EA031762B1 - Способ нанесения толстослойного висмутового покрытия на алюминий и его сплавы для создания радиационных экранов - Google Patents
Способ нанесения толстослойного висмутового покрытия на алюминий и его сплавы для создания радиационных экранов Download PDFInfo
- Publication number
- EA031762B1 EA031762B1 EA201700228A EA201700228A EA031762B1 EA 031762 B1 EA031762 B1 EA 031762B1 EA 201700228 A EA201700228 A EA 201700228A EA 201700228 A EA201700228 A EA 201700228A EA 031762 B1 EA031762 B1 EA 031762B1
- Authority
- EA
- Eurasian Patent Office
- Prior art keywords
- coating
- bismuth
- alloys
- thick
- applying
- Prior art date
Links
Landscapes
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
Abstract
Предлагаемое изобретение относится к гальванотехнике, в частности к способу нанесения толстослойного (2,0 мм и более) висмутового покрытия на алюминий и его сплавы для создания экранов для эффективной защиты микросхем и полупроводниковых приборов от ионизирующих излучений. Задачей предлагаемого изобретения является разработка способа нанесения толстослойного, плотного, беспористого, равномерного висмутового покрытия на алюминий и его сплавы, обеспечивающего функцию радиационного экрана изделий микроэлектроники. Поставленная задача решается тем, что в способе нанесения толстослойного висмутового покрытия на алюминий и его сплавы для создания радиационных экранов предварительно подготавливают поверхность подложки, проводят химическое осаждение покрытия никель-фосфор при температуре 85-95°C в течение 20-30 мин, затем осуществляют электрохимическое осаждение висмутового покрытия из электролита состава, г/л: оксид висмута - 90-120, хлорная кислота - 400-450, синтанол - 0,5-1,0, резорцин - 0,5-1,0, вода - остальное, при температуре 18-60°C, катодной плотности тока 7-10 А/дм, перемешивании электролита со скоростью 600-800 об/мин в присутствии экранов из химически стойких диэлектрических материалов.
Description
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К ЕВРАЗИЙСКОМУ ПАТЕНТУ (45) Дата публикации и выдачи патента
2019.02.28 (21) Номер заявки
201700228 (22) Дата подачи заявки
2017.04.07 (51) Int. Cl. C25D 3/54 (2006.01)
C25D 5/44 (2006.01)
С23С 28/02 (2006.01) (54) СПОСОБ НАНЕСЕНИЯ ТОЛСТОСЛОЙНОГО ВИСМУТОВОГО ПОКРЫТИЯ НА АЛЮМИНИЙ И ЕГО СПЛАВЫ ДЛЯ СОЗДАНИЯ РАДИАЦИОННЫХ ЭКРАНОВ (43) 2018.10.31 (96) 2017/ЕА/0019 (BY) 2017.04.07 (71)(73) Заявитель и патентовладелец:
УЧРЕЖДЕНИЕ БЕЛОРУССКОГО ГОСУДАРСТВЕННОГО УНИВЕРСИТЕТА НАУЧНОИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ИНСТИТУТ ФИЗИКОХИМИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ (НИИ ФХП БГУ); ГОСУДАРСТВЕННОЕ НАУЧНО-ПРОИЗВОДСТВЕННОЕ ОБЬЕДИНЕНИЕ НАУЧНОПРАКТИЧЕСКИЙ ЦЕНТР НАЦИОНАЛЬНОЙ АКАДЕМИИ НАУК БЕЛАРУСИ ПО МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЮ (ГНПО
НИЦ НАН БЕЛАРУСИ ПО МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЮ) (BY) (72) Изобретатель:
Цыбульская Людмила Сергеевна, Позняк Сергей Кондратьевич, Перевозников Сергей Сергеевич, Шендюков Владислав Сергеевич, Гаевская Татьяна Васильевна, Грабчиков Сергей Степанович, Тишкевич Дарья Ивановна (BY) (56) JP-A-2000208376
JP-A-S63171893 RU-C1-2064535
SU-A-1196420
US-A-3256160
031762 В1
031762 Bl (57) Предлагаемое изобретение относится к гальванотехнике, в частности к способу нанесения толстослойного (2,0 мм и более) висмутового покрытия на алюминий и его сплавы для создания экранов для эффективной защиты микросхем и полупроводниковых приборов от ионизирующих излучений. Задачей предлагаемого изобретения является разработка способа нанесения толстослойного, плотного, беспористого, равномерного висмутового покрытия на алюминий и его сплавы, обеспечивающего функцию радиационного экрана изделий микроэлектроники. Поставленная задача решается тем, что в способе нанесения толстослойного висмутового покрытия на алюминий и его сплавы для создания радиационных экранов предварительно подготавливают поверхность подложки, проводят химическое осаждение покрытия никель-фосфор при температуре 85-95°С в течение 20-30 мин, затем осуществляют электрохимическое осаждение висмутового покрытия из электролита состава, г/л: оксид висмута 90-120, хлорная кислота - 400-450, синтанол - 0,5-1,0, резорцин - 0,5-1,0, вода - остальное, при температуре 18-60°С, катодной плотности тока 7-10 А/дм2, перемешивании электролита со скоростью 600-800 об/мин в присутствии экранов из химически стойких диэлектрических материалов.
