JPS63156858A - 半導電性シリコ−ンゴム組成物 - Google Patents
半導電性シリコ−ンゴム組成物Info
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- JPS63156858A JPS63156858A JP30354286A JP30354286A JPS63156858A JP S63156858 A JPS63156858 A JP S63156858A JP 30354286 A JP30354286 A JP 30354286A JP 30354286 A JP30354286 A JP 30354286A JP S63156858 A JPS63156858 A JP S63156858A
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Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は、体積固有抗折値が107〜1010Ω・■の
範囲にあるシリコーンゴム成形品の抵抗値のバラツキを
少なくすることのできる半導電性シリコーンゴム組成物
に関するものである。
範囲にあるシリコーンゴム成形品の抵抗値のバラツキを
少なくすることのできる半導電性シリコーンゴム組成物
に関するものである。
カーボンブラックを導電性付与剤として配合した体積固
有抵抗が107〜1010Ω・■の範囲にある半導電性
シリコーンゴム組成物は、電子写真方式の一成分作像シ
ステム等における現像ロールあるいは転写ロールなどの
素材として使用されている。
有抵抗が107〜1010Ω・■の範囲にある半導電性
シリコーンゴム組成物は、電子写真方式の一成分作像シ
ステム等における現像ロールあるいは転写ロールなどの
素材として使用されている。
しかしながら、従来公知のこの種の半導電性シリコーン
ゴム組成物では、これから得られる成型品の体積固有抵
抗値のバラツキが10倍から1000倍程度に達っする
ため、これらのシリコーンゴム組成物を素材とした現像
ロールあるいは転写ロールは、均一な現像や転写を行う
ことができず、画像ムラ等が発生し満足できる画像品質
が得られないという欠点があった。
ゴム組成物では、これから得られる成型品の体積固有抵
抗値のバラツキが10倍から1000倍程度に達っする
ため、これらのシリコーンゴム組成物を素材とした現像
ロールあるいは転写ロールは、均一な現像や転写を行う
ことができず、画像ムラ等が発生し満足できる画像品質
が得られないという欠点があった。
本発明は、体積固有抵抗値が107〜1010Ω・国の
範囲にあるシリコーンゴム成形品の抵抗値のバラツキを
少なくすることのできる半導電性シリコーンゴム組成物
を提供することを目的とする。
範囲にあるシリコーンゴム成形品の抵抗値のバラツキを
少なくすることのできる半導電性シリコーンゴム組成物
を提供することを目的とする。
本発明によれば、シリコーンゴム基材に、カーボンブラ
ックを含有する架橋ずみのシリコーンゴム粉砕品を配合
してなることを特徴とする半導電性シリコーンゴム組成
物が提供される。
ックを含有する架橋ずみのシリコーンゴム粉砕品を配合
してなることを特徴とする半導電性シリコーンゴム組成
物が提供される。
本発明者は、カーボンブラックを配合した半導電性シリ
コーンゴム組成物の体積固有抵抗値のバラツキを少なく
する方法について種々検討した結果、未架橋シリコーン
ゴム基材に充填剤として。
コーンゴム組成物の体積固有抵抗値のバラツキを少なく
する方法について種々検討した結果、未架橋シリコーン
ゴム基材に充填剤として。
カーボンブラックを含有する架橋ずみのシリコーン粉砕
品を添加すると、単に充填剤としてカーボンブラックを
添加した組成物から得られる従来の成型品とは異なり、
抵抗値のバラツキが非常に僅かな範囲にとどまる半型導
性シリコーン組成物が得られることを見い出し本発明を
完成するに到った。
品を添加すると、単に充填剤としてカーボンブラックを
添加した組成物から得られる従来の成型品とは異なり、
抵抗値のバラツキが非常に僅かな範囲にとどまる半型導
性シリコーン組成物が得られることを見い出し本発明を
完成するに到った。
以下、本発明の半導電性シリコーン組成物について説明
する。
する。
本発明の組成物の基材とされるシリコーンゴムは従来公
知のものが任意に適用でき、たとえば下記一般式(1)
で示されるオルガノシロキサン系ゴムが用いられる。
知のものが任意に適用でき、たとえば下記一般式(1)
で示されるオルガノシロキサン系ゴムが用いられる。
Ra5ioB (I)
(式中、Rは、メチル基、エチル基、アルキル基、ビニ
ル基、アリル基、フェニル基およびそれらがハロゲンな
どの置換基で置換された一価炭化水素基を表わし、aは
1.90〜2.05の数である。)本発明においては、
上記一般式(I)において、Hのうち0.02〜10モ
