JPS63158798A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
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- JPS63158798A JPS63158798A JP61304587A JP30458786A JPS63158798A JP S63158798 A JPS63158798 A JP S63158798A JP 61304587 A JP61304587 A JP 61304587A JP 30458786 A JP30458786 A JP 30458786A JP S63158798 A JPS63158798 A JP S63158798A
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- JP
- Japan
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- plasma
- chamber
- laser beam
- spark
- spark plug
- Prior art date
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- Granted
Links
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 title 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 claims description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 3
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Plasma Technology (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
本発明は誘導放電形高周波プラズマ装置等におけるプラ
ズマ処理装置において、 スパークプラグのスパッタリングによってプラズマが汚
染されてしまう従来装置の問題点を解決するため、 集光されたレーザ光の絶縁破壊を利用してプラズマ点火
することにより、 プラズマを汚染することなく点火でさ、しかも、プラズ
マを均一に発８１！シめ（ｑるようにしたちのである。
ズマ処理装置において、 スパークプラグのスパッタリングによってプラズマが汚
染されてしまう従来装置の問題点を解決するため、 集光されたレーザ光の絶縁破壊を利用してプラズマ点火
することにより、 プラズマを汚染することなく点火でさ、しかも、プラズ
マを均一に発８１！シめ（ｑるようにしたちのである。
本発明はプラズマ処理装置、特に、プラズマＣＶＤ装置
等に用いられる誘導放電形高周波プラズマ処理装置に関
する。一般に、プラズマＣＶＤ装置では微細なウェハを
成膜処理することから、ヂャンバ内は汚染されることな
く、常に清浄な状態に保たれていることが望まれる。
等に用いられる誘導放電形高周波プラズマ処理装置に関
する。一般に、プラズマＣＶＤ装置では微細なウェハを
成膜処理することから、ヂャンバ内は汚染されることな
く、常に清浄な状態に保たれていることが望まれる。
第２図は従来の誘導放電形高周波プラズマ装置における
プラズマ処理装置の一例の概略図を示す。
プラズマ処理装置の一例の概略図を示す。
１はチャンバで、周知の通りにガス導入及び排気が行な
われる。２は古層波発生装置で、チャンバ１の外周に取
付けられている。ＨＦは高周波電源である。３はスパー
クプラグで、チャンバ１の例えば上面側にチャンバ１内
に突出して取付けられている。４はウェハであり、チャ
ンバ１内に設置されている。
われる。２は古層波発生装置で、チャンバ１の外周に取
付けられている。ＨＦは高周波電源である。３はスパー
クプラグで、チャンバ１の例えば上面側にチャンバ１内
に突出して取付けられている。４はウェハであり、チャ
ンバ１内に設置されている。
ここで、高周波電源ＨＦにより高周波発生装置２におい
て高周波が発生され、スパークプラグ３によりスパーク
が発生され、これにより、チャンバ１内においてプラズ
マ点火が行なわれる。チャンバ１内ではガス導入及び活
気が行なわれ、周知の如くプラズマＣＶＤによってウェ
ハ４の成膜が行なわれる。
て高周波が発生され、スパークプラグ３によりスパーク
が発生され、これにより、チャンバ１内においてプラズ
マ点火が行なわれる。チャンバ１内ではガス導入及び活
気が行なわれ、周知の如くプラズマＣＶＤによってウェ
ハ４の成膜が行なわれる。
前記従来装置では、プラズマ点火をスパークプラグ３の
スパークによって行なっているため、経年変化によって
スパークプラグ３が摩耗してくると、スパークプラグ３
の金属粒子が飛散してプラズマに入り、プラズマが汚染
されてしまう問題点があった。又、このものは、チャン
バ１内のプラズマ発生個所にスパークプラグ３が突出し
ているので、チャンバ１内のプラズマが均一にならない
問題点があった。
スパークによって行なっているため、経年変化によって
スパークプラグ３が摩耗してくると、スパークプラグ３
の金属粒子が飛散してプラズマに入り、プラズマが汚染
されてしまう問題点があった。又、このものは、チャン
バ１内のプラズマ発生個所にスパークプラグ３が突出し
ているので、チャンバ１内のプラズマが均一にならない
問題点があった。
本発明になるプラズマ処理装置は、チャンバ５内におい
てレーザ光９を集光せしめ、該集光部分におけるレーザ
光の絶縁破壊によってスパーク１０を発生させてプラズ
マ点火を行なうよう構成してなる。
