JPS63132887A - 新規なイミド誘導体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は新規イミド誘導体およびその酸付加塩に関する
。

〔従来技術〕

従来、抗精神病薬としては、クロルプロマジンに代表さ
れる三環系抗情神病薬、ハロペリドールに代表されるブ
チロフェノン系抗精神病薬が用いられてきたが、それら
には錐体外路系副作用（カタレプシー等）等の中枢性副
作用、血圧陣下等の末梢性副作用が付随しており、臨床
適応上大きな問題となっていた。

〔余白〕

クロルプロマジン　　　　ハロペリドール近年、これら
の諸問題点の内のいくつかを解決したものとして、ブス
ピロン、チアスピロン等のスピロイミド系化合物が見出
され、開発されつつある。

ブスピロン チアスピロン 即ち、これらスピロイミド系化合物は、例えばカタレプ
シー惹起作用等の錐体外路系副作用がハロペリドール等
のブチロフェノンに比較して軽減された化合物とされて
いる。

〔発明が解決しようとする問題点〕

従来の臨床適応されている市販の抗精神病薬に対して、
上記のスピロイミド系化合物は、問題とされていた副作
用を軽減した点で興味ある化合物といえる。また、抗精
神病作用の指標といえる抗ドーパミン作用（例えば、ア
ポモルフインを用いた抗クライミング行動試験等で測定
される）は例えばチアスピロンにおいては腹腔内投与で
は、クロルプロマジンより強く、ハロペリドールとほぼ
同等と言う程強いものであった。しかしながら驚くべき
ことにこのチアスビロンの抗ドーパミン作用は、経口投
与時には、著しく滅弱することが本発明者らの検討の結
果明らかになった。

そこで、本発明者らは旧来の問題点および新たに見出さ
れた上記の問題点を改善した抗精神病薬を創製すべく、
鋭意研究を重ねた結果、本発明化合物である新規なイミ
ド誘導体を見出し、このものが目的とした薬理約諾作用
を有することを見出して、本発明を完成するに至った。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明は、一般式（１） 〔式中、Ａはカルボニル基またはスルホニル基を表わし
、Ｂは、Ａがカルボニル基の場合には、−（式中、Ｒｔ
およびＲ２は共に水素原子を表わすか、いずれか一方が
水素原子であり、他方はヒドロキシ基、アルキル基また
はアルカノイルオキシ基であるか、またはＲ５およびＲ
２が一緒になってオキソ基を表わす。Ｅはメチレン基、
エチレン基または酸素原子を表わし、−一一は単結合ま
たは二重結合を表わす。）で表わされる基、一般式し、
Ｒｔ　、Ｒｔおよび一一一は前述と同様の意味を表わす
。）で表わされる基 （式中、Ｒｔ、Ｒｚおよび一；；＝、は前述と同様の意
味を表わし、Ｒ，、Ｒ，、Ｒ５、Ｒ，、Ｒｔ、Ｒ１１は
水素原子またはアルキル基を表わす、）で表わされる基
、一般式 （式中、Ｒ１およびＲ１゜は低級アルキル基を表わす。

）で表わされる基、または一般式 （式中、Ｒ１１およびＲ１□は低級アルキル基か、また
は−緒になって、低級アルキレン基を表わす。

ｎはＯｌｌまたは２の整数を表わす。）で表わされる基
を表わし、Ａがスルホニル基である場合には、１．２−
フェニレン基を表わす、Ｗは低級アルキレン基、低級ア
ルケニレン基、低級アルキニレン基または水酸基が置換
していてもよい低級アルキレン基を表わす。Ｇは置換ベ
ンゾイソチアゾリル基、置換または無置換のベンゾイル
基あるいは置換または無置換ベンズチアゾリル基を表わ
す。）で表わされるイミド誘導体〔以下、イミド誘導体
（１）という〕およびその酸付加塩を提供するものであ
る。

Ｒ’＋　、Ｒ２、Ｒｓ、Ｒ−１Ｒｓ、Ｒ−１Ｒ？、Ｒ１
１，Ｒ１、ＲＩｏ、Ｒ１１およびＲ１１に於けるアルキ
ル基は、直鎖状または分枝状のいずれでもよく、好適に
はＣ１−４の低級アルキル基が挙げられ、さらに具体的
には、例えばメチル、エチル、プロピル、イソプロピル
またはブチル基等が例示される。

