JPS63152086A - 磁気バブル拡大器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概　要〕 磁気バブル拡大器であって、パーマロイパターンで構成
されたパターン列の端部のパーマロイパターンの一部を
含むようにバイアスレベルを下げた領域を設けたことに
よりパターン列端部におけるバブル転送エラーの防止を
可能とする。

〔産業上の利用分野〕

本発明は電子計算装置等の記憶装置に用いられる磁気バ
ブルメモリ素子のバブル磁区拡大器に関するものである
。

磁気バブルメモリ素子は、例えばガドリニウムガリウム
・ガーネットの単結晶基板の上に液相エピタキシャル成
長法により磁性ガーネットの薄膜（磁気バブル結晶）を
形成し、その上にパーマロイ等の軟磁性薄膜を用いたハ
ーフデスク型又は非対称シェブロン等のパターンを行列
させたバブル転送路を形成したものであり、バブル発生
器により情報に従って発生させたバブルを転送路に導き
、そのパターンにバブルがある場合を“１”、ない場合
を“０”として情報を記憶させている。また情報の読み
出しは、バブルをバブル磁区拡大器によって引伸ばし、
ストライプ磁区とした後、磁気抵抗効果を利用した検出
器により電気信号として取出し、バブルの有無を検出す
るようになっている。

〔従来の技術〕

従来の磁気バブル拡大器１は、第４図ａ及びｂに示すよ
うに軟磁性薄膜の基本パターン２を多段につみ重ねたパ
ターン列３を１ビット分の転送部とし、これをバブル転
送路４から検出器５に向って多数列（多数ビット）くり
かえし配置した構成をとっている。この時第１列と検出
器直前の段数は同じである。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上記従来の磁気バブル拡大器では、第４図すに示すよう
に、ストライプ磁区６がパターン列３の端部にからまり
回転磁界Ｈ０の位相に対して正しく転送されないため、
下向き位相のときビット遅れでストライプしエラーを起
す欠点があった。

本発明はこのような点に鑑みて創作されたもので、パタ
ーン列端部でのエラーを防止し動作マージンを向上した
磁気バブル拡大器を提供することを目的としている。

〔問題点を解決するための手段〕

このため本発明においては、第１図に例示するように、
複数個の山形状パーマロイパターン１０を多段につみ重
ねたパターン列１１を多数列くり返して配置した磁気バ
ブル拡大器において、上記パターン列１１の端部に位置
するパーマロイパターンのバブル入口側Ａから山形パタ
ーン頂部Ｂをバブル径程度進んだ位置Ｃまでの部分を含
んでバイアスレベルを下げた領域１２を設けたことを特
徴としている。

〔作　用〕

パターン列１１の端部にバイアスレベルを下げた領域１
２を設けたことにより、該パターン列１１で引伸ばされ
たストライプ磁区１３はパターン列１１のバイアスレベ
ルを下げた領域までは伸びず、従ってパターン列１１端
部でのバブルのからまりを生ぜず、バブルの誤動作が防
止可能となる。

〔実施例〕

第１図は本発明の実施例を示す図である。

本実施例は第１図に示すように、パターン列１１を構成
するパーマロイパターン１０には、シェブロン又は変形
シェブロン又は非対称シェブロン等の山形状のパターン
を用い、パターン列１１の端部に斜線で示すような形状
でバブルの存在するバイアスレベルを下げた領域１２を
設けたものである。このバイアスレベルを下げた領域１
２は、パーマロイパターン１０の入口Ａ側の半分で、パ
ターンの山形状の頂部Ｂからバブル径程度光の０点まで
カバーしている。バイアスレベルを下げる方法は、ハー
ドバブル抑制用のイオン注入より深く注入を施すか、あ
るいはバブル結晶の表面を削り取ることによってなされ
る。