ル2がビニル基であり、その粘度が25℃で1000〜
500,0OOC5であるオルガノポリシロキサンを用
いることが望ましい。
ル基、アリル基、フェニル基およびそれらがハロゲンな
どの置換基で置換された一価炭化水素基を表わし、aは
1.90〜2.05の数である。)本発明においては、
上記一般式(I)において、Hのうち0.02〜10モ
ル2がビニル基であり、その粘度が25℃で1000〜
500,0OOC5であるオルガノポリシロキサンを用
いることが望ましい。
このようなシリコーンゴム基材はそれ自体高い絶縁性(
1o1S〜101GΩ・■)を有するので、このものを
半導電性(107〜10”Ω・G)とするために、本発
明においてはカーボンブラックを含有する架橋ずみのシ
リコーンゴム粉砕品を添加することを必要とする。
1o1S〜101GΩ・■)を有するので、このものを
半導電性(107〜10”Ω・G)とするために、本発
明においてはカーボンブラックを含有する架橋ずみのシ
リコーンゴム粉砕品を添加することを必要とする。
粉砕品の主材である架橋ずみのシリコーンゴムとしては
、熱加硫型シリコーンゴム、あるいは低温硬化型シリコ
ーンゴムなどの何れもが使用できるが、効果の発現性か
らみて、熱加硫型シリコーンゴムを用いることが望まし
い。
、熱加硫型シリコーンゴム、あるいは低温硬化型シリコ
ーンゴムなどの何れもが使用できるが、効果の発現性か
らみて、熱加硫型シリコーンゴムを用いることが望まし
い。
このカーボンブラックを含有する架橋ずみのシリコーン
ゴム粉砕品はシリコーンゴム基材100重量部に対し5
〜95重量部配合される。
ゴム粉砕品はシリコーンゴム基材100重量部に対し5
〜95重量部配合される。
また、カーボンブラックを含有する架橋ずみのシリコー
ンゴムの形状はいずれのものであってもよいが、通常は
シート状に成形され、その粒径が0.1〜1 、0mm
程度としたものが好ましく適用される。
ンゴムの形状はいずれのものであってもよいが、通常は
シート状に成形され、その粒径が0.1〜1 、0mm
程度としたものが好ましく適用される。
本発明において、導電性付与剤として用いるカーボンブ
ラックに特に制限はなく、一般に市販されている、たと
えば、アセチレンブラック、オイルファーネスブラック
、ガスブラック、アントラセンブラック等のようなもの
が好ましく使用される。
ラックに特に制限はなく、一般に市販されている、たと
えば、アセチレンブラック、オイルファーネスブラック
、ガスブラック、アントラセンブラック等のようなもの
が好ましく使用される。
カーボンブラックの添加量は、本発明に係る半導電性シ
リコーンゴム組成物に所望される体積固有抵抗が107
〜1010Ω・■であることから、架橋ずみのシリコー
ンゴム粉砕品100重量部に対し、2〜8重量部とする
のが適当である。
リコーンゴム組成物に所望される体積固有抵抗が107
〜1010Ω・■であることから、架橋ずみのシリコー
ンゴム粉砕品100重量部に対し、2〜8重量部とする
のが適当である。
また、導電性付与剤として、カーボンブラック以外のも
の、たとえば金属粉、繊維状導電物質等を用いた場合に
は、必要とする導電性を得るために、これらを極めて多
量に添加しなければならず、この結果、得られる粉砕品
の硬度が高くなり、シリコーンゴム基材に配合した場合
の混線性等に問題を生じ、得られる成型品の物性を著し
く低下させるので1本発明のような優れた作用効果を期
待することができない。
の、たとえば金属粉、繊維状導電物質等を用いた場合に
は、必要とする導電性を得るために、これらを極めて多
量に添加しなければならず、この結果、得られる粉砕品
の硬度が高くなり、シリコーンゴム基材に配合した場合
の混線性等に問題を生じ、得られる成型品の物性を著し
く低下させるので1本発明のような優れた作用効果を期
待することができない。
本発明の半導電性シリコーンゴム組成物は、前記構成か
らなり、カーボンブラックを含有する架橋ずみのシリコ
ーンゴム粉砕品を必須成分としたことから、優れたゴム
物性を有するとともに体積固有抵抗値のバラツキが極め
て少ないという特徴を有する。
らなり、カーボンブラックを含有する架橋ずみのシリコ
ーンゴム粉砕品を必須成分としたことから、優れたゴム
物性を有するとともに体積固有抵抗値のバラツキが極め
て少ないという特徴を有する。
したがって、本発明の半導電性シリコーンゴム組成物は
、殊に体積固有抵抗が107〜1010Ω・■の範囲に
ある、たとえば電子複写機の現像ロールあるいは転写ロ
ールなどの成形材料として好適なものである。
、殊に体積固有抵抗が107〜1010Ω・■の範囲に
ある、たとえば電子複写機の現像ロールあるいは転写ロ
ールなどの成形材料として好適なものである。
次に、実施例により本発明を更に詳細に説明する。
実施例1
シリコーンゴムコンパウンド5H841U()−−レ・
シリコーン(株)製産品名〕100重量部、架橋剤PC
