JPS59113021A - 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 - Google Patents
半導体封止用エポキシ樹脂組成物Info
- Publication number
- JPS59113021A JPS59113021A JP22286082A JP22286082A JPS59113021A JP S59113021 A JPS59113021 A JP S59113021A JP 22286082 A JP22286082 A JP 22286082A JP 22286082 A JP22286082 A JP 22286082A JP S59113021 A JPS59113021 A JP S59113021A
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- Japan
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- epoxy resin
- resin
- reaction product
- groups
- resin composition
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- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は耐湿性、耐腐食性および可撓性に浸れた半導体
封止用エポキシ樹脂組成物に関する。
封止用エポキシ樹脂組成物に関する。
一般に、樹脂による封止の場＆半導体素子を直接封止す
ることが行なわれ、そのためインサート物と樹脂との線
膨張率の差や、熱応力により素子ベレットに割れを生じ
たシ、ボンディング線が切断されるなどの問題があり素
子への応力を小さくすることが望まれ、近年半導体素子
の大型化に共なって増々その要求が強くなってしる。応
力を小さくするには低弾性率で低膨張率、低ガラス転移
点をもたせることであるが、耐湿性、耐熱衝撃性の面か
らガラス転移点が高いことが必要である。
ることが行なわれ、そのためインサート物と樹脂との線
膨張率の差や、熱応力により素子ベレットに割れを生じ
たシ、ボンディング線が切断されるなどの問題があり素
子への応力を小さくすることが望まれ、近年半導体素子
の大型化に共なって増々その要求が強くなってしる。応
力を小さくするには低弾性率で低膨張率、低ガラス転移
点をもたせることであるが、耐湿性、耐熱衝撃性の面か
らガラス転移点が高いことが必要である。
低応力化の一方法として可撓化剤による変成が考えられ
るが、面来の可撓化剤では低弾性率化効果は認められて
も、ガラス転移点が急激に降ドし、高温＝＝ｉ特性が低
ドし、耐湿性への影響が大きい。
るが、面来の可撓化剤では低弾性率化効果は認められて
も、ガラス転移点が急激に降ドし、高温＝＝ｉ特性が低
ドし、耐湿性への影響が大きい。
一方、低弾性率でかつ高ガラス転移点を有する樹脂とし
てシリコーン系樹脂があるが金属との接着性に劣り透湿
性が大きいなどの問題があり耐湿性の面で信頼性に入け
る。
てシリコーン系樹脂があるが金属との接着性に劣り透湿
性が大きいなどの問題があり耐湿性の面で信頼性に入け
る。
またフェノール硬化型エポキシ樹脂をポリブタジェン系
樹脂やアクリロニトリル系樹脂で変成した場合、金型か
らの離型性が悪くなり作業性の面で問題がある。
樹脂やアクリロニトリル系樹脂で変成した場合、金型か
らの離型性が悪くなり作業性の面で問題がある。
本発明は成形性が良好でガラス転移点をはじめとする硬
化後のレジン物性の低下が少なく、高い耐湿性と高い耐
腐食性および可撓性にｔｉｎた半導体封止用エポキシ樹
脂組成物全提供することにある。
化後のレジン物性の低下が少なく、高い耐湿性と高い耐
腐食性および可撓性にｔｉｎた半導体封止用エポキシ樹
脂組成物全提供することにある。
上記目的を達成すべく、本発明者らが鋭意研究全型ねた
結果、カルボキシル基含有ポリブタジェンと水酸基また
はアルコキシ基含有シリコーン樹脂との反応物を配合す
ることにより、成形性１、耐湿性、耐腐食性および可撓