Ｒ＋　、Ｒｚに於けるアルカ４Δルオキシ基としては、
好ましくはＣｌ−４のアルカノイルオキシ基が挙げられ
、さらに具体的には、例えばアセトキシ、プロパノイル
オキシまたはブタノイルオキシ基等が例示される。

ＲＩ　ｌ、Ｒ１□に於ける低級アルキレン基としてはＣ
３−５のアルキレン基であり、好ましくはトリメチレン
基、テトラメチレン基等が挙げられる。

Ｇに於ける置換ベンズイソチアゾリル基の置換基として
はアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子およびトリ
フルオロメチル基が好適なものとして例示される。当該
置換基としてのアルキル基は、直鎖状または分枝状のい
ずれでもよく、好ましくはＣＩ−４の低級アルキル基が
挙げられ、さらに具体的には例えばメチル、エチル、プ
ロピル、イソプロピルまたはブチル基が例示される。ア
ルコキシ基は、直鎖状または分枝状のいずれでもよく、
好ましくはＣｌ−４低級アルコキシ基が挙げられ、さら
に具体的には、例えばメトキシ、エトキシ、プロポキシ
、イソプロポキシまたはブトキシ基が例示される。また
、ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素
原子またはヨウ素原子が挙げられる。Ｇにおけるベンゾ
イル基およびベンズチアゾリル基は置換されていてもよ
く、その場合の置換基としては、上記と同様のものが例
示される。上記ベンズイソチアゾリル基、ベンゾイル基
およびベンズチアゾリル基における置換基の数は１〜３
個であることが好ましい。

Ｗに於ける低級アルキレン基としては、直鎖状または分
枝状のいずれでもよく、好適にはＣｌ−６の低級アルキ
レン基があげられ、さらに具体的には、例えば、メチレ
ン、エチレン、トリメチレン、プロピレン、テトラメチ
レン、２−メチルトリメチレンまたは２−メチルテトラ
メチレン等が例示される。

当該低級アルキレン基は置換基を有していてもよく、そ
の置換基としては、このましくは水酸基が例示される。

Ｗに於ける低級アルケニレン基は直鎖状または分枝状の
いずれでもよく、好適にはＣ２−４の低級アルケニレン
基が挙げられ、さらに具体的には、例えば、エテニレン
、プロペニレン、ブテニレン、ペンテニレン、ヘキセニ
レン、メチルブテニレン等が例示される。

Ｗに於ける低級アルキニレン基は直鎖状または分枝状の
いずれでもよく、好適にはＣ１−４の低級アルキニレン
基が挙げられ、さらに具体的には、例えば、エチニレン
、プロビニレン、ブテニレン、ペンチニレン、メチルブ
テニレン等が例示される。

本発明化合物（１）はたとえば、所望に応じて各種の無
機酸または有機酸、たとえば塩酸、臭化水素酸、沃化水
素酸、硫酸、酢酸、蓚酸、クエン酸、リンゴ酸、酒石酸
、フマール酸、マレイン酸などと酸付加塩を形成するこ
とができる。また、塩を対応する塩基形に変えるには、
適当なアルカリによる通常の処理を行えばよい。

本発明化合物（１）は、例えば下式で表わされる諸方法
で製造される。

〔余白〕

製造法ａ） （Ｘ）　　　　　　　（ＸＩ） 〔式中、Ａ、Ｂ、ＧおよびＷは前述と同じ意味を表わし
、Ｘは脱離基（例えば塩素、臭素、ヨウ素原子等のハロ
ゲン原子、メタンスルホニルオキシ基、Ｐ−）ルエンス
ルホニルオキシ基等のアルキルまたはアリールスルホニ
ルオキシ基）を表わし、Ｘ′は上記脱＃基におけると同
様のハロゲン原子を表わす。〕 即ち本発明化合物（＋）は一般式（Ｉ［）の化合物と一
般式（Ｉ［［）のアミン誘導体とを不活性有機溶媒上反
応させることによって得られる。好ましい？８媒として
はピリジン、ｎ−フ゛チルアＪレコール、ベンゼン、ト
ルエン、キシレンなどが挙げられ、これらの溶媒下、還
流温度で反応させることが望ましい。

