JPS63153746A - 溝つき基板の製造方法 - Google Patents
溝つき基板の製造方法Info
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- JPS63153746A JPS63153746A JP30225986A JP30225986A JPS63153746A JP S63153746 A JPS63153746 A JP S63153746A JP 30225986 A JP30225986 A JP 30225986A JP 30225986 A JP30225986 A JP 30225986A JP S63153746 A JPS63153746 A JP S63153746A
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Landscapes
- Diffracting Gratings Or Hologram Optical Elements (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は溝つき基板の製造方法に関し、特に光デイスク
用溝つき基板１回折格子等に使用するのに適した溝つき
基板を製造する方法に関する。
用溝つき基板１回折格子等に使用するのに適した溝つき
基板を製造する方法に関する。
従来、光デイスク基板等に用いる溝つき基板の製造方法
としては、ガラス等の基板とに７オトレジスト膜を塗布
した後、レーザー露光装置を用いてフォトレジス）％を
レーザー光で選択的に露光し、現像処理後ドライエツチ
ング等のエツチング処理を行なう方法が知られている。
としては、ガラス等の基板とに７オトレジスト膜を塗布
した後、レーザー露光装置を用いてフォトレジス）％を
レーザー光で選択的に露光し、現像処理後ドライエツチ
ング等のエツチング処理を行なう方法が知られている。
・
又、回折格子等に使用する微細パターンの作製方法とし
て、有機金属化合物を含む溶液を所定の形状を有する型
と接触させながらゲル化させた後離型し乾燥させて所望
の形状まで収縮させる方法が知られている。（例えば特
開昭ＩＱ−，２／２／！；）〔発明が解決しようとする
問題点〕 上記前者のフォトレジスト法によればガラス等の基板上
にミクロソ間隔の溝を正確に作成できる利点を有するも
のの、レーザー光を用いての選択露光にあたり、７枚の
ディスク状基板作成に数１０分もの露光操作時間がかか
るために生産性が悪いという問題点があった。又、レー
ザーを用いる高精度の露光装置は極めて高価であるとと
もに精度の確保に繁雑な操作が必要であるという問題点
があった。
て、有機金属化合物を含む溶液を所定の形状を有する型
と接触させながらゲル化させた後離型し乾燥させて所望
の形状まで収縮させる方法が知られている。（例えば特
開昭ＩＱ−，２／２／！；）〔発明が解決しようとする
問題点〕 上記前者のフォトレジスト法によればガラス等の基板上
にミクロソ間隔の溝を正確に作成できる利点を有するも
のの、レーザー光を用いての選択露光にあたり、７枚の
ディスク状基板作成に数１０分もの露光操作時間がかか
るために生産性が悪いという問題点があった。又、レー
ザーを用いる高精度の露光装置は極めて高価であるとと
もに精度の確保に繁雑な操作が必要であるという問題点
があった。
又後者の有機金属化合物溶液を用いる方法では、ゲル体
の収縮によって型形状よりも微細なパターンを作成でき
る利点はあるものの、収縮途中にゲル体にクラックが入
り割れてしまったり、乾燥速度等の不均一からそり等の
変形を生じやすい問題点があった。
の収縮によって型形状よりも微細なパターンを作成でき
る利点はあるものの、収縮途中にゲル体にクラックが入
り割れてしまったり、乾燥速度等の不均一からそり等の
