JPS63153270A - 真空槽内における基板交換装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は真空槽内における基板交換機構に関する。

〔従来の技術及びその問題点〕

第１１図は従来の大気から真空槽内へのウェハーの取り
込み機構の一例を示すが、図にかいて本機構は大気から
ベルト搬送機（１０９）等の手段によりゲートバルブも
しくは仕切パルプ（ｌＯＳ）を通って真空槽（１０１）
内に送夛込まれたウェハー（１０６）を真空槽（１０１
）内に設けたベルト搬送機構（１０２）によυ槽（ｌＯ
ｔ）内の適当な位置まで取シ込み、これを別に設けたウ
ェハー上下機構によシベルト位置よシ上方に持ち上げ、
次にウェハー（１０６）の下方に侵入した別のメカニズ
ム上におろす機能を有する。

今、これを更に詳しく説明すれば以下の通りである。す
なわち第１１図人に示すように、大気から仕切パルプ（
ＩｃＩＩ）を通過して真空槽（１０１）内に送り込まれ
た表面処理すべきウェハー（１０６）は、さらに真空槽
（１０１）内に設けられたベルト搬送機構（１０２）　
Ｋより適当な位置まで運ばれ停止する。そこで仕切パル
プ（１０４）が閉り、真空槽（１０１）内は真空に排気
される。

次に第１１図Ｂに示すように前記時点ではベルト（１０
２）のウェハー（１０６）が乗る位置よシ下方に位置し
ていたウェハー・プッシャー（ｌＯ８）カベａ　−ズ（
１０５）を介して真空シールを保りたま＼ウェハー上下
駆動シリンダー（１０３）によシ上昇しベルト面より上
方にウェハー（１０６）を持ち上げる。

しかる後に、ウェハー（１０６）の下方に別のウェハー
搬送メカニズム（１０７）　（例えばフォーク搬送のビ
、クア、プ等）がウェハー（ｌＯ６）の下方に侵入して
くる。

次に第１１図Ｃに示すようにウェハー、プッシャー　（
１０８）が下降し別のウェハー搬送メカニズム（１０７
）上にウェハー（４０６）が受は渡される。

以上が大気側から真空槽（ｌｏｔ）内へウェハー（１０
６）を取シ込む場合の動作であるが逆に処理済のウェハ
ー（１０６）を大気側へ取シ出す手順はこの逆となる。

すなわち、上記従来例では、真空に排気されている真空
槽（１０１）内へ、すでに処理の終ったウェハー（１０
６）をメカニズム（７）によシ搬送し、その後、真空槽
（１０１）をべ／トシ、処理済ウェハー　（１０６）を
とシ出す。さらに、未処理ウェハー（１０６）を真空槽
（ｔ（Ｈ）内に取り込み真空排気を行い、その後に、メ
カニズム（１０７）により、処理室へ搬送する。以上の
大気→真空の排気サイクルを含むウェハーの取９出し、
取り込み作業の間、処理室は、待時間となり、能率が悪
い。

この問題を避けるためウェハー取り込み用真空槽と、ウ
ェハー取シ出し用真空槽を別々に設ける方法もよく用い
られるが、この方法では装置の構成が複雑となる。

また真空槽を１つしか持たせない場合、装置のスルーブ
ツトにも依るが通常は大気→真空の排気サイクルを速く
するため急速排気及び急速なベントが必要となるがＬＳ
Ｉのパターンサイズが微細化している昨週、ウェハーへ
のパーティクル付着を極力抑えることが不可欠となって
おり、パーティクルの舞い上りをおこし易い真空槽内の
急速な排気やベントは好ましくない。

〔発明が解決しようとする問題点〕

本発明は上記従来の種々の欠点を克服し、処理室におい
て、前に取り込まれたウェハー（基板）を処理している
間に次のウェハーを、真空槽内に取シ込んでおき、さら
に、真空排気を完了しておくことにより、処理室のウェ
ハー交換作業から、ベント、排気に要する時間をはふき
処理室の待ち時間を減少させて生産性を向上する真空槽
内における基板交換機構を提供することを目的とする。

〔問題点を解決するための手段〕

以上の目的は、側壁部に少なくとも２個の開口を有し、
これをゲートバルブで開閉自在とした真空槽内に配設さ
れ、基板支持部を上下に少なくとも２段有する基板支持
体と；該基板支持体を上下方向に所定の複数の位置で停
止可能に駆動する昇降駆動部とから成シ、前記２段のう
ち一方には表面処理済の基板を載置させ得るようにし、
他方には未処理の基板を載置させ得るようにしたことを
特徴とする真空槽内における基板交換機構によって達成
される。