性に優れたエポキシ樹脂組成物が得られ全ことを見出し
た。すなわらａ） ノボラック型エポキシ樹脂
５〜２５重ｌｂ） フェノールノボラック樹脂硬
化剤 １〜２５重７％Ｃ）硬化促進剤
０．０１−２．０重１係ｄ）無機質フィラー
５０〜８５重凌係ｅ）分子中にカルボキシル
基を２個以上有するポリブタジェンと水酸基またはアル
コキシ基を１個以上有するシリコーン樹脂との反応物
Ｑ、３〜５ 直通チからなるこ
と全特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物、およ
び ａ） ノボラック型エポキシ樹脂 ５〜２
５重７％ｂ〕 フェノールノボラック樹＋ｌＮＮ化剤
１〜２５重孟係Ｃ）硬化促進剤
０．０１〜２．０重訛係ｄ）無１幾質フイラー
５０〜８５重遣係ｅ）分子中にカルボキシル基を
２個以上有するポリブタジェンと水酸基またはアルコキ
シ基全１個以上有するシリコーン樹脂との反応物とブス
フェノール型エポキシ樹脂を反応させて得られるエポキ
シ樹脂変成物 ０５〜１０重訛チ からなることを１寺微とする半導体封止用エポキシ樹脂
組成物である。
結果、カルボキシル基含有ポリブタジェンと水酸基また
はアルコキシ基含有シリコーン樹脂との反応物を配合す
ることにより、成形性１、耐湿性、耐腐食性および可撓
性に優れたエポキシ樹脂組成物が得られ全ことを見出し
た。すなわらａ） ノボラック型エポキシ樹脂
５〜２５重ｌｂ） フェノールノボラック樹脂硬
化剤 １〜２５重７％Ｃ）硬化促進剤
０．０１−２．０重１係ｄ）無機質フィラー
５０〜８５重凌係ｅ）分子中にカルボキシル
基を２個以上有するポリブタジェンと水酸基またはアル
コキシ基を１個以上有するシリコーン樹脂との反応物
Ｑ、３〜５ 直通チからなるこ
と全特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物、およ
び ａ） ノボラック型エポキシ樹脂 ５〜２
５重７％ｂ〕 フェノールノボラック樹＋ｌＮＮ化剤
１〜２５重孟係Ｃ）硬化促進剤
０．０１〜２．０重訛係ｄ）無１幾質フイラー
５０〜８５重遣係ｅ）分子中にカルボキシル基を
２個以上有するポリブタジェンと水酸基またはアルコキ
シ基全１個以上有するシリコーン樹脂との反応物とブス
フェノール型エポキシ樹脂を反応させて得られるエポキ
シ樹脂変成物 ０５〜１０重訛チ からなることを１寺微とする半導体封止用エポキシ樹脂
組成物である。
本発明においてノボラック型エポキシ樹脂としては、ク
レゾールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラ
ック型エポキシ樹脂、臭素化フェノールノボラック型エ
ポキシ樹脂等でありこれら化合物の１種又１−ｊ：２種
以上団用できる。
レゾールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラ
ック型エポキシ樹脂、臭素化フェノールノボラック型エ
ポキシ樹脂等でありこれら化合物の１種又１−ｊ：２種
以上団用できる。
本発明において用いる硬化剤としてのフェノールノホラ
ック樹脂としては、フェノール、クレソール、キシレノ
ール、レゾル７ノール、クロルフェノール、フェニルフ
ェノール、ビスフェノールＡなどの１種または２種以上
の混合物とホルムアルデヒド又は、バラホルムアルデヒ
ドを、酸分触媒として反応しＣ得たものなどであり、か
つ樹脂組成物の架橋密＆’ｃ高め、半導体素子へのモノ
マーの悪影響を除くため、未反応モノマーは該フェノー
ル樹１指中０５％以下に押えることが望ましい。
ック樹脂としては、フェノール、クレソール、キシレノ
ール、レゾル７ノール、クロルフェノール、フェニルフ
ェノール、ビスフェノールＡなどの１種または２種以上
の混合物とホルムアルデヒド又は、バラホルムアルデヒ
ドを、酸分触媒として反応しＣ得たものなどであり、か
つ樹脂組成物の架橋密＆’ｃ高め、半導体素子へのモノ
マーの悪影響を除くため、未反応モノマーは該フェノー
ル樹１指中０５％以下に押えることが望ましい。
なおその軟化点は７０℃〜１１０″Ｃが望ましい。“し
かしてこれらエポキシ樹脂とフェノール樹脂の組合せで