また、本発明イミド誘導体（１）は一般式（ＴＶ）の化
合物〔以下、化合物（ｒＶ）という〕と一般式（Ｖ）で
表わされる化合物（以下、化合物（Ｖ）という）とを適
当な有機溶媒下、酸結合剤の存在において反応させるこ
とによって得られる。好ましい溶媒としては、ベンゼン
、トルエン、キシレン、ジメチルホルムアミド、アセト
ニトリル、ｎ−ブチルアルコール等が挙げられ、これら
の溶媒中、炭酸カリウム、重炭酸ナトリウム、水素化ナ
トリウム等のアルカリおよびアルカリ土類金属の炭酸塩
、重炭酸塩または水素化物、トリエチルアミン等の第３
級アミンおよびピリジンのような酸結合剤の存在下、室
温ないしは加熱下で反応させることが望ましい。

また、本発明イミド誘導体（１）は一般式（■）の化合
物〔以下、化合物（■）という〕と一般式（ＩＸ）で表
わされるアミン誘導体〔以下、化合物（ＩＸ）という〕
とを適当な有機溶媒下、酸結合剤の存在において反応さ
せることによって得られる。

好ましい溶媒としてはベンゼン、トルエン、キシレン、
ジメチルホルムアミド、アセトニトリル、ｎ−ブチルア
ルコール等が挙げられ、これらの溶媒中、炭酸カリウム
、重炭酸ナトリウム、水素化ナトリウム等のアルカリお
よびアルカリ土類金属の炭酸塩、重炭酸塩または水素化
物、トリエチルアミン等の第３級アミンおよびとリジン
のような酸結合剤の存在下、室温ないしは加熱下で反応
させることが望ましい。

さらに本発明イミド誘導体（１）は一般式（Ｘ）で表わ
される化合物〔以下、化合物（Ｘ）という〕と一般式（
ＸＩ）で表わされる化合物〔以下、化合物（ＸＩ）とい
う〕とを適当な有機溶媒下、酸結合剤の存在において反
応させることによって得られる。好ましい溶媒としては
ベンゼン、トルエン、キシレン、ジメチルホルムアミド
、アセトニトリル、ｎ−ブチルアルコール等が挙げられ
、これらの溶媒中、炭酸カリウム、重炭酸ナトリウム、
水素化ナトリウム等のアルカリおよびアルカリ土類金属
の炭酸塩、重炭酸塩または水素化物、トリエチルアミン
等の第３級アミン及びピリジンのような酸結合剤の存在
下、室温ないしは加熱下で反応させることが望ましい。

本製法における原料化合物である化合物（ＩＩ）、（Ｉ
ＩＩ）、（ｒＶ）、（■）、（Ｖ）、（ＩＸ）、（Ｘ）
および（ＸＩ）はそれ自身公知化合物であるか、若しく
は公知の合成法により合成できる化合物である。

以下に各原料化合物について、その合成文献および合成
法について説明する。

ｉ）原料化合物（ＩＩ） 以下の文献において公知であるか、その当該文献に記載
の方法に準じて合成することができる。

・特開昭６０−８７２６２号公報、 ・ジャーナル　オプ　アメリカン　ケミカル　ソサエテ
ィ（Ｊ、　Ａｍ、　Ｃｈｅｗ、　Ｓｏｃ、）　　６３．
３１６７（１９４１）、 ・ジャーナル　オプ　アメリカン　ケミカル　ソサエテ
ィ（Ｊ、　Ａｎ、　ＣｈｅＩＩｌ、　Ｓｏｃ、）　　７
２．１６７８（１９５０）、 ・ジャーナル　オプ　アメリカン　ケミカル　ソサエテ
ィ（Ｊ、　Ａｍ、　Ｃｈｅ＋ｎ、　Ｓｏｃ、）　　７土
、３０９４（１９５２）、 ・ジャーナル　オブ　アメリカン　ケミカル　ソサエテ
ィ（Ｊ、　Ａｍ、　Ｃｈｅｗ、　Ｓｏｃ、）　　７３．
４８８９（１９５１）、 ・ジャスタス・リーピックス・アナーレン・デア・ヘミ
　（Ｊｕｓｔｕｓ　Ｌｉｅｂｉｇｓ　Ａｎｎａｌｅｎ　
ｄｅｒ　Ｃｈｅｍｉｅ）−乳ユ」−１１（１９３４） ｉｉ　）原料化合物（Ｉｔ／）、（■）および（Ｘ）以
下の反応経路により合成される。

