JPS63170919A - レジストの高速冷却露光方法 - Google Patents
レジストの高速冷却露光方法Info
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- JPS63170919A JPS63170919A JP348187A JP348187A JPS63170919A JP S63170919 A JPS63170919 A JP S63170919A JP 348187 A JP348187 A JP 348187A JP 348187 A JP348187 A JP 348187A JP S63170919 A JPS63170919 A JP S63170919A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
- G03F7/70875—Temperature, e.g. temperature control of masks or workpieces via control of stage temperature
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- Health & Medical Sciences (AREA)
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
電子ビーム、イオンビーム等のエネルギービームをレジ
スト上に照射する際に、このレジストの表面に高熱伝導
性とチャージアップ防止のための導電性を有する冷却膜
を積層形成して行い、レジストの露光を高速に行うこと
を可能にするレジストの高速冷却露光方法。
スト上に照射する際に、このレジストの表面に高熱伝導
性とチャージアップ防止のための導電性を有する冷却膜
を積層形成して行い、レジストの露光を高速に行うこと
を可能にするレジストの高速冷却露光方法。
本発明は、レジストの露光方法に係り、特に露光時にレ
ジストが高温になるのを防止するレジスト露光方法の改
良に関するものである。
ジストが高温になるのを防止するレジスト露光方法の改
良に関するものである。
半導体装置或いはマスクの製造工程におけるマイクロリ
ソグラフィ技術において、ウェーハ上のパターンの描画
及び原版マスク製作に電子ビーム露光が行われるように
なり、一部ではフォーカス・イオンビーム露光も用いら
れ始めている。
ソグラフィ技術において、ウェーハ上のパターンの描画
及び原版マスク製作に電子ビーム露光が行われるように
なり、一部ではフォーカス・イオンビーム露光も用いら
れ始めている。
この描画時には極めて高精度でビームを結像させ、位置
、ビーム形状、ビーム照射量を安定させてビームをレジ
ストに照射することが必要である。
、ビーム形状、ビーム照射量を安定させてビームをレジ
ストに照射することが必要である。
その際にレジストに電子ビーム、フォーカス゛・イオン
ビーム等を照射することにより、レジストが高温になり
パターンの加工精度を低下させている。
ビーム等を照射することにより、レジストが高温になり
パターンの加工精度を低下させている。
以上のような状況からレジスト露光時にレジストの温度
上昇の防止が可能なレジストの露光方法が要望されてい
る。
上昇の防止が可能なレジストの露光方法が要望されてい
る。
従来のマスクの製造工程におけるレジストの露光方法は
第４図に示すように、ガラス基板４、例えばマスク用基
板（ガラス製５インチ角、厚さ２゜３１１１Ｉ、クロー
ム膜の厚さ８００人）の上に電子ビーム露光用のポジタ
イプのレジスト１１例えば東し製のＥＢＲ−９をスピン
コードにより塗布して５．０００人の膜を形成し、この
上から電子ビームを照射してレジストｌを露光する方法
を採用している。
第４図に示すように、ガラス基板４、例えばマスク用基
板（ガラス製５インチ角、厚さ２゜３１１１Ｉ、クロー
ム膜の厚さ８００人）の上に電子ビーム露光用のポジタ
イプのレジスト１１例えば東し製のＥＢＲ−９をスピン
コードにより塗布して５．０００人の膜を形成し、この
上から電子ビームを照射してレジストｌを露光する方法
を採用している。
この場合のレジストの温度プロファイルは第３図に示す
ように露光の中心では２００℃となり、このような露光
方法により形成したクローム膜のパターンは第５図に示
す４，０００倍の平面図のようなものになり、パターン
の変形は０．５μｍとなっている。
ように露光の中心では２００℃となり、このような露光
方法により形成したクローム膜のパターンは第５図に示
す４，０００倍の平面図のようなものになり、パターン
の変形は０．５μｍとなっている。
以上説明の従来のレジストの露光方法で問題となるのは
、レジストの電子ビームを照射された部分が急激に加熱
され、レジストの熱反応を引き起こして、パターンの加
工精度を低下させていることである。
、レジストの電子ビームを照射された部分が急激に加熱
され、レジストの熱反応を引き起こして、パターンの加
