JPS63284744A - プラズマｘ線源 - Google Patents
プラズマｘ線源Info
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- JPS63284744A JPS63284744A JP62117056A JP11705687A JPS63284744A JP S63284744 A JPS63284744 A JP S63284744A JP 62117056 A JP62117056 A JP 62117056A JP 11705687 A JP11705687 A JP 11705687A JP S63284744 A JPS63284744 A JP S63284744A
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- electrode
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Landscapes
- X-Ray Techniques (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はプラズマＸ線源に関するものである。
第６図には例えば特開昭６１−１０４５４８号公報に示
されているプラズマＸ線源の一方式であるプラズマフォ
ーカス式Ｘ線源が示されている。同図に示されているよ
うにプラズマＸ線源は対向する一対の電極１，２が絶縁
物３を介して同軸状に構成され、放電容器４内に設置さ
九ている。放電容器４内にはガス給徘装置ｆ！（図示せ
ず）によりＸ線発生用ガス（例えばアルゴン、クリプト
ン、ネオンなど）が数〜数十Ｔｏｒｒ封入しである。電
極１，２には放電容器４外でパルス大電流源であるコン
デンサ５とコンデンサ５を放電させるスイッチ手段例え
ばスイッチ６とが直列に接続されている。コンデンサ５
は電源（図示せず）により充電されている。スイッチ６
を投入すると放電容器４内にある電極１，２間の絶縁物
３の沿面で放電し、対向する電極１，２間にアークが発
生する。このアークで対向する電極１，２間に封入され
ているＸ線発生用ガスがプラズマ化されると共に、アー
クは図中右方向に移動し、電極の端末部で２ピンチを引
き起し、Ｘ線発生用ガスの特性Ｘ線が放射される。
されているプラズマＸ線源の一方式であるプラズマフォ
ーカス式Ｘ線源が示されている。同図に示されているよ
うにプラズマＸ線源は対向する一対の電極１，２が絶縁
物３を介して同軸状に構成され、放電容器４内に設置さ
九ている。放電容器４内にはガス給徘装置ｆ！（図示せ
ず）によりＸ線発生用ガス（例えばアルゴン、クリプト
ン、ネオンなど）が数〜数十Ｔｏｒｒ封入しである。電
極１，２には放電容器４外でパルス大電流源であるコン
デンサ５とコンデンサ５を放電させるスイッチ手段例え
ばスイッチ６とが直列に接続されている。コンデンサ５
は電源（図示せず）により充電されている。スイッチ６
を投入すると放電容器４内にある電極１，２間の絶縁物
３の沿面で放電し、対向する電極１，２間にアークが発
生する。このアークで対向する電極１，２間に封入され
ているＸ線発生用ガスがプラズマ化されると共に、アー
クは図中右方向に移動し、電極の端末部で２ピンチを引
き起し、Ｘ線発生用ガスの特性Ｘ線が放射される。
発生したｘ、ｇは引出穴７を通して露光室８に導入され
、露光室８内にあるウェーハ（図示せず）等にパターン
を形成したマスクを介して照射され。
、露光室８内にあるウェーハ（図示せず）等にパターン
を形成したマスクを介して照射され。
露光される。この場合、電！＠１．２間の放電によって
発生するＸ線以外の放電生成物が露光室８内に混合しな
いよう遮蔽電極９と絶縁物１０とで保護している。
発生するＸ線以外の放電生成物が露光室８内に混合しな
いよう遮蔽電極９と絶縁物１０とで保護している。
上記従来技術は電極間で発生した特性Ｘ線を効率よく露
光室へ照射するための手段であるが、Ｘ線発生輝度を向
上する点については配慮されておらず、高輝度のｘｇが
得られない問題があった。
光室へ照射するための手段であるが、Ｘ線発生輝度を向
上する点については配慮されておらず、高輝度のｘｇが
得られない問題があった。
高輝度のＸ線を得るには高速のパルス大電流源が必要と
されており、検討結果によればパルス電流の立上り時間
が短い程高輝度のＸ線が得られることが実験でも確認さ