Предлагаемое изобретение относится к гальванотехнике, в частности к способу нанесения толстослойного (2,0 мм и более) висмутового покрытия на алюминий и его сплавы для создания экранов для эффективной защиты микросхем и полупроводниковых приборов от ионизирующих излучений.
Для создания защитных экранов для микросхем обычно используют подложки из алюминия и его сплавов как наиболее легких металлов, на которые наносят покрытия из тяжелых металлов, эффективно поглощающих высокоэнергетические излучения. Свинец на данный момент является самым распространенным металлом для радиационной защиты приборов и обслуживающего их персонала от ионизирующих излучений. Однако свинец является высокотоксичным тяжелым металлом, что создает значительные трудности как при производстве, так и утилизации радиационных экранов. Перспективным направлением является использование покрытия из висмута, так как он среди тяжелых металлов является нетоксичным и может быть нанесен на алюминий и его сплавы, а также на другие токопроводящие подложки методом электрохимического осаждения.
Известен способ нанесения висмутового покрытия на стальные, медные и свинцовые поверхности [1], а также на германиевые и кремниевые поверхности [2], включающий предварительную подготовку поверхности и электрохимическое осаждение висмута из перхлоратных, нитратных и фторборатных электролитов при катодной плотности тока 0,5-3,0 А/дм2, температуре 15-25°C, с выходом по току до 97100%. Однако в литературе отсутствует информация о способе нанесения покрытия из висмута на алюминий и его сплавы, чтобы оно было плотным, беспористым, равномерным, обладало высокой адгезионной прочностью к подложке и могло выполнять функцию экрана для защиты изделий электронной техники от радиационных воздействий.
В [3] показано, что многослойные покрытия с чередующимися слоями висмут/медь (от 18 до 196 слоев), электрохимически осажденные на деформируемые сплавы алюминия (приведенная масса образцов составляет 2,24 и 2,31 г/см2), выполняют функцию эффективных экранов от воздействия высокоэнергетических электронов интегральных микросхем. Однако процесс многократного поочередного электрохимического осаждения висмута и меди является трудоемким и нетехнологичным. После каждой операции меднения и висмутирования требуются промывочные операции в водопроводной и дистиллированной воде, что существенно удлиняет цикл процесса нанесения и приводит к его удорожанию.
Согласно проведенным теоретическим расчетам, чтобы достигнуть такой же эффективности экранирования, как она была получена посредством нанесения чередующихся слоев Bi/Cu, необходимо нанести висмутовое покрытие толщиной ~2 мм (приведенная масса экрана >2,0 г/см2).
Для достижения поставленной цели необходим высокоскоростной электролит висмутирования, обеспечивающий плотное, беспористое, равномерное по всей поверхности покрытие с высокой адгезионной прочностью к алюминию и его сплавам.
Предложенные в литературе электролиты висмутирования обеспечивают получение качественных, плотных покрытий из висмута только при малой катодной плотности тока (не более 1 А/дм2). Использование перхлоратных электролитов позволяет, согласно литературным данным, расширить диапазон катодной плотности тока до 3-10 А/дм2 [2, 4], однако из данных электролитов, во-первых, невозможно нанести покрытие на алюминий из-за того, что при погружении в кислый перхлоратный раствор он сразу же начинает растворяться, во-вторых, даже при использовании подложки из никеля или меди они не обеспечивают получение толстых (2 мм и более) плотных и равномерных висмутовых покрытий.