変形を生じやすい問題点があった。
本発明は上記問題点を解決するために、微細な凹凸を有
する型の上に有機金属化合物を含む溶液の塗布膜を形成
した後、該塗布膜つき型を基板に押しあてて、基板上に
原型の凸形状に対応する凹形状を有する塗布膜を形成さ
せ、その後膣口形状を有する塗布膜を固化させて溝つき
基板を製造している。
する型の上に有機金属化合物を含む溶液の塗布膜を形成
した後、該塗布膜つき型を基板に押しあてて、基板上に
原型の凸形状に対応する凹形状を有する塗布膜を形成さ
せ、その後膣口形状を有する塗布膜を固化させて溝つき
基板を製造している。
本発明に用いる有機金属化合物は重縮合あるいは架橋反
応がおこることによって溶液の粘性を上昇させるような
化合物であれば使用できる。
応がおこることによって溶液の粘性を上昇させるような
化合物であれば使用できる。
例えばＳｉ （ＱＣ！Ｈ）ａ 、 Ｓｉ （ＱＣ！２Ｈ
５）４． Ｔｉ （ＯＣ３Ｈ７） ４ 。
５）４． Ｔｉ （ＯＣ３Ｈ７） ４ 。
Ｔｉ（ＯＣ４Ｈ９）４． Ｚｒ（ＯＣ３Ｈ７） ４．
Ｚｒ（ＯＣ４Ｈｇ） ４゜Ａｌ（００３Ｈ７）３． Ａ
ｌ（ＯＣ２Ｈ５） ３． Ｎａ０ＣｚＨ５等のＭ （Ｏ
Ｒ）ｎ（Ｍは８ｉ１ Ｔｉ、 Ｚｒ＋ Ｏａｒ ＡＡ’
ｌ Ｎａ＋ ｐｂ＋Ｂ ＋ Ｓｎ ＋ Ｇ ｅ 等の金
属、Ｒはメチル、エチル等のアルキル基、ｎは／−１の
整数〕で示される通常ゾル−ゲル法と呼ばれる方法に用
いられる金属アルコラード、および−Ｃ１，−ＣＯＯＨ
，−ｃＯＯＲ，−ＮＨ２゜あるいは架橋反応を行なう一
般的官能基を含む有機金属化合物等が例示できる。内で
も金属アルコラードが好まれて使用される。
Ｚｒ（ＯＣ４Ｈｇ） ４゜Ａｌ（００３Ｈ７）３． Ａ
ｌ（ＯＣ２Ｈ５） ３． Ｎａ０ＣｚＨ５等のＭ （Ｏ
Ｒ）ｎ（Ｍは８ｉ１ Ｔｉ、 Ｚｒ＋ Ｏａｒ ＡＡ’
ｌ Ｎａ＋ ｐｂ＋Ｂ ＋ Ｓｎ ＋ Ｇ ｅ 等の金
属、Ｒはメチル、エチル等のアルキル基、ｎは／−１の
整数〕で示される通常ゾル−ゲル法と呼ばれる方法に用
いられる金属アルコラード、および−Ｃ１，−ＣＯＯＨ
，−ｃＯＯＲ，−ＮＨ２゜あるいは架橋反応を行なう一
般的官能基を含む有機金属化合物等が例示できる。内で
も金属アルコラードが好まれて使用される。
上記有機金属化合物を含む溶液（以後塗布用溶液と略称
する）としては、上記有機金属化合物の少なくとも７種
と有機溶媒および水の混合溶液が例示できる。有機溶媒
としてはエチルアルコール。
する）としては、上記有機金属化合物の少なくとも７種
と有機溶媒および水の混合溶液が例示できる。有機溶媒
としてはエチルアルコール。
メチルアルコール、イソプロピルアルコール、ホルムア
ミド等が例示できる。
ミド等が例示できる。
本発明に用いる型は塗布用溶液の塗布膜が型の凹形状を
簡単にうめつくす程度のものが好ましく、光デイスク用
溝つき基板作成のためには型の凸型状の高さ２間隔およ
び巾が各々５０〜−ＱＱｎｍ。
簡単にうめつくす程度のものが好ましく、光デイスク用
溝つき基板作成のためには型の凸型状の高さ２間隔およ
び巾が各々５０〜−ＱＱｎｍ。
ｏ、ｌＩ−ｓ、ｏｐｍ、 ｏ、Ｉ！〜ｉ、ｏｐｍ であ
ることが好ましい。ここで、型の凸形状の高さがｊＯｎ
ｍより低いか、間隔が２．０μｍより広いか、巾が２．
０ ｐｍより広いと、型により形成される溝があさく、
まばらになりすぎて光デイスク用溝つき基板としての利
用価値が低くなる。又、型の凸形状の高さが２００ｎｍ
より高いか９間隔が０３ ｐｍよりせまいか。
ることが好ましい。ここで、型の凸形状の高さがｊＯｎ
ｍより低いか、間隔が２．０μｍより広いか、巾が２．
０ ｐｍより広いと、型により形成される溝があさく、
まばらになりすぎて光デイスク用溝つき基板としての利
用価値が低くなる。又、型の凸形状の高さが２００ｎｍ
より高いか９間隔が０３ ｐｍよりせまいか。
