JPH08176817A - マグネトロンスパッタリング装置 - Google Patents
マグネトロンスパッタリング装置Info
- Publication number
- JPH08176817A JPH08176817A JP6322033A JP32203394A JPH08176817A JP H08176817 A JPH08176817 A JP H08176817A JP 6322033 A JP6322033 A JP 6322033A JP 32203394 A JP32203394 A JP 32203394A JP H08176817 A JPH08176817 A JP H08176817A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- magnets
- flat plate
- surface side
- peripheral edge
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ターゲットの局所的な侵食を発生しないよう
にする。 【構成】 径の異なる複数のリング状の平板ターゲット
２、３を同一中心軸１の回りに配設し、各ターゲット
２、３において、その内周縁部に沿った位置の表面側と
裏面側にそれぞれ同じ極性を有する磁石２１、２２（タ
ーゲット３に対しては２３、２４）を、外周縁部に沿っ
た位置の表面側と裏面側にそれぞれ同じ極性を有する磁
石２３、２４（ターゲット３に対しては２５、２６）
を、内周側と外周側で逆極性になるように配設した。
にする。 【構成】 径の異なる複数のリング状の平板ターゲット
２、３を同一中心軸１の回りに配設し、各ターゲット
２、３において、その内周縁部に沿った位置の表面側と
裏面側にそれぞれ同じ極性を有する磁石２１、２２（タ
ーゲット３に対しては２３、２４）を、外周縁部に沿っ
た位置の表面側と裏面側にそれぞれ同じ極性を有する磁
石２３、２４（ターゲット３に対しては２５、２６）
を、内周側と外周側で逆極性になるように配設した。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、径の異なる複数のリン
グ状の平板ターゲットを同一中心軸回りに配設したマグ
ネトロンスパッタリング装置に関するものである。
グ状の平板ターゲットを同一中心軸回りに配設したマグ
ネトロンスパッタリング装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】基板に薄膜を堆積させる技術として、マ
グネトロンスパッタリング技術が用いられている。マグ
ネトロンスパッタリング技術は低温高速スパッタが可能
であり、スパッタリング技術を用いる成膜装置の主流と
なっている。マグネトロンスパッタリング技術は、放電
などによりターゲット付近にプラズマを発生させ、この
プラズマのイオンをターゲットに衝突させることにより
粒子をスパッタさせ、スパッタした粒子を基板に付着さ
せる方法で薄膜を形成する。
グネトロンスパッタリング技術が用いられている。マグ
ネトロンスパッタリング技術は低温高速スパッタが可能
であり、スパッタリング技術を用いる成膜装置の主流と
なっている。マグネトロンスパッタリング技術は、放電
などによりターゲット付近にプラズマを発生させ、この
プラズマのイオンをターゲットに衝突させることにより
粒子をスパッタさせ、スパッタした粒子を基板に付着さ
せる方法で薄膜を形成する。
【０００３】従来例のマグネトロンスパッタリング装置
を、図８〜図１０を参照して説明する。図８に従来用い
られているリング状の平板ターゲットを用いたマグネト
ロンスパッタリング装置のカソード部の構成を示す。４
１は中心軸で、カソード部はこの中心軸に対して回転対
称形をしている。４２はリング状の平板ターゲット、４
３はターゲット裏面に配置された磁石、４４は磁石４３
により形成される磁場である。
を、図８〜図１０を参照して説明する。図８に従来用い
られているリング状の平板ターゲットを用いたマグネト
ロンスパッタリング装置のカソード部の構成を示す。４
１は中心軸で、カソード部はこの中心軸に対して回転対
称形をしている。４２はリング状の平板ターゲット、４
３はターゲット裏面に配置された磁石、４４は磁石４３
により形成される磁場である。
【０００４】このような構成のカソード部を真空処理室
内に基板とターゲット表面が対向するように配置し、ス
パッタガス導入後、ターゲット４２にグロー放電用の高
圧電源より電力を供給すると、磁力線で閉じ込められた
スパッタ用の高密度プラズマが発生する。このプラズマ
中のイオンがターゲット４２の表面にぶつかると、ター
ゲット４２の原子がスパッタされ、基板の向かい合った
表面に付着し、薄膜が形成される。この時のプラズマは
領域４５で高くなっている。ターゲット４２はこのプラ
ズマにより侵食され、プラズマ密度が高い領域４５付近
ではターゲット４２の侵食速度が速くなり、特に領域４
５の磁力線方向の端部４６の付近でターゲット４２の侵
食速度が局所的に速くなる。
内に基板とターゲット表面が対向するように配置し、ス
パッタガス導入後、ターゲット４２にグロー放電用の高
圧電源より電力を供給すると、磁力線で閉じ込められた
スパッタ用の高密度プラズマが発生する。このプラズマ
中のイオンがターゲット４２の表面にぶつかると、ター
ゲット４２の原子がスパッタされ、基板の向かい合った
表面に付着し、薄膜が形成される。この時のプラズマは
領域４５で高くなっている。ターゲット４２はこのプラ
ズマにより侵食され、プラズマ密度が高い領域４５付近
ではターゲット４２の侵食速度が速くなり、特に領域４
５の磁力線方向の端部４６の付近でターゲット４２の侵
食速度が局所的に速くなる。
【０００５】図９にターゲット４２を利用限界まで使用
した時の侵食形状を中心軸４１を含む断面で示す。但
し、中心軸４１に対して対称な部分は省略している。図
９において、４７はスパッタ前のターゲット４２の形
状、４８はスパッタされた部分、４９はスパッタされず
に残った部分である。図９に見られるように、Ｆ点の付
近が著しく侵食され、Ｖ字状の侵食面が生じる。このよ
うな形状の侵食が生じると、ターゲット４２の体積利用
効率、すなわちスパッタ前のターゲットの体積に占める
ターゲットの利用限界まで利用した時のスパッタされた
体積の割合は２０％程度であり、その上その２０％の１
０％程度しか基板には付着せず、高価なターゲット４２
を十分に利用できないという問題があった。また、この
形状の侵食が生じた場合には成膜速度や膜厚の均一性に
経時変化をもたらすという技術上の問題も生じていた。
した時の侵食形状を中心軸４１を含む断面で示す。但
し、中心軸４１に対して対称な部分は省略している。図
９において、４７はスパッタ前のターゲット４２の形
状、４８はスパッタされた部分、４９はスパッタされず
に残った部分である。図９に見られるように、Ｆ点の付
近が著しく侵食され、Ｖ字状の侵食面が生じる。このよ
うな形状の侵食が生じると、ターゲット４２の体積利用
効率、すなわちスパッタ前のターゲットの体積に占める
ターゲットの利用限界まで利用した時のスパッタされた
体積の割合は２０％程度であり、その上その２０％の１
０％程度しか基板には付着せず、高価なターゲット４２