てレーザ光９を集光せしめ、該集光部分におけるレーザ
光の絶縁破壊によってスパーク１０を発生させてプラズ
マ点火を行なうよう構成してなる。
（作用〕
集光したレーザ光の絶縁破壊によってスパークを発生さ
せ、プラズマ点火を行なう。
せ、プラズマ点火を行なう。
第１図は本発明になる誘導放電形高周波プラズマのプラ
ズマ処理装置の一実施例の概略図を示し、同図中、第２
図と同一構成部分には同一番号を付してその説明を省略
する。同図中、５はチャンバで、例えば石英ガラス等に
て形成されており、その上部に石英ガラス又は一般のガ
ラスで構成された窓６が設けられている。７はレーザ光
発生装置で、尖頭出力が少なくとも１０ＭＷ程度の例え
ばエキシマレーザ光９を発生し、このレーザ光９がレン
ズ８で集束されて窓６を介してチャンバ５内に到達する
ように構成されている。
ズマ処理装置の一実施例の概略図を示し、同図中、第２
図と同一構成部分には同一番号を付してその説明を省略
する。同図中、５はチャンバで、例えば石英ガラス等に
て形成されており、その上部に石英ガラス又は一般のガ
ラスで構成された窓６が設けられている。７はレーザ光
発生装置で、尖頭出力が少なくとも１０ＭＷ程度の例え
ばエキシマレーザ光９を発生し、このレーザ光９がレン
ズ８で集束されて窓６を介してチャンバ５内に到達する
ように構成されている。
レーザ光発生装置７から発生された１０ＭＷ程度のレー
ザ光９はレンズ８で集束され、窓６を介してチャンバ５
内に至る。チャンバ５内においてレーザ光９の焦点では
絶縁破壊が起り、スパーク（７０）が発生する。このス
パーク１０によってチャンバ５内においてプラズマ点火
が行なわれる。
ザ光９はレンズ８で集束され、窓６を介してチャンバ５
内に至る。チャンバ５内においてレーザ光９の焦点では
絶縁破壊が起り、スパーク（７０）が発生する。このス
パーク１０によってチャンバ５内においてプラズマ点火
が行なわれる。
この場合、プラズマ点火はレーザ光９の焦点における絶
縁破壊によって生じるスパークによって行なわれるため
、第２図に示す従来装置のスパークプラグ３のスパッタ
リングによって生じるスパークのようにプラズマが汚染
されることはない。
縁破壊によって生じるスパークによって行なわれるため
、第２図に示す従来装置のスパークプラグ３のスパッタ
リングによって生じるスパークのようにプラズマが汚染
されることはない。
又、チャンバ５のプラズマ発生個所に第２図に示す従来
装置のスパークプラグのような突出するものがないので
、広い範囲にわたって等電位面を形成でき、プラズマの
均一性を保持できる。
装置のスパークプラグのような突出するものがないので
、広い範囲にわたって等電位面を形成でき、プラズマの
均一性を保持できる。
本発明によれば、レーザ光の絶縁破壊によってスパーク
を発生させているので、従来装置のようなスパークプラ
グの金属粒子の飛散によるプラズマ汚染を生じることな
くプラズマ点火を行ない得、又、チャンバに窓を設ける
だけで済み、従来装置のようにチャンバ内にスパークプ
ラグのようなものを設ける必要がないので、チャンバの
構造を簡単にでき、チャンバを小型に構成し得、更に、
チャンバ内には従来装置のような突出部分がないので、
広い範囲にわたって等電位面を形成でき、プラズマの均
一性を保持できる等の特長を有する。
を発生させているので、従来装置のようなスパークプラ
グの金属粒子の飛散によるプラズマ汚染を生じることな
くプラズマ点火を行ない得、又、チャンバに窓を設ける
だけで済み、従来装置のようにチャンバ内にスパークプ
ラグのようなものを設ける必要がないので、チャンバの
構造を簡単にでき、チャンバを小型に構成し得、更に、
チャンバ内には従来装置のような突出部分がないので、
広い範囲にわたって等電位面を形成でき、プラズマの均
一性を保持できる等の特長を有する。
第１図は本発明装置の一実施例の概略図、第２図は従来
装置の一例の概略図である。 図において、 ２は高周波発生装置、 ４はウェハ、 ５はチャンバ、 ６は窓、 ７はレーザ光発生装置、 ８はレンズ、 ９はレーザ光、 １０はスパークである。 代理人 弁理士 井 桁 貞 − ４飄−・１、 唸 ・・１・７゜ 排気 本発明装置の一実施例の概略図 第１図 番 排気 従来装置の一例の概略図
装置の一例の概略図である。 図において、 ２は高周波発生装置、 ４はウェハ、 ５はチャンバ、 ６は窓、 ７はレーザ光発生装置、 ８はレンズ、 ９はレーザ光、 １０はスパークである。 代理人 弁理士 井 桁 貞 − ４飄−・１、 唸 ・・１・７゜ 排気 本発明装置の一実施例の概略図 第１図 番 排気 従来装置の一例の概略図
Claims (1)
- チャンバ（５）内においてレーザ光（９）を集光せしめ
、該集光部分におけるレーザ光の絶縁破壊によつてスパ
ーク（１０）を発生させてプラズマ点火を行なうよう構
成したことを特徴とするプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61304587A JPH0810635B2 (ja) | 1986-12-19 | 1986-12-19 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61304587A JPH0810635B2 (ja) | 1986-12-19 | 1986-12-19 | プラズマ処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63158798A true JPS63158798A (ja) | 1988-07-01 |
| JPH0810635B2 JPH0810635B2 (ja) | 1996-01-31 |
Family
ID=17934789