−4(50p)〔トーレ・シリコーン(株)製部品名〕
3重量部に対してケッチェンブラックEC[アクゾヘミ
ー社(オランダ)製部品名〕2〜8重量部を各々含有率
を変化させて添加し、二本ロールを用いて均一に混練し
圧力100kg/cJ、架橋温度170℃、架橋時間1
5分の条件で約2mm厚のシート状に成型した。その後
200℃、4時間キュアした。
シリコーン(株)製産品名〕100重量部、架橋剤PC
−4(50p)〔トーレ・シリコーン(株)製部品名〕
3重量部に対してケッチェンブラックEC[アクゾヘミ
ー社(オランダ)製部品名〕2〜8重量部を各々含有率
を変化させて添加し、二本ロールを用いて均一に混練し
圧力100kg/cJ、架橋温度170℃、架橋時間1
5分の条件で約2mm厚のシート状に成型した。その後
200℃、4時間キュアした。
このキュア後のシート状成型品の体積固有抵抗を表−1
に示す。
に示す。
表−1
そして架橋して得た成型品を二本ロールで粉砕して平均
粒径が0 、3mmのカーボンブラック含有の架橋ずみ
シリコーンゴム粉砕品を得た。
粒径が0 、3mmのカーボンブラック含有の架橋ずみ
シリコーンゴム粉砕品を得た。
次にシリコーンゴムコンパウンド5H841直前出)1
00重量部、RC−4(50p) (前出)1重量部に
対し、前記で得たカーボンブラックを含有する架橋ずみ
シリコーンゴムの粉砕品を表−2に示す重量部で配合し
た。その配合物を二本ロールを用いて均一に混練し、予
め導電性プライマを塗布した芯金を用いて上記した架橋
条件でロールを成型した。(ロール形状:外径21mm
、長さ220mm、芯金径8+++m)その後成型した
ロールをゴム用研削盤を用い外径20mmに仕上げた。
00重量部、RC−4(50p) (前出)1重量部に
対し、前記で得たカーボンブラックを含有する架橋ずみ
シリコーンゴムの粉砕品を表−2に示す重量部で配合し
た。その配合物を二本ロールを用いて均一に混練し、予
め導電性プライマを塗布した芯金を用いて上記した架橋
条件でロールを成型した。(ロール形状:外径21mm
、長さ220mm、芯金径8+++m)その後成型した
ロールをゴム用研削盤を用い外径20mmに仕上げた。
それぞれの成型品について体積固有抵抗を測定した。ま
た各ロールの配合についてシート状試験片も成形し、ゴ
ム特性に関する一般物性も測定した。その結果、表−2
に併記したとうりの結果を得た。またシリコーンゴム基
材に対する粉砕品の添加量による抵抗の関係を図1に示
す。
た各ロールの配合についてシート状試験片も成形し、ゴ
ム特性に関する一般物性も測定した。その結果、表−2
に併記したとうりの結果を得た。またシリコーンゴム基
材に対する粉砕品の添加量による抵抗の関係を図1に示
す。
以上表−2の物性(1)に示すように、本発明品はロー
ル軸方向の体積固有抵抗値が107〜1010Ω・印の
半導電性領域でのバラツキが非常に少なく、また粉砕品
添加によるゴム物性の変化もほとんどないことが判る。
ル軸方向の体積固有抵抗値が107〜1010Ω・印の
半導電性領域でのバラツキが非常に少なく、また粉砕品
添加によるゴム物性の変化もほとんどないことが判る。
なお、表−1、表−2中の物性測定方法は以下によった
。体積固有抵抗の測定は、試料を湿度60%、温度20
℃中に16時間放置した後行った。体積固有抵抗は抵抗
値の108Ω・■以上のものはハイレジスタンスメータ
〔横河ヒューレットパッカード(株)製〕を用いて印加
電圧10Vで測定し、抵抗値が108Ω・■以下のもの
は、ユニバーサルボルトメータAD−5521((株)
ニー、アンド、デー製〕を用い印加電圧2vで測定した
。
。体積固有抵抗の測定は、試料を湿度60%、温度20
℃中に16時間放置した後行った。体積固有抵抗は抵抗
値の108Ω・■以上のものはハイレジスタンスメータ
〔横河ヒューレットパッカード(株)製〕を用いて印加
電圧10Vで測定し、抵抗値が108Ω・■以下のもの
は、ユニバーサルボルトメータAD−5521((株)
ニー、アンド、デー製〕を用い印加電圧2vで測定した
。
またロール測定時の電極は10mm幅の銅箔テープ〔3
M(社)、テープNα1245〕を使用した。その他の
物性は加硫ゴム物理試験方法JIS K6301に準じ
て行った・ 比較例 実施例1におけるカーボンブラック含有架橋ずみシリコ
ーンゴム粉砕品を添加せずに実施例1のシリコーン基材
としてのシリコーンゴムコンパウンド5H841U (
前出)100重量部、架橋剤RC’−4(50P)(前
出)3重量部に対して、ケッチェンブラックEC(前出
)0.6〜2.0重量部を各々含有率を変化させて添加
し、以下混線、架橋、キュアして成型そして物性測定ま
で実施例1と同じ方法、条件で行った。
M(社)、テープNα1245〕を使用した。その他の
物性は加硫ゴム物理試験方法JIS K6301に準じ
て行った・ 比較例 実施例1におけるカーボンブラック含有架橋ずみシリコ
