JPS63161164A - スパツタリングタ−ゲツト - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明はスパッタリングに関し、特にスパッタリング
に使用するターゲット材料に関するものである。

［従来の技術］ 第４図は従来のプレーナ型マグネトロンスパッタ法によ
るターゲットまわりの概略断面図である。

図において、高純度薄膜を形成するためにスパッタリン
グされる高純度ターゲット材料１がたとえば銅などで形
成された、ターゲット材料を冷却するためのバッキング
プレート３上に載置されており、バッキングプレート３
はカソードケース６に保持されている。カソードケース
６内には放電プラズマを閉じ込めスパッタレートを高く
するための磁石５が設置され、さらに高純度ターゲット
材料１をバッキングプレート３を介して効率良く冷却す
るために冷却水７が導入されている。高純度ターゲット
材料１のエロージョンエリア２はスパッタリングにより
ターゲット材料が消費される領域であり、この領域は磁
石５が作る磁場によって形状が決定される。

第５図はバッキングプレート上のターゲット材料の斜視
図であり、第６図は第５図のＶＩ−Ｖｌ断面図、第７図
は第５図の■−■断面図である。

第５図〜第７図において、第４図に示したようにエロー
ジョンエリア２の形状は磁石の磁場によって決まるが高
純度ターゲット材料１の寿命は第７図の“ａ″で示すエ
ロージョンエリア２の最も深くスパッタリングされる領
域によフて支配される。

［発明が解決しようとする問題点］ 上記のような従来のターゲット材料では、その寿命が一
部の二ローション領域によって決まってしまい、他の領
域の特にスパッタリングされない領域の高純度材料が効
率良く使用されないという問題点があった。

この発明はかかる問題点を解決するためになされたもの
で、高純度の薄膜形成は従来と同様にされながら経済的
に冑利な効率の良いターゲット材料を得ることを目的と
する。

［問題点を解決するため手段］ この発明に係るスパッタリングターゲット材料は、スパ
ッタリングされる部分を高純度材料でスパッタリングさ
れない部分を安価な低純度材料で構成したものである。

［作用コ この発明においては、高純度材料の部分が従来と同様の
高純度薄膜形成に使用され、低純度材料の部分は薄膜形
成に影響を与えず経済面で貢献する。

［実施例］ 第１図はこの発明の一実施例による斜視図であり、第２
図は第１図の■−■断面図、第３図は第１図の■−■断
面図である。

第１図〜第３図においてバッキングプレート３上に載置
されるターゲット材料のエロージョンエリア２の形状は
、従来と同様で第４図にて示される磁石５の磁場によっ
て決定されるが、図に示すごとく前もって予想されるエ
ロージョンエリア２の領域およびその近傍が高純度ター
ゲット材料１でその他の領域が低純度ターゲット材料４
で形成される。

したがって、スパッタリングされる際には高純度ターゲ
ット材料１の部分のみがターゲットとして消費されるの
で、従来と同様の高純度薄膜が基板上（図示せず）に形
成される。

［発明の効果］ この発明は以上説明したとおり、ターゲット材料を高純
度部分と低純度部分とによって形成したので高純度薄膜
の形成作用は従来と全く変わらず、安価なターゲット材
料が得られる効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例を示す斜視図、第２図は第
１図の■−■断面図、第３図は第１図の■−■断面図、
第４図は従来のターゲットまわりの概略断面図、第５図
は従来のターゲット材料の斜視図、第６図は第５図のＶ
ｌ−Ｖｌ断面図、第７図は第５図の■−■断面図である
。 図において、１は高純度ターゲット材料、２はエロージ
ョンエリア、４は低純度ターゲット材料である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 スパッタリングターゲットであって、 スパッタリングされる第１の材料と、 スパッタリングされない第２の材料とを備え、前記第１
   の材料と前記第２の材料とが一体となって形成され、前
   記第１の材料は前記第２の材料より高純度である、スパ
   ッタリングターゲット。