JPS59101092A - 磁気記憶方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は膜面垂直方向を磁化容易方向とする強磁性体薄
膜に形成されるストライプドメインノ境界を形成する。

ブロッホ磁壁の中に静的に安定に存在する 垂直プロッホラインを記憶情報単位として用いる新規な
磁気記憶方法に関する。

第１図はフロツボ磁壁中のプロッホライン対ヲ示す。垂
直プログホラインはフロツボ磁壁中で左回りのブロッホ
磁壁部（第１図（ｂ））と右回りのブロッホ磁壁部（第
１図（Ｃ））とかぶつかり合ったところにできるネール
型磁壁部（第１図（ａ）の２）である０ ストライプドメインに同符号の垂直プロツボライン対の
有無の配列として情報を記憶する場合、該ストライプド
メインの初期状態としてプロッホラインが全く入ってい
ない、いわゆるＳ＝１状態を用いる方法が提案されてい
る。この方法では垂直プロッホライン対は第２図に示す
ように、ストライプドメインの上側と下側とでは、垂直
プロツボライン対の間の領域のブロッホ修壁部の磁化が
互いに逆向きになっている０このような構造は自然界に
存在する地磁気の影響、あるいは該素子に通常用いられ
る膜面垂直方向に加えられるバイアス磁界とチップ面と
の直交性のわずかなずれに基く面内磁界成分かあると、
どちら、か−万の垂直プロッホライン対が不安定になる
。

狗えば、第２図（ａ）のように、ストライプドメインの
上側および下側に１対ずつの垂直プロッホライン対かあ
るとする。ｂＬ、上記原因による面内磁界成分が第２図
（ｂ）のように右向きに加わっていると、ストライプド
メイン上側の垂直プロッホラインは２つに分割され、ス
トライプ磁壁全体のゼーマンエネルギーを低める構造を
とる。このため１２つの垂直プロッホライン対を蓄積し
たにもかかわらず、その中の１対は分解してしまう現象
かしばしば見られた。

さらに）ｌｉ、ｐがある場合、この分解してストライプ
ヘッドに移動した垂直プロッホラインは垂直プロッホラ
イン駆動法としてよく用いられる０バイアスパルス印加
法ではうまく駆動できない。

その理由を第３図に示す。第３図（ａ）のように垂直プ
ロッホラインがストライプドメインヘッドに存在してい
る状態にバイアスパルス磁界を印加すると、該垂直プロ
ッホラインは第３図（ｂ）に示す位置に一旦移動するか
、垂直プロッホライン超勤用バイアスパルス磁界が切れ
ると、上記原因に基ずくめ、眼垂直プロッホラインは面
内磁界成分がある不安定性が取除かれた新らたな磁気記
憶方法を提供するものである。

−ｒｔわち本発明は情報の読み出し、書き込み、蓄積の
機能を侃えてなる磁気記憶力法４こおいて、膜面に垂直
な方向を磁化容易方向とする強磁性体膜（ツーり磁性体
膜も含む）に存在するストライプドメインの周辺のブロ
ッホ′ａｉ壁中に作った相隣合う２つの垂直プロツボラ
インからなる垂直プロッホライン対を記憶情報単位とし
て用い、前記ストライプドメインの初期状態を負のプロ
ッホラインが２本存在する状態（Ｓ＝０状態）にしてお
くことを特徴とする磁気記憶方法である。