れている。高速のパルス大電流源を得るにはパルス大電
流源と電極との間の放電回路内のインダクタンスを低減
する必要がある。
されており、検討結果によればパルス電流の立上り時間
が短い程高輝度のＸ線が得られることが実験でも確認さ
れている。高速のパルス大電流源を得るにはパルス大電
流源と電極との間の放電回路内のインダクタンスを低減
する必要がある。
放電回路内のインダクタンスの大半はスイッチと放電す
る電極部とで占めており、特にプラズマフォーカス式の
場合、放電する電極間にはＸ線発生ガスが封入され、耐
電圧も低いのでスイッチが省略できず、高輝度のＸ線が
得られなかった。また、従来技術ではｘｇ発生用として
気体を用いており、かつ適用可能な気体も限定されるの
で、マスクとの適合を考慮したＸ線波長の自由度が少な
い問題もある。更に、大電流パルス放電を絶縁物の表面
を介して行うので、絶縁物表面の劣化や破壊が生じ易く
、寿命が短い問題があった。
る電極部とで占めており、特にプラズマフォーカス式の
場合、放電する電極間にはＸ線発生ガスが封入され、耐
電圧も低いのでスイッチが省略できず、高輝度のＸ線が
得られなかった。また、従来技術ではｘｇ発生用として
気体を用いており、かつ適用可能な気体も限定されるの
で、マスクとの適合を考慮したＸ線波長の自由度が少な
い問題もある。更に、大電流パルス放電を絶縁物の表面
を介して行うので、絶縁物表面の劣化や破壊が生じ易く
、寿命が短い問題があった。
本発明は以上の点に鑑みなされたものであり、高輝度、
長寿命で波長選択の自由度を大きくすることを可能とし
たプラズマＸ線源を提供することを目的とするものであ
る。
長寿命で波長選択の自由度を大きくすることを可能とし
たプラズマＸ線源を提供することを目的とするものであ
る。
上記目的は、放電容器内を真空にすると共に、スイッチ
手段を放電回路外に設け、かつ電極の少なくとも一方を
Ｘ線発生材で形成することにより、達成される。
手段を放電回路外に設け、かつ電極の少なくとも一方を
Ｘ線発生材で形成することにより、達成される。
放電容器内を真空にし、放電容器内に所望の特性Ｘ線の
波長が得られるＸ線発生材で構成された対向する電極を
設け、放電回路外に設けたスイッチ手段で対向する電極
の放電を引き起す。このため、放電回路内のスイッチ手
段がなくなって高速のパルス大電流が得られるのみなら
ず、絶縁物表面での沿面放電が防止できるので絶縁物の
劣化がない。更に対向する電極間に生じたアーク放電に
より、対向する電極に用いたＸ線発生材の特性Ｘ線が得
られる。
波長が得られるＸ線発生材で構成された対向する電極を
設け、放電回路外に設けたスイッチ手段で対向する電極
の放電を引き起す。このため、放電回路内のスイッチ手
段がなくなって高速のパルス大電流が得られるのみなら
ず、絶縁物表面での沿面放電が防止できるので絶縁物の
劣化がない。更に対向する電極間に生じたアーク放電に
より、対向する電極に用いたＸ線発生材の特性Ｘ線が得
られる。
以下、図示した実施例に基づいて本発明を説明する。第
１図には本発明の一実施例が示されている。なお従来と
同じ部品には同じ符号を付したので説明を省略する０本
実施例では放電容器４内を真空にすると共に、スイッチ
手段を放電回路外に設け、かつ電極１，２をＸ線発生材
で形成した。
１図には本発明の一実施例が示されている。なお従来と
同じ部品には同じ符号を付したので説明を省略する０本
実施例では放電容器４内を真空にすると共に、スイッチ
手段を放電回路外に設け、かつ電極１，２をＸ線発生材
で形成した。
このようにすることにより高輝度、長寿命で波長選択の
自由度を大きくすることができるようになって、高輝度
、長寿命で波長選択の自由度を大きくすることを可能と
したプラズマＸ線源を得ることができる。
自由度を大きくすることができるようになって、高輝度
、長寿命で波長選択の自由度を大きくすることを可能と
したプラズマＸ線源を得ることができる。
すなわちスイッチ手段を、対向する電極１，２の中心の
電極１の内部に絶縁物１１を介して密封し、かつ外部に
引き出したトリガ電ｗ４１２と、トリガ電ＩＩ Ｌ ２
と電極１との間に設けたトリガ用パルス源１３とで形成
した。このようにすることにより１次のように動作させ
ることができる。放電容器４内は排気口１４により真空
排気し、高真空（１０−’Ｔｏｒｒ）に保持しておく。
電極１の内部に絶縁物１１を介して密封し、かつ外部に