を十分に利用できないという問題があった。また、この
形状の侵食が生じた場合には成膜速度や膜厚の均一性に
経時変化をもたらすという技術上の問題も生じていた。
【０００６】そこで、これらの問題を解決するために、
特開平５−２０９２６６号公報及び特開平５−１７９４
４０号公報に記載のような技術が考案されている。特開
平５−２０９２６６号公報に記載のマグネトロンスパッ
タリング用カソードは、図８に示す従来例と同様に、タ
ーゲットの裏面側に磁石を配置するとともに、ターゲッ
トの外周と内周に強磁性体を配置することで、磁束がタ
ーゲット表面を越えて延びるような構成とされており、
プラズマ密度が平準化され、ターゲットの侵食もより平
準化される。図１０にこの構成によるターゲットの利用
限界時の侵食の様子を示す。図９と同様に、４７はスパ
ッタ前のターゲット形状、４８はスパッタされた部分、
４９はスパッタされずに残った部分である。図１０によ
ると、図９の場合に比較して侵食がより均一に進行して
いることがわかる。しかし、Ｇ点付近で侵食速度が速く
なっている。また、この時のターゲットの体積利用効率
は約４０％程度であるが、その１０％程度しか基板に付
着しない。
特開平５−２０９２６６号公報及び特開平５−１７９４
４０号公報に記載のような技術が考案されている。特開
平５−２０９２６６号公報に記載のマグネトロンスパッ
タリング用カソードは、図８に示す従来例と同様に、タ
ーゲットの裏面側に磁石を配置するとともに、ターゲッ
トの外周と内周に強磁性体を配置することで、磁束がタ
ーゲット表面を越えて延びるような構成とされており、
プラズマ密度が平準化され、ターゲットの侵食もより平
準化される。図１０にこの構成によるターゲットの利用
限界時の侵食の様子を示す。図９と同様に、４７はスパ
ッタ前のターゲット形状、４８はスパッタされた部分、
４９はスパッタされずに残った部分である。図１０によ
ると、図９の場合に比較して侵食がより均一に進行して
いることがわかる。しかし、Ｇ点付近で侵食速度が速く
なっている。また、この時のターゲットの体積利用効率
は約４０％程度であるが、その１０％程度しか基板に付
着しない。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従来のターゲット４２
の裏面に磁石４３を配置する方法では、図９に示すよう
にＶ字状の侵食面を形成するため、ターゲット４２の厚
さが局所的に薄くなり、その厚さが所定値以下に達した
時がターゲット４２の利用限界となり、それ以上ターゲ
ット４２を利用できない。しかし、ターゲット４２に
は、まだ薄膜を形成させる材料が十分に存在するので、
高価なターゲット４２を十分に利用できないという問題
がある。また、侵食が局所的に速く進行していくと、ス
パッタ粒子の分布が経時変化し、侵食の初期段階で基板
に生成される膜の膜厚は均一でも、侵食の終了段階では
膜厚が不均一になるという問題がある。さらに、膜厚均
一性を得るために、基板とターゲットとの距離を７０mm
以上にしなければならず、そのためターゲットから飛散
してきた粒子の１０％程度しか基板に付着しないという
問題もある。
の裏面に磁石４３を配置する方法では、図９に示すよう
にＶ字状の侵食面を形成するため、ターゲット４２の厚
さが局所的に薄くなり、その厚さが所定値以下に達した
時がターゲット４２の利用限界となり、それ以上ターゲ
ット４２を利用できない。しかし、ターゲット４２に
は、まだ薄膜を形成させる材料が十分に存在するので、
高価なターゲット４２を十分に利用できないという問題
がある。また、侵食が局所的に速く進行していくと、ス
パッタ粒子の分布が経時変化し、侵食の初期段階で基板
に生成される膜の膜厚は均一でも、侵食の終了段階では
膜厚が不均一になるという問題がある。さらに、膜厚均
一性を得るために、基板とターゲットとの距離を７０mm
以上にしなければならず、そのためターゲットから飛散
してきた粒子の１０％程度しか基板に付着しないという
問題もある。
【０００８】また、上記特開平５−２０９２６６号公報
に記載の技術でも、図１０に示すように、まだＧ点付近
で局所的な侵食が発生しており、ターゲットの利用効率
が低く、基板に付着する粒子の確率も低く、膜厚均一性
や成膜速度等の経時変化を発生させるという問題があ
る。
に記載の技術でも、図１０に示すように、まだＧ点付近
で局所的な侵食が発生しており、ターゲットの利用効率
が低く、基板に付着する粒子の確率も低く、膜厚均一性
や成膜速度等の経時変化を発生させるという問題があ
る。
【０００９】上記従来例における膜厚の経時変化につい
て図１１を参照して説明する。図１１は内径４０mm、外
径１２０mmの基板に形成される膜厚分布の経時変化を積
算電力で示した図である。縦軸は基板の内周縁の膜厚を
１としたときの相対的な膜厚であり、横軸は中心点から
の距離を示す。この図に見られるように、従来例では膜
厚の分布が時間とともに大幅に変化するという問題があ
る。
て図１１を参照して説明する。図１１は内径４０mm、外
径１２０mmの基板に形成される膜厚分布の経時変化を積
算電力で示した図である。縦軸は基板の内周縁の膜厚を
１としたときの相対的な膜厚であり、横軸は中心点から
の距離を示す。この図に見られるように、従来例では膜
厚の分布が時間とともに大幅に変化するという問題があ
る。
【００１０】本発明は、上記従来の問題点に鑑み、局所
的な侵食が発生しないマグネトロンスパッタリング装置
を提供することを目的としている。
的な侵食が発生しないマグネトロンスパッタリング装置
を提供することを目的としている。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明のマグネトロンス
パッタリング装置は、径の異なる複数のリング状の平板
ターゲットを同一中心軸の回りに配設し、各ターゲット
において、その内周縁部に沿った位置の表面側と裏面側
にそれぞれ同じ極性を有する磁石を、外周縁部に沿った
位置の表面側と裏面側にそれぞれ同じ極性を有する磁石
を、内周側と外周側で逆極性になるように配設したこと
を特徴とする。
パッタリング装置は、径の異なる複数のリング状の平板
ターゲットを同一中心軸の回りに配設し、各ターゲット
において、その内周縁部に沿った位置の表面側と裏面側
にそれぞれ同じ極性を有する磁石を、外周縁部に沿った
位置の表面側と裏面側にそれぞれ同じ極性を有する磁石
を、内周側と外周側で逆極性になるように配設したこと
を特徴とする。
【００１２】また、径の異なる複数のリング状の平板タ
ーゲットを同一中心軸回りに配設したマグネトロンスパ
ッタリング装置において、第１の平板ターゲットの内周
縁に沿った位置の表面側と裏面側にそれぞれ同じ極性を
有する磁石を配設するとともにこの第１の平板ターゲッ
トの外周縁に沿った位置の表面側と裏面側にそれぞれ同
じ極性を有する磁石を配設し、かつ第１の平板ターゲッ
トの内周に沿って配設された磁石と外周に沿って配設さ
れた磁石の極性を第１のターゲットを挟んで逆の関係に
し、第２の平板ターゲットについても、その内周縁に沿
った位置の表面側と裏面側にそれぞれ同じ極性を有する
磁石を配設するとともにこの第２の平板ターゲットの外
周縁に沿った位置の表面側と裏面側にそれぞれ同じ極性
