JPS63147821U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS63147821U JPS63147821U JP4022287U JP4022287U JPS63147821U JP S63147821 U JPS63147821 U JP S63147821U JP 4022287 U JP4022287 U JP 4022287U JP 4022287 U JP4022287 U JP 4022287U JP S63147821 U JPS63147821 U JP S63147821U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- link
- base electrode
- polysilicon layer
- layer provided
- insulating film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Landscapes
- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
Description
第１図および第２図は本考案による半導体装置
を説明する上面図および断面図、第３図および第
４図は従来の半導体装置を説明する上面図および
断面図である。 １はシリコン半導体基板、２はフイールド酸化
膜、３は下地電極、５はリンク、６はリンガラス
層、７はエツチング孔、９はガード電極である。
を説明する上面図および断面図、第３図および第
４図は従来の半導体装置を説明する上面図および
断面図である。 １はシリコン半導体基板、２はフイールド酸化
膜、３は下地電極、５はリンク、６はリンガラス
層、７はエツチング孔、９はガード電極である。
Claims (1)
- フイールド絶縁膜上に設けた第１のポリシリコ
ン層より成る下地電極と、前記下地電極上に層間
絶縁膜を介して設けられた第２のポリシリコン層
とより成るリンクと、前記リンクを被覆するパツ
シベーシヨン膜と、前記リンクのレーザー切断部
を露出し前記下地電極まで達するエツチング孔と
を具備することを特徴とした半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4022287U JPS63147821U (ja) | 1987-03-19 | 1987-03-19 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4022287U JPS63147821U (ja) | 1987-03-19 | 1987-03-19 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63147821U true JPS63147821U (ja) | 1988-09-29 |
Family
ID=30854118
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4022287U Pending JPS63147821U (ja) | 1987-03-19 | 1987-03-19 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63147821U (ja) |
-
1987
- 1987-03-19 JP JP4022287U patent/JPS63147821U/ja active Pending