引き出したトリガ電ｗ４１２と、トリガ電ＩＩ Ｌ ２
と電極１との間に設けたトリガ用パルス源１３とで形成
した。このようにすることにより１次のように動作させ
ることができる。放電容器４内は排気口１４により真空
排気し、高真空（１０−’Ｔｏｒｒ）に保持しておく。
対向するｔ￥！極１゜２に所望のＸ線波長を有するＸ線
発生材（例えばモリブデン、波長約５゜４人）を用いる
。コンデンサ５は上述のように電源（図示せず）により
所望の電圧に充電しておく。トリガ用パルス源１３を動
作させて高圧パルスをトリガ電極１２と電極１との間に
印加させ、放電容器４内の絶縁物１１の沿面放電を発生
させる。この放電によるプラズマが電極１の周方向に設
けた貫通穴１５を通して対向する電極１，２間に侵入し
、対向する電極１，２間で主放電が発生する。主放電で
発生したアークは対向する電極１，２間を図中右方向に
移動する。このアークの移動と共に、アークの足となる
両電極１，２表面から発生する金属蒸気がプラズマ化さ
れ、電極の終端部でＺピンチを引き起してプラズマスポ
ット１６を発生し、電極１゜２のＸ線発生材の特性Ｘ線
が放射される。この放射されたＸ線はＸ線以外の放電生
成物を遮蔽する遮蔽電極９の絶縁物１０間の引出穴７を
通り、Ｘ線取出窓（例えばベリリウム）１７より露光室
８内に放射され、露光室８内のウェーハ（図示せず）を
露光する。このようにすることによりパルス大電流源で
あるコンデンサ５の放電回路内のスイッチが不要となっ
て、放電回路のインダクタンスが低減し、高速のパルス
大電流源が得られるようになり、高輝度のＸ線が発生で
きる。またトリガスイッチは小容量のトリガ用パルス源
１３の放電を利用するため、絶縁物の劣化が少なく長寿
命のプラズマＸ線源を得ることができる。また、電極１
゜２を構成するＸ線発生材の特性Ｘ線が利用できるので
、波長選択の自由度が大きい。このように本実施例によ
れば高輝度、長寿命で波長選択の自由度が大きいプラズ
マＸ線源を得ることができる。
発生材（例えばモリブデン、波長約５゜４人）を用いる
。コンデンサ５は上述のように電源（図示せず）により
所望の電圧に充電しておく。トリガ用パルス源１３を動
作させて高圧パルスをトリガ電極１２と電極１との間に
印加させ、放電容器４内の絶縁物１１の沿面放電を発生
させる。この放電によるプラズマが電極１の周方向に設
けた貫通穴１５を通して対向する電極１，２間に侵入し
、対向する電極１，２間で主放電が発生する。主放電で
発生したアークは対向する電極１，２間を図中右方向に
移動する。このアークの移動と共に、アークの足となる
両電極１，２表面から発生する金属蒸気がプラズマ化さ
れ、電極の終端部でＺピンチを引き起してプラズマスポ
ット１６を発生し、電極１゜２のＸ線発生材の特性Ｘ線
が放射される。この放射されたＸ線はＸ線以外の放電生
成物を遮蔽する遮蔽電極９の絶縁物１０間の引出穴７を
通り、Ｘ線取出窓（例えばベリリウム）１７より露光室
８内に放射され、露光室８内のウェーハ（図示せず）を
露光する。このようにすることによりパルス大電流源で
あるコンデンサ５の放電回路内のスイッチが不要となっ
て、放電回路のインダクタンスが低減し、高速のパルス
大電流源が得られるようになり、高輝度のＸ線が発生で
きる。またトリガスイッチは小容量のトリガ用パルス源
１３の放電を利用するため、絶縁物の劣化が少なく長寿
命のプラズマＸ線源を得ることができる。また、電極１
゜２を構成するＸ線発生材の特性Ｘ線が利用できるので
、波長選択の自由度が大きい。このように本実施例によ
れば高輝度、長寿命で波長選択の自由度が大きいプラズ
マＸ線源を得ることができる。
第２図には本発明の他の実施例が示されている。
本実施例は対向する電極１，２ａの外側の電極２ａの一
部に取付穴１８を設け、この取付穴１８にトリガスイッ
チを設けた。一般に外側の電極２ａは陰極として使用さ
れる場合が多く、この低圧回路にトリガスイッチが設置
できるので、前述の場合より取扱いが容易である。
部に取付穴１８を設け、この取付穴１８にトリガスイッ
チを設けた。一般に外側の電極２ａは陰極として使用さ
れる場合が多く、この低圧回路にトリガスイッチが設置
できるので、前述の場合より取扱いが容易である。
第３図には本発明の更に他の実施例が示されている。本
実施例は対向する電極１，２の間にある絶縁物３を通し
てトリガ電極１２を設けた。この場合も前述の第１図の
場合と同様な作用効果を奏することができる。