を有する磁石を配設し、かつ第２の平板ターゲットの内
周に沿って配設された磁石と外周に沿って配設された磁
石の極性を第２のターゲットを挟んで逆の関係にし、第
３のターゲット以下についても同様に構成したことを特
徴とする。
ーゲットを同一中心軸回りに配設したマグネトロンスパ
ッタリング装置において、第１の平板ターゲットの内周
縁に沿った位置の表面側と裏面側にそれぞれ同じ極性を
有する磁石を配設するとともにこの第１の平板ターゲッ
トの外周縁に沿った位置の表面側と裏面側にそれぞれ同
じ極性を有する磁石を配設し、かつ第１の平板ターゲッ
トの内周に沿って配設された磁石と外周に沿って配設さ
れた磁石の極性を第１のターゲットを挟んで逆の関係に
し、第２の平板ターゲットについても、その内周縁に沿
った位置の表面側と裏面側にそれぞれ同じ極性を有する
磁石を配設するとともにこの第２の平板ターゲットの外
周縁に沿った位置の表面側と裏面側にそれぞれ同じ極性
を有する磁石を配設し、かつ第２の平板ターゲットの内
周に沿って配設された磁石と外周に沿って配設された磁
石の極性を第２のターゲットを挟んで逆の関係にし、第
３のターゲット以下についても同様に構成したことを特
徴とする。
【００１３】好適には、内側の平板ターゲットの外周縁
に沿って配設した磁石と外側の平板ターゲットの内周縁
に沿って配設した磁石を共通の磁石にて構成され、また
ターゲットの表面で磁場の方向がターゲット面に平行に
なる点がターゲットの半径方向に２以上存在するように
各磁石の強さが調整される。
に沿って配設した磁石と外側の平板ターゲットの内周縁
に沿って配設した磁石を共通の磁石にて構成され、また
ターゲットの表面で磁場の方向がターゲット面に平行に
なる点がターゲットの半径方向に２以上存在するように
各磁石の強さが調整される。
【００１４】
【作用】本発明によれば、径の異なる複数のリング状の
平板ターゲットを同一中心軸回りに配設し、各ターゲッ
トにおいて、その内周縁部に沿った位置の表面側と裏面
側にそれぞれ同じ極性を有する磁石を、外周縁部に沿っ
た位置の表面側と裏面側にそれぞれ同じ極性を有する磁
石を、内周側と外周側で逆極性になるように配設したこ
とにより、径方向に並列した複数のリング状のターゲッ
ト面においてそれぞれ平行に近くかつ均等に近い強さを
持つ磁場を形成することができる。図２にターゲット断
面付近の磁力線の様子をコンピュータシミュレーション
にて確認した結果を示す。図２に示すように、各ターゲ
ット表面で各ターゲット面に平行に近い磁場が形成され
ており、磁場の強さ、すなわち磁力線の間隔にも大きな
ばらつきがない。
平板ターゲットを同一中心軸回りに配設し、各ターゲッ
トにおいて、その内周縁部に沿った位置の表面側と裏面
側にそれぞれ同じ極性を有する磁石を、外周縁部に沿っ
た位置の表面側と裏面側にそれぞれ同じ極性を有する磁
石を、内周側と外周側で逆極性になるように配設したこ
とにより、径方向に並列した複数のリング状のターゲッ
ト面においてそれぞれ平行に近くかつ均等に近い強さを
持つ磁場を形成することができる。図２にターゲット断
面付近の磁力線の様子をコンピュータシミュレーション
にて確認した結果を示す。図２に示すように、各ターゲ
ット表面で各ターゲット面に平行に近い磁場が形成され
ており、磁場の強さ、すなわち磁力線の間隔にも大きな
ばらつきがない。
【００１５】このようにターゲット全面にわたってター
ゲット面に平行に磁場が形成されることにより各ターゲ
ットの侵食は均一に進行する。すなわち、ターゲットの
侵食速度はプラズマ密度に依存するが、磁場がターゲッ
ト面に平行に形成されることによりプラズマ密度が均等
に分布し、侵食が均一に行なわれる。また、マグネトロ
ンスパッタリングはイオンの速度ベクトルと磁場のベク
トルの外積による電磁力により粒子が回転運動し、粒子
がターゲットに衝突する機会が増大することに特徴があ
り、イオンがターゲットに衝突する機会はイオンの回転
周期に依存し、回転周期が短い程、すなわち磁場が強く
イオンの運動する速さが速いほどターゲットに衝突する
機会が増える。通常、電場はターゲット面に垂直に形成
されるので、磁場をターゲット面に平行に形成すること
によって磁場とイオンを運動させる電場とが垂直にな
り、イオンの速度ベクトルと磁場のベクトルの外積が最
大になるとともに均等になり、イオンの回転周期が短く
かつ均一となってターゲットの侵食が効率的にかつ均一
に行なわれる。
ゲット面に平行に磁場が形成されることにより各ターゲ
ットの侵食は均一に進行する。すなわち、ターゲットの
侵食速度はプラズマ密度に依存するが、磁場がターゲッ
ト面に平行に形成されることによりプラズマ密度が均等
に分布し、侵食が均一に行なわれる。また、マグネトロ
ンスパッタリングはイオンの速度ベクトルと磁場のベク
トルの外積による電磁力により粒子が回転運動し、粒子
がターゲットに衝突する機会が増大することに特徴があ
り、イオンがターゲットに衝突する機会はイオンの回転
周期に依存し、回転周期が短い程、すなわち磁場が強く
イオンの運動する速さが速いほどターゲットに衝突する
機会が増える。通常、電場はターゲット面に垂直に形成
されるので、磁場をターゲット面に平行に形成すること
によって磁場とイオンを運動させる電場とが垂直にな
り、イオンの速度ベクトルと磁場のベクトルの外積が最
大になるとともに均等になり、イオンの回転周期が短く
かつ均一となってターゲットの侵食が効率的にかつ均一
に行なわれる。
【００１６】このようにターゲットの侵食が均等に行な
われることにより、基板に形成される薄膜の膜厚が均一
になるとともにその経時変化も少なくできる。すなわ
ち、粒子がスパッタされる方向はターゲット表面の向き
に依存するので、侵食によりターゲット面と基板面が成
す角度が経時変化すると基板面に形成される薄膜の膜厚
も経時変化する。侵食の初期段階ではターゲットが平面
であり、基板面に平行に配置されるので基板面に形成さ
れる薄膜の膜厚はほぼ一定であるが、侵食の進行に伴っ
てターゲット表面が曲面になってくると基板面に形成さ
れる薄膜の膜厚が不均一になる。したがって、上記のよ
うにターゲットの侵食が進んでも侵食前のターゲット面
と平行な平面に近い侵食面が持たれることによって基板
に形成される薄膜の膜厚が均一に保たれる。
われることにより、基板に形成される薄膜の膜厚が均一
になるとともにその経時変化も少なくできる。すなわ
ち、粒子がスパッタされる方向はターゲット表面の向き
に依存するので、侵食によりターゲット面と基板面が成
す角度が経時変化すると基板面に形成される薄膜の膜厚
も経時変化する。侵食の初期段階ではターゲットが平面
であり、基板面に平行に配置されるので基板面に形成さ
れる薄膜の膜厚はほぼ一定であるが、侵食の進行に伴っ
てターゲット表面が曲面になってくると基板面に形成さ
れる薄膜の膜厚が不均一になる。したがって、上記のよ
うにターゲットの侵食が進んでも侵食前のターゲット面
と平行な平面に近い侵食面が持たれることによって基板
に形成される薄膜の膜厚が均一に保たれる。
【００１７】また、局所的に侵食の速い所があると、タ
ーゲットはその侵食の速い部分の膜厚が所定以下になっ
たときにターゲットが利用できなくなるが、ターゲット
が均一に侵食されることにより、ターゲットの利用効率