Задачей предлагаемого изобретения является разработка способа нанесения толстослойного висмутового покрытия на алюминий и его сплавы плотного, беспористого, равномерного, обеспечивающего функцию радиационного экрана изделий микроэлектроники.
Поставленная задача решается тем, что в способе нанесения толстослойного висмутового покрытия на алюминий и его сплавы для создания радиационных экранов предварительно подготавливают поверхность подложки, проводят химическое осаждение покрытия никель-фосфор при температуре 85-95°C в течение 20-30 мин, затем осуществляют электрохимическое осаждение висмутового покрытия из электролита состава, г/л: оксид висмута - 90-120, хлорная кислота - 400-450, синтанол - 0,5-1,0, резорцин 0,5-1,0, вода - остальное, при температуре 18-60°C, катодной плотности тока 7-10 А/дм2, перемешивании электролита со скоростью 600-800 об/мин в присутствии экранов из химически стойких диэлектрических материалов.
Предварительная подготовка поверхности алюминия и его сплавов обеспечивает снятие загрязнений, а также удаление прочной оксидной пленки, всегда присутствующей на его поверхности.
Нанесение подслоя Ni-P из нейтрального или слабокислого раствора никелирования при высокой температуре обеспечивает в дальнейшем прочное сцепление толстослойного висмутового покрытия с алюминием и его сплавами.
Использование предложенного электролита висмутирования по сравнению с известными составами [2, 4] и режимов осаждения: введение интенсивного перемешивания раствора (600-800 об/мин), повышение температуры до 60°C, катодной плотности тока до 7-10 А/дм2, применение экранов из химически стойких диэлектрических материалов (полипропилен, оргстекло, винипласт и др.) позволяет получить плотное, беспористое, равномерное висмутовое покрытие требуемой толщины (~2 мм и более).
Использование предложенного процесса нанесения толстослойного висмутового покрытия на алю
- 1 031762 миний и его сплавы является рентабельным: электрохимическое осаждение висмута осуществляется в одной ванне, скорость осаждения покрытия составляет 180-220 мкм/ч с выходом по току 99,0-99,8%, требуемая толщина Bi достигается за 8-10 ч непрерывного осаждения. Электролит висмутирования эксплуатируют длительное время без коррекции по оксиду висмута и хлорной кислоте. Убыль Bi(III) восполняется за счет растворения висмутовых анодов, площадь которых постоянно контролируют и корректируют. Интенсивное перемешивание электролита со скоростью 600-800 об/мин обеспечивает протекание процесса осаждения в диффузионно-кинетическом режиме с постоянной скоростью. Экраны, выполненные из химически стойких диэлектрических материалов, используют длительное время: они обеспечивают получение равномерного покрытия по всей поверхности подложки. Наличие синтанола и резорцина, а также их корректирование согласно данным химического анализа обеспечивает получение плотных и мелкозернистых покрытий.
Таким образом, предлагаемые режимы и составы электролита висмутирования позволяют проводить нанесение висмутового покрытия на алюминий и его сплавы с высокой скоростью (180-220 мкм/ч), получать толстое покрытие (d>2 мм) плотное, беспористое, мелкокристаллическое, равномерное. Нанесение подслоя Ni-P обеспечивает прочное сцепление висмутового покрытия с алюминием и его сплавами.
Уменьшение катодной плотности тока (<7 А/дм2) сопровождается снижением скорости осаждения, формированием крупнокристаллического покрытия. Уменьшение интенсивности перемешивания (<600 об/мин) не обеспечивает постоянства скорости осаждения от катодной плотности тока из-за смещения процесса из диффузионно-кинетического в диффузионный режим.
Повышение плотности тока при осаждении покрытия (>10 А/дм2) не приводит к увеличению скорости осаждения покрытия из-за формирования дендритной структуры и снижения выхода по току. Повышение интенсивности перемешивания (> 800 об/мин) не оказывает положительного влияния на качество формируемого покрытия.
Понижение температуры (Т <18°C) и ее повышение (Т >60°C) нецелесообразно, так как требует дополнительных энергозатрат, не приводящих к улучшению качества висмутового покрытия.