〔作　用〕

上下２段の基板支持部のいずれか一方に未処理の基板を
載置させているときに、他方に処理済の基板を載置させ
るのを真空状態で行ない、次いでこの状態で未処理の基
板を所要の処理室へと搬出し、この後、真空槽内を大気
圧にして、未処理の基板を上記一方の基板支持部に搬入
し、処理済の基板を大気中の所要の場所へと搬出する。

次いで真空槽内を排気して上述の操作をくシ返す。

以上の一連の作業のうち、真空槽内を大気圧にして未処
理の基板を一方の基板支持部に搬入し、処理済の基板を
大気中の所要の場所へと搬出し、さらに真空槽内を排気
する作業は、先に処理室へ運ばれた未処理基板が、処理
されている間に完了しておく。

〔実施例〕

以下、本発明の実施例によるＣＶＤ装置について図面を
参照して説明する。

第１図は本装置（１）の全体を示すが、左右には一対の
ＣＶＤ反応室（２ａ）（２りが設けられ、これらの間に
バッファー室（３）が設けられている。バッファー室（
３）と両反応室（２す（２ｂ）との間の隔壁にはゲート
バルブ（４ａ）（４ｂ）が設けられ、これらを介してウ
ェハーの受は渡しが行われるようになっている。

バクファー室（３）の前方には本発明に係わるウエノ・
−交換室（５）が設けられ、ゲートバルブ（６）を介し
てこれら室（３）　（５）間でウェハーの受は渡しが行
われるようになっている。

バッファー室（３）内にはウェハー転送機構（７）が設
けられ、これは搬送用フォーク（８）を備え、矢印ａで
示すように中心軸（９）の回りに回動自在であり、かつ
矢印すで示すように伸縮自在となっている。

ウェハー交換室（５）の両側壁部にもゲートバルブ（１
０ｃＩηが設けられ、この一方側には未処理ウェハー搬
入用ベルト（２）が設けられ、ウェハースドック、カセ
ット（至）から所定のタイミングで一枚宛、自動的に取
シ出してベルト四によシウェハー交換案（５）内に搬入
するようになっている。また他方には処理済ウェハー搬
出用ベルトα◆が設けられ、処理済ウェハースドック・
カセット（ト）へと搬入するようになっている。

次に第２図〜第９図を参照してウェハー交換室（５）の
詳細について説明する。

ウェハー交換室（５）は第２図に示すように密閉槽Ｑ１
１によりて画成され、上述したように両側壁部にゲート
バルブ顛αυ（第２図では図示省略）及び後壁邪にゲー
トバルブ（６）を備えてお９、これらゲートバルブ（６
）α０αηの詳細は後述するが、これらの閉状態によっ
て室の内は密封状態とされ、図示しない排気機構によっ
て室の内は真空もしくは減圧状態におかれるようになっ
ている、 呈ノ内には第５図にその全体的形状が明示される基板支
持体Ｃ２４１が配設され、この底面には駆動軸＋２５１
が固定され、これは密閉槽Ｑυの底壁部を気密に挿通し
て下方の大気中に延びておりスクリエー係合体面に固定
されている。駆動軸のは真空シールｃ２６１によりて上
下方向に気密に摺動自在に支承されている。

スクＩＪ、−係合体（２）はボールスフＩＪ、−■に螺
合しており、このスクリ為−啜の下端部にはプーリ■が
固定されている。モータＣ３１１は図示せずとも機枠に
固定され、この回転軸に固定されたプーリ１３２１と上
述のブーＩＪ　Ｃ２９１との間にベルト■が巻装されて
いる。モータ６υの回転によりボールスクリユーのが回
転し、これによりスクリエー係合体面、従って駆動軸困
は上方か下方へと移動する、モータＣ３１１は正逆回転
自在であシ、この回転方向に応じて駆動軸のは上方か下
方へと移動する。スクＩＪ、−係合体面の一側方には高
さセンサー装置■が設けられ、駆動軸ωの各高さ位置が
これによって検知され、この検知信号によりモータＯ１
ｌは駆動制御される。

