JPS62250174A - 放電電極 - Google Patents

放電電極

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JPS62250174A
JPS62250174A JP9231386A JP9231386A JPS62250174A JP S62250174 A JPS62250174 A JP S62250174A JP 9231386 A JP9231386 A JP 9231386A JP 9231386 A JP9231386 A JP 9231386A JP S62250174 A JPS62250174 A JP S62250174A
Authority
JP
Japan
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discharge
materials
target
magnet
magnets
Prior art date
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Pending
Application number
JP9231386A
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English (en)
Inventor
Yoshinori Ito
嘉規 伊藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokuda Seisakusho Co Ltd
Original Assignee
Tokuda Seisakusho Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Tokuda Seisakusho Co Ltd filed Critical Tokuda Seisakusho Co Ltd
Priority to JP9231386A priority Critical patent/JPS62250174A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 (産業上技術分野) 本発明は放電電極に係り、特にスパッタリング等蒸発源
を飛散させるための放電−電極に11する。
(従来の技術) 従来、スパッタリング等に用いられターゲラ1−等の蒸
発源を被処理物に飛散させるための放°電電極には、種
々のものが適用されているが、通常、例えば同心円状に
マグネットを配置しこのマグネットの上面に平板状ター
ゲットを配置するようにしたものが用いられている。こ
のような放電電極は、この電極と被処理物との間に高電
圧を印加し、プラズマ放電を発生させることにより、上
記蒸発源の材料を飛散させて被処理物に膜を形成するも
のである。
(発明が解決しようとする問題点) しかし、上記電極においては、部分的にプラズマが発生
するため、蒸発源の飛散個所が均一ではなく、均一な膜
形成を行なうことが困難ぐあった。
また、従来、上記マグネットを偏心回転あるいは往復移
動させてプラズマの発生部分を移動させるようにしたも
のもあるが、完全に均一な蒸発源の飛散を確保すること
ができないという問題があう・た。
本発明は上記した点に鑑みてなされたもので、均一なプ
ラズマ放電を発生させることのできる放電電極を提供す
ることを目的とするものである。
〔発明の構成〕
(問題点を解決するための手段) 上記目的を達成するため本発明に係る放電電極は、ほぼ
同心状にマグネトロンプラズマ放電を発生させる環状の
陰極および陽極部材を、放射状に発生するrrIIgI
i界内に互いに絶縁しで配設するとともに、上記各電極
部材にそれぞれ放電電源を接続し、上記電極部材の放電
電力をそれぞれ独立してtIlllllするようにして
いる。
(作 用) 本発明は、各放電電源により独立制御しながら環状のプ
ラズマ放電を発生させることにより、広範囲にわたって
均一な放電を行なうようになされている。
(実施例) 以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。
第1図は本発明に係る放電電極をスパッタリング装置に
適用した場合の一実施例を示したもので、ターゲッI−
支持体1の上面には、絶縁板2.2・・・を介して複数
のマグネット部材3.3・・・が向心状に配設されてお
り、この各マグネット部材3.3・・・の上面には、そ
れぞれ陰極飛散材料としてのターゲラt−4,4・・・
が取付けられている。そして、各マグネット部U3.3
−・・の固には、WAAs2・・が配置されており、こ
れらマグネット部材3とFIA極5とは、第2図(a)
(b)に示すように、同心円状に配置しても、同心四角
形状に配置してもよい。
上記マグネット部材3は、例えば、互いに対向する2つ
の鉄等の磁性材6.6の門をステンレス等の非磁性@7
により固定し、上記磁性t46.6の下端部にマグネッ
ト8を固着することにより形成される。そして、ターゲ
ット4は上記磁性材6の上端部に取付けられ、上記非磁
性材7および磁性材6に囲まれた部分には冷iJ1水が
導通される。
また、上記各マグネット部材3,3・・・には、それぞ
れ独立に放If電源9.9・・・が接続されており、こ
の放電電源9は、高周波W!AIgIでも直流電源でも
よい。
本実施例においては、上記のように構成された放電11
掻を真空ヂャンバ内に配置し、上記ターゲット4.4・
・・に対向する位置に被処理物(図示せず)を配置する
。そして、各放If電源9.9・・・から各マグネット
部材3.3・−・に高電圧を印加すると、マグネット部
材1により発生ずる磁界と上記電圧印加により発生する
電界とが電文する部分にマグネトロン放電によるプラズ
マが生じる。このプラズマにより、各ターゲット4.4
・・・の林料をイオン化して被処理物に被@させるもの
である。
このとき、本実施例においては、各マグネット部材3.
3・・・にそれぞれ別個の放電電源9.9・・・が接続
されているので、各ターゲット4,4・・・毎に細かい
放電電力の1IIIIlIを行なうことができ、したが
って、面内−なプラズマを発生させることがで゛きる。
これにより、例えば第3図に示すように、楡めて均一な
膜厚分布を得ることが可能となり、さらに、各ターゲッ
ト4・・・を異なる物質で形成づるようにすれば、放電
電力を制御することにより、合金物質の膜形成を行なう
ことができる。
〔充用の効果〕
以上述べたように本発明に係る放電電極は、同心状に複
数配置されマグネトロンプラズマ放電を発生さゼる電極
部材にそれぞれ放N電源を接続し、各電極部材の放電電
力を独立してυIIするようにしたので、電極部材を環
状に配置したことにより均一なプラズマ放電が発生し、
さらに、放電電力の綱かい制御を行なうことにより、確
実に均一な放電を得ることができる。また、例えば、ス
パッタリング装置に適用すれば、均一な面蒸51源とし
て機能し、さらに、各蒸発源を異なる物質ぐ形成すれば
、合金物質の膜形成を行なうこともできる等の効果を奏
する。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示す1lilli面図、第
2図(a)(b)はそれぞれターゲットの配置を示す説
明図、第3図は本発明による放電電極の膜厚分布を示す
線図である。 3・・・マグネット部材、4・・・ターゲット、5・・
・陽極、9・・・放電電源。 出願人代理人  佐  藤  −雄 第1図 (0)          (bt 悪2図 躬3 図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. ほぼ同心状にマグネトロンプラズマ放電を発生させる環
    状の陰極部材とこれら各陰極部材の間に配置される陽極
    とを、放射状に発生する閉磁界内に互いに絶縁して配設
    するとともに、上記各電極部材にそれぞれ放電電源を接
    続し、上記電極部材の放電電力をそれぞれ独立して制御
    するようにしたことを特徴とする放電電極。
JP9231386A 1986-04-23 1986-04-23 放電電極 Pending JPS62250174A (ja)

