JPS63135417A - 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 - Google Patents

半導体封止用エポキシ樹脂組成物

Info

Publication number
JPS63135417A
JPS63135417A JP28076886A JP28076886A JPS63135417A JP S63135417 A JPS63135417 A JP S63135417A JP 28076886 A JP28076886 A JP 28076886A JP 28076886 A JP28076886 A JP 28076886A JP S63135417 A JPS63135417 A JP S63135417A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
epoxy resin
parts
resin
urethane
novolak
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP28076886A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazutaka Matsumoto
松本 一高
Takeshi Uchida
健 内田
Akira Yoshizumi
善積 章
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP28076886A priority Critical patent/JPS63135417A/ja
Publication of JPS63135417A publication Critical patent/JPS63135417A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Epoxy Resins (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 (産業上の利用分野) 本発明は半導体封止用エポキシ樹脂組成物に関し、更に
詳しくは、優れた耐熱衝撃性を有する硬化物を4える半
導体封止用エポキシ樹脂組成物に関する。
(従来の技術) 従来、半導体素子の封止用樹脂としてフェノールノボラ
ック樹脂を硬化剤とするエポキシ樹脂組成物が用いられ
ている。
近年、半導体素子の高集積化に伴って、素子上の各種機
能単位の細密化、素子ペレット自体の大型化が進んでお
り、上述のエポキシ樹脂組成物を用いて大型でかつ微細
な表面構造を有する素子ペレットを封止した場合、耐熱
衝撃性等の要求を満足できなくなってきた。
このような点に鑑み、*開昭58−108220号公報
にはノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック
樹脂硬化剤及びゴム状物質からなる半導体対土用エポキ
シ樹脂組成物が記載されている。
(発明が解決しようとする問題点) 従来使用されているフェノールノボラック樹脂を硬化剤
とするエポキシ樹脂組成物を用いて、大型でかつ微細な
表面構造を有する素子ペレットを封止すると、素子ベレ
ット表面のアルミニウム(旭)パターンを保護するため
の被覆材であるリンケイ酸ガラス(PSG)膜や窒化ケ
イ素(SIN)膜に割れを生じたり、素子ペレットに割
れを生じたりする。特に冷熱サイクル試験を実施した場
合Iこ、その傾向が非常に大きい。その結果、ベレット
割れによる素子特性の不良や保護膜の割れに起因してA
Aパターンの腐食による不良などを生じる。
そこで、このような問題の対策としては、封止樹脂の内
部封入物に対する応力を小さくシ、かつ封止樹脂と素子
上のPSG膜やSiNgなどのガラス膜との密着性を大
きくする必要がある。しかも。
硬化物については、素子表面の)Lパターンの腐食を極
力防止するために、加水分解性のハロゲン化合物、特に
塩素濃度を低くおさえ、かつ吸湿時や高温時の電気絶縁
性能を高レベルに保つ必要がある。
また、前述の特開昭58−168220号公報記載の半
導体封止用エポキシ樹脂組成物は、十分に満足できる耐
熱衝撃性を有する硬化物を与えるものではなかった。
以上より本発明は、優れた耐熱衝撃性を有する硬化物を
