JPS63158733A - 陰極線管 - Google Patents
陰極線管Info
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Classifications
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Landscapes
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- Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明は、陰極線管に関し、特に動作中又は動作終了直
後のフェースプレート外表面の帯電を防止する陰極線管
に関する。
後のフェースプレート外表面の帯電を防止する陰極線管
に関する。
（従来の技術）
従来、陰極線管は、動作中、又は動作終了後にフェース
プレート外表面に静電荷が堆積し、フェースプレート外
表面にちりを吸着したり、人が触れた揚台等には、電気
ショックを与えることがある等の問題があった。
プレート外表面に静電荷が堆積し、フェースプレート外
表面にちりを吸着したり、人が触れた揚台等には、電気
ショックを与えることがある等の問題があった。
特公昭５４−２８２０号公報では、フェースプレート外
表面に酸化インジウム導電膜を含む多層膜を形成し、帯
電を防止する方法が提案されている。酸化インジウム膜
は、安定した導電性を有するので帯電防止の効果は絶大
であるが１表面反射を増加させるために、単層としては
利用できず多層膜を形成しなければならない、そのうえ
酸化インジウム膜は真空蒸着法で形成されるため、生産
が非常に困難である。又、コストも高い。
表面に酸化インジウム導電膜を含む多層膜を形成し、帯
電を防止する方法が提案されている。酸化インジウム膜
は、安定した導電性を有するので帯電防止の効果は絶大
であるが１表面反射を増加させるために、単層としては
利用できず多層膜を形成しなければならない、そのうえ
酸化インジウム膜は真空蒸着法で形成されるため、生産
が非常に困難である。又、コストも高い。
又、特開昭６１−１１８９３２号公報では、フェースプ
レート外表面に５１（ＯＲ）４（Ｒはアルキル基）を吹
き付けにより塗布し、８０℃以上１５０℃以下で焼成す
ることにより帯電防止性を有する陰極線管を得る方法が
示されている。しかし、この方法で得られた膜の強度は
、特に初期１週間ぐらいの間では非常に弱く、又、導電
性も不安定で特に時間とともに表面抵抗が増大していく
傾向があり、確実な帯電防止効果を得ることができない
、さらに特開昭６１−１１８９４６号公報ではＳｉｎ、
凹凸膜の最表面にシラノール基を含む層を形成すること
により導電性を持った膜を形成する方法が示されている
が、この方法も原理的には、特開昭６１−１１８９３２
号公報と同様であり１時間とともに帯電防止効果が劣化
していく傾向がある。特開昭６１−９１８３８号公報で
はｓｌを含む酸化物を少なくとも一種含んだ金属アルコ
キシド溶液を塗布する旨の記載があるが、これは防眩効
果のみしか得られず帯電防止効果は得られない。
レート外表面に５１（ＯＲ）４（Ｒはアルキル基）を吹
き付けにより塗布し、８０℃以上１５０℃以下で焼成す
ることにより帯電防止性を有する陰極線管を得る方法が
示されている。しかし、この方法で得られた膜の強度は
、特に初期１週間ぐらいの間では非常に弱く、又、導電
性も不安定で特に時間とともに表面抵抗が増大していく
傾向があり、確実な帯電防止効果を得ることができない
、さらに特開昭６１−１１８９４６号公報ではＳｉｎ、
凹凸膜の最表面にシラノール基を含む層を形成すること
により導電性を持った膜を形成する方法が示されている
が、この方法も原理的には、特開昭６１−１１８９３２
号公報と同様であり１時間とともに帯電防止効果が劣化
していく傾向がある。特開昭６１−９１８３８号公報で
はｓｌを含む酸化物を少なくとも一種含んだ金属アルコ
キシド溶液を塗布する旨の記載があるが、これは防眩効
果のみしか得られず帯電防止効果は得られない。
（発明が解決しようとする問題点）
以上述べたように、安定した帯電防止性、膜強度、容易
な製法を同時に満たす帯電防止膜を形成するのは非常に
困難であった。
な製法を同時に満たす帯電防止膜を形成するのは非常に
困難であった。
本発明は、安定した帯電防止性を有し、強度が充分で、
製造が容易な帯電防止膜を備えた陰極線管を提供するも
のである。
製造が容易な帯電防止膜を備えた陰極線管を提供するも