（ｎ）　　　　　（ＴＶ）　　　　（■）（式中Ａ、Ｂ
、ＷおよびＸは、前述と同じ意味を表わす。） すなわち、化合物（Ｘ）はＲＰＣ特許出願公開番号第０
１０９５６２号明細書記載の方法、もしくは特開昭６０
−８７２６２号公報、特開昭６０−８７２８４号公報、
特開昭６０−２３３７３号公報記載の方法に準じて化合
物（ＩＩ）から化合物（■）、化合物（■）を経由して
製造される。

化合物（ＩＶ）および（■）は上記文献に記録されてい
るか、若しくは上記文献記載の製法により合成すること
もできる。

１ｉｉ）原料化合物（ＩＩＩ）、（Ｖ）、（ＩＸ）およ
び（ＸＩ）以下に示した文献により公知であるか、もし
くは公知の方法に準じて製造することができる。すなわ
ち、化合物（ＸＩ）および化合物（ＩＸ）は、たとえば
、特開昭５３−１１２８８２号公報、米国特許第３７８
６１５０号、ジャーナル　オブ　メディシナル　ケミス
トリー（Ｊ、　Ｍｅｄ、　Ｃｈｅｗ、）　２９．３５９
　（１９８６）、特開昭５９−２２７８８２号公報に記
載されているか、もしくは上記文献に記載された方法に
従って誘導される。

また、化合物（Ｉ［ｌ）および化合物（Ｖ）は、以下に
示した反応経路により合成することもできる。

（ＸＸＶ）　　　　　　　　（■） （ＶＴ） （Ｖ’）　　　　　（ＩＸ）　　　　　　　（Ｖ）（式
中、Ｘ＃は脱離基を表わし、Ｗ、ＧおよびＸは前記と同
じ意味を表わす。） 即ち、化合物（ＩＩＩ）は、たとえば特開昭６０＝８７
２６２号公報記載の方法に準じてフタルイミド（ＸＸＶ
）より化合物（■）を経て化合物（Ｖｌ）とした後、一
般的な反応条件、例えばガブリエル反応により目的とす
る化合物（ＩＩＩ）に誘導することができる。化合物（
Ｖ）は化合物（Ｖ′）と化合物（ＩＸ）とを反応させる
ことによって得られる。

袈遣広工Ｙ （式中、Ｇ、ＡおよびＢは前述と同じ意味を表わす。Ｗ
′は低級アルケニレン基または低級アルキニレン基を表
わす、） 即ち、本発明の目的化合物に包含される所の一般式（１
−２）で表わされるアルキレン誘導体〔以下、化合物（
１−２）　という〕は対応するオレフィン誘導体または
アセチレン誘導体、即ち一般式（［１）で表わされる化
合物〔以下、化合物（１−１）という〕に水素添加反応
を行うことにより合成することができる。

本反応は通常行われる水素添加反応により実施されるが
、例えば、触媒の存在下で水素添加を行う接触還元法が
特に有効である。

接触還元反応は、例えば白金、パラジウム、ロジウム、
ニッケル、コバルトなどの金属触媒あるいはこれらを炭
素等の担体に保持させた触媒等、一般的に用いられる触
媒の存在下で行うことができ、また、例えばベンゼン、
トルエン、ヘキサン、メタノール、エタノール、エーテ
ル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、酢酸エチルなど
の不活性溶媒中で実施するのが望ましい０本反応は常温
常圧条件で進行するが、加温、加圧により反応を促進す
ることができ、場合によっては冷却下で行ってもよい。

理論量の水素を吸収させることにより、本反応は達成さ
れる。反応終了後は、通常の有機化学的手法により、生
成物を単離、精製することができる。

本反応において使用される原料化合物（１−１）は、製
造法ａ）、ｃ）およびｄ）の方法によって製造すること
もできる。

１１」１つ− （ＸＩｖ）　　　　　　　　　　　　　　　　（ＩＸ）
（式中、Ａ、ＢおよびＧは前述と同じ意味を表わす。） 即ち、本発明の目的化合物（１）に包含される所の一般
式（１−３）で表わされる化合物〔以下、化合物（１−
３）という〕は一般式（Ｘｍで表わされるＮ−プロパル
ギル誘導体〔以下、化合物（ＸＩｖ）という〕に一般式
（ＩＸ）で表わされるピペラジン誘導体〔以下、化合物
（ＩＸ）という〕とホルムアルデヒドを、不活性溶媒中
、マンニッヒ型に反応させることにより製造することが
できる。