ボールスクリユー■は公知のようにねじ溝にボールを嵌
めた構成となっておυ、駆動軸四をバックラッシ為なく
正確に所定の位置へ上昇又は下降させることができる。

スクリエー係合体面の小径部には冷却水入口及び出口が
層成され、これに冷却水導入用チー−プ（至）及び導出
用チェーブ（ロ）が接続されている。駆動軸Ｃ内には図
示せずとも導入路及び導出路が形成され、基板支持体Ｃ
Ｉ！４１の基部ｃ３ｎ内に蛇行状に形成される循環路田
と連通している。ｉお、基板支持体（２４１はアルミニ
ウムから成９熱伝導性にすぐれている。

密閉槽ＣＤの３側壁部には上述のようにゲートバルブ（
６）αＯＱ］、ｌが配設され、これら側壁部に形成され
た開口（６ａ）（ｔｏａ）（ｔｔａ）　　を気密に閉じ
るように構成され、第１図では略図で示され、第２図で
はゲートバルブ（６）については詳しく図示されている
。

まず、ゲートバルブ（６）について第２図を参照して説
明すると、これはすでに広く用いられている構造であっ
て、主として開口（６ｍ）を開閉するグーに突出してお
９シリンダ装置σｅによって上下に駆動されるようにな
っている。第２図ではゲート本体συが開口（６ａ）を
閉じているが、駆動部材σ２を下降させるとゲート本体
συは開口（６りを開放し、これから駆動部材σ２を上
昇させると第２図に示すように開口（６ａ）を閉じるよ
うになっている。

次にゲートバルブａＱ叩の詳細について説明するが、ゲ
ートバルブＱＯＱｌｌについては同一の構成を有するの
で、ゲートバルブ（１０についてのみ第３図及び第４図
を参照しにして以下、説明する。第３図はゲートバルブ
ＱＯの作動状態を示す要部断面図であ２て、大気圧空量
大と真空室Ｂ（ウニノル−交換室（５））とを仕切る隔
壁Ｃには、通孔ｌが穿設され該通孔Ｃυの真空室Ｂ側の
開口（ｌｏｎ）は上向きに傾斜して形成されている。

上記開口（ｌｏｇ）には、その周シに形成された弁座部
を開閉する弁板け３が対向して設けられており、該弁板
（４３は、ウェハーＵでの直径よ）大きく形成され、且
つ上記通孔Ｃ１１を挿んでその両側に隔壁Ｃを貫通して
斜め下方に延びる２本のロッド（４４す（４４ｂ）（第
３図にはその一方が示されている。）を介して、大気圧
空量大の下方に設置された流体圧（油圧又は空気圧）駆
動シリンダ（ハ）に連結されている。

上記２本のロッド（４４ｇ）（４４ｂ）は、第４図に示
すようＫ、上端が弁板４３の両側部のＱＩＪング（４３
ａ）よシ内側に取付けられ且つ、ロッドと弁板は、結合
部から漏れないように溶接（４３ｂ）等でシールされて
いる。また下端は、２本のロッドを連結する接続部材（
４４Ｃ）を介してシリンダ（ハ）のピストンロクド圓に
連結されている。なお、図中、（４５ａ）（４５ｂ）は
シリンダーへの圧力流体の供給又は排出導管、ａ２咽は
大気圧空間Ａ及び真空室Ｂにそれぞれ設置された搬送用
ベルトＩＩは軸受プツシ＆（ト）は０リングを示す。

上記のように構成されているので、通常時、即ちウェハ
ーを送シ込まない時には、シリンダ回内で下方へ働く流
体圧によりて弁板（４３は、逆圧状態即ち通孔（１０ａ
）を経て開弁方向に圧力（大気圧）が働いている状態で
、隔壁Ｃの通孔（ｔｅａ）の真空室側開口（４２を密閉
している。従って、真空室Ｂの真空は該通孔（１０ａ）
を経て漏れることはない。

次に、搬送用ベルト（２）によって大気圧空量大より送
られて来たウェハー（４？）を、真空室Ｂへ移送すると
きは、シリンダ（４５１の流体通路を切換えて、ロッド
１４４１　（４４Ｍ）（４４ｂ）を介して弁板（４３を
上昇させ、開ウェハー＋４７）の通過には支障はなく、
該ウェハーは真空室Ｂへ円滑に移送される。

