JPS6316626A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS6316626A JPS6316626A JP16116686A JP16116686A JPS6316626A JP S6316626 A JPS6316626 A JP S6316626A JP 16116686 A JP16116686 A JP 16116686A JP 16116686 A JP16116686 A JP 16116686A JP S6316626 A JPS6316626 A JP S6316626A
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- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
主呈上夏且且立■
本発明は、半導体装置の製造ラインにおいて、半導体ウ
ェーハの表面を清浄化処理する際の回転ブラシを、上記
製造ラインを止めることなく清浄化する工程を含んだ単
導体装置の製造方法に関する。
ェーハの表面を清浄化処理する際の回転ブラシを、上記
製造ラインを止めることなく清浄化する工程を含んだ単
導体装置の製造方法に関する。
l米辺且皿
半導体装置の製造ラインには、半導体ウェーハ表面に付
着した微細な璽埃類〔以下マイクロダストと称する〕を
洗浄する清浄化処理工程がある。
着した微細な璽埃類〔以下マイクロダストと称する〕を
洗浄する清浄化処理工程がある。
上記清浄化処理工程では、例えばブラシスクラバー装置
が用いられろう 上記ブラシスクラバー装置の一例を第2図及び第3図に
示し、以下図面に基づいて説明する。
が用いられろう 上記ブラシスクラバー装置の一例を第2図及び第3図に
示し、以下図面に基づいて説明する。
図面において、(1)はモータ(M)によって所定方向
に回転駆動されるターンテーブル、(2)はアーム(3
)を介して配設された回転ブラシ、(4)は′洗浄液供
給ノズル、(5)は未洗浄の半導体ウェーハ(W)を複
数枚収容するための第1マガジン、(6)は洗浄後の半
導体ウェーハ(W)を収容するための第2マガジン、(
7)は上記第1マガジン(5)がらターンテーブル(1
)上に未洗浄の半導体ウェーハ(W)を移送するローダ
、(8)はターンテープル゛(1)上から第2マガジン
(6)に洗浄後の半導体ウェーハ(W)を移送するアン
ローダを示す。
に回転駆動されるターンテーブル、(2)はアーム(3
)を介して配設された回転ブラシ、(4)は′洗浄液供
給ノズル、(5)は未洗浄の半導体ウェーハ(W)を複
数枚収容するための第1マガジン、(6)は洗浄後の半
導体ウェーハ(W)を収容するための第2マガジン、(
7)は上記第1マガジン(5)がらターンテーブル(1
)上に未洗浄の半導体ウェーハ(W)を移送するローダ
、(8)はターンテープル゛(1)上から第2マガジン
(6)に洗浄後の半導体ウェーハ(W)を移送するアン
ローダを示す。
上記回転ブラシ(2)は、アーム(3)によって待機位
置(A)からターンテーブル(1)上まで移動するよう
になっており、ターンテーブル(1)上においては、こ
のターンテーブル、 (1)の半径方向に軸線を一致さ
せた状態〔第3図参照〕となる。また、この回転ブラシ
(2)は、アーム(3)を介して図示しない駆動装置に
より、所定方向に回転駆動され、更に、上記アーム(3
)を介してターンテーブル(1)上の半導体ウェーハ(
W>に対する所定の接触圧力が付与される。
置(A)からターンテーブル(1)上まで移動するよう
になっており、ターンテーブル(1)上においては、こ
のターンテーブル、 (1)の半径方向に軸線を一致さ
せた状態〔第3図参照〕となる。また、この回転ブラシ
(2)は、アーム(3)を介して図示しない駆動装置に
より、所定方向に回転駆動され、更に、上記アーム(3
)を介してターンテーブル(1)上の半導体ウェーハ(
W>に対する所定の接触圧力が付与される。
次に、上記ブラシスクラバー装置による半導体ウェーハ
の清浄化処理要領を説明する。
の清浄化処理要領を説明する。
先ず、ローダ(7)によって半導体ウェーハ(W)を第
1マガジン(5)からターンテーブル(1)に向けて移
送し、このターンテーブル(1)上に位置決め截置する
。
