JPS63157046A - 内部欠陥検査方法 - Google Patents

内部欠陥検査方法

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JPS63157046A
JPS63157046A JP61306039A JP30603986A JPS63157046A JP S63157046 A JPS63157046 A JP S63157046A JP 61306039 A JP61306039 A JP 61306039A JP 30603986 A JP30603986 A JP 30603986A JP S63157046 A JPS63157046 A JP S63157046A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、内部欠陥検査方法、特に、放射線による内部
透視により、検査対象物の内部欠陥を検査する方法に関
するものである。
〔従来の技術〕
電子回路のはんだ接続部等における内部欠陥を検査する
方法として、X線等の放射線による内部透視技術が用い
られている。このようなX線を用いる方法で従来用いら
れていたものには、谷本慶哲: 「最近の非破壊検査技
術」 (配管と装置、VoQ25.Na3 (1985
)pp54−60)に記載されているように、X線CT
スキャナ、X線テレビ装置があるにれらの装置は、検査
対象物(以下対象物と称する)にX#lを照射して得ら
れるX線透視画像、もしくはX線投影画像より、対象物
の内部欠陥を非破壊で検査しようとするものである。
〔発明が解決しようとする問題点〕
前述の従来の技術で、X線CTスキャナは対象物の断面
形状を複数の1次元投影画像から再構成するものである
が、対象物全体を各投影画像において含む必要があり1
分解能としては200〜500μmと大きく、微小な欠
陥検出には不適であり、また全周方向からX線を照射し
、その投影画像を得る必要があるため、検査時間が長く
なる欠点がある。一方X線テレビ装置は分解能は高いが
、(一般には20〜30μm)、対象物の単なる透視画
像を扱うため、内部欠陥の3次元形状を知ることが国道
である。
本発明は、従来技術の欠点を除き、実装部品における電
子回路のはんだ接続部等における内部欠陥の3次元形状
を短い検査時間で検査可能とすることを目的とするもの
である。
〔問題点を解決するための手段〕 前述の問題を解決するためにとられた本発明の構成は、
放射線による内部透視により、検査対象物の内部欠陥を
検査する方法において、前記放射線を前記検査対象物に
対し天頂角が鋭角をなし方位角の異なる複数方向から照
射して、複数個の前記検査対象物の2次元透視画像を得
る第1の工程と、該第1の工程で得られた前記2次元透
視画像上の前記検査対象物中の検査部分の画像のみを抽
出し、前記放射線の線源に対して逆投影して該検査部分
の3次元立体像を作成する第2の工程と、該第2の工程
で得られた前記3次元立体像から前記検査部分の欠陥の
評価を行なう第3の工程とを有することを特徴とするも
のである。
〔作用〕
本発明の内部欠陥検査方法では、第1の工程で対象物に
対し放射線を天頂角が鋭角をなし方位角の異なる複数方
向から照射して、複数個の対象物の2次元透視画像を求
めているので、対象物の3次元形状の特徴を捉えるのに
適している。すなわち、Xl&CTスキャナが全周方向
からの1次元の投影画像を用いているため、特定の断面
形状しか検出できないのに対し、本発明は対象物の3次
元形状の検出を可能とする。
また、第2の工程で、第1の工程で得られた2次元透視
画像上の対象物中の検査部分の画像のみを抽出し、線源
に対して逆投影して検査部分の3次元立体像を作成する
ようになっている。すなわち、X線照射範囲は、対象物
全体ではなく、検査すべき範囲に限定できることから、
高い分解能の画像検出が可能である。更に、検査に必要
とする検査部分の最小限の画像データのみを抽出して、
断面像再生を行なうので、断面像再生に用いるデータ数
を削減でき、演算処理の高速化が実現できる。
〔実施例〕
以下、実施例について説明する。
第2図および第3図は検査対象となる電子回路モジュー
ルの一例の構造を示すもので、第2図は斜視図、第3図
は断面図を示している。この電子回路モジュールは、セ
ラミック基板1上にICチップ2がはんだで接続されて
実装されている。セラミック基板1は、配線層1a〜1
dを積層した多層構造で、各配線層1a、lb、lc、
ld間には所定の格子寸法位置に金属が充填されたスル
ーホール3があり、また各配線層1a〜1dには薄膜金
属よりなる配線回路4が設けられている。
セラミック基板1の上面にICチップ2が搭載され、こ
れをはんだ5で接続した構造になっており、下面には接
続用ピン6が設けられている。なお。
