JPS63150155A - 第3−5族化合物半導体の研磨剤 - Google Patents

第3−5族化合物半導体の研磨剤

Info

Publication number
JPS63150155A
JPS63150155A JP61296397A JP29639786A JPS63150155A JP S63150155 A JPS63150155 A JP S63150155A JP 61296397 A JP61296397 A JP 61296397A JP 29639786 A JP29639786 A JP 29639786A JP S63150155 A JPS63150155 A JP S63150155A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
polishing agent
halogenated
compound
group
polishing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP61296397A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH085007B2 (ja
Inventor
Masanori Ota
正典 太田
Masabumi Aoki
青木 正文
Kazuo Nagashima
長島 一夫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nissan Chemical Corp
Original Assignee
Nissan Chemical Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nissan Chemical Corp filed Critical Nissan Chemical Corp
Priority to JP61296397A priority Critical patent/JPH085007B2/ja
Publication of JPS63150155A publication Critical patent/JPS63150155A/ja
Publication of JPH085007B2 publication Critical patent/JPH085007B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、発光ダイオード、半導体レーザー、電子デバ
イス、光電子集積回路等に用いられる周期率表の第m−
v族物質から成る化合物半導体の化学的及び機械的研磨
に用いる研磨剤に関する。
更に詳しく述べると、第m−v族物質例えばGaAs、
、GaP、InAs、InP等から成る化合物半導体の
表面研磨をスクラッチ及び傷の発生が少なく高速鏡面仕
上げ加工を成らしめる、研磨剤に関する。
(従来の技術) エレクトロニクス技術はシリコン半導体でのIC回路に
よるコンピュータ技術が社会的ニーズへの対応に限界が
ある事から、シリコンデバイス性能を越えた第m−v族
化合物半導体による光電子集積回路、高速電子デバイス
、オプトエレクI・ロニクスデバイス等が注目されてい
る。
第m−v族化合物半導体としてはGaAS、、Ga P
 XG a S b 、、A I P XA I A 
S、InAl。
InP、InSb、GaA、]As、、GaAsP等が
挙げられる。またそれらの用途は発光ダイオード、半導
体レーザー、太陽電池、マイクロ波ダイオード、光電子
集積回路及び磁気半導体素子等極めて広範囲である。
上述の第m−v族の化合物の中でもGaAsはIC基板
とデバイスの両分野で開発が積極的に行われている。こ
れらの用途の為のGaAs基板の工業的製法は、ボート
法或いは引き上げ法等て、QaAsのバルク結晶成長さ
せ、その様にして得られた塊からスライス、ウェファ−
を得て機械的研磨と化学的エチングを組み合わせた研磨
法で鏡面仕上げが行れている。
この化合物半導体の研磨法としては従来から下記の方法
が用いられている。
自由回転するスピンドルで支持されている集積用ブロッ
クに研磨すべく半導体のウェハーまたはスライスを固定
する。これを、回転するターンテーブルに支持されてい
るポリウレタン製研磨布に押し付けることで行われるが
、この際に高速、平滑化を目的として化学的エツチング
を組み合わせる。この化学的エツチングの方法としては
、半導体表面と反応して機械研磨により表面から除去可
能とならしめる化学的研磨剤が選ばれる。
従来から知られている化学的研磨剤としては次のような
ものがある。
■有効塩素2.4〜4.6g/6のNa (1!○、K
CI!○水溶液と炭酸ソーダ(米国特許3342652
号) ■0.001〜0.05%のBrzを?容解するメタノ
ール液。(英国特許945933号)■塩化シアヌルを