与える半導体対土用エポキシ樹脂組成物を提供すること
を目的とする。
〔発明の構成〕
(問題点を解決するための手段と作用)本発明は。
(I)ノボラック型エポキシ樹脂 60〜98重量部(
1(a)エポキシ基とヒドロキシル基を有する化合物(
II−a )と%(b)ポリヒドロキシル化合物(II
−b−1)とポリイソシアネート化合物(11−b−2
)とから得られる末端イソシアネート基を含有するウレ
タンプレポリマー(II−b)とを反応させて得られる
ウレタン変性エポキシ樹脂          2〜4
0重量部印フェノールノボラック樹脂 20〜80重量
部からなることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂
組成物である。
本発明に係る組成物中の一成分であるノボラック型エポ
キシ樹脂(1)としては1例えばフェノールノボラック
型エポキシ樹脂、タレゾールノボラック型エポキシ樹脂
、ハロゲン化フェノールノボラック型エポキシ樹脂など
があげられる。
これらのエポキシ樹脂は1種もしくは2a!以上の混合
系で用いてもよい。上記エポキシ樹脂の中でも、軟化点
60〜100℃を有するものが好ましく。
特に好ましくは70〜85℃を有するものである。
また、エポキシ当1ioo〜300を有するものが好ま
しく、特に好ましくは175〜220を有するものであ
る。
また、上記以外のエポキシ樹脂例えばビスフェノールA
型エポキシ樹脂など一般のグリシジルエーテル型エポキ
シ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、脂環式エ
ポキシ樹脂、複素環型エポキシ樹脂、ハロゲン化エポキ
シ樹脂などは、上記ノボラック型エポキシ樹脂に併用し
た場合に使用することができる。配合量はノボラック型
エポキシ樹脂に対し、50重量%以下が好ましい。
本発明に係るウレタン変性エポキシ樹脂tn)の原料で
あるエポキシ基とヒドロキシル基とを有する化合物(I
−a )としては、1分子中にエポキシ基とヒドロキシ
ル基を夫々1個以上有する化合物であり、好ましくは1
分子量70〜1000の化合物であり1例えば、グリシ
ドール、エチレングリコールモノグリシジルエーテル、
グリセリンジグリシジルエーテルなどの多価アルコール
のグリシジルエーテル類、及びヒドロキシル基を有する
通常のエポキシ樹脂などがあげられる。
末端イソシアネート基を含有するウレタンプレポリマー
(II−b )はポリヒドロキシ6ル化合物(11−b
−1)とポリイソシアネート化合物(fl−b−2)と
の反応により製造されるが、ポリヒドロキシル化合物(
II−b−1)としては1例えば一般のウレタン化合物
の製造1こ用いられる種々のポリエーテルポリオール、
ポリエステルポリオールさらに末端ヒドロキシル基含有
ポリブタジェンもしくはブタジェン共重合体、1分子中
に2個以上のヒドロキシル基を含有するポリシロキサン
化合物などがあげられる。ここで、ポリエーテルポリオ
ールとしては1通常のウレタン化合物の製造に用いられ
る公知のポリエーテルポリオールが使用できる。これら
の中でも更に好ましいポリエーテルポリオールとして、
例えば、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリ
コール、ポリテトラメチレングリコールなどがあげられ
る。またポリエステルポリオールとしては、例えばカプ
ロラクトン系、アジペート系、1,6−ヘキサンジオー
ル炭酸エステル系などがあげられる。
これらのポリヒドロキシル化合物(II−b−1)は分
子量が1000〜5000のものを使用するのが好まし
い。
末端イソシアネート基を含有するウレタンプレポリマー
(ff−b )の製造に用いられるポリイソシアネート
化合物(U−b−2)とは1分子中に2個以上のイソシ
アネート基を有する化合物であり、例えば、トリレンジ
イソシアネート、ジフェニルメタンジイソシアネート、
ヘキサメチレンジイソシアネート、トリフェニルメタン
トリイソシアネートなどがあげられる。
本発明に係る末端イソシアネート基を含有するウレタン
プレポリマー(II−b )は、上記のようなポリヒド
ロキシル化合物(If−b−1)とポリイソシアネート
化合物(II−b−2)とを1通常のイソシアネート基
含有ウレタンプレポリマーの製法と同様にして反応させ