次いで、ウェハー（４ηが真空室Ｂ内へ移行し終った段
階で、再びシリンダ（４５１の流路を切換えて弁板（４
３を下降させ、開口（ｌＯりを閉鎖する。なお、真空ｇ
Ｂ内へ移行されたウェハー（４ηは搬送用ベルト（４８
１によって基板支持体（２４１の所定の位置へ搬送され
る。

この実施例によれば、弁板を作動する駆動源が大気側に
設けられており、また弁板作動のための摺動部がすべて
ウェハーより下方に位置されているので、該摺動部よシ
生じるゴミ等がウェハー上に落ちる恐れは全くない。真
空室も駆動源によって汚染されない。また、弁板とロッ
ドが真空隔壁に対して傾斜して設けられているので、コ
ンパクトに形成でき、両室におけるウェハーの両搬送用
ベルトを互いに接近して設置できるので、装置がコンパ
クトになシ、作業性もそれだけ向上する。

なお、弁板は、圧力差に抗して逆圧状態で開口をシール
することになるので、十分な剛性をもった弁板と、十分
な推力をもったシリンダ（駆動源）を選定する必要があ
る。

上記した実施例において、弁板の駆動源として流体圧駆
動シリンダを用いｆｃ構造について説明したが、これに
限らないことは勿論であり、機械的駆動機構に代えるこ
とも可能である。

次に第５図〜第９図を参照して基板支持体ｃ！４１の詳
細について説明する。

基板支持体Ｃ４の基板部６ηには、この上面より一段と
低くなったフォーク受入れ用凹所御が形成され、これに
連通して一対の溝（５２ａ）（５２ｂ）が形成されてい
る。第６図にはウェハー搬送用フォーク（８）の一部が
図示されているが、このフォーク部（８ａ）（８ｂ）が
溝（５２ｍ）（５２ｂ）に挿通可能となっている。

溝（５２ｇ）（５２ｂ）の延在方向とは直角方向に基板
支持体（至）のウェハー搬入側半部には全高にわたって
一対の平行な切欠き（５３ａ）（５３ｂ）が形成され、
また、これらに整列してウェハー搬出側半部にも一対の
平行な切欠き（５４ａ）（５４ｂ）が形成されているが
、第６図及び第８図に明示されるように一端部において
は全高にわたっておらず連結部（ト）によって覆われて
いる。

切欠き（５３ａ）（５３ｂ）（５４ａ）（５４ｂ）とは
上下方向に整列してベルトコンベヤ（５６す（５６ｂ）
（５７ｍ）（５７ｂ）が配設され、これらは基板支持体
（至）が上下するときに切て第３図が示すベルトコンベ
ヤ（４印を構成するものである。

基板支持体（２４１の中央上部には部分的環状の下段基
板支持部■及びこれより下方に位置して同心的に部分的
円形状の下段基膜支持部６鵠が形成されている。上段基
板支持部■は第６図に明示されるように円弧状の受面（
５８ａ）（５８ｂ）（ｓ８ｃ）（５８ｄ）（５８ｅ）（
５８ｆ）から成っておシ、これらは同一レベル上部ある
が、第７図及び第８図で一点鎖線で示されているように
、これらから成る上段基板支持部５＆上に未処理のウェ
ハー顛が載置されるようになっている。また下段基板支
持部＄は同一レベル上にあシ各々、円の一部を構成する
受面（５９ａ）（５９ｂ）（５９ｃ）（５９ｄ）（５９
ｅ）（５９ｆＸ５９ｇ）から底っておシ、やはり第７図
及び第８図で一点鎖線で示されているように、これらに
は表面処理済のウェハー４７１’が載置されるようにな
つている。