は、エポキシ樹脂中に含まれるエポキシ基１個当たジフ
ェノール性水酸基が０．５〜２．０１［１ｆｆｉとなる
ような割合いで用いるのが好ましい。
かしてこれらエポキシ樹脂とフェノール樹脂の組合せで
は、エポキシ樹脂中に含まれるエポキシ基１個当たジフ
ェノール性水酸基が０．５〜２．０１［１ｆｆｉとなる
ような割合いで用いるのが好ましい。
本発明において硬化促進剤としては公知の触媒が使用で
き、例えば２−（ジメチルアミンメチル）フェノール、
２，４．６−）リス（ジメチルアミノメチル）フェノー
ル、ベンジルジメチルアミン。
き、例えば２−（ジメチルアミンメチル）フェノール、
２，４．６−）リス（ジメチルアミノメチル）フェノー
ル、ベンジルジメチルアミン。
α−メチルベンジルジメチルアミンのような第三アミン
、２−メチルイミダゾール、２−７エニルイミダゾール
、２−ヘプタデシルイミダゾール。
、２−メチルイミダゾール、２−７エニルイミダゾール
、２−ヘプタデシルイミダゾール。
２〜エチル−４−メチルイミダゾール等のイミダゾール
類やトリノエニルホスフィンなどのホスフィン類があり
その添加量は成形材料中に０．１〜１．０重ｆチで充分
である。
類やトリノエニルホスフィンなどのホスフィン類があり
その添加量は成形材料中に０．１〜１．０重ｆチで充分
である。
本発明の必須成分をなす無機質フィラーとしては例えば
結晶性シリカ粉９石英ガラス粉、メルクケイ酸カルンウ
ム粉、ケイ酸ジルコニウム粉、アルミナ粉、炭酸カルシ
ウム粉、クレー、硫酸バリウム粉、ガラス繊維などがあ
げられる。これら無イ幾質フィラーの添刀日量としては
、５０〜８５重盪チが望ましく、８５重量％以上では組
成物の流動性が低く、５０屯遺チ以下では線膨張率が大
きくなるなどの問題が生じる、したがって５０〜８５重
量％の範囲において無機質フィラーの種類により所望の
弾性率、線膨張率、ガラス転移点を付与するに十分な量
配合される。
結晶性シリカ粉９石英ガラス粉、メルクケイ酸カルンウ
ム粉、ケイ酸ジルコニウム粉、アルミナ粉、炭酸カルシ
ウム粉、クレー、硫酸バリウム粉、ガラス繊維などがあ
げられる。これら無イ幾質フィラーの添刀日量としては
、５０〜８５重盪チが望ましく、８５重量％以上では組
成物の流動性が低く、５０屯遺チ以下では線膨張率が大
きくなるなどの問題が生じる、したがって５０〜８５重
量％の範囲において無機質フィラーの種類により所望の
弾性率、線膨張率、ガラス転移点を付与するに十分な量
配合される。
本発明において、分子中に２個以上のカルボキシル基を
有するポリブタジェンとしては例エバ日本脩達社製ＰＢ
−Ｃ−１０００、ＰＢ−Ｃ’−２０００１グツドリッチ
社ｐ Ｈｙｃａｒ −ＣＴＢ 、 ＣＴＢＮ 、 ＣＴ
ＢＸなどがある。
有するポリブタジェンとしては例エバ日本脩達社製ＰＢ
−Ｃ−１０００、ＰＢ−Ｃ’−２０００１グツドリッチ
社ｐ Ｈｙｃａｒ −ＣＴＢ 、 ＣＴＢＮ 、 ＣＴ
ＢＸなどがある。
また水酸基含有シリコーン樹脂としては東しシリコーン
社製５１（−６０１８、信越化学社製ＫＲ−２１６゜Ｋ
Ｒ，−２１８、東芝シリコーン社製Ｙｆ’Ｌ−３１６８
などがあげらルる。上記カルボキシル基含有ポリブタジ
ェンと水酸基またはアルコキシ基含有シリコーン樹脂指
との反応物に含ま）Ｌるシリコーン樹脂の添加量は５〜
：３０重量％が好ましい。それは５重量係以下では金型
からの離型効果が十分でなく、３０重遺％以上では逆に
金属との密着性が劣り耐湿性を悪くするためと、コスト
の面で好ましくないためＣある。上記の反応物の製造方
法は、窒素雰囲気下１００°Ｃ〜２．００℃まで徐々に
温度を上げ約５〜１０時間の反応により得られる。
社製５１（−６０１８、信越化学社製ＫＲ−２１６゜Ｋ
Ｒ，−２１８、東芝シリコーン社製Ｙｆ’Ｌ−３１６８
などがあげらルる。上記カルボキシル基含有ポリブタジ
ェンと水酸基またはアルコキシ基含有シリコーン樹脂指
との反応物に含ま）Ｌるシリコーン樹脂の添加量は５〜
：３０重量％が好ましい。それは５重量係以下では金型
からの離型効果が十分でなく、３０重遺％以上では逆に
金属との密着性が劣り耐湿性を悪くするためと、コスト
の面で好ましくないためＣある。上記の反応物の製造方