て得られる。
さらに、この末端イソシアネート基を有するウレタンプ
レポリマー(1−b )を、前記のエポキシ基とヒドロ
キシル基とを有する化合物(II−a)と(ヒドロキシ
ル基/イソシアネート基)当量比が0.8〜1.2の割
合で、通常の方法で反応させることによって、本発明に
係るウレタン変性エポキシ樹脂(10を得ることができ
る。
係るウレタン変性エポキシ樹脂(II)の配合割合は通
常、エポキシ樹脂全量100重量部に対して。
2〜40重量部で、好ましくは5〜30重量部である。
この配合割合が2重量部未満の場合には。
耐衝撃性の改良効果が十分でなく、40i量部を超える
場合には硬化物の機械的強度や耐熱性が低下する。
本発明に係るフェノールノボラック樹脂口はエポキシ樹
脂の硬化剤として作用するものであり、例えば、フェノ
ール、クレゾール、キシレノール。
レゾルシノール、クロルフェノール、フェニルフェノー
ル、ビスフェノールAなどの1種又は2種以上の混合物
;ホルムアルデヒド若しくはパラホルムアルデヒドとを
酸又は中性塩を触媒として反応させた反応物;をあげる
ことができる。これらのフェノールノボラック樹脂の中
でも、軟化点60〜120℃を有するものが好ましく、
特に好ましくは8O−100℃を有するものであり、水
酸基当量100〜150を有するものが好ましく、特に
好ましくは100〜110を有するものである。
上記フェノールノボラック樹脂口の配合割合は、エポキ
シ樹脂全量100重量部に対して、20〜80重量部の
範囲であることが望ましい。この配合割合が20重量部
未満の場合には、樹脂硬化物の強度が弱くなり好ましく
なく、一方80重量部を超える場合Iこは、封止樹脂の
耐湿性が低下し、好ましくない。
つぎに1本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製
造方法について述べる。
本発明の組成物は、上記した各成分を、加熱ロールIこ
よる溶融混練、ニーダ−による溶融混練。
押出機による溶融混練、微粉砕後の特殊混合機による混
合及びこれらの各方法の適宜な組合せによって容易に製
造することができる。
なお1本発明の組成物は、必要に応じて、イミダゾール
もしくはその誘導体、第三級アミン系誘導体、ホスフィ
ン誘導体、シクロアミジン誘導体などの硬化促進剤;ジ
ルコン、シリカ、溶融石英ガラス、アルミナ、水酸化ア
ルミニウム、ガラス石英ガラス、ケイ酸カルシウム、石
ロウ、炭酸カルシウム、マグネサイト、クレー、カオリ
ン、タルク、マイカ、アスベスト、炭化珪素、窒化ホウ
素、二酸化モリブデン、鉛化合物、鉛酸化物、亜鉛華、
チタン白、カーボンブラックなどの充填剤:高級脂肪酸
、ワックス類などの離型剤;エポキシシラン、ビニルシ
ラン、アミノシラン、ボラン系化合物、アルコキシチタ
ネート系化合物、アルミキレート系化合物などのカップ
リング剤;アンチモン、リン化合物、臭素や塩素を含む
公知の難燃化剤が配合されてもよい。又、耐熱衝撃性を
さらに向上させるために、シリコーンオイルなどを添加
してもよい。
(実施例) 以下において、実施例及び比較例を掲げ、本発明を更に
詳しく説明する。
なお、実施例及び比較例中、「部」は全て「重量部」を
示す。
合成例1 ヒドロキシル価56、平均分子量2000のポリテトラ
メチレングリコール200gとトリレンジイソシアネー
ト35gを窒素気流下85℃で約5時間加熱、攪拌しな
がら反応させ、末端イソシアネート基含有ポリウレタン
プレポリマーを得た。
これにグリシドール14.8gを加え、窒素気流下60
℃においてイソシアネート基がなくなるまで約10時間
反応させて、ウレタン変性エポキシ樹脂(8)を得た。
得られた樹脂はエポキシ当量1250であった。
合成例2 ヒドロキシル価112.平均分子量1000のポリカー
ボネートジオール100gとトリレンジイソシアネート
35gとを反応させて得られる末端イソシアネート基含
有ポリウレタンプレポリマーにエチレングリコールモノ
グリシジルエーテル2&6gを加えて、窒素気流下70
℃において約9時間反応させ、ウレタン変性エポキシ樹
脂(B)を得た。
得られた樹脂はエポキシ当量620であった。
合成例3 ビスフェノールA型エポキシ樹脂(平均分子量700、
エポキシ当量340%水酸基当−3700)700gと
ジフェニルメタン−4,41−ジイソシアネート100
