JPS61284571A - 放電電極 - Google Patents
放電電極Info
- Publication number
- JPS61284571A JPS61284571A JP12748585A JP12748585A JPS61284571A JP S61284571 A JPS61284571 A JP S61284571A JP 12748585 A JP12748585 A JP 12748585A JP 12748585 A JP12748585 A JP 12748585A JP S61284571 A JPS61284571 A JP S61284571A
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- JP
- Japan
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- discharge
- electrode
- target
- ring
- parts
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- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は放電電極に係り、特にスパッタリング等蒸発源
を飛散させるための放電電極に関する。
を飛散させるための放電電極に関する。
従来、スパッタリング等に用いられターゲット等の蒸発
源を被処理物に飛散させるための放電電極には、種々の
ものが適用されているが、通常、例えば同心円状にマグ
ネットを配置しこのマグネットの上面に平板状ターゲッ
トを配置するようにしたものが用いられている。このよ
うな放電電極は、この電極と被処理物との間に高周波電
圧を印加し、プラズマ放電を発生させることにより、上
記蒸発源の材料を飛散させて被処理物に膜を形成するも
のである。
源を被処理物に飛散させるための放電電極には、種々の
ものが適用されているが、通常、例えば同心円状にマグ
ネットを配置しこのマグネットの上面に平板状ターゲッ
トを配置するようにしたものが用いられている。このよ
うな放電電極は、この電極と被処理物との間に高周波電
圧を印加し、プラズマ放電を発生させることにより、上
記蒸発源の材料を飛散させて被処理物に膜を形成するも
のである。
しかし、上記電極においては、部分的にプラズマが発生
するため、蒸発源の飛散個所が均一ではなく、均一な膜
形成を行なうことが困難で−あった。
するため、蒸発源の飛散個所が均一ではなく、均一な膜
形成を行なうことが困難で−あった。
また、従来、上記マグネットを偏心回転させてプラズマ
の発生部分を移動させるようにしたものもあるが、完全
に均一な蒸発源の飛散を確保することができないという
問題があった。
の発生部分を移動させるようにしたものもあるが、完全
に均一な蒸発源の飛散を確保することができないという
問題があった。
本発明は上記した点に鑑みてなされたもので、均一なプ
ラズマ放電を発生させることのできる放電電極を提供す
ることを目的とするものである。
ラズマ放電を発生させることのできる放電電極を提供す
ることを目的とするものである。
(発明の概要)
上記目的を達成するため本発明の放電電極は、放射状に
発生する閉磁界内に、同心状に配設された少なくとも1
つの環状溝部を有する電極部材を上記磁界が上記溝部を
貫通するように配設し、この電極部材を同心円状にそれ
ぞれ絶縁部材を介して複数配設するとともに上記各電極
部材にそれぞれ放電電源を接続し、上記電極部材の放電
電流をそれぞれ独立に制御するようにしたことをその特
徴とするものである。
発生する閉磁界内に、同心状に配設された少なくとも1
つの環状溝部を有する電極部材を上記磁界が上記溝部を
貫通するように配設し、この電極部材を同心円状にそれ
ぞれ絶縁部材を介して複数配設するとともに上記各電極
部材にそれぞれ放電電源を接続し、上記電極部材の放電
電流をそれぞれ独立に制御するようにしたことをその特
徴とするものである。
以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。
第1図は本発明をスパッタリング装置に適用した場合の
一実施例を示したもので、鉄等の磁性材料からなる円板
1の上面中心部および外周部には、それぞれマグネット
2,2が固着され、これら各マグネット2.2の上面側
には、鉄等の磁性材料からなるターゲット支持部材3,
3.3.3が所定間隔を有するように同心円状に配設さ
れている。
一実施例を示したもので、鉄等の磁性材料からなる円板
1の上面中心部および外周部には、それぞれマグネット
2,2が固着され、これら各マグネット2.2の上面側
には、鉄等の磁性材料からなるターゲット支持部材3,
3.3.3が所定間隔を有するように同心円状に配設さ
れている。
上記各ターゲット支持部材3,3.3.3の間隙部分に
は、断面形状はぼU字状を有し内側に溝48が形成され
たの環状ターゲット4.4.4が、それぞれ着脱自在に
嵌合されており、各ターゲット4,4.4と各ターゲッ
ト支持部材3,3,3゜3との間には、石英等の絶縁体
