoresist developing apparatus according to the present invention includes a container for containing a predetermined liquid such as a developer and a cleaning liquid, and a wafer fixing means for fixing and holding a wafer on which a photoresist is formed. It is equipped with
特に、前記ウェハ保持手段は、ウェハをフォトレジスト
の表面が下方を向くように固定保持しかつその状態を保
ちながらウェハを前記容器内の液中に移動することがで
きるようになされている。In particular, the wafer holding means is configured to fixedly hold the wafer so that the surface of the photoresist faces downward, and to move the wafer into the liquid in the container while maintaining this state.
[作用]
この発明に係るフォトレジスト現像装置によると、ウェ
ハ固定手段によって、ウェハがフォトレジストの表面を
下にした状態で容器内に蓄えられた現像液中に移動され
るので、ウェハ上のフォトレジストの表面に現像液が均
一に接触・密着することになる。したがって、ウェハ上
に形成されるフォトレジストのパターンの寸法が、ウェ
ハの面内において均一となる。また、現像液による現像
後、同様に、ウェハ固定手段によって、ウェハがフォト
レジストの表面を下にした状態で容器内に蓄えられた洗
浄液内に移動されるので、現像時に発生した物質が十分
に除去されることになる。[Function] According to the photoresist developing apparatus according to the present invention, the wafer is moved into the developer stored in the container with the photoresist surface facing down by the wafer fixing means, so that the photoresist on the wafer is The developer comes into uniform contact and adhesion to the surface of the resist. Therefore, the dimensions of the photoresist pattern formed on the wafer become uniform within the plane of the wafer. Furthermore, after development with the developer, the wafer is similarly moved by the wafer fixing means into the cleaning solution stored in the container with the photoresist surface facing down, so that the substances generated during development are sufficiently removed. It will be removed.
[実施例] 以下、この発明の一実施例を図面を用いて説明する。[Example] An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
第1図はこの発明に係るフォトレジスト現像装置の一実
施例を示す断面図である。FIG. 1 is a sectional view showing an embodiment of a photoresist developing apparatus according to the present invention.
このフォトレジスト現像装置は、現像液または純水20
を収容するカップ1、ウェハ10を固定保持するウェハ
固定手段2、前記カップ1内に現像液を導入する現像液
ノズル3、および前記カップ1内に純水を導入する純水
ノズル4から構成されている。This photoresist developing device uses a developer solution or pure water
A cup 1 for accommodating a wafer 10, a wafer fixing means 2 for fixedly holding a wafer 10, a developer nozzle 3 for introducing a developer into the cup 1, and a pure water nozzle 4 for introducing pure water into the cup 1. ing.
前記カップ1の底部には、収容されている現像液または
純水20を排出するための排出口5が設けられている。A discharge port 5 is provided at the bottom of the cup 1 for discharging the developer or pure water 20 contained therein.
前記ウェハ固定手段2は、ウェハ10をそのウェハ上に
形成されたフォトレジストの表面11を下向きにした状
態で固定保持するようになっている。また、このウェハ
固定手段2は上下方向に移動可能になされており、ウェ
ハ10上のフォトレジストの表面11を下向きにした状
態で、このウェハ10を前記カップ1内の現像液または
純水20の中に移動させることができるようになってい
る。The wafer fixing means 2 is configured to fix and hold the wafer 10 with the surface 11 of the photoresist formed on the wafer facing downward. The wafer fixing means 2 is movable in the vertical direction, and the wafer 10 is held in the developing solution or pure water 20 in the cup 1 with the surface 11 of the photoresist on the wafer 10 facing downward. It can be moved inside.
このフォトレジスト現像装置を用いて、所定のパターン
に露光されたフォトレジストを現像する場合には、まず
、排出口5を閉じ、現像液を現像液ノズル3から吐出さ
せてカップ1内に蓄える。When using this photoresist developing device to develop photoresist exposed to a predetermined pattern, first, the discharge port 5 is closed, and the developer is discharged from the developer nozzle 3 and stored in the cup 1.
次に、ウェハ固定手段2を下方に移動することによって
ウェハ10をカップ1内の現像液中に浸漬させ、ウェハ
10のフォトレジストの表面11を現像液に均一に接触
させてフォトレジストの現像を行なう。 ′
次いで、排出口5を開き、現像液を排出した後、再び排
出口5を閉じる。そして、純水を純水ノズル4から吐出
させてカップ1内に蓄える。次に、現像時と同様にウェ
ハ固定手段2を下方に移動させ、ウェハ10を純水によ
り洗浄する。さらに、再度排出口5を開いて純水を排出
する。Next, the wafer 10 is immersed in the developer in the cup 1 by moving the wafer fixing means 2 downward, and the surface 11 of the photoresist on the wafer 10 is brought into uniform contact with the developer to develop the photoresist. Let's do it. ' Next, the discharge port 5 is opened, and after the developer is discharged, the discharge port 5 is closed again. Then, pure water is discharged from the pure water nozzle 4 and stored in the cup 1. Next, as in the case of development, the wafer fixing means 2 is moved downward and the wafer 10 is washed with pure water. Furthermore, the discharge port 5 is opened again to discharge the pure water.