法は、窒素雰囲気下１００°Ｃ〜２．００℃まで徐々に
温度を上げ約５〜１０時間の反応により得られる。
さらに、本発明においてビスフェノールＡ型エポキシ樹
脂としては例えばシェル化学社製エピコ−ト ８２７，
８２８，８３４，８３６，１００１，１００４，１００
７ 、チバガイギー社製アラルダイ） ＣＹ−２５２，
２５０゜２６０ 、２８０及び６０７１，６０８４，６
０９７、ダウケミカル社製ＤＥＲ−３３０，３３１，３
３７，６６１，６６４、大日本インキ化学工業社製エビ
クロン８００．１０１０．１０００ 。
脂としては例えばシェル化学社製エピコ−ト ８２７，
８２８，８３４，８３６，１００１，１００４，１００
７ 、チバガイギー社製アラルダイ） ＣＹ−２５２，
２５０゜２６０ 、２８０及び６０７１，６０８４，６
０９７、ダウケミカル社製ＤＥＲ−３３０，３３１，３
３７，６６１，６６４、大日本インキ化学工業社製エビ
クロン８００．１０１０．１０００ 。
３０１０ 、加電化工業社製アデカレジンＥｐ ４０８
０゜ＥＰ−４０００などがある。
０゜ＥＰ−４０００などがある。
本発明において、カルボキシル基含有ポリブタジェンと
水酸基またはアルコキシ基含有シリコーン樹脂からの反
応物とビスフェノールＡ型エポキシ樹脂との反応物は窒
素雰囲気下１３０〜１８０℃の温度で０５〜１０時間程
度′の反応により得られる。
水酸基またはアルコキシ基含有シリコーン樹脂からの反
応物とビスフェノールＡ型エポキシ樹脂との反応物は窒
素雰囲気下１３０〜１８０℃の温度で０５〜１０時間程
度′の反応により得られる。
また必要に応じて、触媒や重合禁止剤などを添加できる
。
。
本発明において、前記カルボキシル基含有ポリブタジェ
ンと水１設基またはアルコキシ基含有シリコーン樹脂と
の反応物のエポキシ樹脂組成物に対する添刀日量として
は０．３〜５重量係が好ましい。０．３重量係では可撓
化効果が少なく５重量係以上では熱時の機械的強度が弱
く作業性が悪くなるためである。また、前記反応物とビ
スフェノールＡ型エポキシ樹脂との反応物のエポキシ樹
脂組成物に対する添加ｔは０．５〜１０重盪係が好まし
い。０５屯遺チ以下では可撓化効果が少なく１０Ｍ通係
以上ではガラス転移点の低下や耐湿性の低下および熱時
の機械的強度が弱く作業性が悪くなるためである。
ンと水１設基またはアルコキシ基含有シリコーン樹脂と
の反応物のエポキシ樹脂組成物に対する添刀日量として
は０．３〜５重量係が好ましい。０．３重量係では可撓
化効果が少なく５重量係以上では熱時の機械的強度が弱
く作業性が悪くなるためである。また、前記反応物とビ
スフェノールＡ型エポキシ樹脂との反応物のエポキシ樹
脂組成物に対する添加ｔは０．５〜１０重盪係が好まし
い。０５屯遺チ以下では可撓化効果が少なく１０Ｍ通係
以上ではガラス転移点の低下や耐湿性の低下および熱時
の機械的強度が弱く作業性が悪くなるためである。
本発明においては、その曲、必要に応じて天然ワックス
、合成ワックス、高級脂肪酸覆工びその金属塩類、もし
くはパラフィンなどの離型剤あるいはカーボンのよ′）
な着色剤、さらにカップリング剤などを、り口えてもよ
い。また三酸化アンチモノ。
、合成ワックス、高級脂肪酸覆工びその金属塩類、もし
くはパラフィンなどの離型剤あるいはカーボンのよ′）
な着色剤、さらにカップリング剤などを、り口えてもよ
い。また三酸化アンチモノ。
五酸化アンチモン、リン酸塩卦よびリン化合物等の難燃
剤を添カロしてもよい。
剤を添カロしてもよい。
本発明によれば、エポキシ樹脂のガラス転移点を低下さ
せることなく、成形性（離型性）が良く、容易に低弾性
率、低膨張率化することができる。
せることなく、成形性（離型性）が良く、容易に低弾性
率、低膨張率化することができる。
実施例
実施例・比較例
四つロフラスコに分子中にカルボキシル基を有するポリ
ブタジェンと、分子中に水酸基およびアルコキシ基含有
するシリコーン樹脂を仕込、与、窒素ガス分流しながら
１００〜２００ ’０の温度で５〜１０時間の反応を行
ない反応物Ａ、Ｄを得た表−１にはその組成を示した。
ブタジェンと、分子中に水酸基およびアルコキシ基含有