のである。
（問題点を解決するための手段）
Ｓｉのフルコートをディッピング、スピンコード等の方
法で塗布、焼成し、連続なＳｉｎ、膜を陰極線管のフェ
ースプレート外表面に形成することにより、安定した帯
電防止性を有した強度の良好な膜を備えた陰極線管を得
ることができる。
法で塗布、焼成し、連続なＳｉｎ、膜を陰極線管のフェ
ースプレート外表面に形成することにより、安定した帯
電防止性を有した強度の良好な膜を備えた陰極線管を得
ることができる。
（作用）
Ｓｌのアルコレートは、以下の２つの反応でＳｉｎ。
膜を形成すると考えられている。
（Ｒはアルキル基）
Ｓｉ（ＯＲ）、 ＋ ４ Ｈ，Ｏ→Ｓｉ（ＯＨ）４＋
４ ＲＯＨ−■５ｌ（Ｏｉ（）、→ＳｉＯ，＋ ２ Ｈ
，Ｏ・旧・・ ■この反応で■式の反応が行なわれると
、第１図に示す様に拳５ｉ−０−５ｉ拳の結合が形成さ
れ硬化する。しかし、■式の反応を完全に行なうために
は大変な高温を必要とし、７００℃以下では一部に＊５
ｉ−ＯＨが残留する。このような基を通常シラノール基
と呼ぶが、残留シラノール基は■及び■式の反応時の温
度が低い程多くなる。残留シラノール基が多い程自５ｉ
−０−８ｉｔ結合が少ないということであるから当然膜
強度は弱い、しかし、この残留シラノール基は、空気中
のＨ，０を吸着し、導電性を持たせる役割が有り、帯電
防止性を得るためには重要である。そのため従来では、
焼成温度を下げて膜強度を限界まで落として、帯電防止
性を得ようとした。ところが、このようにして残したシ
ラノール基は、常温でも時間がたつにつれて■の反応が
すすみ＝Ｓｉ−０−ＳｉＥ結合に変化してしまい、残留
シラノール基はｂずかになってしまい膜の強度は強くな
るが導電性が失われてしまう欠点がある１発明者らは、
Ｓｌのアルコレートにより形成されるＳｉｎ、膜の導電
性と、形成時の焼成温度と、膜状態の関係について詳細
に検討を加えた結果、第２図に示すような結果を得た。
４ ＲＯＨ−■５ｌ（Ｏｉ（）、→ＳｉＯ，＋ ２ Ｈ
，Ｏ・旧・・ ■この反応で■式の反応が行なわれると
、第１図に示す様に拳５ｉ−０−５ｉ拳の結合が形成さ
れ硬化する。しかし、■式の反応を完全に行なうために
は大変な高温を必要とし、７００℃以下では一部に＊５
ｉ−ＯＨが残留する。このような基を通常シラノール基
と呼ぶが、残留シラノール基は■及び■式の反応時の温
度が低い程多くなる。残留シラノール基が多い程自５ｉ
−０−８ｉｔ結合が少ないということであるから当然膜
強度は弱い、しかし、この残留シラノール基は、空気中
のＨ，０を吸着し、導電性を持たせる役割が有り、帯電
防止性を得るためには重要である。そのため従来では、
焼成温度を下げて膜強度を限界まで落として、帯電防止
性を得ようとした。ところが、このようにして残したシ
ラノール基は、常温でも時間がたつにつれて■の反応が
すすみ＝Ｓｉ−０−ＳｉＥ結合に変化してしまい、残留
シラノール基はｂずかになってしまい膜の強度は強くな
るが導電性が失われてしまう欠点がある１発明者らは、
Ｓｌのアルコレートにより形成されるＳｉｎ、膜の導電
性と、形成時の焼成温度と、膜状態の関係について詳細
に検討を加えた結果、第２図に示すような結果を得た。
この図は。
布した後１５♂：”’ｔ’２０〜１間焼成した膜であり
、■及びに）ディッピングにより塗布した後、■は１５
０℃。
、■及びに）ディッピングにより塗布した後、■は１５
０℃。
２０分間、に）は４００℃、２０分間で焼成した膜であ
る。
る。
又■は何も塗布していない時の表面抵抗値である。
この様に吹き付は法によって塗布した場合は、焼成温度
が低ければ、最初のうちは、シラノール基が豊富なため
に１表面抵抗が低いが、徐々にシラノール基が減少して
しまい、２０日程度で未処理の表面抵抗とほとんど変ら
なくなってしまう、又。
が低ければ、最初のうちは、シラノール基が豊富なため
に１表面抵抗が低いが、徐々にシラノール基が減少して
しまい、２０日程度で未処理の表面抵抗とほとんど変ら
なくなってしまう、又。
焼成温度が高い場合は、シラノール基をほとんど失って
しまうため、最初から効果は見られない。
しまうため、最初から効果は見られない。
ディッピング法により塗布した場合は、抵抗値の変化は
見られない、これは以下の理由による。
見られない、これは以下の理由による。
第１図（ａ）及び第１図（ｂ）にディッピング法及び吹
き付は法により形成された膜の断面図を示す。
き付は法により形成された膜の断面図を示す。
第１図（ａ）において、■はディッピング法によって形