を高めることができ、ランニングコストを低廉化でき
る。
ーゲットはその侵食の速い部分の膜厚が所定以下になっ
たときにターゲットが利用できなくなるが、ターゲット
が均一に侵食されることにより、ターゲットの利用効率
を高めることができ、ランニングコストを低廉化でき
る。
【００１８】また、径の異なる複数のリング状の平板タ
ーゲットを同一中心軸回りに配設しているので、各々異
なる電力を投入することにより、ターゲットと基板間の
距離を縮めても膜厚均一性を良好にすることができ、タ
ーゲットから飛散した粒子を効率的に基板に付着させる
とともに膜厚均一性を確保することができる。
ーゲットを同一中心軸回りに配設しているので、各々異
なる電力を投入することにより、ターゲットと基板間の
距離を縮めても膜厚均一性を良好にすることができ、タ
ーゲットから飛散した粒子を効率的に基板に付着させる
とともに膜厚均一性を確保することができる。
【００１９】また、内側の平板ターゲットの外周縁に沿
って配設した磁石と外側の平板ターゲットの内周縁に沿
って配設した磁石を共通の磁石にて構成すると、磁石を
少なくできるとともに磁石を配置するためのデッドスペ
ースを小さくできる。
って配設した磁石と外側の平板ターゲットの内周縁に沿
って配設した磁石を共通の磁石にて構成すると、磁石を
少なくできるとともに磁石を配置するためのデッドスペ
ースを小さくできる。
【００２０】さらに、磁場がターゲット面に平行になる
点を半径方向に２点以上有するように磁石の強度を調整
すると、磁場の向きがターゲット面に対してより平行に
なるので、より効果を高めることができる。
点を半径方向に２点以上有するように磁石の強度を調整
すると、磁場の向きがターゲット面に対してより平行に
なるので、より効果を高めることができる。
【００２１】
【実施例】以下、本発明の一実施例のマグネトロンスパ
ッタリング装置について、図１〜図７を参照して説明す
る。
ッタリング装置について、図１〜図７を参照して説明す
る。
【００２２】本実施例は、内径３６mm、外径６４mm、厚
さ６mmと、内径１１０mm、外径１４２mm、厚さ６mmの２
つのリング状の平板ターゲットを用いたマグネトロンス
パッタリング装置の例を示す。
さ６mmと、内径１１０mm、外径１４２mm、厚さ６mmの２
つのリング状の平板ターゲットを用いたマグネトロンス
パッタリング装置の例を示す。
【００２３】図１に本実施例のマグネトロンスパッタリ
ング装置のカソード部の断面図を示す。このカソード部
は中心軸１に対して回転対称形であり、小径のターゲッ
ト２は内周電極４と中間周電極５間に配設され、大径の
ターゲット３は中間周電極５と外周電極６間に配設され
ている。７はカソード部を支持するヨークであり、強磁
性体のＳＳ４１合金を材料とし、厚さ１５mmの底板の外
周に内径１９８mm、厚さ９mm、高さ８４mmの側板が一体
的に設けられるとともに、軸芯部に直径１０mm、高さ８
７．５mmの円柱状の突起が設けられ、径方向中間位置に
外径１０４mm、内径８４mm、高さ６２mmの円筒状の突起
が設けられている。
ング装置のカソード部の断面図を示す。このカソード部
は中心軸１に対して回転対称形であり、小径のターゲッ
ト２は内周電極４と中間周電極５間に配設され、大径の
ターゲット３は中間周電極５と外周電極６間に配設され
ている。７はカソード部を支持するヨークであり、強磁
性体のＳＳ４１合金を材料とし、厚さ１５mmの底板の外
周に内径１９８mm、厚さ９mm、高さ８４mmの側板が一体
的に設けられるとともに、軸芯部に直径１０mm、高さ８
７．５mmの円柱状の突起が設けられ、径方向中間位置に
外径１０４mm、内径８４mm、高さ６２mmの円筒状の突起
が設けられている。
【００２４】ターゲット２、３の裏面にはそれぞれ裏面
部材８、１０が接しており、ターゲット２、３の裏面と
の間の隙間９、１１に冷却水を流すことによりターゲッ
ト２、３を冷却している。なお、冷却水の導入排出手段
は図示を省略している。
部材８、１０が接しており、ターゲット２、３の裏面と
の間の隙間９、１１に冷却水を流すことによりターゲッ
ト２、３を冷却している。なお、冷却水の導入排出手段
は図示を省略している。
【００２５】ターゲット２及び裏面部材８は絶縁物１
２、１３により内周電極４と中間周電極５から絶縁さ
れ、ターゲット３及び裏面部材１０は絶縁物１４、１５
により中間周電極５と外周電極６から絶縁されている。
さらに、外周電極６は絶縁物１６によってチャンバー２
０から絶縁されている。ターゲット２、３に負電位を印
加する手段は図示を省略している。
２、１３により内周電極４と中間周電極５から絶縁さ
れ、ターゲット３及び裏面部材１０は絶縁物１４、１５
により中間周電極５と外周電極６から絶縁されている。
さらに、外周電極６は絶縁物１６によってチャンバー２
０から絶縁されている。ターゲット２、３に負電位を印
加する手段は図示を省略している。
【００２６】内周電極４の内部には、残留磁束密度１
２．１Ｋガウスで保持力１１．６Ｋエルステッドの材料
から成る内径１０mm、厚さ５mm、高さ１０mmのリング状
の１対の永久磁石２１、２２が配置され、一方の永久磁
石２１がターゲット２の裏面側に、他方の永久磁石２２
がターゲット２の表面側に位置し、共に外周側がＮ極に
なっている。
２．１Ｋガウスで保持力１１．６Ｋエルステッドの材料
から成る内径１０mm、厚さ５mm、高さ１０mmのリング状
の１対の永久磁石２１、２２が配置され、一方の永久磁
石２１がターゲット２の裏面側に、他方の永久磁石２２
がターゲット２の表面側に位置し、共に外周側がＮ極に
なっている。
【００２７】中間周電極５の内部には、内周電極４の磁
石２１、２２と同じ材質からなる外径１０４mm、内径８
４mm、厚さ５mmのリング状の１対の永久磁石２３、２４
が配置され、一方の永久磁石２３がターゲット２、３の
裏面側に、他方の永久磁石２４がターゲット２、３の表
面側に位置し、これら磁石２３、２４が非磁性体１７を
介してＳ極が対向している。
石２１、２２と同じ材質からなる外径１０４mm、内径８
４mm、厚さ５mmのリング状の１対の永久磁石２３、２４
が配置され、一方の永久磁石２３がターゲット２、３の
裏面側に、他方の永久磁石２４がターゲット２、３の表
面側に位置し、これら磁石２３、２４が非磁性体１７を
介してＳ極が対向している。
【００２８】外周電極６の内部には、内周電極４の磁石
２１、２２と同じ材質からなる内径１７６mm、厚さ９m
m、高さ５mmのリング状の１対の永久磁石２５、２６が
配置され、一方の永久磁石２５がターゲット３の裏面側
に、他方の永久磁石２６がターゲット３の表面側に位置
し、共に内周がＮ極になっている。
２１、２２と同じ材質からなる内径１７６mm、厚さ９m
m、高さ５mmのリング状の１対の永久磁石２５、２６が
配置され、一方の永久磁石２５がターゲット３の裏面側
に、他方の永久磁石２６がターゲット３の表面側に位置
し、共に内周がＮ極になっている。
【００２９】上記のように永久磁石２１〜２６の磁石の
強さと磁石のリング形状と磁石間の距離とヨーク形状を
選定したことにより、ターゲット２、３の表面上で磁力
線の方向がターゲット表面に平行になる点が半径方向に
２点存在するように構成することができた。図２は、図
１の実施例の磁石配置における磁力線を中心軸１を通る
