JPS63171893A - 光沢ビスマスめつき浴 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は、光沢ビスマスめっき浴に関する。更に詳しく
は、本発明は、ビスマスおよびビスマスの可溶性塩とし
て硫酸、塩酸、過塩素酸、ホウ７ツ酸および有機スルホ
ン酸の塩を用い、光沢で平滑なめっきが得られる光沢ビ
スマスの電気めつき浴に関するものである。

〔従来の技術〕

ビスマスは、整流接点やオーム接点を得るための新分野
で、また原子炉建設における減摩材料として広く用いら
れ９つアシ、これらの目的に対しては比較的厚いめつＩ
（３０〜１００μ）が要求されるが、従来から知られて
いる過塩素酸浴、グリ七レート酒石酸浴、トリロン浴な
どでは樹脂状でないめっきは１０μまでであシ、添加剤
を含まない浴からは粗大結晶のめっきしか得られない。

また、最近の電子工業の目ざましい発展にともない、半
導体関係では熱的特性がデリケートになればなるほど低
融点はんだが重要になシ、ビスマスを主体にした各種低
融点合金材料が要求されてきている。

本発明はこのような実状に艦み検討の結果、創案された
もので、その目的とするところはビスマスイオンおよび
遊離酸を含む溶液に少なくとも一種の光沢剤及び界面活
性剤を含むめっき浴を用い、従来のめつき浴よりも本質
的に良好な光沢電着物を得るところにある。

〔発明の詳細な説明〕

上記の目的は、本発明によって達成される。要約すれば
、本発明は、ビスマスを電気めっきするＫあたり、ビス
マスイオンおよび遊離酸を含む水溶液に光沢剤としてア
セトアルデヒドとｏ−）ルイジンの反応生成物、アルド
ール化合物および１−ナフトアルデヒドのうちの少なく
とも一梅を添加することを特徴とする光沢ビスマスめっ
き浴に係る。

本発明に従う光沢ビスマスめっき浴におけるビスマスイ
オンは、ビスマスの可溶性塩から由来する。用いること
のできるビスマスの可溶性塩としては硫酸、塩酸、過塩
素酸、ホウ７７酸および有機スルホン酸などのビスマス
塩があげられる。

また、めっき浴中の遊離酸としては、硫酸、塩酸、過塩
素酸、ホウフッ酸のような無機酸、有機スルホン酸など
が用いられる。

有機スルホン酸類は、一般式（１） ％式％（１） 〔ここでＲはＣ１〜１　のアルキル基を表し、ＸＩはハ
ｐゲン原子、水酸基、アリール基、アルキルアリール基
、カルボキシル基またはスルホン酸基を表し、そしてア
ルキル基の任意の位置にあってよく、ｎはΩ〜５のＵ数
を表す〕 で示される脂肪族または脂環式化合物のスルホン酸およ
び（２） ８０、Ｈ 〔ここでＸ、はハｐゲン原子、水酸基、アルキル基、ア
リール基、アルキルアリール基、アルデヒド基、カルボ
キシル基、ニトロ基、メルカプト基、スルホン酸基また
はアミ７基を表し、ｍは０〜３の！！！数を表す〕 で示される各種置換基を有する芳香族スルホン酸である
。

これらの有機スルホン酸の例は、メタンスルホン酸、エ
タンスルホン酸、プ胃パンスルホン酸、２−ブタンスル
ホン酸、ブタンスルホン酸、２−ブタンスルホン酸、ペ
ンタンスルホン酸、り四ルプヮバンスルホン酸、２−ヒ
ドロキシエタン−１−スルホン酸、２−ヒト田キシプ四
パンー１−スルホン酸、２−ヒドロキシブタン−１−ス
ルホン酸、２−ヒドロキシペンタンスルホン酸、アリル
スルホン酸、２−スルホ酢酸、２−’！九は３−スルホ
プロピオン酸、スルホコハク酸、スルホマレイン酸、ス
ルホ７マル酸、ベンゼンスルホン酸、トルエンスルホン
酸、キシレンスルホン酸、フェノールスルホン酸、ニド
田ベンゼンスルホン酸、スルホ安息香陵、スルホサリチ
ル酸、ベンズアルデヒドスルホン酸などである。

これらの無ｆａＩ！２および有機スルホン酸のビスマス
塩は通常の方法で調製される。ビスマスイオンの濃度は
（Ｌ５〜２００　Ｉｉ／１　、好ましくは２〜１００．
９／Ｉ　　である。また、めっき浴中に存在させる遊離
の無機酸および有機スルホン酸の濃度は浴中のビスマス
イオンと化学量論的に少なくとも当量以上とする。