巾がｏ、ｌｌｐｍよりせまいと、型にきれいに塗布膜が
形成されにくかったり、光デイスク用溝つき基板として
の利用価値が低くなる。
形成されにくかったり、光デイスク用溝つき基板として
の利用価値が低くなる。
塗布膜を型に作成する方法としては塗布溶液に型を浸漬
した後減圧処理を行ない、その後引き上げる方法、はけ
やスプレーで塗布する方法などを用いることができる。
した後減圧処理を行ない、その後引き上げる方法、はけ
やスプレーで塗布する方法などを用いることができる。
塗布膜つき型を押しあてる基板としては、該塗布用溶液
と反応せず、熱処理等に安定な基板が好まれて使用され
、ガラス基板等の非晶質基板が好まれて使用される。
と反応せず、熱処理等に安定な基板が好まれて使用され
、ガラス基板等の非晶質基板が好まれて使用される。
該基板上に、あらかじめ前記塗布用溶液又は同様の溶液
を用いて均一な塗布膜を設けておき、その復原塗布膜上
に塗布膜つき型を押しあてるこｋも可能であり、この場
合は塗布溶液の粘度が低くても基板上に形成される凹凸
被膜の膜厚を厚くすることが出来、かつ低粘変の塗布溶
液の方が型の四部に空気等が入りにくいので好ましい。
を用いて均一な塗布膜を設けておき、その復原塗布膜上
に塗布膜つき型を押しあてるこｋも可能であり、この場
合は塗布溶液の粘度が低くても基板上に形成される凹凸
被膜の膜厚を厚くすることが出来、かつ低粘変の塗布溶
液の方が型の四部に空気等が入りにくいので好ましい。
該塗布溶液は、低粘度の方が型に塗布しやすいが、基板
上に形成される凹凸被膜の型くずれの防止、充分な凹凸
に対応する塗布嘆嘆厚確保のために塗布溶液に増粘剤を
加えておくことが好まれる。
上に形成される凹凸被膜の型くずれの防止、充分な凹凸
に対応する塗布嘆嘆厚確保のために塗布溶液に増粘剤を
加えておくことが好まれる。
該増粘剤の内でもポリエチレングリコールを用いること
が良好な凹凸被膜を得るために好ましい。
が良好な凹凸被膜を得るために好ましい。
本発明によれば、基板上に薄膜状の凹凸被膜を形成して
いるので、有機金属化合物の収縮による割れや変形を基
板の剛性で防止することができる。
いるので、有機金属化合物の収縮による割れや変形を基
板の剛性で防止することができる。
く
そのため簡単に溝つき基板を歩留よケ作成することがで
きる。
きる。
実施例１
シリコンテトラエトキサイドとリン酸トリエチルを５１
０２及びｐ２ｏ５となった時のモル比としてＩＯ：２０
となるようにそれぞれ秤量し、このシリコンテトラエト
キサイドにモル比で５倍のエタノールと６倍の水（４ｗ
ｔ％のＨＮＯ３を含む）を加え約７０ ’Ｃで弘時間還
流した後、リン酸トリエチルを滴加し、さらにｑ時間還
流を行なう。この溶液に２倍量のエタノールを加え希釈
し、均一に混合したものを塗布用溶液とした。
０２及びｐ２ｏ５となった時のモル比としてＩＯ：２０
となるようにそれぞれ秤量し、このシリコンテトラエト
キサイドにモル比で５倍のエタノールと６倍の水（４ｗ
ｔ％のＨＮＯ３を含む）を加え約７０ ’Ｃで弘時間還
流した後、リン酸トリエチルを滴加し、さらにｑ時間還
流を行なう。この溶液に２倍量のエタノールを加え希釈
し、均一に混合したものを塗布用溶液とした。
この塗布用溶液中へ、峰高さ０． ／！；ｐｍ 、峰巾
１．Ｏμｍ、峰間隔２．０μｍの多数の篩部を有する金
属Ｓ１製の型／および表面研摩、洗浄および乾燥を行な
ったガラス基板コを浸漬した後ゆっくりと引きあげて型
／およびガラス基板２上に塗布９３，３／を形成した。
１．Ｏμｍ、峰間隔２．０μｍの多数の篩部を有する金
属Ｓ１製の型／および表面研摩、洗浄および乾燥を行な
ったガラス基板コを浸漬した後ゆっくりと引きあげて型
／およびガラス基板２上に塗布９３，３／を形成した。
次いでガラス基板−と型／を塗布膜を間に挾んで接合し