するシリコーン樹脂を仕込、与、窒素ガス分流しながら
１００〜２００ ’０の温度で５〜１０時間の反応を行
ない反応物Ａ、Ｄを得た表−１にはその組成を示した。
以下余白
表−１反応物の合成
！−ｉの反応物と、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂を
四つロフラスコに仕込４．１５０℃×０．５〜１０時間
反応させ、表−２に示すごときエポキシ変成物Ｅ −Ｇ
を得た。
四つロフラスコに仕込４．１５０℃×０．５〜１０時間
反応させ、表−２に示すごときエポキシ変成物Ｅ −Ｇ
を得た。
表−２エポキシ変成物
表−１の反応物および表−２のエポキシ変成物Ａ、Ｇ２
用いて、表−３に示すごとき組成のエポキシ樹脂組成物
（実施例１〜１１．比較例１〜３）全ミキサーにより混
合、加熱ロールにより混練し、冷却後粉砕して、成形用
エポキシ樹脂組成物を調整した。次いで上記用意した各
樹脂組成物を用い、トランスファー成形法てより１７０
°０．２分間の成形条件で集積回路を封止した。このよ
うにして得られた樹脂封止半導体装置を、高温高圧水蒸
気中、電圧印加状態に供した。
用いて、表−３に示すごとき組成のエポキシ樹脂組成物
（実施例１〜１１．比較例１〜３）全ミキサーにより混
合、加熱ロールにより混練し、冷却後粉砕して、成形用
エポキシ樹脂組成物を調整した。次いで上記用意した各
樹脂組成物を用い、トランスファー成形法てより１７０
°０．２分間の成形条件で集積回路を封止した。このよ
うにして得られた樹脂封止半導体装置を、高温高圧水蒸
気中、電圧印加状態に供した。
各実施例、各比較例につき被評価個数１００個を試験に
洪し、一定時間経過時における不良発生個数を調べ、こ
れを同表に示した。また、表−３には上記組成物全１フ
０°ＯＸ２分の硬化条件で、試験片を作成し、１８０°
ＯＸ８時間の後硬化を行なった後の緒特性の評価結果も
あわせて示した。以下に組成物の原料について示した。
洪し、一定時間経過時における不良発生個数を調べ、こ
れを同表に示した。また、表−３には上記組成物全１フ
０°ＯＸ２分の硬化条件で、試験片を作成し、１８０°
ＯＸ８時間の後硬化を行なった後の緒特性の評価結果も
あわせて示した。以下に組成物の原料について示した。
エポキシ樹月旨：
Ａ：クンゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当
−凌２２０） Ｂ：臭素化フェノールノボラック型エポキシ樹脂（エポ
キン当、ｉ ２７０ ） フェノール樹脂： フェノールノボラツク樹＋］Ｗ （水酸基当清１０
４）硬化促進剤： ２−ヘプタデンルイミダゾール ノ°タジエンとシリコーン樹脂との反応物≧よびこれら
のエポキシ変成物： 表−１２よび表−２のＡ−Ｇ ポリブタジェン： 分子］ ４０００ 、カルボキシル基数２．０７ｍ□ｌ
のポリブタジェン その他無機質フィラーとして、溶融シリカを使用し、難
燃剤として、三酸化アンチモン、カンブリング剤として
、Ａ−１８７（日本ユニカー）、顔類としＣカーボンブ
ラック、離型剤と（７てヘキストＥ（ヘキストジャパン
社製）ヲ用いた。
−凌２２０） Ｂ：臭素化フェノールノボラック型エポキシ樹脂（エポ
キン当、ｉ ２７０ ） フェノール樹脂： フェノールノボラツク樹＋］Ｗ （水酸基当清１０
４）硬化促進剤： ２−ヘプタデンルイミダゾール ノ°タジエンとシリコーン樹脂との反応物≧よびこれら
のエポキシ変成物： 表−１２よび表−２のＡ−Ｇ ポリブタジェン： 分子］ ４０００ 、カルボキシル基数２．０７ｍ□ｌ
のポリブタジェン その他無機質フィラーとして、溶融シリカを使用し、難
燃剤として、三酸化アンチモン、カンブリング剤として
、Ａ−１８７（日本ユニカー）、顔類としＣカーボンブ
ラック、離型剤と（７てヘキストＥ（ヘキストジャパン
社製）ヲ用いた。
辰−３に示した結果から分子中にカルボキシル基を有す
るポリブタジェンと分子中に水酸基≧よびアルコキシ基
を有するシリコーン樹脂の反応物または上記反応物とビ
スフェノールＡ型エポキシ樹脂との反応物を、フェノー
ル硬化型エポキシ樹脂の可撓性付与剤として添〃口した
場き、浸れた耐湿性、耐腐食性、可撓性および成形性を