最後に、ウェハ固定手段2を上方に移動回転させ、ウェ
ハ10の表面を乾燥させる。Finally, the wafer fixing means 2 is moved upward and rotated to dry the surface of the wafer 10.
なお、現像液による現像時および純水による洗浄時に、
ウェハ固定手段2を回転させてウェハlOを現像液中ま
たは純水中で回転させてもよい。In addition, when developing with developer and washing with pure water,
The wafer fixing means 2 may be rotated to rotate the wafer lO in the developer solution or pure water.
[発明の効果]
以上のようにこの発明によれば、ウェハ上に形成されて
いるフォトレジストの表面を下方に向けた状態で、前記
フォトレジストの表面全体が均一に現像液と接触するこ
ととなるので、ウェハの面内に均一に、フォトレジスト
のパターンが形成され、また、現像時に発生する物質が
除去されやすくなる。したがって、フォトレジストのパ
ターンの寸法精度が高くなり、歩留りが向上する。[Effects of the Invention] As described above, according to the present invention, when the surface of the photoresist formed on the wafer is facing downward, the entire surface of the photoresist can uniformly come into contact with the developer. Therefore, a photoresist pattern is formed uniformly within the surface of the wafer, and substances generated during development are easily removed. Therefore, the dimensional accuracy of the photoresist pattern is improved, and the yield is improved.
第1図はこの発明に係るフォトレジスト現像装置の一実
施例を示す断面図、第2図は従来のフォトレジスト現像
装置を示す断面図である。
図において、1はカップ、2はウェハ固定手段、3は現
像液ノズル、4は純水ノズル、5は排出口、10はウェ
ハ、11はフォトレジストの表面、20は現像液または
純水である。
なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。FIG. 1 is a sectional view showing an embodiment of a photoresist developing apparatus according to the present invention, and FIG. 2 is a sectional view showing a conventional photoresist developing apparatus. In the figure, 1 is a cup, 2 is a wafer fixing means, 3 is a developer nozzle, 4 is a pure water nozzle, 5 is an outlet, 10 is a wafer, 11 is the surface of the photoresist, and 20 is a developer or pure water. . Note that the same reference numerals in each figure indicate the same or corresponding parts.
Claims (1)
トの表面が下に向くように固定保持しかつそのウェハを
前記容器内の液中に移動可能になされたウェハ固定手段
とを備えたフォトレジスト現像装置。(1) A container containing a predetermined liquid such as a developing solution or a cleaning solution, and a wafer on which a photoresist is formed is fixedly held so that the surface of the photoresist faces downward, and the wafer is immersed in the liquid in the container. and a wafer fixing means movable to the photoresist developing apparatus.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP362487A JPS63172428A (en) | 1987-01-09 | 1987-01-09 | Photoresist developing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP362487A JPS63172428A (en) | 1987-01-09 | 1987-01-09 | Photoresist developing apparatus |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63172428A true JPS63172428A (en) | 1988-07-16 |
Family
ID=11562649
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP362487A Pending JPS63172428A (en) | 1987-01-09 | 1987-01-09 | Photoresist developing apparatus |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63172428A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01283608A (en) * | 1988-05-11 | 1989-11-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Hot and cold water mixing controller |
JPH02127647A (en) * | 1988-11-08 | 1990-05-16 | Nec Corp | Resist developing method |
-
1987
- 1987-01-09 JP JP362487A patent/JPS63172428A/en active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01283608A (en) * | 1988-05-11 | 1989-11-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Hot and cold water mixing controller |
JPH02127647A (en) * | 1988-11-08 | 1990-05-16 | Nec Corp | Resist developing method |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6090205A (en) | Apparatus for processing substrate | |
JPH11329960A (en) | Substrate processing method and device therefor | |
JPS63271931A (en) | Development device | |
JPS63172428A (en) | Photoresist developing apparatus | |
JPH0814644B2 (en) | Color filter dyeing device | |
JPH05190442A (en) | Chemical-liquid treatment apparatus | |
EP0887710B1 (en) | Resist development process | |
JPH097939A (en) | Method and apparatus for treating substrate | |
JPH0636584Y2 (en) | Substrate storage container | |
JPS5599725A (en) | Method and device for manufacturing semiconductor device | |
JPS57198457A (en) | Developing method for photoresist | |
JP2588854B2 (en) | Developing device | |
JPH07130694A (en) | Wafer cleaner | |
KR100244968B1 (en) | Wafer development apparatus | |
JPH11181584A (en) | Substrate treatment apparatus | |
KR20000042115A (en) | Method for developing photo masking and apparatus thereof | |
JPS6350847Y2 (en) | ||
JP3119616B2 (en) | Developing device | |
JPH0237353A (en) | Method and device for developing resist | |
KR19980055935A (en) | Wafer Development Method | |
JPH01164036A (en) | Developing apparatus | |
JPS5732445A (en) | Developing method for photoresist | |
KR19980040649A (en) | Photosensitive film developing tank of semiconductor device and developing method using same | |
JPH05251331A (en) | Developing apparatus | |
JPH03286517A (en) | Treatment method |