JPS63137443A - 半導体中間構体の製造方法 - Google Patents
半導体中間構体の製造方法Info
- Publication number
- JPS63137443A JPS63137443A JP61285528A JP28552886A JPS63137443A JP S63137443 A JPS63137443 A JP S63137443A JP 61285528 A JP61285528 A JP 61285528A JP 28552886 A JP28552886 A JP 28552886A JP S63137443 A JPS63137443 A JP S63137443A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pellet
- metal foil
- tip
- tape
- lead
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 6
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims abstract description 26
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 26
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 26
- 239000008188 pellet Substances 0.000 claims abstract description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 11
- 239000000428 dust Substances 0.000 abstract description 3
- 238000005452 bending Methods 0.000 abstract description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 abstract 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産」ＬＬＱｌＪＬ也厨一
本発明は、長尺は絶縁性のテープ上に、多数の半導体素
子及びリードを取付けるようにしたいわゆるＴＡＢＩＪ
−ド型半導体中間構体の製造方法に関するものである。
子及びリードを取付けるようにしたいわゆるＴＡＢＩＪ
−ド型半導体中間構体の製造方法に関するものである。
従未Δ伎亙
従来のこの種中間構体を、第３図及び第４図により説明
すると、図において、１は、樹脂よりなる長尺の絶縁性
のテープ、２．２．・・・は銅箔等に錫メツキ処理を施
して形成した金属箔リードで、テープ１上に放射状に配
設され、その先端部以外はテープ１に固着されている。
すると、図において、１は、樹脂よりなる長尺の絶縁性
のテープ、２．２．・・・は銅箔等に錫メツキ処理を施
して形成した金属箔リードで、テープ１上に放射状に配
設され、その先端部以外はテープ１に固着されている。
３，３．・・・は、表面周辺部にバンプ電極４，４．・
・・が突出形成されたペレットで、金属箔リード２，２
．・・・の先端部と、バンプ電極４，４．・・・とを熱
圧着することにより、テープ１に金属箔リード２，２．
・・・を介して支持される。
・・が突出形成されたペレットで、金属箔リード２，２
．・・・の先端部と、バンプ電極４，４．・・・とを熱
圧着することにより、テープ１に金属箔リード２，２．
・・・を介して支持される。
このテープ１は、その長手方向に沿って複数の孔５，５
．・・・が、等間隔に穿設されたものである。６は、テ
ープ１の全面に、銅箔を貼着し、これをエツチングによ
り、所定の微細パターンに形成した配線パターンで、金
属箔リード２，２．・・・と、金属箔リード２，２．・
・・の後端部に設けられた電極パターン７．７．・・・
と、金属箔リード２゜２、・・・の電極パターン７．７
．・・・から延びるＩＪ−ド引出し用導電パターン８，
８．・・・と、テープ１の孔５，５．・・・間の略中間
位置に、その短手方向に沿って配設され、後述するよう
に、メッキ処理時には、絶縁パンチ孔９，９．・・・部
分で、引出し用導電パターン８，８．・・・とｔｍされ
た給電用導電パターン１０．１０．・・・とからなる。
．・・・が、等間隔に穿設されたものである。６は、テ
ープ１の全面に、銅箔を貼着し、これをエツチングによ
り、所定の微細パターンに形成した配線パターンで、金
属箔リード２，２．・・・と、金属箔リード２，２．・
・・の後端部に設けられた電極パターン７．７．・・・
と、金属箔リード２゜２、・・・の電極パターン７．７
．・・・から延びるＩＪ−ド引出し用導電パターン８，
８．・・・と、テープ１の孔５，５．・・・間の略中間
位置に、その短手方向に沿って配設され、後述するよう
に、メッキ処理時には、絶縁パンチ孔９，９．・・・部
分で、引出し用導電パターン８，８．・・・とｔｍされ
た給電用導電パターン１０．１０．・・・とからなる。
次に、上記構成よりなる中間構体の製造方法を説明する
と、先ず、孔５，５．・・・を等間隔に穿設し、配線パ
ターン６を形成したテープ１を用意する。そして、この
テープ１の金属箔リード２゜２、・・・を錫メツキ処理
するために、給電用導電パターン１０，１０．・・・を
利用して電圧を印加し、このメッキ処理後、金属箔リー