Отсутствие экранов из химически стойких диэлектрических материалов (полипропилен, оргстекло, винипласт и др.) приводит к получению неравномерного висмутового покрытия с утолщениями по краям и углам подложки.
Предлагаемое соотношение компонентов в электролите является оптимальным для электрохимического осаждения висмутового покрытия с высокой скоростью и соответствует требованиям гальванических производств.
Толстослойное висмутовое покрытие наносят на поверхность подложки из алюминия или его сплавов (Д16, АМг, АМЦ и др.) с размерами 40x40x0,4 (мм).
Заявляемый способ реализуется следующим образом.
Предварительная подготовка поверхности подложек из алюминия и его сплавов (Д16, АМг, АМц и др.) состоит в ультразвуковом обезжиривании при температуре 60±10°C в течение 1-1,5 мин, осветлении в растворе азотной кислоты при температуре 18-25°C в течение 30-60 с, кислотном или щелочном травлении в зависимости от марки сплава алюминия при температуре 40±5°C в течение 20-30 с, осветлении в растворе азотной кислоты при температуре 18-25°C в течение 30-60 с. Химическое осаждение подслоя покрытия Ni-P (толщина ~5 мкм) осуществляют при температуре 85-95°C в течение 20-30 мин из слабокислого раствора никелирования состава, г/л: никель сернокислый семиводный - 25, натрий фосфорноватистокислый одноводный - 18, натрий уксуснокислый - 13, кислота уксусная - 8, тиомочевина - 0,002, рН 4,5-5,0, вода - остальное [5].
Электрохимическое осаждение висмута проводят при температуре 18-60°C, катодной плотности тока 7-10 А/дм2, перемешивании электролита со скоростью 600-800 об/мин, в присутствии экранов из химически стойких диэлектрических материалов из электролита состава, г/л: оксид висмута - 90-120, хлорная кислота - 400-450, синтанол - 0,5-1,0, резорцин - 0,5-1,0, вода - остальное.
После каждой операции проводят каскадную промывку подложек (деталей) водопроводной водой в течение 1-3 мин и последующую промывку перед погружением в ванны никелирования и висмутирования дистиллированной водой в течение 20-40 с.
Эффективность экранирования (коэффициент Кэ) микросхем экраном из алюминия или его сплавов с нанесенным толстослойным висмутовым покрытием при использовании составов растворов № 1 - № 3 и предложенных режимов осаждения приведена в таблице.
Состав № 1, г/л: оксид висмута - 60, хлорная кислота - 120 [4].
Состав № 2, г/л: оксид висмута - 90, хлорная кислота - 400, синтанол - 0,5, резорцин - 0,5.
Состав № 3, г/л: оксид висмута - 120, хлорная кислота - 450, синтанол - 1,0, резорцин - 1,0.
Внешний вид покрытий оценивали визуально и с помощью стереоскопического микроскопа МБС10.
Массу покрытий никель-фосфор (mNiP) и висмута (mBi) определяли гравиметрически: точность взвешивания образцов экранов составляла 5-10-5 г.
- 2 031762
Толщину покрытий Ni-P и Bi (см) рассчитывали по формуле dNip - mNip/S ·ρΝΐρ dfii= mBj/S Ρβϊ, где S - площадь поверхности подложки, на которую наносят покрытие (16 см2), pNiP и pBi - плотности Ni-P и Bi.
Коэффициент экранированя (Кэ) микросхем оценивают из соотношения
где D - доза параметрического отказа микросхемы с защитным экраном,
Do - доза параметрического отказа микросхемы без экрана.
Параметрический отказ микросхемы фиксируют при изменении напряжения Δϋ = 0,05 В.
Облучение опытных образцов с толстослойным висмутовым покрытием электронами с энергией 4 МэВ проводят на линейном ускорителе электронов ЭЛУ-4 при плотности потока (1-2)-1012 см'2с'1 и флюенсе 1013-4-1014см’2.
