JPH01113367U - - Google Patents

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JPH01113367U
JPH01113367U JP842688U JP842688U JPH01113367U JP H01113367 U JPH01113367 U JP H01113367U JP 842688 U JP842688 U JP 842688U JP 842688 U JP842688 U JP 842688U JP H01113367 U JPH01113367 U JP H01113367U
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comb
connects
electrode
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JP842688U
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  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Bipolar Transistors (AREA)

Description

【図面の簡単な説明】
第1図は本考案に係る半導体装置であるパワー
トランジスタの一実施例を示す平面図、第2図は
エミツタ電極及びベース電極を取り除いた状態を
示す平面図、第3図はメツシユ・エミツタ構造を
有する従来のパワートランジスタの平面図である
。 10……ベースコンタクト、11……ベース電
極、20……エミツタコンタクト、21……エミ
ツタ電極、211……ボンデイング領域、212
……細辺部。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. メツシユ・エミツタ構造を有する半導体装置に
    おいて、各ベースコンタクトを接続する櫛形のベ
    ース電極と、各エミツタコンタクトを接続し、ボ
    ンデイング領域近傍が他の部分よりも細く形成さ
    れた櫛形のエミツタ電極とを具備したことを特徴
    とする半導体装置の構造。
JP842688U 1988-01-25 1988-01-25 Pending JPH01113367U (ja)

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JP842688U JPH01113367U (ja) 1988-01-25 1988-01-25

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JPH01113367U true JPH01113367U (ja) 1989-07-31

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ID=31214291

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JP842688U Pending JPH01113367U (ja) 1988-01-25 1988-01-25

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JP (1) JPH01113367U (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006186159A (ja) * 2004-12-28 2006-07-13 Renesas Technology Corp 半導体装置およびそれを用いた無線通信機器

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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