第3図の5aははんだ接続部のはんだ5中のはんだ気泡
を示したもので、はんだ接続部における検査すべき欠陥
を示している。
第1図は、本発明の内部欠陥検査方法の一実施例に用い
る内部欠陥検査方法の説明図である。二μ の図で、7は例えば焦点サイズが5鱒φのX線源、8は
対象物9を搭載する試料ステージで、ステージ制御装置
10を用い、計算機の指令信号に従って、互に直角をな
すX軸及びY軸方向の位置や、傾き角度θl、θ2を自
動設定できるようになっている。11はX線検出器で、
対象物9の透視画像を撮像できるようになっており、撮
像された透視画像はAD変換器12でAD変換した後、
画像メモリー13a〜13nに格納される6画像メモリ
13a〜13nは計算機14から読み出し可能に構成さ
れ、計算機14による演算処理により欠陥判定が行なわ
れる。
次に1本発明の内部欠陥検査方法の一実施例として、検
査対象に対して4方向からX、$!を照射して透視画像
を検出し欠陥判定を行なう場合について第4〜第10図
を用いて説明する。これらの図で第1〜第3図と同一の
部分及び相互に同一の部分には同一の符号が付しである
検査に先立って、第4図の斜視図に示すような、対象物
と等価な外形を持つX線遮蔽板15上に。
はんだ検査個所に対応する位置にX線透過窓16を設け
た座標較正用の治具を用い、投影画像の座標較正を行な
う、すなわちこの治具を、試料ステージ8上に搭載し、
各X線透過窓16について、後述の如き実際の対象物に
よる検査と一致する透視位置、角度から、4方向の透視
画像を得、これによって各検出画像の座標基準軸を定め
る。
次に対象物9を試料ステージ8上に搭載し、第1図に示
すように、はんだ接続部の透視位置(X。
Y)へ移動させた後、(θl、θ2)を(0,±α)と
(±α、0)で決定される各々の角度に設定し。
この4方向からX線を順次照射し、第5図に示すような
各検出角度A−Dでその透視画像を得る。
第6図は、この時得られる対象物9に対する透視画像の
説明図で、X線透過率が高い配線回路に比べて、透過率
が低いはんだ接続部の像17や金属充填スルーホールの
後18或いは接続ピンの像が鮮明に得られる。
なお、検出角度は、通常は、対象物の法線と入射X線と
のなす角、すなわち天頂角が45°で方位角が90°置
きにとられる。
計算機14では、座標較正用の治具の透視画像から求め
た座標軸U&・V&〜U6・V、を基準とし、予め設定
した各はんだ接続点位置データに従って、同一はんだ接
続点に対する4枚の透視画像(例えば19a〜19d)
を各検出角度の透視画像上から抽出する。
このとき得られる透視画像は、第7図に示すように、点
状のX線源20から照射されたX線が、はんだ接続点2
1を透過し検出器面22に結像したもので、X線g20
が点状であり、X線が直進する性質を持つことから、実
対象物の像は、X線源20の位置Aから、はんだ接続点
21の位置Bと検出器面22上の投影位ICとの距離の
比、AC/AB=にだけ拡大されたものとなり、このK
を大きく設定することで高い分解能での検出が可能とな
る。
計算機14上では、同図で示すように、はんだ接続点2
1の中心を原点とし、x−yまたはy −2面上に4方
向透視時の各xmm位置が存在するようにして選んだ基
準の直交座標軸x−y−zを設定する。さらに、この原
点の検出器面22上の投影位置をその原点としてもち、
X・・・y軸と平行となるように設定した座標軸Xa−
Yaを想定し、この座標上に、はんだの投影抽出画像1
9aをX線照射方向に写影した像23aを作成する。は
んだ接続点21の径りに対して、XAII!20との距
1aABを充分大きくすれば、A点より径りを見込む角
度は極めて小さな値となり、はんだ接続点21を透過す
るXliは全て平行光とみなすことが出来る。従って写
影画像23aを作成するには、この座標系Xa−Y&に
対し、第8図に示すように投影面19aの上に直交座標
系Ua−Vaを設定し、また照射X線がX&軸とθXの
角度をなし、IJ&・Vo面にほぼ垂直に入射するもの
と見なせば、Ua”Va座標上の像(Uo−Vo)は、
X&・Ya座標上の cosθX で決定される位置に写像できることから、求められる。
同様な方法で、他の3枚の投影抽出画像19b〜19d
から、写影画像23b〜23dを作成する。
次に、予め対象物を除いて得た照射X線の直接検出デー
タIoを用い、前述の各写影画像23a−〜23 dか
ら各画素毎に濃度値V* =log (Io/IAO)
I(I^D;各画素の画像検出値)に変換した画像PA
 (xa、 ya) 〜Po (Xmt Y4)を作成
し、これを第9図で示すように、各Xa照射方向に逆投
影し、x −y −z座標軸上に、濃度値で表到 ここに調達するX線ビームが立体像S(X+ y+2)
中の通過する各画素の濃度値の総和であり、また照射X