Приведенную массу экрана рассчитывают исходя из толщины висмутового покрытия, подслоя Ni-P и алюминиевой подложки и их плотностей по формуле dnp = Σ^χ Ру = dBi · Ρβϊ + <4νϊρ ' Ρνϊρ + Φνι' Раь где йпр - приведенная масса экрана, г/см2;
dx - суммарная толщина экрана, состоящая из dBi, dNiP и dAl, см;
py - плотности алюминия (pAl), осажденного Ni-P (pNiP) и висмута (pBi), г/см3; pAl = 2,6989 г/см3;
pNiP = 8,7 г/см3; pBi = 9,79 г/см3.
Ниже приведены примеры конкретного исполнения экранов из алюминия или его сплавов с нанесенным толстослойным висмутовым покрытием, используя подслой химически осажденного Ni-P. Составы электролитов висмутирования и режимы осаждения висмута выбраны из условий минимально и максимально допустимых значений растворенных в воде компонентов, а также предложенных режимов осаждения: температура 18-25°C, катодная плотность тока 7 А/дм2, перемешивание со скоростью 600 об/мин или температура 60°C, катодная плотность тока 10 А/дм2, перемешивание электролита со скоростью 800 об/мин. Наличие экранов из полипропилена обязательно во всех примерах конкретного исполнения. Длительность электролиза составляет от 4,5 до 12 ч до получения плотного, беспористого, равномерного висмутового покрытия без трещин и отслоений.
Коэффициенты экранирования (Кэ) тестовых приборных структур экранами с нанесенным висмутовым покрытием на подложки из алюминия и его сплавов
| Состав раствора | Условия осаждения висмута | Максимально достигнутая толщина Bi*, мм | Приведенная масса экрана, dnp, г/см2 | Кэ от. ед. | |
| Температура, °C | Катодная плотность тока, А/дм2 | ||||
| №1 [4] | 60 | 7 | 0,8 | 0,90 | 12 |
| №2 | 18-25 | 7 | 1,6 | 1,68 | 130 |
| 60 | 10 | 1,95 | 2,03 | 156 | |
| №3 | 18-25 | 7 | 2,24 | 2,31 | 165 |
| 60 | 10 | 2,64 | 2,70 | 165 |
* - толщина, при которой покрытие остается плотным, беспористым, равномерным, без видимых дефектов.
Пример 1. Радиационный экран с висмутовым покрытием получен при использовании состава № 1 и режимов осаждения: катодная плотность тока 7 А/дм2, температура 60°C, перемешивание электролита со скоростью 600 об/мин, присутствие экрана из полипропилена. Скорость осаждения висмутового покрытия составляет ~180 мкм/ч. Максимально достигнутая толщина покрытия, при которой оно остается плотным, равномерным, без видимых дефектов, составляет 0,8 мм. Приведенная масса экрана 0,9 г/см2, коэффициент экранирования тестовой приборной структуры 12.
Пример 2. Радиационный экран с висмутовым покрытием получен при использовании состава № 2 и режимов осаждения: катодная плотность тока 7 А/дм2, комнатная температура (18-25)°C, перемешивание электролита со скоростью 600 об/мин, присутствие экрана из полипропилена. Скорость осаждения висмутового покрытия составляет ~180 мкм/ч. Максимально достигнутая толщина покрытия, при которой оно остается плотным, равномерным, без видимых дефектов, составляет 1,6 мм. Приведенная масса
- 3 031762 экрана 1,68 г/см2, коэффициент экранирования тестовой приборной структуры 130.
Пример 3. Радиационный экран с висмутовым покрытием получен при использовании состава № 2 и режимов осаждения: катодная плотность тока 10 А/дм2, температура 60°C, перемешивание электролита со скоростью 800 об/мин, присутствие экрана из полипропилена. Скорость осаждения висмутового покрытия составляет ~210 мкм/ч, максимально достигнутая толщина, при которой оно остается плотным, равномерным, без видимых дефектов, составляет 1,95 мм. Приведенная масса экрана 2,03 г/см2, коэффициент экранирования тестовой приборной структуры 156.
Пример 4. Радиационный экран с висмутовым покрытием получен при использовании состава № 3 и режимов осаждения: катодная плотность тока 7 А/дм2, комнатная температура (18-25)°C, перемешивание электролита со скоростью 600 об/мин, присутствие экрана из полипропилена. Скорость осаждения висмутового покрытия составляет ~190 мкм/ч, максимально достигнутая толщина, при которой оно остается плотным, равномерным, без видимых дефектов, составляет 2,24 мм. Приведенная масса экрана 2,31 г/см2, коэффициент экранирования тестовой приборной структуры 165.