本発明について以下に詳しく説明する。

本発明の特徴はストライプドメインの初期状態をＨｉｐ
　が存在しているため、ストライプドメイン全体のゼー
マンエネルギーを低めるように垂直プロッホラインはス
トライプドメインヘッドに存在する。この状態のストラ
イプドメインに負の垂直プロッホライン対を１対書込ん
だ状態を第４図（ｂ）に示す。この状態にプロッホライ
ン駆動用バイアスパルス磁界を印加していくと、垂直プ
ロッホライン対は第４図（ｃ）に示すようにストライプ
ヘッドに来る。さらに、バイアスパルス磁界を印加する
と、第４図（ｄ）に示すように３本の垂直プロッホライ
ンが移動する。この状態でバイアスパルス磁界を切ると
、Ｈｉｐの存在のため、　３本のプロッホラインの中で
最後尾の１本だけ、ストライプドメインヘッドに戻り、
第４図（ｅ）に示すような状態になり、ストライプドメ
イン全体のゼーマンエネルギーを低める。結局垂直プロ
ッホライン対が第４図（ｂ）の位置から（ｅ）の位置へ
安定した状態で転送されたことになる。・…し、ストラ
イプヘッドを通過する毎に、プロッホライン対の間の磁
化向きがＨｉｐの逆になるように、　もともとストライ
プドメインヘッドにあるプロッホラインと駆動されてく
るプロッホライン対の計３本のプロッホラインの間で、
プロッホラインの再編成がくり返されている。このよう
な転送機構を使うことにより、地磁気等の外部磁界に打
勝つ面内磁界を人為的にストライプトメ・イン長手方向
に加えておくことにより、外部じよう乱に強い垂直プロ
ッホライン対の転送を可能にした。

以下、本発明をその実施例１こ基づき、詳細に説明する
。本発明の主な点は膜面垂直磁化膜に存在するストライ
プドメイン周辺を形成するブロッホ磁壁内に存在する垂
直プロッホラインを情報記憶単位とするところにあるが
、以下の実施例ではメジャーマイナー構成を例にして垂
直プロッホラインメモリーの一形式を述べる。本実施例
ではメジャーラインでは従来通りバブルドメインを情報
単位とし、マイナーループをストライプドメインで構成
し、その周辺のブロッホ磁壁内に存在する垂直プロツボ
ライン（以下ＶＢＬという）を情報単位トスるものにつ
いて述べる０ 第５図はチップの全体図である。全体の情報の流れを示
すと、まず、発生器４で書込まれた情報（バブルの有無
）は書込みメジャーラインを上から下へ移動するＯこの
情報をマイナール−プ５へ記憶させるために、バブル６
の有無で示されたメジャーライン上の情報をマイナール
ーズヘＶＢＬの形でトランスファーできるように、マイ
ナール−プをＶＢＬ　　を保持できるブロッホ磁壁で構
成することが本発明の特徴であり、記憶容量の飛躍的向
上の重要なカギになっている。書込みライントランスフ
ァーゲート７により、マイナール−プにトランスファー
された情報（ＶＢＬ　）はマイナール−プを構成するス
トライブドメイン磁壁土を移動させることができる。マ
イナーループから読出しメジャーラインへの情報トラン
スファーはＶＢＬからバブルへの変換を伴うＯなお、こ
の読出しトランスファーゲート８はブロックレプリケー
タ機能も合せ持っている。

このようにマイナーループをバブル材料に存在するスト
ライプドメインで構成し、マイナーループ上での情報単
位としてバブルドメインの代りにＶＢＬを用いることに
より、従来のバブルドメインを用いた素子に比較して約
２桁の記憶密度向上を達成できる。

以下、上記チップ各部の動作を詳細に説明する。

本実施例ではメジャーラインは曹込み、読出しともに電
流駆動方式ＣＤＣＰ　）を採用した。従来よく使われて
いる面内回転磁界駆動方式では、面内磁界とマイナール
ープ上のＶＢＬとの相互作用のため記憶情報が破壊され
る危険性が高いためである０但し、本発明では、ＶＢＬ
対の安定転送を確保するため、ストライプドメイン長手
方向に面内磁界を常に加えである。

また、次に例示する書込みトランスファーゲートはメジ
ャー・ライン上のバブルとマイナーループを構成するス
トライプドメインヘッドとの相互作用を用いている。つ
まり、メジャーライン上にバブルドメインがあると、そ
れにつながるマイナーループを構成しているストライプ
ドメインのヘッドはバブルとストライプドメインの反発
相互作用のため、バブルから遠ざかることを利用してい
る。