5.5・・・が介設されている。また、上記各ターゲッ
ト4.4.4の下面側には、それぞれ電極6.6.6が
接続され、これら各mff16,6.6には、それぞれ
独立した放電電源7,7.7がリード線8,8.8を介
して接続されている。さらに、上記各ターゲット支持部
材3,3.3.3の下面側には、冷却装置9゜9・・・
が取付けられている。
は、断面形状はぼU字状を有し内側に溝48が形成され
たの環状ターゲット4.4.4が、それぞれ着脱自在に
嵌合されており、各ターゲット4,4.4と各ターゲッ
ト支持部材3,3,3゜3との間には、石英等の絶縁体
5.5・・・が介設されている。また、上記各ターゲッ
ト4.4.4の下面側には、それぞれ電極6.6.6が
接続され、これら各mff16,6.6には、それぞれ
独立した放電電源7,7.7がリード線8,8.8を介
して接続されている。さらに、上記各ターゲット支持部
材3,3.3.3の下面側には、冷却装置9゜9・・・
が取付けられている。
本実施例においては上記のように構成された放電電極を
真空容器内に配置し、上記ターゲット4゜4・・・に対
面する位置に被処理物(図示せず)を配置する。そして
、各放電電源7.7.7から多電Fi6.6.6に高周
波電圧を印加することにより、マグネット2による中心
部から上記ターゲット4゜4・・・の内部貫通するよう
に放射状に発生する磁界と、上記各ターゲット4,4・
・・の内側に発生する電界とが直交する部分にプラズマ
10が発生する。
真空容器内に配置し、上記ターゲット4゜4・・・に対
面する位置に被処理物(図示せず)を配置する。そして
、各放電電源7.7.7から多電Fi6.6.6に高周
波電圧を印加することにより、マグネット2による中心
部から上記ターゲット4゜4・・・の内部貫通するよう
に放射状に発生する磁界と、上記各ターゲット4,4・
・・の内側に発生する電界とが直交する部分にプラズマ
10が発生する。
このプラズマ10によりターゲット4の内側面材料をイ
オン化して被処理物に被着さぜるものである。
オン化して被処理物に被着さぜるものである。
したがって、本実施例においては、ターゲット4の内側
に電子が閉じ込められるため、プラズマの放電が安定す
る。また、各ターゲット4の内側部分がそれぞれスパッ
タ源となるので、平面で均一なスパッド源となり、被処
理物への均一な膜形成が可能となる。さらに、本実施例
においては、各ターゲット4,4・・・にそれぞれ別個
の放電電源7.7・・・が接続されているので、各ター
ゲット4゜4・・・毎に細かい放電電流の制御を行なう
ことができ、極めて均一なスパッタ源となりうる。
に電子が閉じ込められるため、プラズマの放電が安定す
る。また、各ターゲット4の内側部分がそれぞれスパッ
タ源となるので、平面で均一なスパッド源となり、被処
理物への均一な膜形成が可能となる。さらに、本実施例
においては、各ターゲット4,4・・・にそれぞれ別個
の放電電源7.7・・・が接続されているので、各ター
ゲット4゜4・・・毎に細かい放電電流の制御を行なう
ことができ、極めて均一なスパッタ源となりうる。
また、上記各ターゲット4.4・・・を異なる物質で形
成するようにすれば、各ターゲット4.4・・・の放電
電力の制御により、合金物質の膜形成が可能となる。
成するようにすれば、各ターゲット4.4・・・の放電
電力の制御により、合金物質の膜形成が可能となる。
なお、上記ターゲットを、第2図に示すように、内側面
にテーパを形成するようにしてもよく、これにより、タ
ーゲット材料の上方への飛散が円滑に行なわれる。
にテーパを形成するようにしてもよく、これにより、タ
ーゲット材料の上方への飛散が円滑に行なわれる。
また、上記実施例においては、本発明に係る放電電極を
スパッタリング装置の放電陰極に適用した例を示したが
、イオンエツチング等のイオン源に適用することもでき
る。
スパッタリング装置の放電陰極に適用した例を示したが
、イオンエツチング等のイオン源に適用することもでき
る。
以上述べたように本発明に係る族N電極は、環状溝部を
有する複数の電極部材を、それぞれ絶縁部材を介して、
同心円状にかつ放射状磁界が上記溝部を貫通するように
配設し、これら各で極部材にそれぞれ放電電源を接続し
、上記各電極部材の放電電流をそれぞれ独立に制御する
ように構成したので、上記各電極部材への放電電流をそ
れぞれ別個に制御することにより、各電極部材の内側に
均一にプラズマを発生させることができ、例えばスパッ
タリング装置に適用すれば、均一な面蒸発源となり均一
に膜形成を行なうことが可能となり、さらに、各蒸発源
を責なる物質で形成すれば、合金物質の膜形成もできる
等の効果を奏する。
有する複数の電極部材を、それぞれ絶縁部材を介して、
同心円状にかつ放射状磁界が上記溝部を貫通するように
配設し、これら各で極部材にそれぞれ放電電源を接続し
、上記各電極部材の放電電流をそれぞれ独立に制御する
ように構成したので、上記各電極部材への放電電流をそ
れぞれ別個に制御することにより、各電極部材の内側に
均一にプラズマを発生させることができ、例えばスパッ
タリング装置に適用すれば、均一な面蒸発源となり均一