Пример 5. Радиационный экран с висмутовым покрытием получен при использовании состава № 3 и режимов осаждения: катодная плотность тока 10 А/дм2, температура 60°C, перемешивание электролита со скоростью 800 об/мин, присутствие экрана из полипропилена. Скорость осаждения висмутового покрытия составляет ~220 мкм/ч, максимально достигнутая толщина, при которой оно остается плотным, равномерным, без видимых дефектов, составляет 2,64 мм. Приведенная масса экрана 2,7 г/см2, коэффициент экранирования тестовой приборной структуры 165.
Примеры конкретного исполнения и данные таблицы показывают, что применение предлагаемого способа нанесения толстослойного висмутового покрытия на алюминий и его сплавы, используя подслой химически осажденного Ni-P (~5 мкм) позволяет получить экраны с высокой защитной способностью изделий микроэлектроники от ионизирующих излучений.
Источники информации.
1. Гальванотехника. Справочник/Под ред. A.M. Гинберга, А.Ф. Иванова и Л.Л. Кравченко. Москва. Металлургия, 1987, с. 309.
2. Мельников П.С. Справочник по гальваническим покрытиям в машиностроении. М. Машиностроение, 1979, с. 145.
3. Грабчиков С.С., Ластовский С.Б., Цыбульская Л.С. и др. Электрохимически осажденные покрытия на основе висмута для защиты от воздействия электронного излучения//Актуальные проблемы физики твердого тела. Сб. докл. VII Междунар. науч. конф., Минск, 22-25 ноября 2016 г. В 3 т. ГНПО ГНПЦ по материаловедению НАН Беларуси; ред. колл. Н.М. Олехнович (пред.) и [др.], т. 3, 2016, с. 244-247.
4. Yajima S., Sadana Y.N. Some Aspects of Bismuth Deposition from Per-chlorate Baths//Metal Finishing. 1975, № 9, p. 38-39.
5. ГОСТ 9.305-84. Единая система защиты от коррозии и старения. Покрытия металлические и неметаллические неорганические. Операции технологических процессов получения покрытий. М. Изд-во стандартов. 1990, с. 196-197.
Claims (1)
- ФОРМУЛА ИЗОБРЕТЕНИЯСпособ нанесения толстослойного висмутового покрытия на алюминий и его сплавы для создания радиационных экранов, заключающийся в том, что предварительно подготавливают поверхность подложки, проводят химическое осаждение покрытия никель-фосфор при температуре 85-95°C в течение 2030 мин, затем осуществляют электрохимическое осаждение висмутового покрытия из электролита состава, г/л: оксид висмута - 90-120, хлорная кислота - 400-450, синтанол - 0,5-1,0, резорцин - 0,5-1,0, вода остальное, при температуре 18-60°C, катодной плотности тока 7-10 А/дм2, перемешивании электролита со скоростью 600-800 об/мин в присутствии экранов из химически стойких диэлектрических материалов.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EA201700228A EA031762B1 (ru) | 2017-04-07 | 2017-04-07 | Способ нанесения толстослойного висмутового покрытия на алюминий и его сплавы для создания радиационных экранов |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EA201700228A EA031762B1 (ru) | 2017-04-07 | 2017-04-07 | Способ нанесения толстослойного висмутового покрытия на алюминий и его сплавы для создания радиационных экранов |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| EA201700228A1 EA201700228A1 (ru) | 2018-10-31 |
| EA031762B1 true EA031762B1 (ru) | 2019-02-28 |
Family
ID=63917759
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| EA201700228A EA031762B1 (ru) | 2017-04-07 | 2017-04-07 | Способ нанесения толстослойного висмутового покрытия на алюминий и его сплавы для создания радиационных экранов |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| EA (1) | EA031762B1 (ru) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3256160A (en) * | 1962-09-04 | 1966-06-14 | United States Steel Corp | Method of electroplating bismuth on steel and electrolyte therefor |
| SU1196420A1 (ru) * | 1982-12-24 | 1985-12-07 | Новочеркасский Ордена Трудового Красного Знамени Политехнический Институт Им.Серго Орджоникидзе | Электролит висмутировани |