工精度を低下させていることである。
これを防止するには照射エネルギ量（以下ドーズ量と略
称する）を小さくすれば軽減できるが、使用できるレジ
ストが限られたものになり、又少ない照射量に対しては
現像を強く行わねばならないので、現像時間が長くなり
、従って現像液の使用量も多くなりコストアップになる
。
称する）を小さくすれば軽減できるが、使用できるレジ
ストが限られたものになり、又少ない照射量に対しては
現像を強く行わねばならないので、現像時間が長くなり
、従って現像液の使用量も多くなりコストアップになる
。
本発明は以上のような状況から簡単且つ安価に行える、
レジストの加熱の防止を可能にするレジストの高速冷却
露光方法の提供を目的としたものである。
レジストの加熱の防止を可能にするレジストの高速冷却
露光方法の提供を目的としたものである。
上記問題点は、レジストの表面に高熱伝導性と導電性を
有する冷却膜を積層形成して行う本発明によるレジスト
の高速冷却露光方法によって解決される。
有する冷却膜を積層形成して行う本発明によるレジスト
の高速冷却露光方法によって解決される。
即ち本発明においては、レジストの表面に高熱伝導性と
導電性をもつ金属の層を積層させるので、電子ビーム等
の露光によって露光点に発生した熱を速やかに周囲の非
露光部分に伝導することが可能となり、露光部のレジス
トの温度上昇を防止しパターンの加工精度の低下防止が
可能となる。
導電性をもつ金属の層を積層させるので、電子ビーム等
の露光によって露光点に発生した熱を速やかに周囲の非
露光部分に伝導することが可能となり、露光部のレジス
トの温度上昇を防止しパターンの加工精度の低下防止が
可能となる。
以下第１図〜第３図について本発明の一実施例を説明す
る。
る。
第１図に示すように、ガラス基板４、例えばマスク用基
板（ガラス製５インチ角、厚さ２．３ｆｌ。
板（ガラス製５インチ角、厚さ２．３ｆｌ。
クローム膜の厚さ８００人）の上にレジスト１、例えば
東し製のＥＢＲ−９をスピンコードにより塗布して５．
０００人の膜を形成し、更にその上に冷却膜２、例えば
アルミニウムの純金属の厚さ２．０００人の膜を真空蒸
着機によって積層する。
東し製のＥＢＲ−９をスピンコードにより塗布して５．
０００人の膜を形成し、更にその上に冷却膜２、例えば
アルミニウムの純金属の厚さ２．０００人の膜を真空蒸
着機によって積層する。
冷却膜２の厚さは２００〜５，０００人の範囲のものが
使用可能である。
使用可能である。
次に電子ビーム装置に上記のガラス基板４をセットし、
加速電圧３０ＫＶ、ビーム形状３μｍ直径のスポットで
ドーズ量１０μＣ１ａａｃ毎ｄ当たり１０マイクロクー
ロン）の露光をする。
加速電圧３０ＫＶ、ビーム形状３μｍ直径のスポットで
ドーズ量１０μＣ１ａａｃ毎ｄ当たり１０マイクロクー
ロン）の露光をする。
加速電圧は２０〜４０ＫＶ、ビーム形状は０．２〜４μ
ｍ角或いは直径、ドーズ量１〜４０μＣ／ａＩＩの範囲
で露光を行うことが可能である。
ｍ角或いは直径、ドーズ量１〜４０μＣ／ａＩＩの範囲
で露光を行うことが可能である。
露光後に苛性ソーダ（ＮａＯＨ）水溶液或いは酸に浸種
することにより、アルミニウムを除去し、水洗後乾燥す
る。
することにより、アルミニウムを除去し、水洗後乾燥す
る。
次にレジスト１ （ＥＢＲ−９）用の現像液、リンス
液に順次規定時間浸種して、所定のレジストパターンを
形成する。
液に順次規定時間浸種して、所定のレジストパターンを
形成する。
乾燥後、１６０℃で３０分間ポストベークを行う。
冷却後、クロムエツチング液に５０秒間浸浸積ることに
よって、マスクパターンを形成し、水洗後乾燥する。
よって、マスクパターンを形成し、水洗後乾燥する。
最後に酸素プラズマエツチング装置でレジスト１をアッ
シングして除去する。
シングして除去する。
このようにレジスト１の上にアルミニウムの冷却膜２を
設けて電子ビームを照射することにより、レジスト１の
加熱されるのを防ぐと、従来はクローム膜３のパターン
が変形が０．５μｍであったものが、第２図に示すよう
に０．１μｍ以下に抑えることができ、クローム膜のパ
ターンの精度が向上した。
設けて電子ビームを照射することにより、レジスト１の
加熱されるのを防ぐと、従来はクローム膜３のパターン
が変形が０．５μｍであったものが、第２図に示すよう
に０．１μｍ以下に抑えることができ、クローム膜のパ
ターンの精度が向上した。
なお、冷却膜２の材料としては上記のアルミニウムの他
にモリブデン（Ｍｏ） 、タングステン（Ｗ）。
にモリブデン（Ｍｏ） 、タングステン（Ｗ）。
チタン（Ｔｉ） 等を用いることも可能である。
以上説明したように本発明によれば極めて簡単な冷却膜
を用いることにより、電子ビーム等の露光時におけるレ
ジストの温度上昇を防止できるので、パターンの加工精
度の低下を防ぐことが可能となり、パターン精度の高い
クロームマスクを製造できる利点があり、著しい経済的
及び、信顛性向上の効果が期待でき工業的には極めてを
用なものである。