ド２，２．・・・から延びるリード引出し用導電パター
ン８，８．・・・と、給電用導電パターン１０，１０．
・・・との接続部位に、絶縁パンチ孔９，９．・・・を
穿設して、金属箔リード２゜２、・・・と、給電用導電
パターン１０，１０．・・・とを分離する。そして、テ
ープ１の６孔５，５．・・・内に、ペレッ）３，３．・
・・を配設し、金属箔リード２゜２、・・・の先端部を
、ペレット３，３．・・・のバンプ電極４，４．・・・
とを熱圧着することにより、テープ１にペレット３，３
．・・・を支持する。
と、先ず、孔５，５．・・・を等間隔に穿設し、配線パ
ターン６を形成したテープ１を用意する。そして、この
テープ１の金属箔リード２゜２、・・・を錫メツキ処理
するために、給電用導電パターン１０，１０．・・・を
利用して電圧を印加し、このメッキ処理後、金属箔リー
ド２，２．・・・から延びるリード引出し用導電パター
ン８，８．・・・と、給電用導電パターン１０，１０．
・・・との接続部位に、絶縁パンチ孔９，９．・・・を
穿設して、金属箔リード２゜２、・・・と、給電用導電
パターン１０，１０．・・・とを分離する。そして、テ
ープ１の６孔５，５．・・・内に、ペレッ）３，３．・
・・を配設し、金属箔リード２゜２、・・・の先端部を
、ペレット３，３．・・・のバンプ電極４，４．・・・
とを熱圧着することにより、テープ１にペレット３，３
．・・・を支持する。
しかる後、第４図に示すように、下型１！上に、テープ
１を載置し、ペレット３，３．・・・毎に、ゴム製の上
型１２により押圧して、金属箔リード２゜２、・・・の
先端部を、下方すなわちペレット側に折曲して、金属箔
リード２，２．・・・と、ペレッ３．３．・・・の周縁
部とのショートを防止するようにしていた。
１を載置し、ペレット３，３．・・・毎に、ゴム製の上
型１２により押圧して、金属箔リード２゜２、・・・の
先端部を、下方すなわちペレット側に折曲して、金属箔
リード２，２．・・・と、ペレッ３．３．・・・の周縁
部とのショートを防止するようにしていた。
尚、この種中間構体は、第５図に示すように、製造から
出荷に到るまで、ロール状に巻回されている。
出荷に到るまで、ロール状に巻回されている。
口（”口
しかしながら、上記方法で製造すると、金属箔リード２
，２．・・・の先端部を折曲する際、上型でミ、傷に基
づく、ショート、断線等の不良を惹起することがあった
。
，２．・・・の先端部を折曲する際、上型でミ、傷に基
づく、ショート、断線等の不良を惹起することがあった
。
。 ′ −の
本発明は、上記点に鑑み提案されたもので、金属箔リー
ドの先端を、熱圧着するまでに、ペレット側に折曲して
おくことを特徴とする。
ドの先端を、熱圧着するまでに、ペレット側に折曲して
おくことを特徴とする。
１反
上記方法を採用することにより、ペレットを直接押圧す
ることがなくなる。
ることがなくなる。
実」１例−
以下、本発明の一実施例を第１図及び第２図により説明
するが、第４図及び第５図と同一部分には、同一符号を
付して、その説明は省略する。
するが、第４図及び第５図と同一部分には、同一符号を
付して、その説明は省略する。
先ず、従来と同様、その長手方向に沿って複数の孔を、
等間隔に穿設し、配線パターンを形成し、且つ、金属箔
リード２，２．・・・に、錫メッキを施したテープ１を
用意する。次に、第１図に示すように、下型１１上に、
テープ１を載置し、ペレット配設位置毎に、ゴム製の上
型１２により押圧して、金属箔リード２，２．・・・の
先端部を、下方すなわちペレット側に折曲する。しかる
後１、第２図に示すように、基台１３上に、表面にバン
プ電極４．４．・・・を形成したペレット３を載置する
とともに、さらに、その上に、テープ１を、各金属箔リ
ード２，２．・・・の先端部を、バンブ電極４゜４、・
・・上に対応させて載置し、その上より、ツール１４を
当接させて、各金属箔リード２，２．・・・とバンプ電
極４，４．・・・を熱圧着する。
等間隔に穿設し、配線パターンを形成し、且つ、金属箔
リード２，２．・・・に、錫メッキを施したテープ１を
用意する。次に、第１図に示すように、下型１１上に、
テープ１を載置し、ペレット配設位置毎に、ゴム製の上
型１２により押圧して、金属箔リード２，２．・・・の
先端部を、下方すなわちペレット側に折曲する。しかる
後１、第２図に示すように、基台１３上に、表面にバン
プ電極４．４．・・・を形成したペレット３を載置する
とともに、さらに、その上に、テープ１を、各金属箔リ
ード２，２．・・・の先端部を、バンブ電極４゜４、・
・・上に対応させて載置し、その上より、ツール１４を
当接させて、各金属箔リード２，２．・・・とバンプ電
極４，４．・・・を熱圧着する。
尚、上記実施例で、金属箔リード先端部の折曲を、錫メ
ッキを施した後に実施しているが、錫メッキを施す前に
実施することもできる。
ッキを施した後に実施しているが、錫メッキを施す前に
実施することもできる。
光ｊ廊と復呆一
本発明は、以上のような方法であるから、金属箔リード
先端部の折曲時に、ペレットにゴミが付着したり、傷が
付いたりすることがなく、ペレットのゴミ、傷に基づく
、ショートあるいは断線等が皆無となって、製品良品率
を格段に向上させることができ、しかも、製品自身の信
頼性をも格段に向上させることができる。
先端部の折曲時に、ペレットにゴミが付着したり、傷が
付いたりすることがなく、ペレットのゴミ、傷に基づく
、ショートあるいは断線等が皆無となって、製品良品率
を格段に向上させることができ、しかも、製品自身の信