第６図には、書込みメジャーラインにバブルがないとき
、マイナールーズのストライプドメイン磁壁にＶＢＬを
書込む、いわゆる相補型トランスファーゲートの動作手
順を示す。本発明ではＳ＝Ｑストライプドメインを用い
ているので、ストライプドメイン磁壁に何も記憶されて
いない状態ですでにストライプドメインヘッドに負のＶ
ＢＬ　１４が１本存在している。トランスファーゲート
は４本の平行コンダクタ−９，１０，１１，１２および
１１．１２の上に、絶縁層を介して形成した帯状コンダ
クタ−１３からできている。マイナールーズを構成する
ストライプドメインはメジャーラインにバブルがない場
合、第６図（ａ）に示す位置に安定化させておく。

ストンイブトノインヘッドにＶＢＬを作る方法として、
ここではコンダクタ−ライン１０にパルス電Ｒ，Ｉ　ｐ
　１を与え、　ストライプドメインヘラドラ第６図（ｂ
）に示す方向にダイナミックに移動させる方法を用いる
。

但し、本発明ではストライプヘッドにすでに１本の負の
Ｖ　Ｂ　Ｌかあるので、書込ろ動作の前にこのＶＢＬを
ヘッドからはずしておく必要がある。

第６図（ｂ）に示すように、ＶＢＬを反時計方向にスト
ライプドメイン磁壁土を周回させる。ます、ストライプ
ドメイン全体にＶＢＩＪ動用バイアスパルス磁界を加え
、ＶＢＬ１４をコンダクタ−１３の右端まで移動させる
と同時にコンダクタ−１３に矩形状電流を与え、Ｈｉｐ
に打勝つ面内磁界をコンタクタ−パターン１３直下に生
じさせる。こうすることにより、ＶＢＬＬ４はコンダク
タ−パターン１３の右端に保持しておく。そうすれは、
コンダクタ−ＩＯに加えた■ｐ１により、ストライプヘ
ッド部１５のブロッホ磁壁部の磁化は１８００回転し、
第６図（ａ）の向　゛きから第６図（Ｃ１の向きに変る
。これは磁壁構造のダイナミックコンバージ璽ンという
。こうするこトニより、ストライプドメインヘッドの両
側に、ブロッホ磁壁の磁化が互いにぶつかり合うところ
１５．１６ができる。その部分がＶＢＬと呼ばれるとこ
ろである。この状態でコンダクタ−１３に与えていた矩
形状電流を切、ると−１、ＶＢＬ１６はＨｉｐの影響で
、ＶＢＬ１４とＶＩ３Ｌ対を作り、メジャーラインなお
、この後、ストライプヘッドにあるＶＢＬ　　１５の符
号を反転するため、コンダクタ−１１，１２にパルス電
流を与えてストライプドメインヘッドを第６図（ｅ）に
示すように切りとると、切りとった後のストライプヘッ
ドにはＨｌｐの影響で負のＶＢＬ　か入り、書込み動作
を完了したことになる。ＶＥＬ１５を■のまま残してお
くと、■のＶＢＬと■のＶＢＬが互いに再結合しやすく
、情報保持の安定性がよくない。なお、ストライプドメ
インから切りとった不用バブルは第６図の９，１１のコ
ンダクタ−に平行パルス電流を与えてメジャーラインへ
移動すせ、最後に消去する。

マイナール・−プ内では○ＶＢＬの対を１ピツトドして
第７図に示すように情報が記憶される。■。

■、■、・・・・・・がそれぞれ１ビツトに対応する。

第７図に全ビット書込んだ情報列を示す。

次にマイナーループ内のビット周期つまり、ＶＢＬ間隔
がどのようにして与えられるかを考える。２つのＶＢＬ
の間の相互作用として、ＶＢＬの場所に誘起される磁極
によって生じる静磁エネルギーと、磁壁内θ化のねじれ
による交換相互作用とがある。前者はＶＢＬの間隔を縮
める向きの力を生じ、後者は逆にＶＢＬ同志を遠避ける
力を生じる。これら２つの力のつり合いから、２つのＶ
ＢＬ間の安定距離Ｓｏは、バブル材料のＱ値（５Ｈｋ／
４πＭｓ）が大きいときはＳｏ＝πＡとおける０ここで
、（＝（Ａ／２πＭｓ２）である。このＳＯはバブル材
料の特性長ｌにほぼ等しい。従って、ビット周期２８ｏ
＝２１となる。ＶＢＬの密度は１μｍバブル材料を用い
ると、１−チップではストライプドメインンの数は５０
００本、つまり、　磁壁の数は］　００００本となる。