このように構成された本実施例の作用を第２図を用い、
従来例と比較して説明する。同図はバイアス下限での動
作を示しており、先ず駆動磁界Ｈａの位相がａ図に示す
方向にあるときは、ストライプ磁区１３はパターン１０
の入口に存在する。駆磁界ＨＩｌがす、ｃ図に示す方向
に進むにつれてストライプ磁区１３の端部は、本実施例
ではバイアスレベルを下げた領域１２により１パターン
分縮んでおり、０図からｄ図のところで端部に伸びるが
ストライプ磁区１３の端部の動きは正常である。

しかし従来例では、ｃ、ｄ図に示す回転磁界方向のとき
、パターン１０の頂部Ｂにストライプ磁区を引きつける
チャージができるためストライプ磁区１３はＢ部のとこ
ろに留まる。さらに駆動磁界が進みｅ図に示す方向にな
ると、本実施例ではストライプ磁区１３の端部は縮んで
次のビットへ移動しａ図と同じ状態となる。ところが従
来例ではＡ部で留まったストライプ磁区Ｉ３の端部がｅ
図でパターン入口側に伸びだし、ビット遅れのエラーを
起す。このように本実施例はパターン列端部におけるス
トライプ磁区のからまりがなく、従ってバイアス磁界下
限でのマージが良好となる。

第３図ａ　−ｄは本発明の他の実施例を示す図である。

第３図ａ及びｂはシェブロンパターンを２段つなげたパ
ターンの場合に、図の如くバイアスレベルを下げた領域
１２を設けたもので、この場合はバブル拡大器のバイア
スレベルが高バイアス側にシフトしているので下限のマ
ージンを拡大する量が大きくなり、バブル拡大器として
の大きなマージン拡大が期待できる。

第３図Ｃはパターン列端部の２段のパターンにわたって
バイアスレベルを下げた領域１２を設けたものであり、
第３図ｄは非対称シェブロンパターンに本発明を実施し
たものである。このｄ図の非対称シェブロンパターンの
場合、バイアスレベルを下げた領域１２は前実施例と同
様に山形の頂部Ｂからバブル径程度進んだ０点までとし
ている。

なおｃ、ｄ図の実施例の効果は前実施例と同様である。

〔発明の効果〕

以上述べてきたように、本発明によれば、極めて簡易な
構成で、磁気バブル拡大器のエラーを防止して動作マー
ジンの向上ができ、実用的には極めて有用である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例を示す図、 第２図は本発明の実施例の動作を従来例と比較して説明
する図、 第３図は本発明の他の実施例を示す図、第４図は従来の
磁気バブル拡大器を示す図である。 第１図、第２図において、 １０はパーマロイパターン、 １１はパターン列、 １２はバイアスレベルを下げた領域、 １３はストライプ磁区である。 本発明の第１の実施例を示す図 第　１図 １２・・・バイアスレベルを下げた領域（Ｑ）　　　　
　（ｂ）　　　　　（Ｃ）　　　　　（ｄ）　　　　　
　　（ｅ）本発明の実施例の動作を従 来例と比較して説明する図 第２図 １０・・・ノぞ−マロイノＰターン （Ｑ）　　　　　　　　　　　　　　　（ｂ）ぐ：コ バブル進行方向 本発明の他の実施例を示す図 第３図 （ｂ）一部拡大図 従来の磁気バブル拡大器を示す図 第４Ｉ２

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、複数個の山形状パーマロイパターン（１０）を多段
   につみ重ねたパターン列（１１）を多数列くり返して配
   置した磁気バブル拡大器において、上記パターン列（１
   １）の端部に位置するパーマロイパターンのバブル入口
   側（Ａ）から山形パターン頂部（Ｂ）をバブル径程度進
   んだ位置（Ｃ）までの部分を含んでバイアスレベルを下
   げた領域（１２）を設けたことを特徴とする磁気バブル
   拡大器。 ２、上記バイアスレベルを下げた領域（１２）がハード
   バブル抑制用のイオン注入とは異なるイオン注入を行な
   ったものであることを特徴とする特許請求の範囲第１項
   記載の磁気バブル拡大器。 ３、上記バイアスレベルを下げた領域（１２）がバブル
   結晶の一部を削除したものであることを特徴とする特許
   請求の範囲第１項記載の磁気バブル拡大器。