線が平行光であると見なせることから、下記に示す(1
)〜(4)の関係式が得られる。
但し、各投影角度は、Z軸に対してαの方向とする。ま
た、Z軸方向の立体像再生範囲をZ min〜Zmax
 とする。
上記関係式から、s (xt yt z)の各画素の濃
度値を求めれば、立体像が得られるが、一般には(1)
〜(4)の方程式は、多項式の数に比べ未知数が多くな
り、直接解を求めることが困難である。
この為、逐次近火法と呼ばれる手法を適用し近似解を求
める。即ち、初期値としてs(’)(xt ytz)=
Pを与えた後、下記の(5)〜(7)により5(xt 
y+ z)に対する推定値の補正を繰り返す。
(に−1) = S   (Xa −Z−sina 、 Ya、 Z
)=S    (Xb、  Yb+sinα、  Z)
(K”3) S    (Xc+  Yc−Zsinα、  Z)但
しKは推定値の補正回数を示す。
(5)〜(8)を繰り返し適用し、補正回数Kが所定の
値となった時点で演算を終了する。
このようにして求めたs (x p y t z )の
立体像から、水平方向の断面像” CXe V+ Zl
ilaX )〜S (x、 y、 zain )を抜き
出せば、第10図に示すような、はんだに相当する24
〜27の断面像の内部に、気泡の像28〜30を含んだ
ものが得られる。
本発明は、この気泡の各断面積Ω、を求め、これを全て
の画像に対して加算した値Vを次式で算出し、気泡体積
として欠陥評価に用いるものである。
j”jllin ここで′rは断面像のスライス間隔を示す。
この実施例によれば、検査対象欠陥の3次元的特徴を評
価することが可能となり、はんだ接続部の内部に発生す
る気泡、はんだ接続部の外形不整の検査等、大きさで致
命度が決定される欠陥の検査に効果がある。
また、必要最小限のデータを用いることから、検査の高
速化にも効果がある。
〔発明の効果〕
本発明は、実装部品における電子回路のはんだ接続部等
における内部欠陥の3次元形状を短い検査時間で検査可
能とする内部欠陥検査方法を提供可能とするもので、産
業上の効果の大なるものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の内部欠陥検査方法の一実施例を実施す
る内部欠陥検査装置の説明図、第2図は内部欠陥検査の
検査対象の斜視図、第3図は同じく断面図、第4図〜第
10図は本発明の内部欠陥検査方法の一実施例を説明す
るもので、第4図は検出画像の座標較正治具の斜視図、
第5図は透視画像検出動作の説明図、第6図は検出した
透視画像の説明図、第7図ははんだ接続点に対するX線
検出光学系の説明図、第8図は立体像再生演算に使用す
る画像の作成方法の説明図、第9図は立体像作成方法の
説明図、第10図は再生断面像の説明図である。 7・・・X線源、8・・・試料ステージ、9・・・検査
対象物、10・・・ステージ制御装置、11・・・X線
検出器。 12・・・AD変換器、13・・・画像メモ1ハ 14
 ・・・計(ほか1名) q−xm譚 8−Kfl−ステージ ’?−1交F体柳 10−−ステージvw装置 tt −−−X#撲出界 ノ2−A D#:jpU乏1 /3−一 謔1葛にメモり 14−一灯1槽 第2図 4−1υ家C外 5−− (fl−八°。 父−C!んだ人名 第40 7・′ 第51¥1 ぬl!I廣δ 第6図 梗出轡より ZzとQ #80 第9図 S(χ循4す S(χ’f−1j、す3) 名IO図 ■

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、放射線による内部透視により、検査対象物の内部欠
    陥を検査する方法において、前記放射線を前記検査対象
    物に対し天頂角が鋭角をなし方位角の異なる複数方向か
    ら照射して、複数個の前記検査対象物の2次元透視画像
    を得る第1の工程と、該第1の工程で得られた前記2次
    元透視画像上の前記検査対象物中の検査部分の画像のみ
    を抽出し、前記放射線の線源に対して逆投影して該検査
    部分の3次元立体像を作成する第2の工程と、該第2の
    工程で得られた前記3次元立体像から前記検査部分の欠
    陥の評価を行なう第3の工程とを有することを特徴とす
    る内部欠陥検査方法。 2、前記第3の工程が、前記第2の工程で得られた前記
    3次元立体像の前記検査部分を平行平面でスライスして
    得られた複数枚の断面像から欠陥の面積を求め、これら
    の欠陥の面積を全ての断面にわたつて加算して、前記検
    査部分の欠陥体積を求める工程である特許請求の範囲第
    1項記載の内部欠陥検査方法。
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