成された被膜であり、第１図（ｂ）において、■は吹き
付は法によって形成された被膜である。
成された被膜であり、第１図（ｂ）において、■は吹き
付は法によって形成された被膜である。
■の被膜は、ある部分において、膜がとぎれている部分
があるのに対して、０の被膜はとぎれていない、■の被
膜の様な状態は、表面抵抗値を下げるためには、明らか
に不利であり、又この様な塗布の状態では、面積あたり
の膜形成物質の量が少ないので、シラノール基の盆も少
なく、導電性も得られにくい、この欠点を解決するため
に、吹き付は量を多くして、とぎれ部分をなくそうとす
ると付着しすぎる部分が生じて、膜強度が落ちるため好
ましくない、そのため、ディッピング法等で均一で連続
な膜を形成してやるのが望ましい、又。
があるのに対して、０の被膜はとぎれていない、■の被
膜の様な状態は、表面抵抗値を下げるためには、明らか
に不利であり、又この様な塗布の状態では、面積あたり
の膜形成物質の量が少ないので、シラノール基の盆も少
なく、導電性も得られにくい、この欠点を解決するため
に、吹き付は量を多くして、とぎれ部分をなくそうとす
ると付着しすぎる部分が生じて、膜強度が落ちるため好
ましくない、そのため、ディッピング法等で均一で連続
な膜を形成してやるのが望ましい、又。
残留シラノール基は時間とともに減少していくが。
全てのシラノール基がなくなるわけでなく、ある程度時
間がたつと減少しなくなり、わずかに残るシラノール基
がある。このような、わずかの残留シラノール基で導電
性を保つためには、ある程度の厚さを持った連続な被膜
でなければならない。
間がたつと減少しなくなり、わずかに残るシラノール基
がある。このような、わずかの残留シラノール基で導電
性を保つためには、ある程度の厚さを持った連続な被膜
でなければならない。
この様にわずかのシラノール基でも連続膜であれば導電
性を保てるため、焼成温度も高くでき、し０４−以上で
あった。又、Ｏ，１５％以上になると膜の強度が極端に
落ちるため、好ましい厚さは０．０４．Ｂ〜０．１５μ
ｓとなる。
性を保てるため、焼成温度も高くでき、し０４−以上で
あった。又、Ｏ，１５％以上になると膜の強度が極端に
落ちるため、好ましい厚さは０．０４．Ｂ〜０．１５μ
ｓとなる。
（実施例）
以下に実施例を示す。
２１インチ型カラー受像管のフェースプレート外表面に
、第１表に示す組成の液を第１図（ａ）に示す様にディ
ッピング法によって塗布し、３００℃、２０分間焼成し
た。
、第１表に示す組成の液を第１図（ａ）に示す様にディ
ッピング法によって塗布し、３００℃、２０分間焼成し
た。
第１表
Ｓｌのアルコレートとしては、エチルシリケート、又、
溶剤には、イソプロピルアルコールとｎ−ブチルアルコ
ールの混合溶液を使用し、硝酸は触媒として微量加える
。この時Ｓｉｎ、 ＠は防爆バンドを介して接地されて
いる。
溶剤には、イソプロピルアルコールとｎ−ブチルアルコ
ールの混合溶液を使用し、硝酸は触媒として微量加える
。この時Ｓｉｎ、 ＠は防爆バンドを介して接地されて
いる。
以上の条件で第１図（ａ）に示す様に５１０．膜をフェ
ースプレート外表面に形成した２１インチ型カラー受像
管の特性を第２表に示す、比較品としての吹き付は品は
同組成の液を２１インチ型カラー受像管のフェースプレ
ート外表面に塗布し、１５０℃２０分間焼成したもので
ある。ここで誘導電位とは。
ースプレート外表面に形成した２１インチ型カラー受像
管の特性を第２表に示す、比較品としての吹き付は品は
同組成の液を２１インチ型カラー受像管のフェースプレ
ート外表面に塗布し、１５０℃２０分間焼成したもので
ある。ここで誘導電位とは。
２１インチ型カラー受像管を点灯後２０後の誘導電位を
測定したもので、又、膜強度は砂消しゴムに１１ｃｇ／
ａＪの圧力をかけて５０回往復したときの膜のハガレに
よって判定した。
測定したもので、又、膜強度は砂消しゴムに１１ｃｇ／
ａＪの圧力をかけて５０回往復したときの膜のハガレに
よって判定した。
第２表
第２表からもわかる様に本発明品は、製造後３０００時
間たっても帯電防止効果が充分であり、又、膜強度は最
初から充分である。
間たっても帯電防止効果が充分であり、又、膜強度は最
初から充分である。
ところが、吹き付は法によると膜強度は、時間とともに
強くなるが、帯電防止効果が時間とともになくなってく
る。
強くなるが、帯電防止効果が時間とともになくなってく
る。
本実施例ではディッピング法を用いたがスピンコード法
等でも同様の効果があることは言うまでもない。