ーンゴム粉砕品を添加せずに実施例1のシリコーン基材
としてのシリコーンゴムコンパウンド5H841U (
前出)100重量部、架橋剤RC’−4(50P)(前
出)3重量部に対して、ケッチェンブラックEC(前出
)0.6〜2.0重量部を各々含有率を変化させて添加
し、以下混線、架橋、キュアして成型そして物性測定ま
で実施例1と同じ方法、条件で行った。
その結果を表−3に示す。表−3から明らかなように比
較例のものはロールの軸方向の体積固有抵抗値のバラツ
キが本発明品と異なり著しく増大することが判る。
較例のものはロールの軸方向の体積固有抵抗値のバラツ
キが本発明品と異なり著しく増大することが判る。
表−3
実施例2
実施例1における表−1の組成物Bについて粉砕品の平
均粒径を0.1.0.5.1.0.1 、5mmと変化
させてシリコーンゴムコンパウンド5H841U(前出
)100重量部、架橋剤RC−4(50p) (前出)
1重量部に対し添加した後混練、架橋、キュア、成形、
研削そして体積固有抵抗測定について実施例1と同じ方
法、条件で行った。その結果を図−2に示す。粉砕品の
粒径が小さすぎても大きすぎても抵抗のバラツキが大き
くなる傾向にあり、望ましい粒径は0.1〜1 、0m
mであることがわかる。
均粒径を0.1.0.5.1.0.1 、5mmと変化
させてシリコーンゴムコンパウンド5H841U(前出
)100重量部、架橋剤RC−4(50p) (前出)
1重量部に対し添加した後混練、架橋、キュア、成形、
研削そして体積固有抵抗測定について実施例1と同じ方
法、条件で行った。その結果を図−2に示す。粉砕品の
粒径が小さすぎても大きすぎても抵抗のバラツキが大き
くなる傾向にあり、望ましい粒径は0.1〜1 、0m
mであることがわかる。
第1図は、実施例1で得られる成型品の体積固有抵抗と
シリコーンゴム基材に対する粉砕品の添加量との関係を
表わし、また、第2図は実施例2で得られる成型品の体
積固有抵抗とシリコーンゴムに対する粉砕品の添加量お
よび粉砕品の粒径との関係を表わすものである。
シリコーンゴム基材に対する粉砕品の添加量との関係を
表わし、また、第2図は実施例2で得られる成型品の体
積固有抵抗とシリコーンゴムに対する粉砕品の添加量お
よび粉砕品の粒径との関係を表わすものである。
Claims (4)
- (1)シリコーンゴム基材に、カーボンブラックを含有
する架橋ずみのシリコーンゴム粉砕品を配合してなるこ
とを特徴とする半導電性シリコーンゴム組成物。 - (2)カーボンブラックを含有する架橋ずみのシリコー
ンゴム粉砕品を、シリコーンゴム基材100重量部に対
し5〜95重量部を配合してなる特許請求の範囲第1項
記載の半導電性シリコーンゴム組成物。 - (3)カーボンブラックを含有する架橋ずみシリコーン
ゴム粉砕品はカーボンブラックを2〜8重量部を含有す
る特許請求の範囲第1項記載の半導電性シリコーンゴム
組成物。 - (4)カーボンブラックを含有する架橋ずみのシリコー
ンゴム粉砕品の粒径が0.1〜1.0mmのものである
特許請求の範囲第1項記載の半導電性シリコーンゴム組
成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30354286A JPS63156858A (ja) | 1986-12-19 | 1986-12-19 | 半導電性シリコ−ンゴム組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30354286A JPS63156858A (ja) | 1986-12-19 | 1986-12-19 | 半導電性シリコ−ンゴム組成物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63156858A true JPS63156858A (ja) | 1988-06-29 |
Family
ID=17922250
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP30354286A Pending JPS63156858A (ja) | 1986-12-19 | 1986-12-19 | 半導電性シリコ−ンゴム組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63156858A (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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1986
- 1986-12-19 JP JP30354286A patent/JPS63156858A/ja active Pending
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