JPS6317217B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6317217B2 JPS6317217B2 JP56033363A JP3336381A JPS6317217B2 JP S6317217 B2 JPS6317217 B2 JP S6317217B2 JP 56033363 A JP56033363 A JP 56033363A JP 3336381 A JP3336381 A JP 3336381A JP S6317217 B2 JPS6317217 B2 JP S6317217B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- palladium
- silver
- external electrode
- weight
- firing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 52
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 24
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 13
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 12
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 claims description 9
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 5
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 229910003445 palladium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- JQPTYAILLJKUCY-UHFFFAOYSA-N palladium(ii) oxide Chemical compound [O-2].[Pd+2] JQPTYAILLJKUCY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N palladium silver Chemical compound [Pd].[Ag] SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は積層セラミツクコンデンサおよびその
製造方法に関し、特に外部電極部内のパラジウム
の含有状態の分布構造に関する。
製造方法に関し、特に外部電極部内のパラジウム
の含有状態の分布構造に関する。
一般にこの種の従来積層セラミツクコンデンサ
は、第１図に示す如く誘電体グリーンシート１の
表面に、内部電極２を印刷し、これを互に逆方向
に複数枚積み重ね、熱加圧し一体化した後、焼成
して第２図の如くセラミツクチツプの両端部３に
内部電極２の端面２ａが露出した焼成セラミツク
チツプ４を作る。次に第３図に示す如く焼成セラ
ミツクチツプ４の両端部３に外部電極材料として
銀・パラジウムペースト、または銀ペーストを塗
布し、乾燥した後最高焼成温度830〜860℃で10〜
15分間（銀ペーストのとき750〜770℃で、15〜30
分間）保持焼成した後、厚さ約100ミクロンの外
部電極５を形成していた。
は、第１図に示す如く誘電体グリーンシート１の
表面に、内部電極２を印刷し、これを互に逆方向
に複数枚積み重ね、熱加圧し一体化した後、焼成
して第２図の如くセラミツクチツプの両端部３に
内部電極２の端面２ａが露出した焼成セラミツク
チツプ４を作る。次に第３図に示す如く焼成セラ
ミツクチツプ４の両端部３に外部電極材料として
銀・パラジウムペースト、または銀ペーストを塗
布し、乾燥した後最高焼成温度830〜860℃で10〜
15分間（銀ペーストのとき750〜770℃で、15〜30
分間）保持焼成した後、厚さ約100ミクロンの外
部電極５を形成していた。
このような従来の積層セラミツクコンデンサで
は、外部電極５の材料に銀・パラジウムペースト
（パラジウム10〜30重量％含有）を用いた場合に
は、 (イ) 価格面で銀に比較しパラジウムは10倍以上と
高価である。
は、外部電極５の材料に銀・パラジウムペースト
（パラジウム10〜30重量％含有）を用いた場合に
は、 (イ) 価格面で銀に比較しパラジウムは10倍以上と
高価である。
(ロ) 半田付け性が銀に比較し銀・パラジウムは1/
５以下の割合で銀に比べて悪い。
５以下の割合で銀に比べて悪い。
(ハ) パラジウムは、温度450〜700℃で酸化し、酸
化パラジウムを生成して半田付け性を非常に悪
くする。そのために酸化パラジウムの生成量を
出来るだけ、少なくするように焼成の温度と時
間をコントロールしなければならない。
化パラジウムを生成して半田付け性を非常に悪
くする。そのために酸化パラジウムの生成量を
出来るだけ、少なくするように焼成の温度と時
間をコントロールしなければならない。
一方、銀ペーストのみを用いた場合には、
半田耐蝕性の割合が、銀・パラジウム：５に対
して、銀：１で、銀・パラジウムに比べて悪く内
部電極との接続が、しばしば切断するという欠点
を有していた。
して、銀：１で、銀・パラジウムに比べて悪く内
部電極との接続が、しばしば切断するという欠点
を有していた。
本発明の目的は、かかる従来欠点を解決した積
層セラミツクコンデンサおよびその製造方法を提
供することにある。
層セラミツクコンデンサおよびその製造方法を提
供することにある。
本発明積層セラミツクコンデンサは、積層セラ