平面上で描いたものである。但し、磁力線は中心軸に対
して対称に形成されるので片側は図示を省略する。この
図において、Ａ−Ａ’近傍にターゲット表面が位置する
ようにターゲット２、３を配置すると、Ｂ点とＣ点付近
及びＤ点とＥ点付近で磁力線がターゲット表面に平行に
なる点が存在する。
強さと磁石のリング形状と磁石間の距離とヨーク形状を
選定したことにより、ターゲット２、３の表面上で磁力
線の方向がターゲット表面に平行になる点が半径方向に
２点存在するように構成することができた。図２は、図
１の実施例の磁石配置における磁力線を中心軸１を通る
平面上で描いたものである。但し、磁力線は中心軸に対
して対称に形成されるので片側は図示を省略する。この
図において、Ａ−Ａ’近傍にターゲット表面が位置する
ようにターゲット２、３を配置すると、Ｂ点とＣ点付近
及びＤ点とＥ点付近で磁力線がターゲット表面に平行に
なる点が存在する。
【００３０】以上の構成のカソード部は、マグネトロン
スパッタリング装置内で以下のように動作する。
スパッタリング装置内で以下のように動作する。
【００３１】上記構成のカソード部をそのターゲット表
面が基板に対して３５mmの距離で対向するとともに中心
軸が一致するように真空処理室内に設置する。基板は内
径４０mm、外径１２０mmである。真空処理室内にスパッ
タガス導入後、ターゲット２、３にグロー放電用の高圧
電源より電力を供給すると、磁力線にて閉じ込められた
スパッタ用の高密度プラズマが発生する。このプラズマ
中のイオンがターゲット２、３の表面にぶつかると、タ
ーゲット２、３の原子がスパッタされ、基板の向かい合
った表面に付着し、薄膜が形成される。
面が基板に対して３５mmの距離で対向するとともに中心
軸が一致するように真空処理室内に設置する。基板は内
径４０mm、外径１２０mmである。真空処理室内にスパッ
タガス導入後、ターゲット２、３にグロー放電用の高圧
電源より電力を供給すると、磁力線にて閉じ込められた
スパッタ用の高密度プラズマが発生する。このプラズマ
中のイオンがターゲット２、３の表面にぶつかると、タ
ーゲット２、３の原子がスパッタされ、基板の向かい合
った表面に付着し、薄膜が形成される。
【００３２】図３は、ターゲット２、３を利用限界まで
使用したときの侵食形状を中心軸１を含む断面で描いた
ものである。但し、中心軸１に対して対称な部分は図示
を省略している。３１はスパッタ前のターゲットの形、
３２はスパッタされた部分、３３はスパッタされずに残
った部分である。この時、ターゲットの体積利用効率は
５８％で、従来の４０％に比べて大幅に改善されてい
る。
使用したときの侵食形状を中心軸１を含む断面で描いた
ものである。但し、中心軸１に対して対称な部分は図示
を省略している。３１はスパッタ前のターゲットの形、
３２はスパッタされた部分、３３はスパッタされずに残
った部分である。この時、ターゲットの体積利用効率は
５８％で、従来の４０％に比べて大幅に改善されてい
る。
【００３３】図４はターゲット２、３を利用限界まで使
用した時の侵食形状の経時変化、具体的には積算電力に
よる変化を示したものである。横軸は中心軸１からの距
離、縦軸は侵食の深さであり、各曲線はそれぞれの積算
電力がかけられた時の侵食面の様子を示している。この
図に見られるように、成膜初期からターゲットの利用限
界までターゲットの全面において侵食されており、侵食
形状がほとんど変化していないことが分かる。また、こ
の図に見られるように、本実施例によると局所的に侵食
が速く進行する箇所がないので、ターゲットの利用効率
も上昇することがわかる。
用した時の侵食形状の経時変化、具体的には積算電力に
よる変化を示したものである。横軸は中心軸１からの距
離、縦軸は侵食の深さであり、各曲線はそれぞれの積算
電力がかけられた時の侵食面の様子を示している。この
図に見られるように、成膜初期からターゲットの利用限
界までターゲットの全面において侵食されており、侵食
形状がほとんど変化していないことが分かる。また、こ
の図に見られるように、本実施例によると局所的に侵食
が速く進行する箇所がないので、ターゲットの利用効率
も上昇することがわかる。
【００３４】図５は侵食深さの最大値と積算電力の関
係、すなわち侵食深さの最大値の経時変化の様子を示し
たものである。この図に見られるように、侵食の深さは
ほぼ一定であり、単位時間にターゲットからスパッタさ
れる粒子の個数が殆ど経時変化していないことが分か
る。
係、すなわち侵食深さの最大値の経時変化の様子を示し
たものである。この図に見られるように、侵食の深さは
ほぼ一定であり、単位時間にターゲットからスパッタさ
れる粒子の個数が殆ど経時変化していないことが分か
る。
【００３５】図６はターゲット２、３の利用限界まで使
用した時の膜厚速度と積算電力との関係、すなわち成膜
速度の経時変化を示した図である。この図では基板の中
心点の成膜速度を見ている。この図から成膜速度の変化
率は５％で、従来の変化率が２０％であったのに比べて
大幅に改善されている。
用した時の膜厚速度と積算電力との関係、すなわち成膜
速度の経時変化を示した図である。この図では基板の中
心点の成膜速度を見ている。この図から成膜速度の変化
率は５％で、従来の変化率が２０％であったのに比べて
大幅に改善されている。
【００３６】図７はターゲット２、３を利用限界まで使
用した時の膜厚分布の経時変化を積算電力で示してい
る。縦軸は基板の内周縁の膜厚を１としたときの相対的
な膜厚である。この図から見られるように、成膜の様子
は基板全面にわたって殆ど経時変化していないことが分
かる。さらに、膜厚分布もターゲットの利用始めから終
わりまで２％以内で均一に分布していることが分かる。
従来例の膜厚分布を示す図である図１１と比べると、タ
ーゲットの侵食に伴う膜厚分布の不均一性の問題は大幅
に改善され、安定して成膜されていることが分かる。
用した時の膜厚分布の経時変化を積算電力で示してい
る。縦軸は基板の内周縁の膜厚を１としたときの相対的
な膜厚である。この図から見られるように、成膜の様子
は基板全面にわたって殆ど経時変化していないことが分
かる。さらに、膜厚分布もターゲットの利用始めから終
わりまで２％以内で均一に分布していることが分かる。
従来例の膜厚分布を示す図である図１１と比べると、タ
ーゲットの侵食に伴う膜厚分布の不均一性の問題は大幅
に改善され、安定して成膜されていることが分かる。
【００３７】
【発明の効果】本発明のマグネトロンスパッタリング装
置によれば、以上の説明から明らかなように、径の異な
る複数のリング状の平板ターゲットを同一中心軸回りに
配設し、かつ磁石の所定の配置により各ターゲットのタ
ーゲット表面においてそれぞれ平行に近くかつ均等に近
い強さを持つ磁場を形成するようにしているので、各タ
ーゲット上でプラズマが均等に分布し、イオンの回転周
期も均一となって各ターゲットの侵食が均一に進行し、
従ってターゲットの利用限界まで使用しても安定した均
一な薄膜を基板に生成することができ、また高価なター
ゲットの利用効率が向上し、ランニングコストの低廉化
を図ることができる。
置によれば、以上の説明から明らかなように、径の異な
る複数のリング状の平板ターゲットを同一中心軸回りに
配設し、かつ磁石の所定の配置により各ターゲットのタ