に膜形成を行なうことが可能となり、さらに、各蒸発源
を責なる物質で形成すれば、合金物質の膜形成もできる
等の効果を奏する。
第1図は本発明の一実施例を示す縦断面図、第2図はタ
ーゲットの他の実施例を示す縦断面図である。 1・・・円板、2・・・マグネット、3・・・ターゲッ
ト支持部材、4・・・ターゲット、5・・・絶縁体、6
・・・電極、7・・・放電電源、8・・・リード線、9
・・・冷却装置、10・・・プラズマ。 出願人代理人 猪 股 清 羊 ! 図 条2 図
ーゲットの他の実施例を示す縦断面図である。 1・・・円板、2・・・マグネット、3・・・ターゲッ
ト支持部材、4・・・ターゲット、5・・・絶縁体、6
・・・電極、7・・・放電電源、8・・・リード線、9
・・・冷却装置、10・・・プラズマ。 出願人代理人 猪 股 清 羊 ! 図 条2 図
Claims (1)
- 放射状に発生する閉磁界内に、同心状に配設された少な
くとも1つの環状溝部を有する電極部材を上記磁界が上
記溝部を貫通するように配設し、この電極部材を同心円
状にそれぞれ絶縁部材を介して複数配設するとともに上
記各電極部材にそれぞれ放電電源を接続し、上記電極部
材の放電電流をそれぞれ独立に制御するようにしたこと
を特徴とする放電電極。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12748585A JPS61284571A (ja) | 1985-06-12 | 1985-06-12 | 放電電極 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12748585A JPS61284571A (ja) | 1985-06-12 | 1985-06-12 | 放電電極 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61284571A true JPS61284571A (ja) | 1986-12-15 |
JPH0241583B2 JPH0241583B2 (ja) | 1990-09-18 |
Family
ID=14961105
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12748585A Granted JPS61284571A (ja) | 1985-06-12 | 1985-06-12 | 放電電極 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61284571A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02254162A (ja) * | 1989-03-27 | 1990-10-12 | Tokyo Electron Ltd | スパッタ装置 |
JPH07176398A (ja) * | 1994-10-24 | 1995-07-14 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
WO2000026430A1 (fr) * | 1998-10-30 | 2000-05-11 | Applied Materials Inc. | Appareil de pulverisation |
CN107523831A (zh) * | 2017-09-30 | 2017-12-29 | 江阴康强电子有限公司 | 粗化浸镀子槽 |
-
1985
- 1985-06-12 JP JP12748585A patent/JPS61284571A/ja active Granted
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02254162A (ja) * | 1989-03-27 | 1990-10-12 | Tokyo Electron Ltd | スパッタ装置 |
JPH07176398A (ja) * | 1994-10-24 | 1995-07-14 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
WO2000026430A1 (fr) * | 1998-10-30 | 2000-05-11 | Applied Materials Inc. | Appareil de pulverisation |
US6506290B1 (en) | 1998-10-30 | 2003-01-14 | Applied Materials, Inc. | Sputtering apparatus with magnetron device |
CN107523831A (zh) * | 2017-09-30 | 2017-12-29 | 江阴康强电子有限公司 | 粗化浸镀子槽 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0241583B2 (ja) | 1990-09-18 |
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