を用いることにより、電子ビーム等の露光時におけるレ
ジストの温度上昇を防止できるので、パターンの加工精
度の低下を防ぐことが可能となり、パターン精度の高い
クロームマスクを製造できる利点があり、著しい経済的
及び、信顛性向上の効果が期待でき工業的には極めてを
用なものである。
第１図は本発明による一実施例を示す側断面図、第２図
は本発明による一実施例のクローム膜のパターンの平面
図、 第３図は本発明及び従来のレジストの温度分布を示す図
、 第４図は従来のレジストの露光方法を示す側断面図、 第５図は従来のクローム膜のパターンの平面図、である
。 図において、 ■はレジスト、 ２は冷却膜、 ３はクローム膜、 ４はガラス基板、 を示す。 本発明による一実施例を示す側断面２ 第１図 本発明による一実施例のパターンの平面２第 ２
図 露 光 の 中 心 レジストの温度プロファイル 第 ３ 図
は本発明による一実施例のクローム膜のパターンの平面
図、 第３図は本発明及び従来のレジストの温度分布を示す図
、 第４図は従来のレジストの露光方法を示す側断面図、 第５図は従来のクローム膜のパターンの平面図、である
。 図において、 ■はレジスト、 ２は冷却膜、 ３はクローム膜、 ４はガラス基板、 を示す。 本発明による一実施例を示す側断面２ 第１図 本発明による一実施例のパターンの平面２第 ２
図 露 光 の 中 心 レジストの温度プロファイル 第 ３ 図
Claims (1)
- レジスト（１）の表面に高熱伝導性と導電性を有する冷
却膜（２）を積層形成し、エネルギービームを前記レジ
スト（１）上に照射することを特徴とするレジストの高
速冷却露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP348187A JPS63170919A (ja) | 1987-01-09 | 1987-01-09 | レジストの高速冷却露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP348187A JPS63170919A (ja) | 1987-01-09 | 1987-01-09 | レジストの高速冷却露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63170919A true JPS63170919A (ja) | 1988-07-14 |
Family
ID=11558527
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP348187A Pending JPS63170919A (ja) | 1987-01-09 | 1987-01-09 | レジストの高速冷却露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63170919A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20160238937A1 (en) * | 2013-09-26 | 2016-08-18 | National Institute For Materials Science | High-sensitivity multilayer resist film and method of increasing photosensitivity of resist film |
-
1987
- 1987-01-09 JP JP348187A patent/JPS63170919A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20160238937A1 (en) * | 2013-09-26 | 2016-08-18 | National Institute For Materials Science | High-sensitivity multilayer resist film and method of increasing photosensitivity of resist film |
| JPWO2015046327A1 (ja) * | 2013-09-26 | 2017-03-09 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 | 高感度積層レジスト膜及びレジスト膜の感光度向上方法 |
| US9703197B2 (en) * | 2013-09-26 | 2017-07-11 | National Institute For Materials Science | High-sensitivity multilayer resist film and method of increasing photosensitivity of resist film |
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