ミツク素子両端の外部電極層の下層部のパラジウ
ム（Pd）含有量が10〜30重量％、上層部のパラ
ジウム（Pd）含有量は０重量％の銀を主成分と
する二層構造の外部電極からなることを特徴とす
る。
ミツク素子両端の外部電極層の下層部のパラジウ
ム（Pd）含有量が10〜30重量％、上層部のパラ
ジウム（Pd）含有量は０重量％の銀を主成分と
する二層構造の外部電極からなることを特徴とす
る。
以下、本発明の実施例を従来例（第３図）およ
び本発明（第４図）とを比較参照しながら説明す
る。
び本発明（第４図）とを比較参照しながら説明す
る。
第１図および、第２図に示す従来方法により、
誘電体グリーンシート１の表面に、内部電極２を
印刷し、これを互に逆方向に複数枚積み重ねて、
熱加圧し一体化した後、焼成してセラミツクチツ
プの両端部３に内部電極２の端面２ａが露出した
焼成セラミツクチツプ４を作る。次に第４図に示
す如く内部電極２が露出した焼成セラミツクチツ
プ４の両端部３にバインダーと溶剤とガラスフリ
ツト材中に、パラジウム30重量％含有する銀ペー
ストを厚さ約50ミクロン塗布し、室温乾燥した後
最高焼成温度830〜860℃で10〜15分間保持焼成し
て下層外部電極１５を形成する。次いで下層外部
電極１５の上層にバインダー材と溶剤とガラスフ
リツト材および銀の粒子径が、上述の銀・パラジ
ウムペーストと同一の銀ペーストを厚さ約50ミク
ロン塗布して、乾燥した後最高焼成温度750〜770
℃で15〜30分間焼成し上層外部電極２５を形成す
る。この焼成によつて上層外部電極２５中のガラ
スフリツトが溶融し、先きに形成した下層外部電
極１５と１体化し二層構造の外部電極が形成され
る。この結果、第５図に示すパラジウム含有量の
濃度勾配をもつた外部電極を得ることができる。
誘電体グリーンシート１の表面に、内部電極２を
印刷し、これを互に逆方向に複数枚積み重ねて、
熱加圧し一体化した後、焼成してセラミツクチツ
プの両端部３に内部電極２の端面２ａが露出した
焼成セラミツクチツプ４を作る。次に第４図に示
す如く内部電極２が露出した焼成セラミツクチツ
プ４の両端部３にバインダーと溶剤とガラスフリ
ツト材中に、パラジウム30重量％含有する銀ペー
ストを厚さ約50ミクロン塗布し、室温乾燥した後
最高焼成温度830〜860℃で10〜15分間保持焼成し
て下層外部電極１５を形成する。次いで下層外部
電極１５の上層にバインダー材と溶剤とガラスフ
リツト材および銀の粒子径が、上述の銀・パラジ
ウムペーストと同一の銀ペーストを厚さ約50ミク
ロン塗布して、乾燥した後最高焼成温度750〜770
℃で15〜30分間焼成し上層外部電極２５を形成す
る。この焼成によつて上層外部電極２５中のガラ
スフリツトが溶融し、先きに形成した下層外部電
極１５と１体化し二層構造の外部電極が形成され
る。この結果、第５図に示すパラジウム含有量の
濃度勾配をもつた外部電極を得ることができる。
以上本発明により、外部電極の表面は半田付け
性の非常に良い銀の層にて覆われ、内部は半田耐
蝕性の良いパラジウムを含有した銀基材となるの
で (i) 銀・パラジウム（パラジウム30重量％含有）
外部電極に比べて、本発明の下層部のパラジウ
ム含有量が30重量％の場合、約36％安価とな
る。
性の非常に良い銀の層にて覆われ、内部は半田耐
蝕性の良いパラジウムを含有した銀基材となるの
で (i) 銀・パラジウム（パラジウム30重量％含有）
外部電極に比べて、本発明の下層部のパラジウ
ム含有量が30重量％の場合、約36％安価とな
る。
(ii) 約５倍半田付け性が良くなる。
(iii) 表面は、銀層面となるので酸化パラジウムの
生成を押えるための焼成温度等のコントロール
を、それほど厳しく制約されることがない。
生成を押えるための焼成温度等のコントロール
を、それほど厳しく制約されることがない。
また銀外部電極に比べて
(i) 半田付け性は、全く同じである。
(ii) 半田耐蝕性は内部が、半田耐蝕性の大きいパ
ラジウムが多く含有しているので良好となり、
電極切れ等が発生しない。
ラジウムが多く含有しているので良好となり、
電極切れ等が発生しない。
したがつて、外部電極を経済的に、かつ半田付
け性、半田耐蝕性を損うことなく形成できるので
その工業的価値は大である。
け性、半田耐蝕性を損うことなく形成できるので
その工業的価値は大である。
第１図は、従来例および本発明実施例に用いる
内部電極を印刷した誘電体グリーンシートの斜視
図。第２図は従来例および本発明実施例に用いる
焼成セラミツクチツプの斜視図。第３図は、従来
の外部電極を形成した積層セラミツクコンデンサ
の縦断面図。第４図は、本発明の外部電極を形成
した積層セラミツクコンデンサの縦断面図。第５
図は、本発明外部電極のパラジウム含有量を示す
勾配図。 １……誘電体グリーンシート、２……内部電
極、２ａ……内部電極の端面、３……焼成セラミ
ツクチツプの両端部、４……焼成セラミツクチツ
プ、５……外部電極、１５……下層外部電極、２
５……上層外部電極。
内部電極を印刷した誘電体グリーンシートの斜視
図。第２図は従来例および本発明実施例に用いる
焼成セラミツクチツプの斜視図。第３図は、従来
の外部電極を形成した積層セラミツクコンデンサ
の縦断面図。第４図は、本発明の外部電極を形成
した積層セラミツクコンデンサの縦断面図。第５
図は、本発明外部電極のパラジウム含有量を示す
勾配図。 １……誘電体グリーンシート、２……内部電
極、２ａ……内部電極の端面、３……焼成セラミ
ツクチツプの両端部、４……焼成セラミツクチツ
プ、５……外部電極、１５……下層外部電極、２
５……上層外部電極。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 積層セラミツク素子両端の外部電極層の下層