| JPS63171893A (ja) * | 1987-01-08 | 1988-07-15 | Nobuyasu Doi | 光沢ビスマスめつき浴 |
| RU2064535C1 (ru) * | 1994-03-22 | 1996-07-27 | Тюменский государственный нефтегазовый университет | Электролит висмутирования |
| JP2000208376A (ja) * | 1999-01-19 | 2000-07-28 | Elna Co Ltd | 電解コンデンサ |
-
2017
- 2017-04-07 EA EA201700228A patent/EA031762B1/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3256160A (en) * | 1962-09-04 | 1966-06-14 | United States Steel Corp | Method of electroplating bismuth on steel and electrolyte therefor |
| SU1196420A1 (ru) * | 1982-12-24 | 1985-12-07 | Новочеркасский Ордена Трудового Красного Знамени Политехнический Институт Им.Серго Орджоникидзе | Электролит висмутировани |
| JPS63171893A (ja) * | 1987-01-08 | 1988-07-15 | Nobuyasu Doi | 光沢ビスマスめつき浴 |
| RU2064535C1 (ru) * | 1994-03-22 | 1996-07-27 | Тюменский государственный нефтегазовый университет | Электролит висмутирования |
| JP2000208376A (ja) * | 1999-01-19 | 2000-07-28 | Elna Co Ltd | 電解コンデンサ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EA201700228A1 (ru) | 2018-10-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Lunder et al. | Formation and characterisation of Ti–Zr based conversion layers on AA6060 aluminium | |
| Pena et al. | Electrodeposited copper using direct and pulse currents from electrolytes containing low concentration of additives | |
| Yang et al. | Electrodeposition of chemically and mechanically protective Al-coatings on AZ91D Mg alloy | |
| Zhang et al. | Study on the environmentally friendly anodizing of AZ91D magnesium alloy | |
| US8304091B2 (en) | Electrodeposited copper foil with carrier foil with a primer resin layer and manufacturing method thereof | |
| Sharma et al. | Influence of current density on microstructure of pulse electrodeposited tin coatings | |
| EP2997180B1 (en) | Method for depositing thick copper layers onto sintered materials | |
| CN102317510B (zh) | 金属箔及其制造方法、绝缘基板、布线基板 | |
| US20120028073A1 (en) | Process for electroplating of copper | |
| EP3431633B1 (en) | Environmentally friendly nickel electroplating compositions and methods | |
| JP2001517737A (ja) | 電気めっき方法 | |
| JPS63310989A (ja) | 電解銅箔の製造方法 | |
| US4721656A (en) | Electroplating aluminum alloys from organic solvent baths and articles coated therewith | |
| WO2004038070A2 (en) | Pulse reverse electrolysis of acidic copper electroplating solutions | |
| Zhao et al. | Electroless plating of copper on AZ31 magnesium alloy substrates | |
| Wanotayan et al. | Electrochemical evaluation of corrosion resistance of trivalent chromate conversion coatings with different organic additives | |
| Volov et al. | Pulse-plating of copper-silver alloys for interconnect applications | |
| WO2007066751A1 (ja) | 金属薄体の製造方法 | |
| Kublanovsky et al. | Cobalt-molybdenum-phosphorus alloys: electroplating and corrosion properties | |
| EA031762B1 (ru) | Способ нанесения толстослойного висмутового покрытия на алюминий и его сплавы для создания радиационных экранов | |
| Rudnik et al. | Electroless and electrolytic deposition of Co–SiC composite coatings on aluminum | |
| Van Phuong et al. | Electrodeposition of copper on AZ91 Mg alloy in cyanide solution | |
| Radanyi et al. | Whisker formation on galvanic tin surface layer | |
| JP3900116B2 (ja) | 電子回路基板用の表面処理銅箔及びその製造方法 | |
| Zhu et al. | Copper coating electrodeposited directly onto AZ31 magnesium alloy |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | Lapse of a eurasian patent due to non-payment of renewal fees within the time limit in the following designated state(s) |
Designated state(s): AM AZ KZ KG TJ TM |
|
| MM4A | Lapse of a eurasian patent due to non-payment of renewal fees within the time limit in the following designated state(s) |
Designated state(s): BY RU |