JPS63163460A - 半導体装置用ホトマスク - Google Patents
半導体装置用ホトマスクInfo
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- JPS63163460A JPS63163460A JP61309647A JP30964786A JPS63163460A JP S63163460 A JPS63163460 A JP S63163460A JP 61309647 A JP61309647 A JP 61309647A JP 30964786 A JP30964786 A JP 30964786A JP S63163460 A JPS63163460 A JP S63163460A
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- JP
- Japan
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- wafer
- pattern
- photomask
- semiconductor device
- circuit pattern
- Prior art date
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- Pending
Links
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置用ホトマスクに関し、特にガラス板
の表面に形成するパターンの形状を改善した半導体装置
用ホトマスクに関する。
の表面に形成するパターンの形状を改善した半導体装置
用ホトマスクに関する。
従来、この種の半導体装置用ホトマスクは、ガラス板の
表面のほとんどに回路パターンを形成したものが用いら
れている。
表面のほとんどに回路パターンを形成したものが用いら
れている。
例えば、第３図は従来の一例を説明するためのホトマス
クの平面図である。
クの平面図である。
第３図に示すように、従来のホトマスクは矩形のガラス
板１と、このガラス板１上にスパッタリングした金属膜
に縦横に規則的に並べて形成したパターン２とにより構
成されるが、このパターン２の領域は半導体ウェハーの
全面を覆うことができるような大きさで矩形状に形成さ
れている。
板１と、このガラス板１上にスパッタリングした金属膜
に縦横に規則的に並べて形成したパターン２とにより構
成されるが、このパターン２の領域は半導体ウェハーの
全面を覆うことができるような大きさで矩形状に形成さ
れている。
上述した従来の半導体装置用ホトマスクは、パターン形
勢領域が半導体ウェハーの全面をカバーする大きさにな
っている６従って、半導体装置を作る際、感光剤を塗布
したウェハーの上にパターンを形成したホトマスクを重
ねてウェハー上にパターンを複写するため、このパター
ンはウェハー全面に形成されることになる。
勢領域が半導体ウェハーの全面をカバーする大きさにな
っている６従って、半導体装置を作る際、感光剤を塗布
したウェハーの上にパターンを形成したホトマスクを重
ねてウェハー上にパターンを複写するため、このパター
ンはウェハー全面に形成されることになる。
一方、半導体装置を製造する過程においては、ウェハー
をキャリアに収納したり、或はウェハーをピンセットで
挟んだりする場合があるので、つエバーの外周部に傷が
付くのを完全には防ぐことは困難である。このウェハー
の取扱時に発生した傷が半導体装置の不良原因となった
り、信頼性低下の原因になる場合がある。この傷による
欠陥か半導体装置の製造工程で実施される電気的特性試
験で完全に除去できれば良いが、現状では困難である。
をキャリアに収納したり、或はウェハーをピンセットで
挟んだりする場合があるので、つエバーの外周部に傷が
付くのを完全には防ぐことは困難である。このウェハー
の取扱時に発生した傷が半導体装置の不良原因となった
り、信頼性低下の原因になる場合がある。この傷による
欠陥か半導体装置の製造工程で実施される電気的特性試
験で完全に除去できれば良いが、現状では困難である。
すなわち、製造段階では良品であったものがその後不良
に進行する場合がある、 このように、ウェハーの外周部までホトマスクによりパ
ターンを形成すると、ウェハー外周部分の半導体チップ
は信頼性上の問題が発生するという欠点がある。
に進行する場合がある、 このように、ウェハーの外周部までホトマスクによりパ
ターンを形成すると、ウェハー外周部分の半導体チップ
は信頼性上の問題が発生するという欠点がある。
本発明の目的は１．半導体装置の製造における不良品の
発生を極力おさえ、且つ化１１百性を向上させる半導体
装置用ホトマスクを提供することにある。
発生を極力おさえ、且つ化１１百性を向上させる半導体
装置用ホトマスクを提供することにある。
本発明の半導体装置用ホＩ・マスクは、ガラス板の表面
に回路パターンおよび明部パターンの少なくとも一方の
形状をウェハー形状と相似形に且つ前記ウェハーの径よ
りも数ミリ小さくなるように構成される。
に回路パターンおよび明部パターンの少なくとも一方の
形状をウェハー形状と相似形に且つ前記ウェハーの径よ
りも数ミリ小さくなるように構成される。
すなわち、本発明の半導体装置用ホトマスクは、ガラス
板と半導体装置を製造するのに必要な回路パターンとを
有している。しかも、この回路パターンをガラス板に形
成する場合、従来のようなウェハー全体をカバーする矩
形状とはせずにウェハーと相似形にし且つウェハーの大
きさより数ミリ程小さくなるように形成するものである
。
板と半導体装置を製造するのに必要な回路パターンとを
有している。しかも、この回路パターンをガラス板に形
成する場合、従来のようなウェハー全体をカバーする矩
形状とはせずにウェハーと相似形にし且つウェハーの大
きさより数ミリ程小さくなるように形成するものである
。
要するに、ウェハー外周部の傷が発生しやすい領域には
、故意にパターンを複写しないようにすることにある。
、故意にパターンを複写しないようにすることにある。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図は本発明の第一の実施例を説明するためのホトマ
スクの平面図である。
スクの平面図である。
第１図において、１はガラス板、２は半導体装置を製造
する回路パターンを表わし、しかもこの回路パターン２
はウェハーの径よりも数ミリ小さく形成する。