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JP9231386A JPS62250174A (ja) 1986-04-23 1986-04-23 放電電極

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JP9231386A JPS62250174A (ja) 1986-04-23 1986-04-23 放電電極

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JPS62250174A true JPS62250174A (ja) 1987-10-31

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ID=14050907

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JP9231386A Pending JPS62250174A (ja) 1986-04-23 1986-04-23 放電電極

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02225663A (ja) * 1989-02-27 1990-09-07 Tokuda Seisakusho Ltd スパッタ装置
JPH02225666A (ja) * 1989-02-27 1990-09-07 Tokuda Seisakusho Ltd スパッタ装置
WO2000026430A1 (fr) * 1998-10-30 2000-05-11 Applied Materials Inc. Appareil de pulverisation
CN105441889A (zh) * 2015-12-22 2016-03-30 大连维钛克科技股份有限公司 一种离子源磁场分布结构

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02225663A (ja) * 1989-02-27 1990-09-07 Tokuda Seisakusho Ltd スパッタ装置
JPH02225666A (ja) * 1989-02-27 1990-09-07 Tokuda Seisakusho Ltd スパッタ装置
WO2000026430A1 (fr) * 1998-10-30 2000-05-11 Applied Materials Inc. Appareil de pulverisation
US6506290B1 (en) 1998-10-30 2003-01-14 Applied Materials, Inc. Sputtering apparatus with magnetron device
CN105441889A (zh) * 2015-12-22 2016-03-30 大连维钛克科技股份有限公司 一种离子源磁场分布结构

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