本反応においては金属イオンによる触媒効果が大きく、
たとえば塩化銅、硫酸銅、酢酸銅、塩化鉄等は効果の大
きなものとして挙げられる。

不活性溶媒とは反応に関与しない溶媒を意味し、水、ジ
オキサン、テトラヒドロフラン、エーテル、メチレング
ライコールジメチルエーテル、メチルセルソルブ等各種
のものおよびそれらの混合物が挙げられる。

反応は一般的には使用溶媒の沸点またはそれ以下の温度
範囲で加熱して促進することもできるが、また場合によ
っては冷却してこれを抑制することもできる。

なお、本反応において使用される原料化合物（ＸＩＶ）
および（ＩＸ）は製造法ａ）の方法により製造すること
もできる。

皇１」ハＤ− （ＸＶ’　） （Ｉ−４） （式中、Ａ、ＢおよびＧは前述と同じ意味を表わす、） 即ち、本発明の目的化合物（１）に包含される所の一般
式（Ｉ−４）で表わされる化合物〔以下、化合物（１−
４）という〕は、一般式（ＸＶ’　）で表わされる化合
物を、接触還元触媒の存在下、適当な溶媒中で水素と接
触とさせ、等モルの水素添加を行うことにより製造され
る。

還元触媒としては白金、パラジウム、ロジウム、ニッケ
ル、コバルト等の一般的に水素添加反応に使用される触
媒を同様に適用することが可能であるが、この際原料化
合物と等モルの水素が吸収されたことを認めた時点で反
応を停止させることが望ましい。

部分還元触媒としてはパラジウム−炭酸カルシウム、パ
ラジウム−硫酸バリウム等の活性の弱い触媒がより望ま
しく、またリンドラ−触媒等のこれらの弱活性の触媒を
さらに塩基性アミン、硫黄化合物、鉛化合物等で被毒し
た触媒を用いることはさらに望ましい。この際において
も、原料化合物と等モルの水素が吸収されたことを認め
た時点で反応を停止させることが望ましい。

この部分水素添加反応は望ましくはベンゼン、トルエン
、ヘキサン、メタノール、エタノール、エーテル、テト
ラヒドロフラン、酢酸エチル等の不活性溶媒中にて実施
し、その反応温度および水素圧に関しては、加温加圧上
条件も可能であるが、常温常圧条件で充分反応は進行し
、場合によっては冷却下で行うこともできる。

反応終了後は通常の有機化学的手法に従って目的物を単
離、精製することができる。

本反応において使用される原料化合物（ＸＶ’　）は製
造法ａ）およびＣ）の方法により製造することもできる
。

（Ｘ■）　　　　　　　　（■） （式中、Ａ、ＢおよびＧは前述と同じ意味を表わす。） 即ち、本発明の目的化合物（１）に包含される所の一般
式（Ｉ−５）で表わされる化合物〔以下、化合物（Ｔ−
５）という〕は、−Ｃ式（Ｘ■）で表わされるエポキサ
イド誘導体〔以下、化合物（Ｘ■）という〕と一般式（
ＩＫ）で表わされるアミン誘導体〔以下、化合物（ＩＸ
）という〕とを不不活官有ａ溶媒下反応させることによ
って得られる。好ましい溶媒としてはベンゼン、トルエ
ン、キシレン、ジメチルホルムアミド、アセトニトリル
、ｎ−ブチルアルコール等が挙げられ、これらの溶媒中
、還流温度で反応させることが望ましい。

なお、原料化合物（Ｘ■）および化合物（ＩＸ）は、製
造法ａ）の方法に準じて製造することができる。

（ＩＶ）　　　　　　　　（ＸＩＸ） （Ｉ−６） （式中、Ａ、ＢおよびＧは前述と同じ意味を表わす。） 即ち、本発明の目的化合物に包含される所の一般式（１
−６）で表わされる化合物〔以下、化合物（Ｌ６）　と
いう〕は一般式（ＩＶ）で表わされる化合物〔以下、化
合物（ＩＶ）という〕と一般式（ＸＩＸ）で表わされる
アミン誘導体〔以下、化合物（ＸＩＸ）という〕を不活
性溶媒下、塩基の存在下において反応させることによっ
て得られる。好ましい溶媒としてはベンゼン、トルエン
、キシレン、ジメチルホルムアミド、アセトニトリル、
ｎ−ブチルアルゴール等が挙げられ、これらの溶媒中、
炭酸カリウム、重炭酸ナトリウム、水素化ナトリウム等
のアルカリおよびアルカリ土類金属の炭酸塩、重炭酸塩
または水素化物、トリエチルアミン等の第３級アミンお
よびピリジンのような塩基の存在下、室温ないしは加熱
下で反応させることが望ましい。