ーゲット表面においてそれぞれ平行に近くかつ均等に近
い強さを持つ磁場を形成するようにしているので、各タ
ーゲット上でプラズマが均等に分布し、イオンの回転周
期も均一となって各ターゲットの侵食が均一に進行し、
従ってターゲットの利用限界まで使用しても安定した均
一な薄膜を基板に生成することができ、また高価なター
ゲットの利用効率が向上し、ランニングコストの低廉化
を図ることができる。
【００３８】また、内側の平板ターゲットの外周縁に沿
って配設した磁石と外側の平板ターゲットの内周縁に沿
って配設した磁石を共通の磁石にて構成すると、磁石を
少なくできるとともに磁石を配置するためのデッドスペ
ースを小さくできる。
って配設した磁石と外側の平板ターゲットの内周縁に沿
って配設した磁石を共通の磁石にて構成すると、磁石を
少なくできるとともに磁石を配置するためのデッドスペ
ースを小さくできる。
【００３９】また、磁場がターゲット面に平行になる点
を半径方向に２点以上有するように磁石の強度を調整す
ると、磁場の向きがターゲット面に対してより平行にな
るので、より効果を高めることができる。
を半径方向に２点以上有するように磁石の強度を調整す
ると、磁場の向きがターゲット面に対してより平行にな
るので、より効果を高めることができる。
【図１】本発明の一実施例のマグネトロンスパッタリン
グ装置のカソード部の断面図である。
グ装置のカソード部の断面図である。
【図２】同実施例における磁場の様子を示す図である。
【図３】同実施例のターゲットの利用限界における侵食
面を示す断面図である。
面を示す断面図である。
【図４】同実施例のターゲットの侵食面の経時変化を示
す図である。
す図である。
【図５】同実施例のターゲットの侵食深さの経時変化を
示す図である。
示す図である。
【図６】同実施例の基板の成膜速度の経時変化を示す図
である。
である。
【図７】同実施例の基板の膜厚分布の経時変化を示す図
である。
である。
【図８】従来例のマグネトロンスパッタリング装置のカ
ソード部の断面図である。
ソード部の断面図である。
【図９】従来例のターゲットの利用限界における侵食面
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図１０】他の従来例のターゲットの利用限界における
侵食面を示す断面図である。
侵食面を示す断面図である。
【図１１】従来例の基板の膜厚分布の経時変化を示す図
である。
である。
１ 中心軸 ２ ターゲット ３ ターゲット ２１ 内周裏面に配置された磁石 ２２ 内周表面に配置された磁石 ２３ 中間周裏面に配置された磁石 ２４ 中間周表面に配置された磁石 ２５ 外周裏面に配置された磁石 ２６ 外周表面に配置された磁石
フロントページの続き (72)発明者 末光 敏行 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 大野 鋭二 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】 径の異なる複数のリング状の平板ターゲ
ットを同一中心軸回りに配設し、各ターゲットにおい
て、その内周縁部に沿った位置の表面側と裏面側にそれ
ぞれ同じ極性を有する磁石を、外周縁部に沿った位置の
表面側と裏面側にそれぞれ同じ極性を有する磁石を、内
周側と外周側で逆極性になるように配設したことを特徴
とするマグネトロンスパッタリング装置。 - 【請求項２】 径の異なる複数のリング状の平板ターゲ
ットを同一中心軸回りに配設したマグネトロンスパッタ
リング装置において、第１の平板ターゲットの内周縁に
沿った位置の表面側と裏面側にそれぞれ同じ極性を有す
る磁石を配設するとともにこの第１の平板ターゲットの
外周縁に沿った位置の表面側と裏面側にそれぞれ同じ極
性を有する磁石を配設し、かつ第１の平板ターゲットの
内周に沿って配設された磁石と外周に沿って配設された
磁石の極性を第１のターゲットを挟んで逆の関係にし、
第２の平板ターゲットについても、その内周縁に沿った
位置の表面側と裏面側にそれぞれ同じ極性を有する磁石
を配設するとともにこの第２の平板ターゲットの外周縁
に沿った位置の表面側と裏面側にそれぞれ同じ極性を有
する磁石を配設し、かつ第２の平板ターゲットの内周に
沿って配設された磁石と外周に沿って配設された磁石の
極性を第２のターゲットを挟んで逆の関係にし、第３の
ターゲット以下についても同様に構成したことを特徴と
するマグネトロンスパッタリング装置。 - 【請求項３】 内側の平板ターゲットの外周縁に沿って
配設した磁石と外側の平板ターゲットの内周縁に沿って
配設した磁石を共通の磁石にて構成したことを特徴とす
る請求項１又は２記載のマグネトロンスパッタリング装
置。 - 【請求項４】 各ターゲットの表面で磁場の方向がター
ゲット面に平行になる点がターゲットの半径方向に２以
上存在するように各磁石の強さを調整したことを特徴と
する請求項１、２又は３記載のマグネトロンスパッタリ
ング装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32203394A JP3655334B2 (ja) | 1994-12-26 | 1994-12-26 | マグネトロンスパッタリング装置 |
| CNB951190644A CN1181218C (zh) | 1994-12-26 | 1995-12-05 | 磁性管溅射装置 |
| US08/578,030 US5865961A (en) | 1994-12-26 | 1995-12-26 | Magnetron sputtering apparatus and method |
| KR1019950056322A KR100216900B1 (ko) | 1994-12-26 | 1995-12-26 | 마그네트론 스퍼터링장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32203394A JP3655334B2 (ja) | 1994-12-26 | 1994-12-26 | マグネトロンスパッタリング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08176817A true JPH08176817A (ja) | 1996-07-09 |
| JP3655334B2 JP3655334B2 (ja) | 2005-06-02 |
Family
ID=18139180
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32203394A Expired - Fee Related JP3655334B2 (ja) | 1994-12-26 | 1994-12-26 | マグネトロンスパッタリング装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5865961A (ja) |
| JP (1) | JP3655334B2 (ja) |
| KR (1) | KR100216900B1 (ja) |
