JPS63168942A - プラズマx線源 - Google Patents

プラズマx線源

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Publication number
JPS63168942A
JPS63168942A JP61313834A JP31383486A JPS63168942A JP S63168942 A JPS63168942 A JP S63168942A JP 61313834 A JP61313834 A JP 61313834A JP 31383486 A JP31383486 A JP 31383486A JP S63168942 A JPS63168942 A JP S63168942A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
electrodes
plasma
distance
plasma spot
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP61313834A
Other languages
English (en)
Inventor
Koji Suzuki
光二 鈴木
Hiroshi Arita
浩 有田
Yukio Kurosawa
黒沢 幸夫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
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Publication of JPS63168942A publication Critical patent/JPS63168942A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • X-Ray Techniques (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はプラズマX線源に関するものである。
〔従来の技術〕
プラズマX線源の一つである真空スパーク式に関する装
置として特開昭60−151945号公報に示すものが
知られている。基本的な原理と構成とを第4図を用いて
説明する。同図に示されているようにX線発生物質で構
成される対向する電極1,2はその一部が絶縁物3で構
成された真空容器4内で対向している。この電極1,2
の両端にはスイッチ5を介してパルス大電流源であるコ
ンデンサ6と充電装置7とが接続されている。
このように構成されたプラズマX線源の真空容器4の一
部には、X線取出窓8を介して露光室9が設けられてい
る。露光室9にはパターンを設けたマスク10やX線レ
ジストを塗布したシリコンウェーハ11が設置されてい
る。充電装置7によりコンデンサ6に充電した電荷をス
イッチ5を投入して電極1,2間で放電させる。電極1
,2間の放電により電極1,2間にプラズマが発生し、
アーク電流12の磁気圧でピンチし、プラズマスポット
13が形成され、電極材の特性X線を発生させる。この
X線をX線取出窓8に設けたX線透過率の高いベリリウ
ムを通し、露光室9内のシリコンウェーハ11にマスク
10のパターンを転写する。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上記従来技術は再現性のよいプラズマスポットを得るこ
とに関して配慮がなされておらず、スポットの位置ずれ
により転写されたマスクのパターンにぼけを生じ、解像
度のよい転写が得られない問題があった。
本発明は以上の点に鑑みなされたものであり、再現性の
よいプラズマスポットを得ることを可能としたプラズマ
X線源を提供することを目的とするものである。
c問題点を解決するための手段〕 上記目的は、電極間の距離を1■以上21WII以内に
することにより、達成される。
〔作用〕
対向する電極の陽極に昇華金属であるカーボンを用い、
陰極側に所望のX線波長を有する金属(例えばモリブデ
ン、アルミニウムなど)を用いてプラズマスポットの発
生位置を検討したところ、電極間の電極軸上に発生して
いることがわかった。
この場合に電極間隔が大きいとそれだけプラズマスポッ
トの発生位置が変動するので、再現性のよいプラズマス
ポットを得るには電極間距離を/I)さくする必要があ
る。しかし、電極間隔を1m+以下に小さくすると、プ
ラズマの形成空間が狭くX線が発生しない。プラズマス
ポットの大きさは露光するウェーハまでの距離や、プラ
ズマスポットの輝度の大きさにもよるが、少なくとも2
1Wnφ以内にするのが望ましい。以上のことから電極
間距離を1m以上2圃以内にすれば再現性のよいプラズ
マスポットが得られることがわかった。そこで本発明で
は電極間の距離を1■以上2m以内にした。
このようにすることにより再現性のよいプラズマスポッ
トを得ることを可能としたプラズマX線源を得ることを
可能としたものである。
〔実施例〕
以下、図示した実施例に基づいて本発明を説明する。第
1図には本発明の一実施例が示されている。なお従来と
同じ部品には同じ符号を付したので説明を省略する。本
実施例では陽極電極1aと陰極電極2aとの間の距離を
1mn以上2m以内にした。このようにすることにより
再現性のよいプラズマスポット13が得られるようにな
って、再現性のよいプラズマスポット13を得ることを
可能としたプラズマX線源を得ることができる。
すなわち陽極電極1aに球状のモリブデン(MO。
波長5.4人)、陰極電極2aに円錐状のモリブデンを
使用した。電極1a、2aの両端には集電子14を設け
てコンデンサ6と充電装置7とに接続した。また両電極
1a、2aの電極消耗を考慮して電極供給装置15を設
けた。更に、真空容器4の一部に窓16を設け、光学系
の電極間隔測定器17を設けて電極間距離を監視すると
共に、電極供給装置15と電気的に接続して、常に電極
間距離を1〜2+nmの範囲内に調整するようにした。
このようにすることにより常に電極間距離を1〜2」の
範囲内に調整できるようになって、プラズマスポット1
3の大きさを多数回放電でも2mmφ以下にすることが
でき、再現性のよいプラズマスボットを得ることができ
る。
第2図には本発明の他の実施例が示されている。
本実施例では陽極の球状電極にX線波長の長いカーボン
電極(C1波長44人)lbを設け、この電極1bの中
心部に穴を設ける。そしてこの穴にX線発生物質(例え
ばMo 、 A Q等)18を設け、電極供給装置15
により供給する。コンデンサと充電装置とを一緒にした
電源袋M]、9を電極2a。
1bの両端に接続した。カーボン電極1bは上述のよう
に波長が長いが、X線取出窓8に設けであるベリリウム
で容易にカットできるので、露光室へのX線は所望する
X線発生物質18の特性X線が得られる。このように本
実施例によれば前述の場合に比ベカーボン電極1bの消
耗が小さく、電極表面変化が少ないので、放電アークも
安定し、再現性のよいプラズマスポット13を得ること
ができる。
第3図には本発明の更に他の実施例が示されている。本
実施例では対向するカーボン電極1bの中空部からX線
発生物質1Bを電極供給装置15により絶縁台20を介
して供給するようにした。
対向する電極1bを球状にして前述の場合より更にアー
クの安定化による輝度の向上およびプラズマスポット1
3の安定化を図ったものである。対向する電極1bが球
の場合、真空中での放電々圧が高く、外部スイッチでは
放電し難いため、本実施例では真空容器4の一部に窓2
1を設け、これにレーザビーム発生器22を設けた。そ
してX線発生物質18の先端部にレーザビームを照射し
、電極1b間の放電をさせるようにした。このように本
実施例によれば前述の場合に比べ両電極1b共カーボン
を使用しているので、電極表面の消耗が少なく、安定し
たプラズマスポット13を得ることができる。
〔発明の効果〕
上述のように本発明は再現性のよいプラズマスポットが
得られるようになって、再現性のよいプラズマスポット
を得ることを可能としたプラズマX線源を得ることがで
きる。
【図面の簡単な説明】
第1図から第3図は本発明のプラズマX線源の夫々異な
る実施例を示す一部縦断側面図、第4図は従来のプラズ
マX線源の一部縦断側面図である。 1a・・・陽極電極、1b・・・カーボン電極、2a・
・・陰極電極、4・・・真空容器、6・・・コンデンサ
(パルス大電流源)、13・・・プラズマスポット、1
5・・・電極供給装置、17・・・電極間隔測定器、1
8・・・X線発生物質、19・・・電源装置、22・・
・レーザビーム発生器。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、真空容器と、この真空容器内に対向配置され、かつ
    X線発生物質で構成される一対の電極と、この電極間に
    接続されたパルス大電流源とを備えたプラズマX線源に
    おいて、前記電極間の距離を1mm以上2mm以内にし
    たことを特徴とするプラズマX線源。 2、前記一対の電極が、その少なくとも一方の電極が中
    空部を設けた昇華導体の中空部より前記X線発生物質が
    供給するようにされたものである特許請求の範囲第1項
    記載のプラズマX線源。
JP61313834A 1986-12-27 1986-12-27 プラズマx線源 Pending JPS63168942A (ja)