なお本反応において使用される原料化合物（ＩＶ）およ
び（ＸＩＸ）は、製造法ａ）の方法により製造すること
もできる。

〔作用・効果〕

本発明化合物（１）は、優れた抗精神病作用を示す。さ
らに、従来の市販されている、ブチロフェノン系抗精神
病薬、フェノチアジン系抗精神病薬に一般的にみられる
副作用、錐体外路系副作用は非常に弱い。しかも、前述
したスピロイミド系化合物の抗精神病作用は経口投与時
には著しく滅弱することが判明しているが、本発明化合
物（１）は経口投与時においても、強い抗精神病作用を
有することが明らかとなった。以下に薬理試験を詳説す
る。

（実験方法） （１）抗精神病作用 臨床における抗精神病作用の代表的インビトロ（ｉｎ　
ｖｉｔｒｏ）試験法であるドーパミンＤ２受容体バイン
ディングアッセイ（ｂｉｎｄｉｎｇ　ａｓｓａｙ）を用
いた。

牛脳線条体膜両分のＤ！受容体に対する化合物の親和性
を以下の方法で検討した。（Ｔ、　ｌ［ｕｎｏ、　Ｋ。

５ａｉｊｏｈ　ａｎｄ　Ｔ、　Ｔａｎａｋａ、　Ｊ、　
Ｎｅｕｒｏｃｈｅｍ、　４１＋　８４１（１９８３）参
照〕 （ａ）膜画分の調製□新鮮な牛脳線条体を２０倍容量の
Ｔｒｉｓ４Ｃ１１Ｊ街液（ｐｌ（７，４，０，０５Ｍ）
中でホモジナイズし、５０，０００Ｘｇ、１０分間の遠
心分離により得られた膜画分を同容量の緩衝液で２回洗
浄し、膜画分標品を得た。

（ｂ）ディスプレイスメントアッセイ（ｄｉｓｐｌａｃ
ｅｍｅｎｔａｓｓａｙ）□上記の膜画分（１ｍｇ蛋白を
含む）を〔１Ｈ〕スビペロン（１９Ｃｉ／ｍｍｏｌ）　
１　ｎ　Ｍ、　１２０ｍＭ　　ＮａＣ１，２５ｍ　Ｍ　
　Ｔｒｉｓ−ＨＣＩ　（ｐｉ（７，４）、および被検化
合物１０−ｑ〜１０−’Ｍを含む緩衝液中で３７°Ｃ１
３０分間インキュベートし、反応後膜両分をワットマン
（Ｗｈａｔｍａｎ）　Ｇ　Ｆ　／　Ｂグラスフィルター
で集めて、膜結合〔３Ｈ〕スピペロン量を液体シンチレ
ーションカウンターにより測定した。

各被検化合物濃度における（’１１）スピベロンのＤ２
受容体に対する特異的結合量を次式より求め、ヒルプロ
ント（旧＋１　ｐｌｏｔ）から、ＩＣ５０値およびＫｉ
値を求めた。

特異的結合量＝総語合量−非特異的結合ｆｆｉ”（’　
１０−’Ｍ　　スピペロン共存下での結合量）［Ｃ５０ Ｃ５０Ｋｉ（ｎ□ ｘ＋ｚ／Ｋｎ く実験結果〉 ドーパミンＤｉ受容体パインディングアッセイの結果は
表１に示した。

表１ 表１に示した結果から明らかなように、本発明イミド誘
導体（１）およびその酸付加塩は、ドーパミンＤ２受容
体に対して高い親和性を有している。換言すると、従来
の抗精神病薬と同等の抗精神病作用を存していることが
明らかである。また、本発明者らの研究により、従来の
抗精神病薬が一般的に存する錐体外路系の副作用、たと
えばカタレプシー惹起作用が非常に弱いことから本発明
化合物は、抗精神病薬としての選択性が高く、安全域の
広い薬物と言え、一般の精神病患者のみならず、ともす
れば副作用の発現しやすい老人の精神疾患患者にも適用
できるものと考えられる。