アルカリ水溶液に溶解した溶液。(特開昭57−196
723号) ■酸性条件下で塩素を遊離する化合物の水溶液を使用(
特公昭57−35574) 〔発明が解決すべき問題点〕 上述の従来のGaAsの化学的研磨剤のうちミ■ではN
aCβOの濃度が高い場合には加工速度は高いが、表面
が酸化される欠点があった。また■では危険度の高いB
rzを用いるし、また加工度が遅い欠点がある。■は水
溶液の安定性が低く研磨速度が極端に遅い欠点がある。
■は研磨時に酸性水溶液を使用するため、有効塩素の安
定性が低くなる。また特に酸性条件下ではウェハーの表
面にスクラッチを生ずる欠点がある。
本発明は、この従来の問題点を解決するために従来に無
い新しい研磨剤を提供することを目的とするものである
〔問題点を解決するための手段〕
本発明者等は上述の問題点を解決するために鋭意検討の
結果、塩素化イソシアヌル酸等の活性ハロゲンを発生す
る化合物を溶解した有機溶媒が加工速度も早く、スクラ
ッチの発生も少なく非常に優れた鏡面が得られることを
見出し本発明の研磨剤を見出した。
即ち、本発明は塩素化イソシアヌル酸、N−ハロゲン化
ジメチルヒダントイン、N−ハロケン化コハク酸イミド
或いはN−ハロゲン化フタルイミドをエステル、ケトン
またはアルコールロゲン濃度が0.01〜10重量/容
量%になる範囲で溶解していることを特徴とする第1I
I−V族化合物半導体の研磨剤に関する。以下更に本発
明の詳細な説明する。
第m−v族化合物化合物半導体としては先にも述べたが
、GaAs,GaP,GaSb,AIP、AIA.s.
、InAs,InP,InSb,GaAl.As,Ga
AsP等が挙げられる。
本発明で使用する塩素化イソシアヌル酸としてばI・ジ
クロロイソシアヌル酸、ジクロロイソシアヌル酸、ジク
ロロイソシアヌル酸す1ヘリウムの無水物及び水和物、
或いはジクロロイソシアヌル酸カリウム等が挙げられる
。これらの中で、特にトリクロロイソシアヌル酸、ジク
ロロイソシアヌル酸が好ましい。又、本発明で使用する
N−ハロゲン化ジメチルヒダントインとしてはジクロロ
ジメチルヒダントイン、ブロムクロルジメチルヒダント
イン、ジブロムジメチルヒダントイン等が挙げられる。
更に、N〜ハロゲン化コハク酸イミド或いはN−ハロゲ
ン化フタルイミドとしては、N−クロルコハク酸イミド
、N−ブロムコハク酸イミド、N−クロロフクルイミド
、N−ブロムフタルイミド等が挙げられる。
有機溶剤としては、上記の活性ハロゲンを発生ずる化合
物と反応せず熔解するものなら良いが、好ましい有機溶
剤としてはエステル、ケI・ン又はアルコール溶媒であ
る。更に具体的に述べると、エステル又はケトン溶媒と
しては一般式(1)で表されるものが好ましい。
R,−C−R2−−−−−−−(I) 但し、式中R1は炭素数1〜6のアルキル基をR2は炭
素数1〜6のアルキル基又はアルコキシル基を表す。こ
れらケトン又はエステルの具体例としては、アセトン、
メチルエチルケトン、ジエチルケトン、酢酸メチル、酢
酸エチル、酢酸プロピル等が挙げられる。アルコール溶
媒としては、炭素数1〜6の]または2価アルコールで
具体的にはメチルアルコール、エチルアルコール、プロ
ピルアルコール、ブタノール、ジエチレングリコール、
プロピレングリコール等が挙げられる。
本発明の研磨剤は上記有機溶媒に、活性ハロゲン濃度が
0.01〜10重景/容量%、好ましくは0.05〜3
重量/容量%になるように、上記のハロゲン化合物を溶
解させることによって得られる。
以下に本発明を実施例で更に詳しく説明するが、本発明
の技術的範囲はこれに限定されるものではない。
実施例1〜8及び比較例1〜9 表−1に示す活性ハロゲンを発生する化合物を活性ハロ
ゲン濃度が0.3重M/容積%になるように調整し、G
aAsの研磨効果を調べた。結果を併せて表−1に示す
。研磨方法は半導体基板の研磨テストに使用されるテス
ト装置を用いつぎのような条件で行い、研磨効果の評価
方法も以下に記ず。比較例として表−2に示す研磨剤を
用い実施例と同様に評価を行った。
〔研磨効果の評価方法〕
研磨速度;研磨前と研磨後のGaAsのウエノ飄−の厚
みを測定し、ウェハースI・インク除去速度、即ち1分
間当たりの研磨速度の3回の平均値より算出した。結果
を表−1及び表−2に示す。
スクラッチの発生程度の評価;微分緩衝型顕微鏡を用い
てウェファ−表面を観察した。また暗室に於いて、黒い
紙の上に研磨後のウェファ−を置き斜めから集光灯によ
り光を照射し、鏡面で反射セ“しめ、表面の乱反射の有
無の程度によりスクラ・ノチの発生の程度を調べた。結
果を表−1及び表−2に示す。
評価結果の記号は以下の意味である。
○  スクラッチ全くない。
口    〃  極めて少ない △    〃  かなり少ない ×    〃  幾分多い ××〃   かなり多い 表−1に示すように本発明の研磨剤はスクラッチの発生
がない優れたものである。