基板部口の底面には円形の段孔凹所山が形成されている
が、こ＼に上述の駆動軸５の上端部が嵌着され、図示せ
ずともねじ等により固定されるようになりている。

以上は本実施例の構成について説明したが次に作用につ
いて説明する。

第１Ｏ図Ａ、Ｆは基板支持体Ｕの各高さ位置を示してい
るが本実施例によれば基板支持体（２４１は５つの高さ
位置を取る事が出来る。問、バッファ室（３）から伸縮
するフォーク（８）のレベル及びベルトコンベヤ（５６
ａ）（５６ｂ）（５７ａ）（５７りのレベルは一定であ
る。第１Ｏ図に於て基板支持体制の形状は簡略化して示
されてかり、また上述したウェハーの上段支持部■及び
下段支持部５９）は図面をわかりやすくする為にコ字状
の上アーム上及び下アーム上としＵまたはＤでこれ等を
示すものとす゛る。（すなわちＵとＤとは上段支持部■
と下段支持部６１と等価である。）今、基板支持体（２
４１は第１Ｏ図人の高さ位置に１未処理のウェハー（４
ηは上段支持部Ｕに載置されているものとする。また両
側壁部のゲートバルブ（１０ＱＩＪは閉じているものと
する。、（ゲートバルブ（６）は開で真空状態にある入
この状態においてフォーク（８）はバッファ室（３）か
ら伸びてきて処理済のウェハーに７）′を載置させて第
１０図人に示すように上段支持部Ｕと下段支持部りとの
間に至る。

ここで基板支持体ｃ！ａは第１Ｏ図Ｂで示す位置へと上
昇する。この上昇途上において処理済のウェハー（４〃
は下段支持部り上に載置されて、こ＼で停止し、尚、基
板支持体ｃ！瘤は上昇し第１Ｏ図Ｂの位置で停止するの
であるが、こ＼ではフォーク（８）は処理済のウェハー
（４７７から離れて図示の位置（溝（５２ａ　）（５２
ｂ）内）にある。この位置においてフォーク（８）は矢
印で示す如くバッファ室（３）へと後退する。

第１０図Ｃに示すように基板支持体Ｑ４１は下降し再び
第１０図人の高さと同じ位置を取る。ついで、フォーク
（８）が第１０図Ｃで矢印で示すようにバッファ室（３
）からウェハー交換室（５）内に伸びてきて図示の位置
を取る、基板支持体ｅ４１は下方へと移動し第１０図り
の位置を取る。これによりフォーク（８）により未処理
のウェハー（４ηが担持される。ついで、フォーク（３
）はバッファ室（３）へと退却する。

第五〇図Ｅに示すように基板支持体＠は更に下方へと移
動する。この位置でゲートバルブが閉じられウェハー交
換室（５）は大気圧にもどされる。そしてゲートバルブ
顛助が開けられる。

第１０図Ｅの位置に基板支持体＠が停止するとベルトコ
ンベヤ（５７ｇ＋）（５・７ｂ）上に処理済のウェハー
＋４？）’が図示する如く載せられる。こ＼でゲートバ
ルブαＱ叩が開かれているので処理済のウェハーｆ４７
）’は開口（ｎ−）を通シベルトコンベヤα轡により移
送されて、処理済のウェハーカセット（ト）内に導入さ
れる。

基板支持体Ｃ４）は更に下方へと移動し第１Ｏ図Ｆの位
置をとる。この位置ではベルトコンベヤＱ２（５６ａ）
（５６ｂ）は基板支持体＠の上段支持部Ｕよシ上方に位
置する寿のであるが、この位置で未処理のウェハースド
ックカセット（至）から取出されたウェハーＡ１はベル
トコンベヤ（２）によシ移送されて開口（１４ａ）を通
ってウェハー交換室（５ン内に導ひかれる。ついで基板
支持体Ｑ４１は上方へと移動し再び第１０図人のウェハ
ー（４では上段Ｕ上に載置される。こ＼でゲートバルブ
（２）東が閉じられ交換室（５）内は真空状態に排気さ
れる。ついで冒頭に述べた如くゲートバルブ（６）が開
けられフォーク（８）がバッファ室（３）よシウェハー
交換寥（５）内に処理済のウェハー１４７）′を載せて
第１Ｏ図人に示す位置に至る。以下、上述の操作を繰返
す。

なお、以上の工程において処理済のウェハー（４９′が
下段支持部りに載置されているときには基板支持体（２
）の基板部ＯＤ内には冷却水が循環しているので、これ
との熱交換によシ処理済で熱いウェハー１４７）’は冷
却される。これによシウェハー交換室内から大気へと搬
出されるときには化学変化を殆んど受けることなく安定
した状態でカセット（至）内に収めることができる。