| CN (1) | CN1181218C (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000026430A1 (fr) * | 1998-10-30 | 2000-05-11 | Applied Materials Inc. | Appareil de pulverisation |
Families Citing this family (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1053712C (zh) * | 1997-04-30 | 2000-06-21 | 浙江大学 | 旋转靶柱型磁控溅射靶源 |
| US6197165B1 (en) * | 1998-05-06 | 2001-03-06 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for ionized physical vapor deposition |
| US6287977B1 (en) | 1998-07-31 | 2001-09-11 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for forming improved metal interconnects |
| DE19836125C2 (de) * | 1998-08-10 | 2001-12-06 | Leybold Systems Gmbh | Zerstäubungsvorrichtung mit einer Kathode mit Permanentmagnetanordnung |
| US6500321B1 (en) | 1999-05-26 | 2002-12-31 | Novellus Systems, Inc. | Control of erosion profile and process characteristics in magnetron sputtering by geometrical shaping of the sputtering target |
| US6277249B1 (en) | 2000-01-21 | 2001-08-21 | Applied Materials Inc. | Integrated process for copper via filling using a magnetron and target producing highly energetic ions |
| US6451177B1 (en) | 2000-01-21 | 2002-09-17 | Applied Materials, Inc. | Vault shaped target and magnetron operable in two sputtering modes |
| US6251242B1 (en) | 2000-01-21 | 2001-06-26 | Applied Materials, Inc. | Magnetron and target producing an extended plasma region in a sputter reactor |
| US6359388B1 (en) | 2000-08-28 | 2002-03-19 | Guardian Industries Corp. | Cold cathode ion beam deposition apparatus with segregated gas flow |
| US6887356B2 (en) * | 2000-11-27 | 2005-05-03 | Cabot Corporation | Hollow cathode target and methods of making same |
| US6623610B1 (en) | 2002-03-02 | 2003-09-23 | Shinzo Onishi | Magnetron sputtering target for magnetic materials |
| US20040055883A1 (en) * | 2002-03-02 | 2004-03-25 | Shinzo Onishi | Magnetron sputtering target for non-magnetic materials |
| US6841050B2 (en) * | 2002-05-21 | 2005-01-11 | Applied Materials, Inc. | Small planetary magnetron |
| US6988463B2 (en) * | 2002-10-18 | 2006-01-24 | Guardian Industries Corp. | Ion beam source with gas introduced directly into deposition/vacuum chamber |
| US6812648B2 (en) | 2002-10-21 | 2004-11-02 | Guardian Industries Corp. | Method of cleaning ion source, and corresponding apparatus/system |
| US8348759B2 (en) * | 2004-09-16 | 2013-01-08 | Bally Gaming, Inc. | User interface system and method for a gaming machine |
| JP4526582B2 (ja) * | 2007-11-30 | 2010-08-18 | パナソニック株式会社 | スパッタリング装置およびスパッタリング方法 |
| US20100018857A1 (en) * | 2008-07-23 | 2010-01-28 | Seagate Technology Llc | Sputter cathode apparatus allowing thick magnetic targets |
| CN101525737B (zh) * | 2009-01-19 | 2011-05-25 | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 | 一种用于镀制贵金属膜的磁控溅射靶 |
| TWI338721B (en) * | 2009-10-16 | 2011-03-11 | Suntek Prec Corp | A sputtering apparatus with a side target and a method for sputtering a workpiece having non-planer surfaces |
| US8575565B2 (en) | 2011-10-10 | 2013-11-05 | Guardian Industries Corp. | Ion source apparatus and methods of using the same |
| US9805918B2 (en) * | 2013-02-06 | 2017-10-31 | Arcelormittal Investigación Y Desarrollo Sl | Plasma source |