１するエポキシ樹脂組成物が得られる。
るポリブタジェンと分子中に水酸基≧よびアルコキシ基
を有するシリコーン樹脂の反応物または上記反応物とビ
スフェノールＡ型エポキシ樹脂との反応物を、フェノー
ル硬化型エポキシ樹脂の可撓性付与剤として添〃口した
場き、浸れた耐湿性、耐腐食性、可撓性および成形性を
１するエポキシ樹脂組成物が得られる。
以丁余白
只成形性はトランスプアー成形時の金型からの離型性全
評価した。
評価した。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （すａ） ノボラック型エポキシ樹脂 ５〜２
５重遭係ｂ） フェノールノボラック樹脂硬化剤 １
〜２５重献係Ｃ）硬化促進剤 ０．０１〜
２．０重量係ｄ）無機質フィラー ５０〜８
５重ｉ係ｅ）分子中にカルボキシル基を２個以上有する
ポリブタジェンと、水酸基またはアルコキシ基金１個以
上有するシリコーン樹脂との反応物 ０３〜
５重ｉ係からなることを、ｉｍとする半導体封止用エポ
キシ樹脂組成物〇 （２） ａ） ノボラック型エポキシ樹脂
５〜２５重ｉｔ％ｂ） フェノールノボラック樹脂硬化
剤 １〜２５重ｔ％Ｇ） 硬化促進剤
０．０１〜２．０Ｍ遺係ｄ〕 無機質フィラー
５０〜８５重盪チｅ〕 分子中にカルボキシル基
を２個以上有するポリブタジェンと、水酸基またはアル
コキシ基を１個以上有するシリコーン樹脂との反応物と
、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂との反応物 ０．
５〜１０重量係からなることを特徴とする半導体封止用
エポキシ樹脂組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22286082A JPS59113021A (ja) | 1982-12-21 | 1982-12-21 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22286082A JPS59113021A (ja) | 1982-12-21 | 1982-12-21 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59113021A true JPS59113021A (ja) | 1984-06-29 |
Family
ID=16789022
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22286082A Pending JPS59113021A (ja) | 1982-12-21 | 1982-12-21 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59113021A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5109067A (en) * | 1987-05-30 | 1992-04-28 | Korea Chemical Co., Ltd. | Process for the preparation of the modified resin and epoxy resin composition containing the modified resin for use in semiconductor encapsulation |
| US5114994A (en) * | 1990-03-23 | 1992-05-19 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Epoxy resin composition for sealing semiconductor |
-
1982
- 1982-12-21 JP JP22286082A patent/JPS59113021A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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