JPS63160356A - 半導体素子の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明は半導体素子の製造方法に関し、特に裏面にバ
ックメタル層を有する半導体ウエノ１のダイシング方法
に関するものである。

（従来の技術） 従来、半導体ウェハのダイシング方法は、該ウェハの裏
面にバックメタル層（各ダイスをヘッダーにダイスポン
ドする際、接着剤としての役目を果す）としてのＳ、　
膜を抵抗熱蒸着法によシ厚さ約１μｍ　に形成した後、
該Ｓｎ　形成面に直接ポイントスフライ１などのダイヤ
モンドカッタで、ダイスサイズ例えば３５０μｍ“の襞
間用のスクライブラインを設け、その後スクライブライ
ンに合わせてウェハを例えば押し割るという方法であっ
た。

（発明が解決しようとする問題点） しかしながら、上記のような方法では、Ｓｎ形成面にス
クライブラインを入れる際にＳｎ　　が妨げｉｃな！５
ウェハ迄スクライグラインが到達しにくく、また、伸開
時にＳｎ　はスクライグライン上で直線状には割れにく
く、ダイスサイズが均一にならないという問題点があっ
た。

この発明は１以上述べた劈開不良が発生するという問題
点を除去し、ダイシング歩留りを向上させることができ
る半導体素子の製造方法を提供することを目的とする。

（問題点を解決するための手段） この発明では、半導体ウエノ・の裏面に形成されたバッ
クメタル層のうち、伸開ライン上のバックメタル層をホ
トリン・エツチングによって除去し、劈開ラインの部分
だけワエノ・裏面を露出させ、そＯウェハ露出部分に対
してスクライプラインを形成し、そのスクライプライン
に沿って半導体クエへを分割する。

（作　用） 上記の方法においては、伸開ライン上のノＺツクメタル
７ｉｉ１’ｔ−ホトリソ・エッチングによって除去した
ので、バックメタル層が妨げとならず、＃−導体ウつバ
に確実にスクライプラインが形成される。

また、ノ々ツクメタル層は予め分割されたことになるの
で、臂一時にバックメタル層が直線状に割れでぐいとい
うことがなくなる。これらの結果、半導体ウェハがスク
ライプラインに沿って正確に開用るようになる。

（実施例） 以下この発明の一実施例を図面を参照して説明する。第
１図はこの発明の一実施例を工程順に示す断面図である
。この図の（ａ）において、　ＩＶｉ、半導体９エバ、
２はその裏面に蒸着形成された厚さ約１４ｒｙ＋　　の
バックメタル層としてのＳｎ　　膜であり、まず、この
Ｓｎ　　膜２上に感光性レジスト（０ＭＲ８３゜２８（
！ｐ相当）３を塗布し、ベークする。ここで、レジスト
塗布にはスピナーが用いられ１回転数は４０００　ｒｐ
ｍ％塗布時間は約３０秒である。また。

ベークは、−例として約８０’（／、　２０分で行われ
る。

次に、ベークされた感光性レジスト３を、第２図（ａ）
　、　（ｂ）のような劈開ライン１１の入った格子状の
ｇ光用マスク１２を用いて第１図（ｂ）に示すように約
４秒間ｇ元する。

次に、露光したウェハｌを現像し、感覚性しソスト３に
第１図（ｃ）に示すように劈開うインノ９ター／（劈開
ライン状にレジストが除去された部分）４を形成する。

その現像後、水洗を行い、さらにＮ２　　で１０−して
水滴を吹き飛ばした後に、再びベークする。

このベークは１例えば１４０℃、２０分間行われる。

ベーク後、Ｎ２　中で冷却する。そして、完全に冷却さ
れてから、第３図に示すように、ウエノＳｌを治具２１
に入れた状態で、水：硝酸：７フ化水素酸の混合液２２
で約１分間エツチングを行う。