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)塩素化イソシアヌル酸、N−ハロゲン化ジメチル
    ヒダントイン、N−ハロゲン化コハク酸イミド或いはN
    −ハロゲン化フタルイミドをエステル、ケトン、または
    アルコール溶媒にハロゲン濃度が0.01〜10重量/
    容量%になる範囲で溶解していることを特徴とする第I
    II−V族化合物半導体の研磨剤。
  2. (2)第III−V族化合物半導体がGaAs、GaP、
    GaSb、AlP、AlAs、InAs、InP、In
    Sb、GaAlAs、GaAsPであることを特徴とす
    る特許請求の範囲第(1)項記載の第III−V族化合物
    半導体の研磨剤。
  3. (3)塩素化イソシアヌル酸がトリクロロイソシアヌル
    酸或いはジクロロイソシアヌル酸であることを特徴とす
    る特許請求の範囲第(1)項記載の第III−V族化合物
    半導体の研磨剤。
  4. (4)エステルまたはケトンは下記の一般式( I )で
    表されるものであることを特徴とする特許請求の範囲第
    (1)項記載の第III−V族化合物半導体の研磨剤。 ▲数式、化学式、表等があります▼ (但し、式中R_1は炭素数1〜6のアルキル基をR_
    2は炭素数1〜6のアルキル基又はアルコキシ基を表す
    。)
  5. (5)アルコールは炭素数1〜6の1価又は2価のアル
    コールであることを特徴とする特許請求の範囲第(1)
    項記載の第III−V族化合物半導体の研磨剤。
JP61296397A 1986-12-12 1986-12-12 第▲iii▼−▲v▼族化合物半導体の研磨剤 Expired - Lifetime JPH085007B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61296397A JPH085007B2 (ja) 1986-12-12 1986-12-12 第▲iii▼−▲v▼族化合物半導体の研磨剤

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61296397A JPH085007B2 (ja) 1986-12-12 1986-12-12 第▲iii▼−▲v▼族化合物半導体の研磨剤

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS63150155A true JPS63150155A (ja) 1988-06-22
JPH085007B2 JPH085007B2 (ja) 1996-01-24

Family

ID=17833014

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP61296397A Expired - Lifetime JPH085007B2 (ja) 1986-12-12 1986-12-12 第▲iii▼−▲v▼族化合物半導体の研磨剤

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH085007B2 (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140094624A (ko) 2011-11-25 2014-07-30 가부시키가이샤 후지미인코퍼레이티드 연마용 조성물
KR20140098800A (ko) 2011-11-25 2014-08-08 가부시키가이샤 후지미인코퍼레이티드 연마용 조성물
KR20140098801A (ko) 2011-11-25 2014-08-08 가부시키가이샤 후지미인코퍼레이티드 연마용 조성물
US9238755B2 (en) 2011-11-25 2016-01-19 Fujima Incorporated Polishing composition
CN111216034A (zh) * 2020-02-26 2020-06-02 中国科学院微电子研究所 一种半导体器件及其制作方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57196723A (en) * 1981-05-29 1982-12-02 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Polishing method for gallium arsenide
JPS61261386A (ja) * 1985-05-15 1986-11-19 Paresu Kagaku Kk 砥粒分散型スラリ−状ラツピング・ポリツシング潤滑剤

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57196723A (en) * 1981-05-29 1982-12-02 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Polishing method for gallium arsenide
JPS61261386A (ja) * 1985-05-15 1986-11-19 Paresu Kagaku Kk 砥粒分散型スラリ−状ラツピング・ポリツシング潤滑剤

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140094624A (ko) 2011-11-25 2014-07-30 가부시키가이샤 후지미인코퍼레이티드 연마용 조성물
KR20140098800A (ko) 2011-11-25 2014-08-08 가부시키가이샤 후지미인코퍼레이티드 연마용 조성물
KR20140098801A (ko) 2011-11-25 2014-08-08 가부시키가이샤 후지미인코퍼레이티드 연마용 조성물
US9238755B2 (en) 2011-11-25 2016-01-19 Fujima Incorporated Polishing composition
US9688884B2 (en) 2011-11-25 2017-06-27 Fujimi Incorporated Polishing composition
US9816010B2 (en) 2011-11-25 2017-11-14 Fujimi Incorporated Polishing composition
US9834703B2 (en) 2011-11-25 2017-12-05 Fujimi Incorporated Polishing composition
CN111216034A (zh) * 2020-02-26 2020-06-02 中国科学院微电子研究所 一种半导体器件及其制作方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPH085007B2 (ja) 1996-01-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9028709B2 (en) Surface treatment composition and surface treatment method using same
KR101290090B1 (ko) 수계 연마액 및 화학 기계적 연마방법
US5860848A (en) Polishing silicon wafers with improved polishing slurries
US9919962B2 (en) Polishing agent for synthetic quartz glass substrate
US8926859B2 (en) Polishing composition for silicon wafers
GB2412918A (en) Polishing composition and polishing method
TWI558809B (zh) 水性鹼性清潔組合物及其使用方法
JP5441578B2 (ja) 研磨液組成物
KR20000035505A (ko) 연마용 조성물 및 린스용 조성물
JPH07297158A (ja) マイクロエレクトロニクス基板洗浄用のpH調整された、非イオン性表面活性剤含有アルカリ性クリーナー組成物
KR20050071677A (ko) 연마용 조성물 및 린싱용 조성물
JP2016084371A (ja) 研磨用組成物
JP5369506B2 (ja) 合成石英ガラス基板用研磨剤
JPS63150155A (ja) 第3−5族化合物半導体の研磨剤
JP2010135052A (ja) 研磨剤組成物及び磁気ディスク基板の研磨方法
EP4057322A2 (en) Gallium arsenide substrate and method for its surface characterization
JP2001035820A (ja) Cmp研磨液
EP3584298A1 (en) Polishing composition, method for producing same, and polishing method using polishing composition
KR20180005176A (ko) 합성석영 유리기판용 연마제 및 합성석영 유리기판의 연마방법
SG192220A1 (en) Polishing composition and polishing method using the same
US4187140A (en) Method for etching silicon and a residue and oxidation resistant etchant therefor
JPH09296161A (ja) 研磨用砥粒及び研磨用組成物
JPH0767666B2 (ja) 第▲iii▼−▲v▼族化合物半導体の研磨剤
JP2008066538A (ja) 半導体ウェーハ用のアルカリエッチング液及びアルカリエッチング方法
JP5671793B2 (ja) 仕上研磨を施したシリコンウェーハの洗浄方法

Legal Events

Date Code Title Description
EXPY Cancellation because of completion of term