する回路パターンを表わし、しかもこの回路パターン２
はウェハーの径よりも数ミリ小さく形成する。
すなわち、感光剤を塗布したウェハー上にかかる半導体
装置用ホトマスクを重ねてパターンを複写した場合、ホ
トマスクのパターン２の形成領域をウェハー外周部より
数ミリ程小さくしているので、ウェハーの外周部から数
ミリの部分には半導体装置を製造するのに必要な回路パ
ターンが複写されない。従って、後の工程で実施される
電気的特性試験において、ウェハー外周部のチップを不
良として除去可能となる。
装置用ホトマスクを重ねてパターンを複写した場合、ホ
トマスクのパターン２の形成領域をウェハー外周部より
数ミリ程小さくしているので、ウェハーの外周部から数
ミリの部分には半導体装置を製造するのに必要な回路パ
ターンが複写されない。従って、後の工程で実施される
電気的特性試験において、ウェハー外周部のチップを不
良として除去可能となる。
尚、一つの製品をつくる半導体装置の製造工程において
は、その製造工程毎に異った回路パターンのホトマスク
を数種類必要とするが、全てのホトマスクをウェハーよ
り小さい形状とする必要はなく、任意の工程のホトマス
クのみに本発明のようなウェハーと相似形で且つ小さい
形状にすればよい。
は、その製造工程毎に異った回路パターンのホトマスク
を数種類必要とするが、全てのホトマスクをウェハーよ
り小さい形状とする必要はなく、任意の工程のホトマス
クのみに本発明のようなウェハーと相似形で且つ小さい
形状にすればよい。
第２図は本発明の第二の実施例を説明するためのホトマ
スクの平面図である。
スクの平面図である。
第２図に示す１はガラス基板、３は半導体装置−５＝
製造用明部パターンである、
この第二の実施例は半導体装置製造工程のうちアルミニ
ウム配線のエツチングを行う場合に使用するホトマスク
に適用した例であり、ウェハー外周部に位置するチップ
を故意に電気的特性不良にするものである。
ウム配線のエツチングを行う場合に使用するホトマスク
に適用した例であり、ウェハー外周部に位置するチップ
を故意に電気的特性不良にするものである。
すなわち、ウェハー外周部のアルミニウム配線がエツチ
ングされるようにサイズがウェハーの外周よりも内側に
数ミリ程小さくした明部のパターンを形成すればよく、
ネガ現像すればウェハー外周部のアルミニウム配線のみ
をエツチングできウェハー外周部のチップを完全に不良
品として除去することが可能となる。
ングされるようにサイズがウェハーの外周よりも内側に
数ミリ程小さくした明部のパターンを形成すればよく、
ネガ現像すればウェハー外周部のアルミニウム配線のみ
をエツチングできウェハー外周部のチップを完全に不良
品として除去することが可能となる。
以上説明したように、本発明は半導体装置用ホトマスク
の回路パターンあるいは明部パターンの形成領域をウェ
ハー形状と相似形に且つその径をウェハーの径よりも数
ミリ程小さくすることにより、感光剤を塗布したウェハ
ー上に半導体装置用ホトマスクを重ねて複写する際、ウ
ェハー外周部数ミリの領域には回路パターン等を複写し
ない領域をつくることができるようになる。
の回路パターンあるいは明部パターンの形成領域をウェ
ハー形状と相似形に且つその径をウェハーの径よりも数
ミリ程小さくすることにより、感光剤を塗布したウェハ
ー上に半導体装置用ホトマスクを重ねて複写する際、ウ
ェハー外周部数ミリの領域には回路パターン等を複写し
ない領域をつくることができるようになる。
従って、半導体工程中において、品質上問題となりやす
いウェハー外周部のチップを故意に不良にし、それを電
気的特性試験で不良品として除去可能にできるため、不
良品の発生を極力おさえ、且つ信頼性を向上させる効果
がある、
いウェハー外周部のチップを故意に不良にし、それを電
気的特性試験で不良品として除去可能にできるため、不
良品の発生を極力おさえ、且つ信頼性を向上させる効果
がある、
第１図は本発明の第一の実施例を説明するためのホトマ
スクの平面図、第２図は本発明の第二の実施例を説明す
るためのホトマスクの平面図、第３図は従来の一例を、
説明するためのホ）ヘマスクの平面図である。 １・・・ガラス板、２・・ 回路パターン、３・・明部
パターン。 羊 ７１ｆｆｉ 矛 ２ｖＩ 茅 ３Ｉｌ￥Ｉ
スクの平面図、第２図は本発明の第二の実施例を説明す
るためのホトマスクの平面図、第３図は従来の一例を、
説明するためのホ）ヘマスクの平面図である。 １・・・ガラス板、２・・ 回路パターン、３・・明部
パターン。 羊 ７１ｆｆｉ 矛 ２ｖＩ 茅 ３Ｉｌ￥Ｉ
Claims (1)
- ガラス板の表面に回路パターンおよび明部パターンの少
なくとも一方の形状をウェハー形状と相似形に且つ前記
ウェハーの径よりも数ミリ小さくなるように形成したこ
とを特徴とする半導体装置用ホトマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61309647A JPS63163460A (ja) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | 半導体装置用ホトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61309647A JPS63163460A (ja) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | 半導体装置用ホトマスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63163460A true JPS63163460A (ja) | 1988-07-06 |
Family
ID=17995560
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61309647A Pending JPS63163460A (ja) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | 半導体装置用ホトマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63163460A (ja) |
-
1986
- 1986-12-26 JP JP61309647A patent/JPS63163460A/ja active Pending
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