1マガジン(5)からターンテーブル(1)に向けて移
送し、このターンテーブル(1)上に位置決め截置する
。
次にモータ(M)によってターンテーブル(1)を所定
方向に定速、例えば毎秒〃〜2回転程度で回転させると
共に、上記清浄液供給ノズル(4)から超純水等の洗浄
液を半導体ウェハ(W)上に供給する。
方向に定速、例えば毎秒〃〜2回転程度で回転させると
共に、上記清浄液供給ノズル(4)から超純水等の洗浄
液を半導体ウェハ(W)上に供給する。
次に回転ブラシ(2)をアーム(3)によって待機位置
(A)から半導体ウェーハ(W)の半径方向の位置、〔
前述の第3図参照〕、に向けて移動させ、上記回転ブラ
シ(2)を所定方向に所定速度で回転させながら、上記
半導体ウェーハ(W)に所定の接触圧で当接させる。
(A)から半導体ウェーハ(W)の半径方向の位置、〔
前述の第3図参照〕、に向けて移動させ、上記回転ブラ
シ(2)を所定方向に所定速度で回転させながら、上記
半導体ウェーハ(W)に所定の接触圧で当接させる。
すると、半導体ウェーハ(W)表面に付着しているマイ
クロダストは、回転ブラシ(2)によって払い落とされ
ると共に、上記洗浄液供給ノズル(4)からの洗浄液S
二よって洗い流される。この状態を所望時間維持した後
、上記回転ブラシ(2)の回転を停止して待機位置(A
)に復帰させると共に、上記洗浄液の供給を停止しター
ンテーブル(1)を停止させる。
クロダストは、回転ブラシ(2)によって払い落とされ
ると共に、上記洗浄液供給ノズル(4)からの洗浄液S
二よって洗い流される。この状態を所望時間維持した後
、上記回転ブラシ(2)の回転を停止して待機位置(A
)に復帰させると共に、上記洗浄液の供給を停止しター
ンテーブル(1)を停止させる。
この後、上記半導体ウェーハ(W)をアンローダ(8)
によって取出し、第2マガジン(6)に移送する。
によって取出し、第2マガジン(6)に移送する。
以上の作業は、第1マガジン(5)内に半導体ウェーハ
(W)がなくなるまで繰り返される、そして、上記第1
マガジン(5)内の半導体ウェーハ(W)の清浄化処理
が完了すれば、空になった第1マガジン(5)の代りに
、未処理の半導体ウェーハを収容し−た第1マガジンを
配置し、第2マガジン(6)内の処理後の半導体ウェー
ハ(W>は、、第2マガジン(6)ごと次工程の、例え
ば乾燥工程に移送され、この第2マガジン(6)の代り
に空の第2マガジンが配置され、上記一連の動作が繰り
返される。
(W)がなくなるまで繰り返される、そして、上記第1
マガジン(5)内の半導体ウェーハ(W)の清浄化処理
が完了すれば、空になった第1マガジン(5)の代りに
、未処理の半導体ウェーハを収容し−た第1マガジンを
配置し、第2マガジン(6)内の処理後の半導体ウェー
ハ(W>は、、第2マガジン(6)ごと次工程の、例え
ば乾燥工程に移送され、この第2マガジン(6)の代り
に空の第2マガジンが配置され、上記一連の動作が繰り
返される。
<力゛ しよ°と るロ 占
上記の半導体製造ラインにおける半導体つ、エーハの清
浄化処理工程には次のような問題があった。
浄化処理工程には次のような問題があった。
半導体ウェーハ(W)表面のマイクロダストは、ブラシ
スクラバー装置の回転ブラシ(2)によって払い落とさ
れると共に清浄液供給ノズル(4)からの清浄液によっ
て洗い流される。
スクラバー装置の回転ブラシ(2)によって払い落とさ
れると共に清浄液供給ノズル(4)からの清浄液によっ
て洗い流される。
しかし、上記マイクロダストは洗浄液によって洗い流し
ているにもかかわらず、半導体ウェーハ(W)の清浄処
理枚数の増加に伴って1、上記回転ブラシ(2)の植毛
部に入り込んでM2Rされていく、そのため、回転ブラ
シ(2)がマイクロダストで汚染されてしまい、このま
ま、上記の処理作業を継続すると、上記回転ブラシ(2
)のマイクロダストが再び半導体ウェーハに・付着し、
かえって半導体ウェーハ(W)を汚染していた。・ そのため、回転ブラシ(2)が、待機位置(A)、に在
る。とき、回転ブラシ(2)に洗浄液を吹き付けて清浄
化するようにしているが、はとんどその効果は期待でき
なかった。
ているにもかかわらず、半導体ウェーハ(W)の清浄処
理枚数の増加に伴って1、上記回転ブラシ(2)の植毛
部に入り込んでM2Rされていく、そのため、回転ブラ
シ(2)がマイクロダストで汚染されてしまい、このま
ま、上記の処理作業を継続すると、上記回転ブラシ(2
)のマイクロダストが再び半導体ウェーハに・付着し、
かえって半導体ウェーハ(W)を汚染していた。・ そのため、回転ブラシ(2)が、待機位置(A)、に在
る。とき、回転ブラシ(2)に洗浄液を吹き付けて清浄
化するようにしているが、はとんどその効果は期待でき
なかった。
そこで、定期的または所定枚数の半導体ウェーハ(W)
の処理毎に、回転ブラシ(2)を取り外して、超音波洗
浄などによって洗浄することも考えられているが、マイ
クロダストの除去率は悪(、しかもブラシスクラバー装
置の稼動率が低下した。
の処理毎に、回転ブラシ(2)を取り外して、超音波洗
浄などによって洗浄することも考えられているが、マイ
クロダストの除去率は悪(、しかもブラシスクラバー装
置の稼動率が低下した。
そのため、次のような方法によって回転ブラシ(2)を
清浄化していた。
清浄化していた。
半導体ウェーハ(W)の代りに、半導体ウェーハ(W)
と略同一形状をなす清浄なシリコン仮を第1マガジン(
5)内に収納してローダ(7)によってターンテーブル
(1)上に位置決め載置し、洗浄液を供給しながらこの
シリコン仮に回転ブラシ(2)を接触させて回転させる
ことにより回転ブラシ(2)に付着しているマイクロダ
ストを逆に上記のシリコン板に付着させて回転ブラシ(
2)の清浄化を行なっている。しかし、この方法では、
1回の回転ブラシ(2)の清浄化に数100枚程度のシ
リコン板を用いる必要があるため長時間を要し、しかも
、このようなシリコン仮を半導体ウェーハ(W)に代え
てブラシスクラバー装置に供給するため、清浄化処理作
業を停止する必要があって効率が悪い。
と略同一形状をなす清浄なシリコン仮を第1マガジン(
5)内に収納してローダ(7)によってターンテーブル
(1)上に位置決め載置し、洗浄液を供給しながらこの
シリコン仮に回転ブラシ(2)を接触させて回転させる
ことにより回転ブラシ(2)に付着しているマイクロダ
ストを逆に上記のシリコン板に付着させて回転ブラシ(
2)の清浄化を行なっている。しかし、この方法では、
1回の回転ブラシ(2)の清浄化に数100枚程度のシ
リコン板を用いる必要があるため長時間を要し、しかも
、このようなシリコン仮を半導体ウェーハ(W)に代え
てブラシスクラバー装置に供給するため、清浄化処理作
業を停止する必要があって効率が悪い。
そのため、簡単に、短時間で回転ブラシの清浄化を行な
える方法が要望されている。
える方法が要望されている。
朋 古本 ° るための1
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものでターンテ
ーブル上の半導体ウェーハを洗浄液の供給を受けながら
回転ブラシによって清浄化処理する工程を含む半導体装
置の製造方法において、上記ターンテーブルに、上記半
導体ウェーハと略同一形状で、表面が半導体ウェーハよ
りも粗面のセラミック板を供給し、上記セラミック板の
表面に回転ブラシを接触回転させるこ゛とにより回転ブ
ラシの清浄化を行なう半導体装置の製造方法。
ーブル上の半導体ウェーハを洗浄液の供給を受けながら
回転ブラシによって清浄化処理する工程を含む半導体装
置の製造方法において、上記ターンテーブルに、上記半
導体ウェーハと略同一形状で、表面が半導体ウェーハよ
りも粗面のセラミック板を供給し、上記セラミック板の
表面に回転ブラシを接触回転させるこ゛とにより回転ブ
ラシの清浄化を行なう半導体装置の製造方法。
皿
本発明に係る半導体装置の製造方法は、上記のセラミッ
ク板の微小なロムによって回転ブラシに付着したマイク
ロダストを擦り落すことにより上記回転ブラシの清浄化
を図るものである。
ク板の微小なロムによって回転ブラシに付着したマイク
ロダストを擦り落すことにより上記回転ブラシの清浄化
を図るものである。
丈呈週
本発明に係る半導体装置の製造方法は、第1図に示すセ
ラミック板を用いることを特徴とする。
ラミック板を用いることを特徴とする。
上記セラミック板(20)は、アルミナ系のセラミック
製で半導体ウェーハ(W)と略同−の寸法形状に成形さ
れ、表面を研摩等により半導体ウェーハ<W)より粗面
、例えば0.05〜10μ論程度の微小な凹凸を有する
仕上げ面としである。
製で半導体ウェーハ(W)と略同−の寸法形状に成形さ
れ、表面を研摩等により半導体ウェーハ<W)より粗面
、例えば0.05〜10μ論程度の微小な凹凸を有する
仕上げ面としである。
以下第2図及び第3図に示したブラシスクラバー装置に
ついて、本発明方法による回転ブラシ(2)の清浄動作
を説明する。
ついて、本発明方法による回転ブラシ(2)の清浄動作
を説明する。
上述の多数枚の半導体ウェーハ(W)の清浄化処理を終
え、回転ブラシ(20)が許容基準まで汚染された時点
で、上記セラミック板(20)を半導体ウェーハ(W)
に代えてターンテーブル(1)上に位置決め載置する。
え、回転ブラシ(20)が許容基準まで汚染された時点
で、上記セラミック板(20)を半導体ウェーハ(W)
に代えてターンテーブル(1)上に位置決め載置する。
以下は前述の半導体ウェーハ(W)の清浄化処理作業と
同様に、ターンテーブル(1)を回転させて清浄液供給
ノズル(4)から洗浄液をセラミック板(20)上に供
給しながら、回転ブラシ(2)を所定の接触圧で当接さ
せて回転させる。すると回転ブラシ(2)の植毛部に付
着していたマイクロダストは、セラミック板(20)の
表面の微小な凹凸によって擦り落され、洗浄液によって
洗い流される。
同様に、ターンテーブル(1)を回転させて清浄液供給
ノズル(4)から洗浄液をセラミック板(20)上に供
給しながら、回転ブラシ(2)を所定の接触圧で当接さ
せて回転させる。すると回転ブラシ(2)の植毛部に付
着していたマイクロダストは、セラミック板(20)の
表面の微小な凹凸によって擦り落され、洗浄液によって
洗い流される。
従って、回転ブラシ(2)の植毛部からは効率よ(マイ
クロダストが除去される。
クロダストが除去される。
この状態を所定時間維持した後、回転ブラシ(2)を停
止して待機位置(A)に復帰させ、洗浄液供給ノズル(
4)からの洗浄液の供給を停止し、上記セラミック板(
20)をターンテーブル(1)から搬出する。
止して待機位置(A)に復帰させ、洗浄液供給ノズル(
4)からの洗浄液の供給を停止し、上記セラミック板(
20)をターンテーブル(1)から搬出する。
後は通常通り、第1マガジン(5)内の未処理の半導体
ウェーハ(W)をローダ(7)によってターンテーブル
(1)上に位置決め載置し、前述要領で順次半導体ウェ
ーハ(W)の清浄化処理作業を行なえばよい。
ウェーハ(W)をローダ(7)によってターンテーブル
(1)上に位置決め載置し、前述要領で順次半導体ウェ
ーハ(W)の清浄化処理作業を行なえばよい。
即ち、本発明方法によれば、上述の処理工程を停止する
ことなく半導体ウーハ(W)の代りに複数のセラミック
& (20)をターンテーブル(1)上に供給すれば回
転ブラシ(2)の清浄化が行なえる。
ことなく半導体ウーハ(W)の代りに複数のセラミック
& (20)をターンテーブル(1)上に供給すれば回
転ブラシ(2)の清浄化が行なえる。
ところで、本発明におけるセラミック板(20)の供給
様式は以下の方法が適用される。
様式は以下の方法が適用される。
例えば第1マガジン(5)、並びに第2マガジン(6)
を夫々半導体ウェーハ用及びセラミック板用として2組
用恵し、一方の第1マガジン(5)には未処理の半導体
ウェーハ(W)を収容し、他方の第1マガジン(5)′
に゛は上記のセラミックi (20)を収容しておく。
を夫々半導体ウェーハ用及びセラミック板用として2組
用恵し、一方の第1マガジン(5)には未処理の半導体
ウェーハ(W)を収容し、他方の第1マガジン(5)′
に゛は上記のセラミックi (20)を収容しておく。
そして、適宜の枚数の半導体ウェーハ(W)を清浄此処
−理するごとに、ローダ(5)によってセラミック板(
20)を収容している第1マガジン(5)を選択し、こ
の第1マガジン(5)内のセラミック板(20)をター
ンテーブル(1)上に位置決め載置し、上述の回転ブラ
シ(2)の清浄化を行ない、アンローダ(8)によって
このセラミック板(20)をセラミック板用の第2マガ
ジン(6)に収容する。
−理するごとに、ローダ(5)によってセラミック板(
20)を収容している第1マガジン(5)を選択し、こ
の第1マガジン(5)内のセラミック板(20)をター
ンテーブル(1)上に位置決め載置し、上述の回転ブラ
シ(2)の清浄化を行ない、アンローダ(8)によって
このセラミック板(20)をセラミック板用の第2マガ
ジン(6)に収容する。
または、1つの第1マガジン(5)内に半導体つ゛ニー
ム(W)の所□定枚数目毎にセラミック板(20)が取
出されるように上記半導体ウェーハ(W)とセラミック
板(20)とを収容し、この第1マガジン(5)からロ
ーダ(7)によってターンテーブル(1)に半導体ウェ
ーハ(W)ある“いは、セラミック板(20)を順次位
置決め載置する。この場合、セラミック板(20)は、
半導体°ウェーハ(W)を所定枚数清浄化処理する、毎
にターンテーブル(1)上に載置されるため、上記回転
ブラシ(2)′は常に清浄に保たれる。そして、上記半
導体ウェーハ(W)並びにセラミック板(20)はター
ンテーブル(1)上からはアンローダ(8)によって搬
出され、適宜の手段によって判別して夫々専用の第2マ
ガジン(6′)に収容される。ところで、上記セラミッ
クf!(20)は、半導体ウェーハ(W)の表面より粗
面に仕上げられているため、それほど高精度のセンサで
なくても判別でき、そのため、上記のような半導体ウェ
ーハ(W)とセラミック板(20)−との選別機構を安
価に構成できる。
ム(W)の所□定枚数目毎にセラミック板(20)が取
出されるように上記半導体ウェーハ(W)とセラミック
板(20)とを収容し、この第1マガジン(5)からロ
ーダ(7)によってターンテーブル(1)に半導体ウェ
ーハ(W)ある“いは、セラミック板(20)を順次位
置決め載置する。この場合、セラミック板(20)は、
半導体°ウェーハ(W)を所定枚数清浄化処理する、毎
にターンテーブル(1)上に載置されるため、上記回転
ブラシ(2)′は常に清浄に保たれる。そして、上記半
導体ウェーハ(W)並びにセラミック板(20)はター
ンテーブル(1)上からはアンローダ(8)によって搬
出され、適宜の手段によって判別して夫々専用の第2マ
ガジン(6′)に収容される。ところで、上記セラミッ
クf!(20)は、半導体ウェーハ(W)の表面より粗
面に仕上げられているため、それほど高精度のセンサで
なくても判別でき、そのため、上記のような半導体ウェ
ーハ(W)とセラミック板(20)−との選別機構を安
価に構成できる。
ぶ旦坐立且
以上説明したように、本発明に係る半導体装置の製造方
法によれば、製造ラインを停止することなく、半導体ウ
ェーへの代りに、表面を粗面に形成したセラミック板を
清浄化処理工程に搬入すれば、通常通りの処理動作中に
回転ブラシの清浄化が簡単かつ容易に、しかも短時間で
終了する。従って本発明方法の通用により、半導体ウェ
ーハの再汚染が防止できることになり半導体装置製造の
歩留りを向上することができる。また、上記方法の通用
に際して要するコストは、セラミック板の費用のみであ
るから、上記の如き優れた効果を有するにもかかわらず
低コストで実施できる。
法によれば、製造ラインを停止することなく、半導体ウ
ェーへの代りに、表面を粗面に形成したセラミック板を
清浄化処理工程に搬入すれば、通常通りの処理動作中に
回転ブラシの清浄化が簡単かつ容易に、しかも短時間で
終了する。従って本発明方法の通用により、半導体ウェ
ーハの再汚染が防止できることになり半導体装置製造の
歩留りを向上することができる。また、上記方法の通用
に際して要するコストは、セラミック板の費用のみであ
るから、上記の如き優れた効果を有するにもかかわらず
低コストで実施できる。
第1図は本発明に係る半導体装置の製造方法において利
用するセラミック板を例示する斜視図・、第2図は本発
明の前堤トなるブラシ久クラバー装置の一例を示す櫃略
側面図、第3図は第2図の要部の平面図である。 (1’ ) −・ターンテーブル、(2)−・−・回転
ブラシ、(20) −セラミ、り板。
用するセラミック板を例示する斜視図・、第2図は本発
明の前堤トなるブラシ久クラバー装置の一例を示す櫃略
側面図、第3図は第2図の要部の平面図である。 (1’ ) −・ターンテーブル、(2)−・−・回転
ブラシ、(20) −セラミ、り板。
Claims (1)
- (1)ターンテーブル上の半導体ウェーハを洗浄液の供
給を受けながら回転ブラシによって清浄化処理する工程
を含む半導体装置の製造方法において、 上記ターンテーブルに、上記半導体ウェーハと略同一形
状で表面が半導体ウェーハよりも粗面のセラミック板を
供給し、上記セラミック板の表面に回転プランを接触回
転させることにより回転ブラシの清浄化を行なうことを
特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16116686A JPS6316626A (ja) | 1986-07-09 | 1986-07-09 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16116686A JPS6316626A (ja) | 1986-07-09 | 1986-07-09 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6316626A true JPS6316626A (ja) | 1988-01-23 |
Family
ID=15729851
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP16116686A Pending JPS6316626A (ja) | 1986-07-09 | 1986-07-09 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6316626A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5351360A (en) * | 1991-06-06 | 1994-10-04 | Enya Systems, Limited | Cleaning device for a wafer mount plate |
US5636401A (en) * | 1994-05-12 | 1997-06-10 | Tokyo Electron Limited | Cleaning apparatus and cleaning method |
US5651160A (en) * | 1995-01-19 | 1997-07-29 | Tokyo Electron Limited | Cleaning apparatus for cleaning substrates |
US5860178A (en) * | 1995-04-03 | 1999-01-19 | Dainippon Screen Mfg. Co. Ltd. | Substrate spin cleaning apparatus |
-
1986
- 1986-07-09 JP JP16116686A patent/JPS6316626A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5351360A (en) * | 1991-06-06 | 1994-10-04 | Enya Systems, Limited | Cleaning device for a wafer mount plate |
US5636401A (en) * | 1994-05-12 | 1997-06-10 | Tokyo Electron Limited | Cleaning apparatus and cleaning method |
US5882426A (en) * | 1994-05-12 | 1999-03-16 | Tokyo Electron Limited | Method of cleaning a substrate by scrubbing |
US5651160A (en) * | 1995-01-19 | 1997-07-29 | Tokyo Electron Limited | Cleaning apparatus for cleaning substrates |
US5858112A (en) * | 1995-01-19 | 1999-01-12 | Tokyo Electron Limited | Method for cleaning substrates |
US5860178A (en) * | 1995-04-03 | 1999-01-19 | Dainippon Screen Mfg. Co. Ltd. | Substrate spin cleaning apparatus |
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