| CN108396299A (zh) * | 2018-06-06 | 2018-08-14 | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 | 一种磁控溅射平面阴极 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4515675A (en) * | 1983-07-06 | 1985-05-07 | Leybold-Heraeus Gmbh | Magnetron cathode for cathodic evaportion apparatus |
| US4865712A (en) * | 1984-05-17 | 1989-09-12 | Varian Associates, Inc. | Apparatus for manufacturing planarized aluminum films |
| US4761218A (en) * | 1984-05-17 | 1988-08-02 | Varian Associates, Inc. | Sputter coating source having plural target rings |
| JPH02243761A (ja) * | 1989-03-15 | 1990-09-27 | Ulvac Corp | マグネトロンスパッタリング源用電磁石の制御方法 |
-
1994
- 1994-12-26 JP JP32203394A patent/JP3655334B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1995
- 1995-12-05 CN CNB951190644A patent/CN1181218C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1995-12-26 US US08/578,030 patent/US5865961A/en not_active Expired - Fee Related
- 1995-12-26 KR KR1019950056322A patent/KR100216900B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000026430A1 (fr) * | 1998-10-30 | 2000-05-11 | Applied Materials Inc. | Appareil de pulverisation |
| US6506290B1 (en) | 1998-10-30 | 2003-01-14 | Applied Materials, Inc. | Sputtering apparatus with magnetron device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100216900B1 (ko) | 1999-09-01 |
| CN1181218C (zh) | 2004-12-22 |
| JP3655334B2 (ja) | 2005-06-02 |
| US5865961A (en) | 1999-02-02 |
| CN1133350A (zh) | 1996-10-16 |
| KR960023212A (ko) | 1996-07-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH08176817A (ja) | マグネトロンスパッタリング装置 | |
| KR0165860B1 (ko) | 마그네트론스퍼터링장치 | |
| KR100396456B1 (ko) | 절단된 코니칼 스퍼터링 타겟용 고 타겟 이용 자기 장치 | |
| JP2003268543A (ja) | Ｒｍｉｍ電極及びその製造方法、並びにこれを備えたスパッタリング装置 | |
| JPH11158625A (ja) | マグネトロンスパッタ成膜装置 | |
| JP3411312B2 (ja) | マグネトロン・スパッタカソードおよび膜厚分布の調整方法 | |
| JPS59173265A (ja) | スパツタ装置 | |
| JPH03170668A (ja) | 平板マグネトロンスパッタリング装置 | |
| JP4489868B2 (ja) | カソード電極装置及びスパッタリング装置 | |
| JPH08100257A (ja) | マグネトロンスパッタリング装置及び方法 | |
| JP2000017435A (ja) | マグネトロンスパッタ方法及び装置 | |
| JPS61288067A (ja) | スパツタ装置 | |
| JPH07157874A (ja) | マグネトロンスパッタリング装置 | |
| JPH0241585B2 (ja) | ||
| JPH0734244A (ja) | マグネトロン型スパッタカソード | |
| JPS63277758A (ja) | マグネトロンスパッタリング装置 | |
| JP2001207258A (ja) | 回転磁石およびインライン型スパッタリング装置 | |
| JPH04329875A (ja) | スパッタデポジション装置 | |
| JPH0313575A (ja) | 対向ターゲツトスパツタ装置 | |
| JP2003013220A (ja) | マグネトロンスパッタ装置 | |
| JP2002256431A (ja) | マグネトロンスパッタ装置 | |
| JPH1180943A (ja) | マグネトロンスパッタカソード | |
| JPH05179440A (ja) | マグネトロン型スパッタカソード | |
| JP2020029577A (ja) | スパッタリング装置 | |
| JPH09195043A (ja) | マグネトロン型スパッター電極磁界配位及びその磁気回路 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040525 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040615 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040730 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050222 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050303 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080311 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090311 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100311 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110311 Year of fee payment: 6 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |