JPS63147843U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS63147843U JPS63147843U JP4021187U JP4021187U JPS63147843U JP S63147843 U JPS63147843 U JP S63147843U JP 4021187 U JP4021187 U JP 4021187U JP 4021187 U JP4021187 U JP 4021187U JP S63147843 U JPS63147843 U JP S63147843U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- contact hole
- semiconductor device
- emitter region
- size
- emitter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
Description
第1図は本考案の半導体装置の要部平面図、第
2図は従来の半導体装置の要部平面図である。 1はベースコンタクト領域、2はエミツタ領域
、3,4はコンタクト孔、5,6は開孔されるべ
きコンタクト、7はベース電極、8はエミツタ電
極である。
2図は従来の半導体装置の要部平面図である。 1はベースコンタクト領域、2はエミツタ領域
、3,4はコンタクト孔、5,6は開孔されるべ
きコンタクト、7はベース電極、8はエミツタ電
極である。
Claims (1)
- 格子状のエミツタ領域あるいは分割エミツタ領
域を有する半導体装置に於いて、開孔されるべき
コンタクト孔に対し少なくとも一つ置きに設けら
れかつコンタクト孔の大きさを変えたベースコン
タクト孔と、開孔されるべきコンタクト孔に対し
コンタクト孔の大きさを変えたエミツタコンタク
ト孔とを具備することを特徴とした半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4021187U JPS63147843U (ja) | 1987-03-19 | 1987-03-19 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4021187U JPS63147843U (ja) | 1987-03-19 | 1987-03-19 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63147843U true JPS63147843U (ja) | 1988-09-29 |
Family
ID=30854096
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4021187U Pending JPS63147843U (ja) | 1987-03-19 | 1987-03-19 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63147843U (ja) |
-
1987
- 1987-03-19 JP JP4021187U patent/JPS63147843U/ja active Pending