等でも同様の効果があることは言うまでもない。
明細υの浄誓（内容に変更なし）
〔発明の効果〕
以上述べた様に、本発明によると、帯電防止効果が良好
でしかもその時間変化がなく、且つ膜強度の強い陰極線
管を容易に得ることができる。
でしかもその時間変化がなく、且つ膜強度の強い陰極線
管を容易に得ることができる。
第１図（ａ）及び（ｂ）はディッピング法、及び吹きつ
け法によって５ｉ０２１１９を形成したフェースプレー
トの断面図、第２図は製造後の時間とフェースプレート
表面の表面抵抗の関係を表わす特性図であり、第３図は
表面抵抗と膜厚の関係を表わす特性図である。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 同 大胡負夫 第１図 第２図 ρ、ρ２ ρ、Ｄｔｔ Ｏ，θ乙 ρ、ＯＦ？
αｆ α／２ Ｄ・ｆ４腹 １−） 第８図
け法によって５ｉ０２１１９を形成したフェースプレー
トの断面図、第２図は製造後の時間とフェースプレート
表面の表面抵抗の関係を表わす特性図であり、第３図は
表面抵抗と膜厚の関係を表わす特性図である。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 同 大胡負夫 第１図 第２図 ρ、ρ２ ρ、Ｄｔｔ Ｏ，θ乙 ρ、ＯＦ？
αｆ α／２ Ｄ・ｆ４腹 １−） 第８図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）少なくともフェースプレート外表面にＳｉのアルコ
レートより形成された連続なＳｉＯ＿２膜を有し、前記
ＳｉＯ＿２膜は接地されていることを特徴とする陰極線
管。 ２）前記ＳｉＯ＿２膜は厚さ０．０４μｍ以上０．１５
μｍ以下であることを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の陰極線管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30399086A JPS63158733A (ja) | 1986-12-22 | 1986-12-22 | 陰極線管 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30399086A JPS63158733A (ja) | 1986-12-22 | 1986-12-22 | 陰極線管 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63158733A true JPS63158733A (ja) | 1988-07-01 |
Family
ID=17927716
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30399086A Pending JPS63158733A (ja) | 1986-12-22 | 1986-12-22 | 陰極線管 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63158733A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0366090A2 (en) * | 1988-10-25 | 1990-05-02 | Asahi Glass Company Ltd. | Cathode ray tube |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6191838A (ja) * | 1984-10-12 | 1986-05-09 | Hitachi Ltd | ブラウン管 |
-
1986
- 1986-12-22 JP JP30399086A patent/JPS63158733A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6191838A (ja) * | 1984-10-12 | 1986-05-09 | Hitachi Ltd | ブラウン管 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0366090A2 (en) * | 1988-10-25 | 1990-05-02 | Asahi Glass Company Ltd. | Cathode ray tube |
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