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JP61313834A JPS63168942A (ja) 1986-12-27 1986-12-27 プラズマx線源

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JP61313834A JPS63168942A (ja) 1986-12-27 1986-12-27 プラズマx線源

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JPS63168942A true JPS63168942A (ja) 1988-07-12

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003051398A (ja) * 2001-08-07 2003-02-21 Nikon Corp X線発生装置、露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
JP2009512173A (ja) * 2005-10-18 2009-03-19 アルフト インコーポレイテッド 軟x線発生器
KR20150023025A (ko) * 2012-06-15 2015-03-04 지멘스 악티엔게젤샤프트 X­선 소스,x­선 소스의 사용 그리고 x­선들을 생성하기 위한 방법

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003051398A (ja) * 2001-08-07 2003-02-21 Nikon Corp X線発生装置、露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
JP2009512173A (ja) * 2005-10-18 2009-03-19 アルフト インコーポレイテッド 軟x線発生器
KR20150023025A (ko) * 2012-06-15 2015-03-04 지멘스 악티엔게젤샤프트 X­선 소스,x­선 소스의 사용 그리고 x­선들을 생성하기 위한 방법
JP2015523686A (ja) * 2012-06-15 2015-08-13 シーメンス アクチエンゲゼルシヤフトSiemens Aktiengesellschaft X線源、x線源の使用およびx線を発生させる方法
US9659738B2 (en) 2012-06-15 2017-05-23 Siemens Aktiengesellschaft X-ray source and the use thereof and method for producing X-rays

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