以上本発明の実施例について説明したが、勿論、本発明
はこれに限定されることなく本発明の技術的思想にもと
づいて種々の変形が可能である。

例えば、以上の実施例では上段支持部■には未処理のウ
ェハー（４つを載置し、下段支持部５値には処理済のウ
ェハーｔ４７１’を載置させるようにしたが、これ等の
支持部の段数を更に増加し、これ等を２つのグループに
分けて、一方のグループには未処理のウェハーをそれぞ
れ載置するようにし、また他方のグループには各々処理
済のウェハーを載置するようにしてもよい。処理済のウ
ェハー及び未処理のウェハーの搬入及び搬出はそれぞれ
同期して行うようにすればよい。この場合、段数に応じ
て搬入搬出用のベルトコンベヤが必要であシ、またバッ
ファ室から交換室へのまたこの逆のウェハーの搬入搬出
には複数のフォークが必要であるが、こｎ等の７オーク
を上下に一体化して同期させるようにしてもよい。

えて上段の支持部に加熱手段を設け、この上に載置され
る未処理のウェハーを加熱するようにしてもよい。この
加熱したウェハーをバッファ室（３）及び反応室（２り
又は（２りに導入させるようにしてもよい。

更に、基板支持体（２４１において上段支持部と下段支
持部との間に熱絶縁材を介設させ、上段支持部には加熱
手段を設は下段支持部には上記実施例と同様に冷却手段
を設けるようにしてもよい。

また以上の実施例では基板支持体＠の高さ位置は５つと
したが、更にこの数を増大させてそれぞれの高さの位置
において上記ウェハーの搬入、搬出方法以外の方法によ
シ搬入搬出を行うようにしてもよい。この場合、搬入、
搬出機構としてのベルトコンベヤ及びフォークのレベル
も実施例のように一箇所だけでなく、上下に複数、設け
るようにしてもよい。また、搬入、搬出手段もフォーク
やベルトコンベヤに限定されることなく公知の種々の手
段が適用可能である。また以上の実施例では処理済のウ
ェハーと未処理のウェハーとを別々のゲートバルブを介
して搬入、搬出するようにしているが、共通の一つのゲ
ートバルブを介してこ基板又換機構に依れば、大気中の
所定の位置ヘウエバー交換室から処理済ウェハーを搬出
及び大気中の所定の位置からつ２バー交換室へウェハー
を搬入する作業、さらにそれに伴うベント、排気作業を
処理室で他のウェハーの処理を行っている間に平行して
行うことが可能となり、処理室でのウェハー交換作業上
要する時間を最小にすることが出来、生産性を一段と向
上させる事が出来る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例に依るＣＶＤ装置全体の配置を
示す平面図、第２図は上記装置に於ける基板交換機構の
断面図、第３図は同基板交換機構に於けるゲートバルブ
の詳細を示す断面図、第４図は第３図に於ける一部分の
斜視図、第５図は同基板交換機構に於ける基板支持体の
拡大斜視図、第６図は同平面図、第７図は第６図に於け
る■−４線方線方向図、第８図は第６図に於ける■−■
線方向断面図、第９図は第６図に於けるＷ−Ｅ［線方向
断面図、基−繍り第１Ｏ図人乃至Ｆは本実施例の作用を
示すための要部の各側面図である。第１１図は従来例の
基板交換機構を示す断面図である。 なお図において、

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. （１）側壁部に少なくとも２個の開口を有し、これをゲ
   ートバルブで開閉自在とした真空槽内に配設され、基板
   支持部を上下に少なくとも２段有する基板支持体と；該
   基板支持体を上下方向に所定の複数の位置で停止可能に
   駆動する昇降駆動部とから成り、前記２段のうち一方に
   は表面処理済の基板を載置させ得るようにし、他方には
   未処理の基板を載置させ得るようにしたことを特徴とす
   る真空槽内における基板交換機構。
2. （２）前記２段のうち一方を冷却するようにしたことを
   特徴とする前記第１項に記載の基板交換機構。
3. （３）前記２段のうち他方を加熱するようにしたことを
   特徴とする前記第１項に記載の基板交換機構。
4. （４）前記両ゲートバルブのうち大気と連通、遮断を行
   うゲートバルブは前記真空槽の側壁部に設けられた通孔
   の真空室側の開口を、上向きに傾斜して設け、該開口を
   開閉する弁板を、真空隔壁を貫通して大気側に斜めに引
   き出されたロッドを介して、大気側に設置された駆動源
   によつて昇降させるように構成したことを特徴とする前
   記第１項に記載の基板交換機構。
5. （５）前記弁板は、基板の直径より大きく形成され、そ
   の両側部に取付けられ大気側に引き出された２本のロッ
   ドを介して、大気側に設置されたシリンダに連結されて
   いることを特徴とする前記第４項に記載の基板交換機構
   。