実施例は対向する電極１，２の間にある絶縁物３を通し
てトリガ電極１２を設けた。この場合も前述の第１図の
場合と同様な作用効果を奏することができる。
第４図には本発明の更に他の実施例が示されている。本
実施例はスイッチ手段をレーザスイッチで形成した場合
である。すなわち対向する電極ｌａ、２ｂの一部に放電
を容易にする凸起１９゜２ｏを設けると共に、外側の電
極２ｂの一部に貫通穴２１を設け、放電容器４ａの外信
に密封構造で取付けたフランジ２２を介してレーザ発生
装置２３を設けた。このようにすることにより対向する
電極１ａ、２ｂ間の主放電は、レーザ発生装置２３から
のレーザビームを中心の電極１ａの凸起１９に照射し、
これによって発生するプラズマで引き起される。この場
合は上述の第１図から第３図の場合のトリガ電極の沿面
放電がなく、常に電１ｉ１．ａ、２ｂ間での放電となる
ので、前述の場合よりも高寿命となる。
実施例はスイッチ手段をレーザスイッチで形成した場合
である。すなわち対向する電極ｌａ、２ｂの一部に放電
を容易にする凸起１９゜２ｏを設けると共に、外側の電
極２ｂの一部に貫通穴２１を設け、放電容器４ａの外信
に密封構造で取付けたフランジ２２を介してレーザ発生
装置２３を設けた。このようにすることにより対向する
電極１ａ、２ｂ間の主放電は、レーザ発生装置２３から
のレーザビームを中心の電極１ａの凸起１９に照射し、
これによって発生するプラズマで引き起される。この場
合は上述の第１図から第３図の場合のトリガ電極の沿面
放電がなく、常に電１ｉ１．ａ、２ｂ間での放電となる
ので、前述の場合よりも高寿命となる。
第５図には本発明の更に他の実施例が示されている。本
実施例は放電容器４ｂにガス供給装置を設けたが、この
ガス供給装置を放電容器４ｂの一部に設けたガス導入口
２４およびバルブ２５と、これらガス導入口２４．バル
ブ２５を介して設けたガスタンク２６とで形成した。ガ
スは高耐電圧特性を有し、かつ消弧特性のよいガス（例
えば六弗化硫黄）が用いられる。このガスをＸ線発生用
ガスとして用いることで、六弗化硫黄の特性Ｘ線（Ｋα
線５．０〜５．３人）が発生できる。
実施例は放電容器４ｂにガス供給装置を設けたが、この
ガス供給装置を放電容器４ｂの一部に設けたガス導入口
２４およびバルブ２５と、これらガス導入口２４．バル
ブ２５を介して設けたガスタンク２６とで形成した。ガ
スは高耐電圧特性を有し、かつ消弧特性のよいガス（例
えば六弗化硫黄）が用いられる。このガスをＸ線発生用
ガスとして用いることで、六弗化硫黄の特性Ｘ線（Ｋα
線５．０〜５．３人）が発生できる。
上述のように本発明は高輝度、長寿命で波長選択の自由
度を大きくすることができるようになって、高輝度、長
寿命で波長選択の自由度を大きくすることを可能とした
プラズマＸ線源を得ることができる。
度を大きくすることができるようになって、高輝度、長
寿命で波長選択の自由度を大きくすることを可能とした
プラズマＸ線源を得ることができる。
第１図から第５図は本発明のプラズマＸ線源の夫々異な
る実施例を示す縦断側面図、第６図は従来のプラズマＸ
線源の縦断側面図である。 １、ｌａ−電極、２ 、２ ａ 、 ２ ｂ−電極、４
゜４ａ、４ｂ・・・放電容器、５・・・コンデンサ（パ
ルス大電流源）、１２・・・トリガ電極、１３・・・ト
リガ用パルス源、２３・・・レーザ発生装置、２４・・
・ガス導入口、２５・・・バルブ、２６・・・ガスタン
ク。 第１図 １１−４’１カ電キｔ １３−−一ト１１力゛弔パル入鼻 第３図 縁 来４日 ｚ６−−−カ′入フンフ
る実施例を示す縦断側面図、第６図は従来のプラズマＸ
線源の縦断側面図である。 １、ｌａ−電極、２ 、２ ａ 、 ２ ｂ−電極、４
゜４ａ、４ｂ・・・放電容器、５・・・コンデンサ（パ
ルス大電流源）、１２・・・トリガ電極、１３・・・ト
リガ用パルス源、２３・・・レーザ発生装置、２４・・
・ガス導入口、２５・・・バルブ、２６・・・ガスタン
ク。 第１図 １１−４’１カ電キｔ １３−−一ト１１力゛弔パル入鼻 第３図 縁 来４日 ｚ６−−−カ′入フンフ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、放電容器内に設けられた少なくとも一対の電極と、
この電極間に接続されたパルス大電流源とを備え、前記
パルス大電流源を前記電極との間の放電回路内に放電さ
せるスイッチ手段が設けられているプラズマＸ線源にお
いて、前記放電容器内を真空にすると共に、前記スイッ