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61304587A Expired - Lifetime JPH0810635B2 (ja) | 1986-12-19 | 1986-12-19 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0810635B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09180896A (ja) * | 1995-12-15 | 1997-07-11 | Applied Materials Inc | 半導体製造装置用のプラズマイグナイタ |
| WO2002080254A1 (fr) * | 2001-03-28 | 2002-10-10 | Tokyo Electron Limited | Dispositif de traitement plasma par micro-ondes, procede d'allumage de plasma, procede de formation de plasma et procede de traitement plasma |
| EP3908087A4 (en) * | 2019-05-09 | 2022-03-16 | SPP Technologies Co., Ltd. | PLASMA IGNITION PROCESS AND PLASMA GENERATOR |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS491191A (ja) * | 1972-03-06 | 1974-01-08 | ||
| JPS60143600A (ja) * | 1983-11-24 | 1985-07-29 | マツクス・プランク・ゲゼルシヤフト ツール フエールデルンク デア ビツセンシヤフテン エー フアウ | ホットプラズマ発生装置 |
-
1986
- 1986-12-19 JP JP61304587A patent/JPH0810635B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS491191A (ja) * | 1972-03-06 | 1974-01-08 | ||
| JPS60143600A (ja) * | 1983-11-24 | 1985-07-29 | マツクス・プランク・ゲゼルシヤフト ツール フエールデルンク デア ビツセンシヤフテン エー フアウ | ホットプラズマ発生装置 |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09180896A (ja) * | 1995-12-15 | 1997-07-11 | Applied Materials Inc | 半導体製造装置用のプラズマイグナイタ |
| WO2002080254A1 (fr) * | 2001-03-28 | 2002-10-10 | Tokyo Electron Limited | Dispositif de traitement plasma par micro-ondes, procede d'allumage de plasma, procede de formation de plasma et procede de traitement plasma |
| JP2002299241A (ja) * | 2001-03-28 | 2002-10-11 | Tadahiro Omi | マイクロ波プラズマプロセス装置、プラズマ着火方法、プラズマ形成方法及びプラズマプロセス方法 |
| EP1376668A1 (en) * | 2001-03-28 | 2004-01-02 | Tokyo Electron Limited | Microwave plasma process device, plasma ignition method, plasma forming method, and plasma process method |
| EP1376668A4 (en) * | 2001-03-28 | 2006-02-15 | Tokyo Electron Ltd | MICROWAVE PLASMA PROCESSING DEVICE, PLASMA IGNITION METHOD, PLASMA FORMING METHOD, AND PLASMA PROCESSING METHOD |
| US7141756B2 (en) | 2001-03-28 | 2006-11-28 | Tokyo Electron Limited | Microwave plasma processing apparatus, plasma ignition method, plasma forming method, and plasma processing method |
| CN1311531C (zh) * | 2001-03-28 | 2007-04-18 | 东京毅力科创株式会社 | 微波等离子体处理装置 |
| EP3908087A4 (en) * | 2019-05-09 | 2022-03-16 | SPP Technologies Co., Ltd. | PLASMA IGNITION PROCESS AND PLASMA GENERATOR |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0810635B2 (ja) | 1996-01-31 |
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