gとを窒素気流下、70℃において約10時間反応させ
、ウレタン変性エポキシ樹脂(qを得た。
得られた樹脂はエポキシ当jk、470であった。
実施例1 オルトクレゾールノボラック型エポキシ樹脂(軟化点7
4℃、当量200)70部、臭素化フェノールノボラッ
ク型エポキシ樹脂(臭素含有量30チ、軟化点87℃、
エポキシ当量288)15部、ウレタン変性エポキシ樹
脂(A)15部、フェノールノボラック樹脂(軟化点8
5℃、水酸基当1104)43部、さらに硬化促進剤と
してトルフェニルホスフィン1.5部、離を剤としてカ
ルナハワソクス1部1着色剤としてカーボン粉末1.8
部、充填剤として溶融シリカ粉420部%難燃助剤とし
て三酸化アンチモン粉末15部、エポキシシラン系カッ
プリング剤24部を配合し、70〜100℃の二軸ロー
ルで混練し、得られた混線物を冷却・粉砕し、タブレッ
ト化して本発明の半導体対土用エポキシ樹脂組成物を得
た。
得られた組成物を用いて、低圧トランスファー成形機C
束亜精機50トンプレス)により175℃、 80kf
/aA、  120秒の条件で、表面P2O層を有する
大型ペレット評価用試料素子(8+ax8 m )を封
止した。
得られた試料素子について耐熱衝撃性、機械特性(曲げ
弾性率1曲げ強さ)及び熱特性(ガラス転移点、熱膨張
係数)を評価するために、後述する各試験を実施した。
耐熱衝撃性試験−得られた試料素子20個を用(、)−
65℃〜150℃の範囲モ表に示すサイクル数だけ急熱
、急冷し、クラック発生の有無により耐熱衝撃性を試鏡
した。クラック発生の有無は発煙硝酸を用いて成形用樹
脂を溶かし去り、顕微鏡で確認した。
曲げ弾性率はJISK−6911に準じて測定した。
曲げ強さはJISK−6911に準じて測定した。
ガラス転移点は真空理工製の熱膨張計を用い。
熱膨張カーブの変曲点より求めた。
熱膨張係数は真空理工製膨張計を用いて測定した。
結果を表に示す。
実施例2 実施例1のオルトクレゾールノボラック型エポキシ樹脂
を55部、ウレタン変性エポキシ樹脂(5)を30部%
フェノールノボラック樹脂を37部とした以外は、実施
例1と同様にして本発明の組成物を得、同様の評価試験
を実施した。結果を表に示す。
実施例3 実施例1のウレタン変性エポキシ樹脂(5)をウレタン
変性エポキシ樹脂(B)とした以外は、実施例1と同a
!lこして本発明の組成物を得、同様の評価試験を実施
した。結果を表に示す。
比較例1 実施例1のウレタン変性エポキシ樹脂囚を用いず、代え
てオルトクレゾールノボラック型エポキシ樹脂を85部
、フェノールノボラック樹脂を50部とした以外は実施
例1と同様にして比較用の組成物を得、同様の評価試験
を実施した。結果を表に示す。
比較例2 実施例1のオルトクレゾールノボラック型エポキシ樹脂
を40部、ウレタン変性エポキシ樹脂(5)を45部、
フェノールノボラック樹脂を30部とした以外は、実施
例1と同様にして比較用の組成物を得、同様の評価試験
を実施した。結果を表に示す。
比較例3 実施例1のウレタン変性エポキシ樹脂囚をウレタン変性
エポキシ樹脂(qとし、フェノールノボラック樹脂を4
5部とした以外は実施例1と同様にして比較用の組成物
を得、同様の評価試験を実施した。結果を表に示す。
比較例4 実施例1のウレタン変性エポキシ樹5脂囚を用いス代え
てオルトクレゾールノボラック型エポキシ樹脂を85部
、フェノールノボラック樹脂を50部に、また溶融シリ
カ粉を430部に変更し、更にスチレン−ブタジェンゴ
ム(商品名;JAR1500、日本合成ゴム■製)12
部を添加した以外は実施例1と同様にして比較用の組成
物を得、同様の評価試験を実施した。結果を表に示す。
以上の結果より、本発明の実施例では耐熱衝撃試験の試
験サイクル数が500になっても不良品の数が少ないが
、比較例1及び3,4ではすでに全てが不良品となって
いる。明らかに、本発明の実施例では耐熱衝撃性が良好
であることがわかる。
また1本発明の実施例では、機械的強度や耐熱性を損な
うことなく1曲げ弾性率が低下していることがわかる。
〔発明の効果〕
以上に詳述した通り、本発明の半導体封止用エポキシ樹
脂組成物は、その硬化物が優れた耐熱衝撃性を有するも
のであり、高集積度の半導体装置等の用途における実用
的価値は極めて大と言える。
(以下余白) −゛