チ手段を前記放電回路外に設け、かつ前記電極の少なく
とも一方をＸ線発生材で形成したことを特徴とするプラ
ズマＸ線源。 ２、前記スイッチ手段が、トリガ用パルス源と、このパ
ルス源に接続されたトリガ電極とで形成されたトリガス
イッチである特許請求の範囲第１項記載のプラズマＸ線
源。 ３、前記スイッチ手段が、前記電極の一方に設けられ、
かつレーザビームを照射するレーザ発生装置を持って形
成されたレーザスイッチである特許請求の範囲第１項記
載のプラズマＸ線源。 ４、前記放電容器が、前記放電容器内にＸ線発生用ガス
を供給するガス供給装置が設けられたものである特許請
求の範囲第１項記載のプラズマＸ線源。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62117056A JPS63284744A (ja) | 1987-05-15 | 1987-05-15 | プラズマｘ線源 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62117056A JPS63284744A (ja) | 1987-05-15 | 1987-05-15 | プラズマｘ線源 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63284744A true JPS63284744A (ja) | 1988-11-22 |
Family
ID=14702332
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62117056A Pending JPS63284744A (ja) | 1987-05-15 | 1987-05-15 | プラズマｘ線源 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63284744A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000346999A (ja) * | 1999-03-15 | 2000-12-15 | Cymer Inc | ブラストシールドを備えるプラズマフォーカス高エネルギフォトン源 |
| JP2007525799A (ja) * | 2003-12-17 | 2007-09-06 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 特にｅｕｖ放射及び／又は軟ｘ線放射を発生する方法及び装置 |
| JP2013254693A (ja) * | 2012-06-08 | 2013-12-19 | Ihi Corp | プラズマ光源 |
| JP2013254694A (ja) * | 2012-06-08 | 2013-12-19 | Ihi Corp | プラズマ光源 |
| JP2018124440A (ja) * | 2017-02-01 | 2018-08-09 | 株式会社Ihi | プラズマ光源 |
-
1987
- 1987-05-15 JP JP62117056A patent/JPS63284744A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000346999A (ja) * | 1999-03-15 | 2000-12-15 | Cymer Inc | ブラストシールドを備えるプラズマフォーカス高エネルギフォトン源 |
| JP2007525799A (ja) * | 2003-12-17 | 2007-09-06 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 特にｅｕｖ放射及び／又は軟ｘ線放射を発生する方法及び装置 |
| JP2013254693A (ja) * | 2012-06-08 | 2013-12-19 | Ihi Corp | プラズマ光源 |
| JP2013254694A (ja) * | 2012-06-08 | 2013-12-19 | Ihi Corp | プラズマ光源 |
| JP2018124440A (ja) * | 2017-02-01 | 2018-08-09 | 株式会社Ihi | プラズマ光源 |
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