ｌ　＝　０．１２５　μｍとすると、ＶＢＬ対の間隔（
ビット周期）は２１＝０．２５μｍとなり、１ｃｒｎの
長さの中の磁壁中にＶＢＬ対は４ＸｌＯ’個入る０した
がって、１−中には４　ＸＩＯＸ　１０　＝　４００メ
カビツト収答できる。ＶＢＬか高密度に等間隔で存在し
ているときは、ＶＢＬ対の間隔はＳｏで安定化される。

しかし、ＶＢＬ対が不連続に存在している場合、例えば
、”００１０１０００１・・・・・・“といっり情報列
を考えて、１ビツトずつ遂次転送できるよう転送パター
ン１８をつけ、ＶＢＬ間の引力Ｆａおよび反発力Ｆｒを
利用してビット位置をきめた。

ここでは、−例として上記マイナールーズを構成するス
トライプドメイン上にストライプドメインの長手方向に
直角方向に２８ｏｊｉＧ期で、幅Ｓｏ　のパーマロイ薄
膜で作った平行細線パターンを形成し、平行細線の両側
に誘起される磁極とＶＢＬとの相互作用を利用した。

ＶＢＬのマイナールーズに沿って転送は一つの方法とし
て、ストライプドメインにパルスバイアス磁界を加えて
ダイナミックに行なったｏ　　ＶＢＬの速度ＶＢｔ、は
磁壁の磁壁面法線向きの速度成分〜を用いて、ＶＢ−＝
　（πＱ”−／２α）−と書ける。

ＶＢＬ対の間隔（ビット周期）は２πＡであるからＶＢ
Ｌを２πΔ動かすためのパルス磁界振幅Ｈと、となり、
振幅２５０ｅのパルス磁界の場合、その幅はＩＱ　ｎ５
ｅｃあれば、ＶＢＬは２πＡ移動できることを意味して
いる。ここでは、ＶＷとして、ＶＢＬがπΔの間隔で高
密度につまっている部分の値を用いた。その他の部分は
もっと速く移動できる〇つ才り、７ｗはＶＢＬが高密度
につまっている部分とＶＢＬがまったくない部分に比較
して約ｌ／１０００　　になる。しかし、これはＶＢＬ
の遂次転送にはあまり影響を与えなかった口 耽出しトランスファーゲートはマイナーループを形成し
ているストライプドメイン磁壁にＶＢＬとして記憶され
ている情報をバブルに変換してメジャーラインにトラン
スファーアウトし、かつ、マイ丈−ループ上の情報が破
壊されないようにするレプリケータ−の働きも兼備えて
いる。第８図にその動作原理を順を追って貌明する０ま
ず、第８図（ａ）に示すように、ストライプドメインヘ
ッドには○ＶＢＬ　２２がある。そのとなりの○ＶＢＬ
対２３を駆動するバイアスパルス磁界を印加しＶＢＬを
反時計方向に移動する。次にコンダクタ−１８，１９に
対応して、絶縁１端を介して形成された帯状コンダクタ
−パターン２１に矩形状電流を加え、コンダクタ−２１
直下にＨｉｐに打勝つ大きさの左向き面内磁界を発生す
る。こうすることにより、ＶＢＬ２２、ＶＢＬ対２対合
３８図（ｂ）に示す位置に保持しておいて、帯状コンダ
クタ−２１の下に絶縁層を介して設置したコンダクタ−
パターン１８．１９に半平行パルス電流を与え、第８図
（ｃｌに示すようにストライプドメインヘッドを切りと
る。その後、帯状コンダクタ−パターンに与えた電流を
切る０こうすることにより、ヘッドを切りとった後のス
トライプドメインヘッドには帯状コンダクタ−パターン
により与えた左向き面内磁界を反映した○ＶＢＬが形成
される〇ストライプドメインヘッドから切りとられたバ
ブルはストライプドメイン磁壁土のＶＢＬ対の存在に対
応している。このバブル２４をコンダクタ−パターン１
９．２０に平行パルス電流を与え、読出しメジャこのよ
うに読出し部にあるストライプドメインヘッドはビット
安定位置にしておく。

なお、駆動条件はストライプヘッドにＶＢＬ対５かある
とき、その後にあるＶＢＬ２６が第８図（ｂｊの２２の
ＶＢＬの位置にくるように設定する〇第８図に示すコン
ダクタ−１８，１，９に電流パルスをロツホ磁壁の磁化
が互いに平行になっている場合と、不平行になっている
場合とで異なることがこのゲートでは利用されている。

この理由を簡単に述べる。コンダクターア、２９の右側
にＶＢＬがない場合と、ある場合とでは、コンダクタ−
２８，２９の間の領域のストライプドメイン磁壁（ブロ
ッホ磁壁部）内の磁化の向きが第１０図に示すように異
なる。つまり、ストライプドメイン磁壁面（°こ垂直方
向から磁化のねじれの様子をみると、ＶＢＬがない第１
０図（ａ）の場合、磁化はストライプドメインを横切っ
たとき、完全に１回ねじれている。これに対し、ＶＢＬ
がある第１０図（ｂ）の場合、磁化はドメイン内だけ半
回転ねじったようになっている。この場合、ストライプ
ドメイン幅を狭くしていくと、砲化間の交換相互作用が
高、まるため、ドメイン部の反転磁化はドメインの両側
と同じ向きに回転させられる。つまり、ドメインをなく
することによって交換エネルギーの上昇を回避する。

他方、第１Ｏ図（ａ）の場合、ドメイン部を通過するこ
とにより、磁化は１回転しているので、ドメイン幅を狭
くしたときの交換相互作用の上昇を第１０図（ｂ）に示
す機構では回避できない。代りに、ドメイン幅を縮めな
いようにすることで交換エネルギーの上昇を防いでいる
。このように、ストライフドメイン幅を狭くする過程で
の交換相互作用の上昇を回避する機構がストライプドメ
インヘッドにイブドメインの消失磁界を第１０図（ａ）
およびｒｂ）の磁壁構造のものについて比較した結果で
、第１１図１に示す第１０図（ｂ）相当の場合が消失し
やすいことを示している。この機構のちがいを利用する
と、第１０図に示したよう１こ、コンダクタ−２７，２
８にパルス電流■ｐ４を与え１　ストライプドメインを
分断しようとすると、ストライプドメインヘッドにＶＢ
Ｌがない場合は第１θ図（ａ）に相当するため、第９図
（ａ）に示すように分断が難しい。他方、ＶＢＬｉｓあ
る場合、第１０図（ｂ）に対応し、第９開山）に示す如
＜　、Ｇ　ｔａｒされやすい。このような動作を利用し
て、書込／）ライン上にバブルがない位置で、ＶＢＬが
マイナールーズに入り、かつ、読出しラインにバルブを
送り出す方式のバブル素子を形づくっている。

なお、ストライプドメインヘッドにマイナスのＶＢＬが
ある場合、　ストライプドメインヘッド部他方、第１０
図（ａ）の場合、ドメイン部を通過することにより、磁
化は１回転しているので、ドメイン幅を狭くしたときの
交換相互作用の上昇を第１０図（ｂ）に示す１区構では
回避できない。代りに、ドメイン幅を縮めないようにす
ることで交換エネルギーの上昇を防いでいる。このよう
ｌζ、ストライプドメイン幅を狭くする過程での交換相
互作用の上昇を回避する機構がストライプドメインヘッ
ドにブトメインの消失磁界を第１０図（ａ）および（ｂ
）の磁壁構造のものについて比較した結果で、第１１図
（ｂ）に示す第１θ図（ｂ）相当の場合が消失しやすい
ことを示している。この機構のちがいを利用すると、第
工。

図に示したように、コンダクタ−２７，２８にパルス電
流Ｉ＋）４　を与え、ストライプドメインを分断しよう
とすると、ストライプドメインヘッドにＶＥＬがない場
合は第１０図（ａ）に相当するため、第９開−）に示す
ように分断か難しい。他方、ｖＢＬがある場合、第１０
図（ｂ）に対応し、第９開山）に示す如く、分断されや
すい。このような動作を利用して、書込みライン上ｌこ
バブルがない位置で、ＶＢＬがマイナールーズに入り、
かつ、読出しラインにバブルを送り出す方式のバブル菓
子を形づくっている。

なお、ストライプドメインヘッドにマイナスのＶＢＬが
ある場合、ストライプドメインヘッド部を分断すると、
新たにてきたストライプドメインヘッドにもとのＶＢＬ
と同じものが再生されるのはＨｌｐを加えているためで
ある。１ｔｉｐ９加えて右かないと、バブル磁界の面内
成分のため、必ずしもマイナスのＶＢＬが再生されると
は限らなくなる。

次にＶＢＬ対の消去法１こついて説明する。

消去したＶＢＬ対２対合３Ｉ２図（ａｌ　ｉこ示ずよう
に読出しメジャーライン側のマイナールーズのストライ
プドメインヘッドに駆動してもってくる。そうするとス
トライプドメインヘッドには第１２図（ｂｌに示すよう
ｌこもともき存在している（−）　ＶＩ３協と共に３本
の○■ＢＬが集まる。このとき、コンダクタ−１８゜１
９の間の領域ではストライプドメインの両側のブロッホ
磁壁内の磁化は平行になるため、コンダクタ−１８，１
９に情報請出しのときき同じ電流パルスを与えると、第
１２　ＤＵ　（ｃ）に示すように、ストライプドメイン
ヘッドは切りとられ、切りとら第１たストライプドメイ
ンヘッドにはＨｉｐの影響でもともとあったＶＢＬ２２
と同じタイプのＶＨＬ　１本かレプリケートされる。

消去しようとしたＶＢＬ対２対合３トライプドメインヘ
ッドから、バブルに移っている。

したがって、ストライプドメイン上のＶＢＬ対おは消去
されている。なお、ストライプドメインヘッドから切り
は７．１′すれたバブルはメジャーラインへ移され、バ
ブル消去器３ｏへ転送する。