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 ( I )ノボラック型エポキシ樹脂60〜98重量部(
    II)(a)エポキシ基とヒドロキシル基を有する化合物
    (II−a)と、(b)ポリヒドロキシル化合物(II−b
    −1)とポリイソシアネート化合物(II−b−2)とか
    ら得られる末端イソシアネート基を含有するウレタンプ
    レポリマー (II−b)とを反応させて得られるウレタン変性エポキ
    シ樹脂2〜40重量部 (III)フェノールノボラック樹脂20〜80重量部か
    らなることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成
    物。
JP28076886A 1986-11-27 1986-11-27 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 Pending JPS63135417A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP28076886A JPS63135417A (ja) 1986-11-27 1986-11-27 半導体封止用エポキシ樹脂組成物

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP28076886A JPS63135417A (ja) 1986-11-27 1986-11-27 半導体封止用エポキシ樹脂組成物

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS63135417A true JPS63135417A (ja) 1988-06-07

Family

ID=17629687

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP28076886A Pending JPS63135417A (ja) 1986-11-27 1986-11-27 半導体封止用エポキシ樹脂組成物

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS63135417A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100413358B1 (ko) * 2000-12-28 2003-12-31 제일모직주식회사 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물
KR100671128B1 (ko) 2004-12-24 2007-01-17 제일모직주식회사 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100413358B1 (ko) * 2000-12-28 2003-12-31 제일모직주식회사 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물
KR100671128B1 (ko) 2004-12-24 2007-01-17 제일모직주식회사 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR930001988B1 (ko) 반도체 봉지용 에폭시 수지조성물
JPS63135417A (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物
JP2862718B2 (ja) 半導体装置
JP2010248350A (ja) ポリウレタン樹脂組成物
JPH10152547A (ja) 半導体封止用樹脂組成物
JPS63132931A (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物
JPS63179915A (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物
JP2834460B2 (ja) エポキシ樹脂組成物
JPH02147619A (ja) エポキシ樹脂組成物
JPH03220229A (ja) 樹脂組成物
JPS62181322A (ja) エポキシ樹脂組成物
JP2000248050A (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2983613B2 (ja) エポキシ樹脂組成物
KR100504604B1 (ko) 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물
JP3013511B2 (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物
JPH02120315A (ja) エポキシ樹脂組成物
JPH02166116A (ja) 電子部品封止用エポキシ樹脂成形材料
JP2576726B2 (ja) エポキシ樹脂組成物
JP2938158B2 (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物
JPH03220227A (ja) 樹脂組成物
JPH02199154A (ja) エポキシ樹脂組成物の製法
JPH02147620A (ja) エポキシ樹脂組成物
JPH0577689B2 (ja)
JPS59113021A (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物
JPH0196241A (ja) 半導体装置封止用エポキシ樹脂組成物