頼性をも格段に向上させることができる。
第１図、第２図は、本発明に係る製造方法の工程断面図
、第３図は、半導体中間構体の平面図、第４図は、従来
の製造方法の工程断面図、第５図は、半導体中間構体の
斜視図である。 １・・・絶縁性のテープ、 ２・・・金属箔リード、３
・・・ペレット、 ５・・・孔。 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図
、第３図は、半導体中間構体の平面図、第４図は、従来
の製造方法の工程断面図、第５図は、半導体中間構体の
斜視図である。 １・・・絶縁性のテープ、 ２・・・金属箔リード、３
・・・ペレット、 ５・・・孔。 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図
Claims (1)
- 複数の孔が等間隔に穿設された長尺な絶縁性のテープの
各孔内に配設されたペレットを、前記孔の周縁部に放射
状に、前記テープに固着されて形成された多数の金属箔
リードの先端に、熱圧着するようにしたものにおいて、
前記金属箔リードの先端を、熱圧着するまでに、ペレッ
ト側に折曲しておくことを特徴とする半導体中間構体の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61285528A JPS63137443A (ja) | 1986-11-28 | 1986-11-28 | 半導体中間構体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61285528A JPS63137443A (ja) | 1986-11-28 | 1986-11-28 | 半導体中間構体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63137443A true JPS63137443A (ja) | 1988-06-09 |
Family
ID=17692698
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61285528A Pending JPS63137443A (ja) | 1986-11-28 | 1986-11-28 | 半導体中間構体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63137443A (ja) |
-
1986
- 1986-11-28 JP JP61285528A patent/JPS63137443A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4994411A (en) | Process of producing semiconductor device | |
| JP2857496B2 (ja) | Ｔａｂ回路の製造方法 | |
| US6780679B2 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same | |
| JP2000150702A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US6857459B1 (en) | Wirefilm bonding for electronic component interconnection | |
| JPS63137443A (ja) | 半導体中間構体の製造方法 | |
| JP3691790B2 (ja) | 半導体装置の製造方法及び該方法によって製造された半導体装置 | |
| JP2001077283A (ja) | リードフレームとそれを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
| JPH05326648A (ja) | フィルムキャリアとこれを用いた半導体装置の製造方法 | |
| JPS60136248A (ja) | リ−ドフレ−ムの製造方法 | |
| JP2564596B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0539630Y2 (ja) | ||
| JPS59129451A (ja) | リ−ドフレ−ム | |
| JPH02211643A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0525236Y2 (ja) | ||
| JP2655507B2 (ja) | 半導体装置用リードフレームおよび半導体装置の製造方法 | |
| JPS61234060A (ja) | 半導体装置のリ−ドフレ−ム製造方法 | |
| JPS62196839A (ja) | ハイブリツド型半導体装置 | |
| JP2771301B2 (ja) | Ｔａｂリード型半導体装置 | |
| JPS5874064A (ja) | リ−ドフレ−ム | |
| JP2806816B2 (ja) | ボンディング装置およびこれを用いたボンディング方法 | |
| JPH06104314A (ja) | フィルムキャリア | |
| JPS59152656A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS621239A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2509435Y2 (ja) | リ―ドフレ―ム |