以上の本発明の出猟記録方法によれは従来のバブルメモ
リ素子に比べ約２桁の記録密度向上を実現でき、しかも
本発明において記憶情報単位として用いる垂直プロッホ
ライン対の安定な転送が可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明で記憶情報単位として用いているブロッ
ホ磁壁中の垂直プロッホラインの説明図第２図はＳ＝１
ストライプドメインのプロツボ磁壁中の○ＶＢＬ対を示
す図、第３図はＶＥＬと面内磁界との相互作用の様子を
示す図、第４図は本発明にかかるＳ；０ストライプドメ
イン磁壁中のＶＢＬ対の運動を面内磁界が加わっている
状態について説明する図、第５図は本発明にかかる素子
チ、ブの全体構成図、第６図は本発明の書込みトランス
ファーゲートの一実施例の構造図、第７図は本発明のマ
イナールーズの一実靴例の構成図、第８図は読出しトラ
ンスファーゲートの一実施例の構造図、第９図、第１０
図は、ストライプドメインヘッドにＶＢＬをもたないス
トライプドメインおよびＶＢＬをもっているドメインの
磁壁構造図、第１１図は、ストライプドメイン消失の様
子をストライプドメインヘッドにＶＢＬがない場合とあ
る場合とで比較した図、第１２図は不発明Ｉこ力）力）
る素子におけるＶＢＬ対の消去法の一実施例の構造図で
ある。 各図においてｌはブロッホ磁壁、２は垂直プロッホライ
ン、３は磁壁内磁化、４はバブル発生器、５はマイナー
ループ、６はバブル、７は傳込みライントランスファー
ゲート、８は読出しトランスファーゲート、９．１０．
１１．　１２はコンタクタ−ライン、１３は帯状コンダ
クタ−１１４は○ＶＢＬ、　１５゜１６は■ＶＢＬ、○
ＶＢＬ、１７は転送パターン、　１８゜１９、２０はコ
ンダクタ−ライン、２１は帯状コンダクタ−１２２ハ○
ＶＢＬ　、　２３ｇ−Ｌ○ＶＢＬ対、冴はバブル、アバ
○Ｖｊ３Ｌ対、２６（ユ○ＶＢＬ、２７は検出器、あ。 ２９はコンダクタ−ライン、３０はバブル消去器である
。 第　１　図 第２図 第３図 Ｏ 第４図 （Ｃ）　　　　　　　　　　　　　　　　　　　０第５
図 第６図 ５ 第７図 第８図 第９図 ８２９ 第１Ｏ図 Δ　ストライプドメインか゛分裂イる。 第１２図 手続補正書（内光） 特許庁長官　殿 １、事件の表示　　　昭和５７年　特　許願第２１１７
４７号２、発明の名称　　磁気記憶方法 ３、補正をする者 事件との関係　　　　　　　出　願　人東京都港区芝五
丁１−．＋　３３番１号４、代理人 〒１０８　　東京都港区芝五丁］」３７番８号　作友三
１■ビル口本電気株式会社内 （６５９１）　　弁理士　内　原 電話　東京（０３）４５６−３１１１（大代表）５、補
正の対象 ６、補正の内容 ２）明細書第１頁第１７行目に「・・・を形成する。 ブロッホ磁壁」とあるのを［・・・を形成するブロッホ
磁壁」と補正する。 ３）明細書第２頁第１行目、第２行目に亘る「存在する
、垂直プロッホライン」とあるのを「存在する垂直プロ
ッホライン」と補正する。 ４）明細書第２頁第１０行目に「ストライプドメインに
同符号」とあるのを「ストライプドメイン磁壁内に同符
号」と補正する。 ５）明細書第２頁第１２行目に「初期状態としてプロッ
ホライン」とあるのを「初期状態として磁壁内にプロッ
ホライン」と補正する。 ６）明細書第３頁第１６行目に「よく用いられる。バイ
アス・・・」とあるのを「よく用いられるバイアス・・
・」と補正する。 ７）明細書第４頁第１８行目、１９行目に［負のプロッ
ホラインが２本存在する」とあるのを「負のプロッホラ
インが２本ストライプドメイン磁壁内に存在する」と補
正する。 ８）明細書第１３頁第１６行目に「マイナールーズに沿
って転送」とあるのを「マイナールーズに沿っての転送
」と補正する。 ９）明細書第１４頁第４行、第５行に亘って「その幅は
ＩＱ　ｎ５ｅｃあれば」　とあるのを、［その幅が１０
ｎＳｅＣであれば」と補正する。 １０）明細書第１５頁第１０行目に「半平行パルス電流
」とあるのを「反平行パルス電流」と補正する。 １１）明細書第１６頁第１１行目に「不平行になってい
る」とあるのを「反平行になっている」と補正する。 １２）明細書第１６頁第２０行目に「完全に１回ねじれ
」とあるのを「完全に半回転ねじれ」と補正する。 １３）明細書第１７頁第２行目に「ドメイン内だけ半回
転ねじった」とあるのを「ドメイン内だけ９０°ねじっ
た」と補正する。 １４）明細書第１７頁第１０行目に「磁化は１回転して
」とあるのを「磁化は完全に半回転して」と補正する。 １５）明細書第１８頁第１２行目に「バルブを」とある
のを「バブルを」と補正する０ １６）明細書第１８頁第１４行目、第１５行目に亘って
「なお、ストライプ川・・・ヘッド部」とある部分を削
除する。 １７）明細書第１８頁第１７行目に「磁化は１回転して
いる」とあるのを「磁化は完全に半回転している」と補
正する。 １８）明細書第２０頁第８行目Ｋ「消去したＶＢＬ対」
とあるのを「消去したいＶＢＬ対」と補正する。 代理人　弁理士　　内　原　　晋

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 情報の読み出し、書き込み、蓄積の機能を備えてなる磁
   気記憶方法において、膜面に垂直な方向を磁化容易方向
   とする強磁性体膜（ツーり磁性体膜も含む）に存在する
   ストライプドメインの周辺のブロッホａ壁中に作った相
   隣合う２つの垂直プロッホラインからなる垂直プロッホ
   ライン対を記憶情報単位として用い、前記ストライプド
   メインの初期状態を負のプロッホラインか２本存在する
   状態（Ｓ＝０状態）にしておくことを特徴とする磁気記
   憶方法。