本発明のめつき浴に有効に使用できる光沢剤は、アセト
アルデヒドと０−）ルイジンの反応生成物で２０％イソ
プロピルアルコール溶液にしたもので、添加濃度は１１
〜５０ｍｌ／１　、好ましくは１５〜５０　ｍｌ／１で
ある。他の光沢剤はアルドール化合物、例えばアセトア
ルドールＣＨ１ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ。

ＣＨＯおよび１−す７トアルデヒドで、添加濃度は１０
１〜２０　Ｎ／１．好ましくは１１０５〜１０．９／１
である。

また、本発明のめつき浴には分散性を向上させると共に
１広い電流密度範囲で良好光沢電着物を得るために１各
梳の界面活性剤を添加することができる。非イオン界面
活性剤の例としては、主に高級アルコール、アルキルフ
ェノールおよびスチレン化フェノールなどにエチレンオ
キサイド（またはプロピレンオキサイド）を付加縮合さ
せた物質があげられる。また、陽イオン界面活性剤の例
としては第四級アルキルアンモニウム塩、ピリジニウム
塩、イミダゾリニウム塩、ベタイン型などがあけられる
。添加濃度は１ｌｌＬ１〜５０　Ｎ／１、好ましくはα
３〜５０．９／ｌ　　である。

〔実施例〕

次に、本発明の実施例によるめっき浴の組成を示すが、
本発明はこれら数例に限定されるものではなく、前述し
た目的の平滑な光沢めっきを得るという主旨に沿ってめ
っき浴の組成は任意に変更することができる。

実施例におけるめっきの外観と光沢性については、銅板
上にハルセルテスト（Ｉ　ＡＸ　５ｍ１ｎ。

２０℃、２５０ｍ１）を行って評価した・実施例１ ビスマス（５＆酸ビスマスとして使用）　　　　　　　
　２　．９７１硫酸　　　　　　　　　９８　１ ポリエチレングリコールノニルフエニル　　　　　　１
１エーテル 実施例２ メタンスルホン酸　　　　　　　　　　　　　　１９２
　．９／１実施例３ ホウ７ツ酸　　　　　　　　　　　　　　　　　　２３
６　　ｌ実施例４ ビスマス（塩化ビスマスとして使用）　　　　　　　１
５Ｎ／１塩酸　　　　　　　　　１８０１ 水酸化アンモン　　　　　　　　　　　　　　　１００
ｍ１／１ポリエチレングリフールノニル７エエル　　　
　　１０　　ＩＩ／１エーテル 実施例５ ビスマス（過塩素酸ビスマスとして使用）　　　　　１
５＃／１塩酸　　　　　　　　　１８０＃ 過塩素酸　　　　　　　　　　　　　　　　　　　２０
ｍ１／１ポリエチレングリコールノニルフエニル　　　
　　１０　１１／１エーテル 実施例６ ２−ヒト四キシプＵパンスルホン酸　　　　　　２８０
　　ｌジメチルベンジルラウリルアンモニウム　　　　
　　５Ｉクロリド 実施例７ ビスマス（塩化ビスマスとして使用）　　　　　　　１
５　１１／１塩酸　　　　　　　　　１８０＃ 水酸化アンモン　　　　　　　　　　　　　　　１００
ｍ１／１ポリエチレングリコールノニルフエニル　　　
　　　５　　＃／１エーテル アセトアルドール　　　　　　　　　　　　　　　　１
１ｐ−フェノールスルホン酸　　　　　　　　　　　１
００　１１−す７トアルデヒド　　　　　　　　　　　
　　１１実施例９ ビスマス（硫酸ビスマスとして使用）２ＩＩ／１硫酸　
　　　　　　　　　９８＃ ポリエチレングリコールノニルフェニル　　　　　０．
５＃エーテル １−す７トアルデヒド　　　　　　　　　　　　　α３
　　＃実施例１０ メタンスルホン酸　　　　　　　　　　　　　　１９２
　　〃比較例１ ビスマス（過塩素酸ビスマスとして使用）　　　　　１
５　　ＩＩ／１塩酸　　　　　　　　　１８０〃 過ｊ！１索酸　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
２０　ｍ　ｌ　／　１ポリエチレングリコールノニルフ
ェニル　　　　　１０　　ＩＩ／１エーテル ハルセル銅板の高電流部から低電流部にかけて光沢面積
を目視によりｍ定した結果を表１に示す。

表１ 以上の結果、本発明のめつき浴から広い電流密度範囲で
光沢ビスマスめっきが得られた。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）ビスマスを電気めっきするにあたり、ビスマスイ
   オンおよび遊離酸を含む水溶液に光沢剤としてアセトア
   ルデヒドとｏ−トルイジンの反応生成物、アルドール化
   合物および１−ナフトアルデヒドのうちの少なくとも一
   種を添加することを特徴とする光沢ビスマスめっき浴。
2. （２）少なくとも一種の界面活性剤を含む特許請求の範
   囲第１項記載のめっき浴。