このエツチングは、襞間うインノ臂ターン４を有する感
光性レジスト３をマスクとしてＳｎ　　膜２をエツチン
グするものであシ、このエツチングにより。

第１図（ｄ）に示すように劈開ライン上のＳｎ　　膜２
が除去され、劈開ライン部分の９エノ・ｌ裏面が露出す
る。

このエツチング後、５分以上の水洗を行い、さらにその
水洗後、Ｎ２　　グローする。そして、そのブロー後、
残っている感光性レジスト３を第１図（ｃ）に示すよう
に剥離液で剥離する。

しかる後、水洗３分以上を行い、トリクレンで５分プイ
ルし、更にアセトン、で５分超音波洗浄を行う。

そして、その洗浄後、ポイントスクライブなどのダイヤ
モンドカッタ３１で、第４図（ａ）　、　（ｂ）　、　
（ｃ）に示すように、劈開ライ／部分のつ二ノ・ｌ露出
部分に対して、グイシングするダイスのピッチで。

ウェハｌのエツジから約２０〜３０　ａｍ　離しｆｃと
ころに、約２００μｍの長さでスクライプライン５を形
成する。

そして、このようにしてスクライプライン５′Ｊ＆：形
成したならば、最後に、第５図のように保護シート４１
を敷いたフ９ムシート４２上にウェハｌを配置して、ス
フ２４１面の裏から押し割シ治具４３で半導体ウェハ１
をスクライプライン５に沿って押し割ることによシ、半
導体つエノ・ｌを各ダイスに分割する。

（発明の効果） 以上詳細に説明したように、この発明の方法によれば、
伸開ライン上のバックメタル層をホトリソ・エッチング
によって除去するようにしたので、半導体ウェハに確実
にスクライプラインを形成でき、かつ劈開時にバックメ
タル層が直線状に割れないという問題点を解決できる。

そして、これらの結果、半導体ウェハをスクライプライ
ンに沿って正確に割ることが可能となシ、ダイスサイズ
の均−化とダイシング歩留りの向上を図ることができる
。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の半導体素子の製造方法の一実施例乞
工程順に示す断面図、第２図は上記一実施例に用いられ
るマスクを示す全体斜視図および部分拡大図、第３図は
上記一実施例のエツチング工程を取出して示す斜視図、
第４図は上記一実施例のスクライブライン形成工程を取
出して示すウニ八裏面平面図２よび部分拡大図ならびに
断面図。 第５図は上記一実施例のクエハ分割工程を取出して示す
斜視図である。 ｌ・・・半導体ワエハ、２・・・Ｓｎ　　膜、３・・・
感光性レソヌト、５・・・スクライブライン、１２・・
・露光用マスク％２２・・・混合液、４３・・・押し割
シ治具。 （ｃ　）　　　　　　　　　　　　　　（ｄ）１２−ｍ
−亀九昂７人７ １（屓トｇ戸１−　ラ（Ｘ乞ブデｌ＝＝　　工　季里　
Ｆｌｆｒ　面ひゴ第１　図 ＋４本の￥′＋ηＬ区 （ａ） Ｉ −＠し斧拡１人図 （ｂ） 露光用マスク 第２− エツチング工程！ 第３図 （ａ）　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　（ｂＪｖｒ面図 （Ｃノ スグフイプフインル広工子￥ 第４　図 ／　　−−−チ導イ杢７エハ ４１−一−イマ；更シート ４２−ｍ−コームシート ４３−ｍ−子〒Ｌ削り５右具 ウェハ今ｖ１エナ呈 第５図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （ａ）半導体ウェハの裏面に形成されたバックメタル層
   のうち、劈開ライン上のバックメタル層をホトリソ・エ
   ッチングによつて除去し、劈開ラインの部分だけウェハ
   裏面を露出させる工程と、 （ｂ）次に、そのウェハ露出部分に対してスクライブラ
   インを形成する工程と、 （ｃ）その後、そのスクライブラインに沿つて半導体ウ
   ェハを分割する工程とを具備してなる半導体素子の製造
   方法。