た。約７時間保持した後、型を上方へゆっくりと引きは
なしガラス基板λ上に凹凸被膜ｌを作成した。（第１図
および第２図参照）その後ゆっくりと基板を加熱してゆ
き、最終的にｓ ｏ ｏ ’ｃｌＯ分間の焼成を行なっ
た。この焼成操作により凹凸被膜はエタノール及び水分
等が飛散してガラス体類似の約０．／μｍ厚の非晶買換
３となっていた。
た。約７時間保持した後、型を上方へゆっくりと引きは
なしガラス基板λ上に凹凸被膜ｌを作成した。（第１図
および第２図参照）その後ゆっくりと基板を加熱してゆ
き、最終的にｓ ｏ ｏ ’ｃｌＯ分間の焼成を行なっ
た。この焼成操作により凹凸被膜はエタノール及び水分
等が飛散してガラス体類似の約０．／μｍ厚の非晶買換
３となっていた。
上記操作により作成された溝つき基板ｔの表面を電子顕
微鏡により観察したところ溝深さ約７０ｎｍ 、溝巾的
１μｍ、溝間間約２μｍの良好な溝形状が作成されてい
た。
微鏡により観察したところ溝深さ約７０ｎｍ 、溝巾的
１μｍ、溝間間約２μｍの良好な溝形状が作成されてい
た。
実施例２
Ｓｉ−テトラエトキサイドと Ｂ−）リイソプロボキサ
イドを５１０２及びＢ２Ｏ３となった時のモル比として
ｇｏ ： ｒｏとなるようにそれぞれ秤量し、このＳｉ
−テトラエトキサイドに モル比で５倍のエタノールと
６倍の水（Ｊｗｔ％のＨＮＯ３を含む）を加え、約７０
’Ｃでｑ時間還流した後、Ｂ ”−） ＩＪイソプロ
ポキサイドを滴加し、さらにｔ時間還流を行なう。この
溶液に２倍量のエタノールを加え希釈し、さらに分子量
る００のポリエチレングリコール（ＰＥＧ４００）を最
終生成物である５１０２とＢ２Ｏ３の混合された酸化物
に対する重量比で（ＰＥＧ乙ＯＯ）／（酸化物） −０
，ｓの量を加え均一に溶かしたものを塗布用溶液とした
。
イドを５１０２及びＢ２Ｏ３となった時のモル比として
ｇｏ ： ｒｏとなるようにそれぞれ秤量し、このＳｉ
−テトラエトキサイドに モル比で５倍のエタノールと
６倍の水（Ｊｗｔ％のＨＮＯ３を含む）を加え、約７０
’Ｃでｑ時間還流した後、Ｂ ”−） ＩＪイソプロ
ポキサイドを滴加し、さらにｔ時間還流を行なう。この
溶液に２倍量のエタノールを加え希釈し、さらに分子量
る００のポリエチレングリコール（ＰＥＧ４００）を最
終生成物である５１０２とＢ２Ｏ３の混合された酸化物
に対する重量比で（ＰＥＧ乙ＯＯ）／（酸化物） −０
，ｓの量を加え均一に溶かしたものを塗布用溶液とした
。
次いで、ガラス基板２を塗布用溶液に浸漬しなかった事
以外は実施例／と同一手順を行なった結果、ガラス基板
ｊに約０．１μｍ厚の非晶質膜乙が得られた。
以外は実施例／と同一手順を行なった結果、ガラス基板
ｊに約０．１μｍ厚の非晶質膜乙が得られた。
上記操作により作成された溝つき基板７０表面を電子顕
微鏡により観察したところ溝深さ約７０ｎｍ、溝巾約／
、Ｏｐｍ、溝間扇約２．０ｐｍの良好な溝形状が作成さ
れていた。
微鏡により観察したところ溝深さ約７０ｎｍ、溝巾約／
、Ｏｐｍ、溝間扇約２．０ｐｍの良好な溝形状が作成さ
れていた。
本発明によれば、生産性の良好な基板を用いて簡単に溝
つき基板を作成できる。又、型に塗布用溶液を塗布して
いるので、基板に塗布膜を形成した後プレス型を押しあ
てる方法にくらべて型の凹部の先端にいたるまでの形状
を正確に転写することができる。又、ゲル体を用いて基
板全体を作成する方法とくらべ割れやそりが少なく、歩
留および生産性が良好である。
つき基板を作成できる。又、型に塗布用溶液を塗布して
いるので、基板に塗布膜を形成した後プレス型を押しあ
てる方法にくらべて型の凹部の先端にいたるまでの形状
を正確に転写することができる。又、ゲル体を用いて基
板全体を作成する方法とくらべ割れやそりが少なく、歩
留および生産性が良好である。