部のパラジウム（Pd）含有量が10〜30重量％、
上層部のパラジウム（Pd）含有量が０重量％の
銀を主成分とする二層構造の外部電極を有するこ
とを特徴とする積層セラミツクコンデンサ。 ２ 積層セラミツク素子両端部に、パラジウム
（Pd）を30重量％含有する第１の銀ペーストを塗
布、乾燥した後、焼成する工程と、前記焼成後の
前記両端部に前記第１の銀ペーストからパラジウ
ム（Pd）を除いた第２の銀ペーストを塗布、乾
燥した後焼成する工程を含むことを特徴とする積
層セラミツクコンデンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3336381A JPS57148331A (en) | 1981-03-09 | 1981-03-09 | Laminated ceramic capacitor and method of prodcing same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3336381A JPS57148331A (en) | 1981-03-09 | 1981-03-09 | Laminated ceramic capacitor and method of prodcing same |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57148331A JPS57148331A (en) | 1982-09-13 |
| JPS6317217B2 true JPS6317217B2 (ja) | 1988-04-13 |
Family
ID=12384495
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3336381A Granted JPS57148331A (en) | 1981-03-09 | 1981-03-09 | Laminated ceramic capacitor and method of prodcing same |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57148331A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63124507A (ja) * | 1986-11-14 | 1988-05-28 | 日本電気株式会社 | チツプ型電子部品 |
| WO2005104148A1 (ja) * | 2004-04-23 | 2005-11-03 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 電子部品及びその製造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5079945U (ja) * | 1973-11-21 | 1975-07-10 |
-
1981
- 1981-03-09 JP JP3336381A patent/JPS57148331A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57148331A (en) | 1982-09-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH03276613A (ja) | セラミック電子部品の製造方法 | |
| JP2943380B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサとその製造方法 | |
| JP2992570B2 (ja) | セラミック多層コンデンサおよびその製造方法 | |
| US4455590A (en) | Multilayer ceramic dielectric capacitors | |
| JPS6317217B2 (ja) | ||
| JPH037130B2 (ja) | ||
| JPS6317218B2 (ja) | ||
| JPS6320010B2 (ja) | ||
| JPH09260192A (ja) | 積層コンデンサ | |
| JPH04167507A (ja) | 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 | |
| JP2616205B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 | |
| JPS636121B2 (ja) | ||
| JPS62237714A (ja) | 積層セラミツクコンデンサ | |
| JP2523862B2 (ja) | チップ抵抗器 | |
| JPH06164150A (ja) | セラミック多層基板 | |
| JPH04236412A (ja) | セラミック電子部品 | |
| JPH05135902A (ja) | 角形チツプ抵抗器およびその製造方法 | |
| JPH09260203A (ja) | 積層コンデンサ | |
| JPH05144666A (ja) | 積層セラミツクコンデンサ | |
| JPH05283280A (ja) | チップ型積層セラミックコンデンサ | |
| JPH08130149A (ja) | 積層セラミック電子部品 | |
| JPH0420245B2 (ja) | ||
| JP4059967B2 (ja) | チップ型複合機能部品 | |
| JP2600477B2 (ja) | 積層セラミック電子部品 | |
| JP2592158Y2 (ja) | 積層型部品 |