第１図および第一図は実施例２で示した本発明の溝つき
基板の製造方法の概略を示す作成途中の基板および型の
断面図である。 ：工仁
基板の製造方法の概略を示す作成途中の基板および型の
断面図である。 ：工仁
Claims (5)
- （１）微細な凹凸を有する型の上に有機金属化合物を含
む溶液の塗布膜を形成した後該塗布膜つき型を基板に押
しあてて、基板上に該型の凸形状に対応する凹形状を有
する塗布膜を設け、その後該凹形状を有する塗布膜を固
化させる溝つき基板の製造方法。 - （２）該プレス型の凸形状が高さ５０〜２００ｎｍであ
る特許請求の範囲第１項記載の溝つき基板の製造方法。 - （３）該塗布膜を押しつける基板が、有機金属化合物を
含む溶液をあらかじめ塗布した基板である特許請求の範
囲第１項または第２項記載の溝つき基板の製造方法。 - （４）該溶液が増粘剤を含んでいる特許請求の範囲第１
項ないし第３項記載の溝つき基板の製造方法。 - （５）該増粘剤がポリエチレングリコールである特許請
求の範囲第４項記載の溝つき基板の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30225986A JPS63153746A (ja) | 1986-12-18 | 1986-12-18 | 溝つき基板の製造方法 |
| US07/030,892 US4810547A (en) | 1986-03-26 | 1987-03-26 | Substrate with fine grooves and method for manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30225986A JPS63153746A (ja) | 1986-12-18 | 1986-12-18 | 溝つき基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63153746A true JPS63153746A (ja) | 1988-06-27 |
Family
ID=17906860
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30225986A Pending JPS63153746A (ja) | 1986-03-26 | 1986-12-18 | 溝つき基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63153746A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03189938A (ja) * | 1989-12-19 | 1991-08-19 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 微細パターン付き基体の製造方法 |
| WO2010026878A1 (ja) * | 2008-09-02 | 2010-03-11 | コニカミノルタオプト株式会社 | 基板の製造方法、その製造方法により製造された基板、及びその基板を用いた磁気記録媒体 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6132238A (ja) * | 1984-07-24 | 1986-02-14 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 高密度情報記録デイスク用担体の製造方法 |
-
1986
- 1986-12-18 JP JP30225986A patent/JPS63153746A/ja active Pending
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