さらに本発明イミド誘導体（１）およびその酸付加塩は
陰性症状にも作用を現わすと共に、抗精神病作用のみな
らず、鎮痛作用、抗アレルギー作用、循環器系作用を有
するものもあり、それらの疾患への適用も考えられる。

本発明化合物イミド誘導体（１）およびその酸付加塩は
、これを抗精神病薬として用いるにあたり経口的または
非経口的に投与することができる。

すなわち通常用いられる投与形態、たとえば錠剤、カプ
セル剤、シロップ剤、懸濁液等の型で経口的に投与する
ことができ、あるいはその溶液、乳剤、懸濁液等の液剤
の型にしたものを注射の型で非経口投与することができ
る。坐剤の型で直腸投与することもできる。

また、前記の適当な投与剤型は許容される通常の担体、
賦型剤、結合剤、安定剤などに活性化合物を配合するこ
とにより製造することができる。

また注射剤型で用いる場合には許容される緩衝剤、溶解
補助剤、等張剤等を添加することもできる。

投与量、投与回数は症状、年令、体重、投与形態等によ
って異なるが、通常は成人に対し１日あたり約０．５〜
ｔｏｏｏ■、好ましくは３〜５００■を１回または数回
に分けて投与することができる。

〔参考例・実施例〕

以下に参考例および実施例により本発明を説明するが、
本発明はもとより、これに限定されるものではない。

（イ）化合物（Ｉｆ）の合成 参考例１ エキソ−５−ヒドロキシビシクロ（２，２，１）へブタ
ン−エキソ−シス−２，３−ジカルボン酸の合成 υ 無水ビシクロ（２，２，１）へブタ−５−エン−エキソ
−２，３−ジカルボン酸３ｇを５０％硫酸水溶液３０−
に懸濁させ、８０°Ｃで３時間撹拌した。

水３００　ｍｌで希釈後３０分間還流した。少過剰の塩
化バリウム水溶液（塩化バリウム２水和物５０ｇの水２
００ｍ７溶液）を加え、析出晶を濾去し、濾液を減圧濃
縮した。残渣を酢酸エチル３００ａ７で２回熱抽出を行
い、さらにアセトン３００１１１７で２回熱抽出を行っ
た。酢酸エチルどアセトン溶液を併せ、残圧下濃縮を行
い、残った結晶をアセトニトリルで洗浄濾取を行い、収
量１．０９　ｇ、収率２９．８％の標記化合物を得た。

（融点１９６〜１９８”ｃ） エキソ−５−アセトキシビシクロ（２，２，１）ヘプタ
ン−エキソ−２，３−４水ジカルボン酸の合成エキソ−
５−ヒドロキシビシクロ（２，２，１）へブタン−エキ
ソ−２，３−ジカルボン酸３ｇとアセチルクロライド３
０−の混合物を２時間還流し、減圧下アセチルクロライ
ドを留去した。残渣にベンゼンを加え２回留去を行い、
油状物として標記化合物を得た。

（ロ）化合物（ＩＶ）の合成 参考例３ ビシクロ（２，２，２）オクタン−２，３−ジカルボキ
シイミドの合成 無水ビシクロ（２，２，２）オクタン−２，３−ジカル
ボン酸３　ｇ　（１６，６ｓ＋５ｏｌ）のテトラヒドロ
フラン９＠Ｚの溶液を氷水冷却下、２９％アンモニア水
６　ｇ　（８３ｍｍｏｌ）と水１８−の溶液へ滴下し、
混合液を加温する。溶媒を常圧で留去後、無水酢酸１０
−を加え３０分間還流を行った。溶媒を減圧上留去し、
残渣ヘドルエン２４ｔＺを加え昇温を行った。冷却後、
析出晶を濾取し、標記化合物を得た。（融点１９９〜２
００°Ｃ）参考例４ シクロヘキサン−１，２−ジカルボキシイミドの合成 無水１，２−シクロヘキサンジカルボン酸３ｇ（１９，
５ｍｍｏｌ）と、２９％アンモニア水３．４ｇの混合液
を加温し、内温１８０〜１９０°Ｃで２時間保温を行い
、定量的に標記化合物を得た。（融点１３２〜１３６’
ｃ） 参考例３または４の方法に準じて以下の化合物を得た。

人 ＼４・　　　　　　物性データ 幹ＮＨ融点１５３〜１５５°Ｃ （〕＜装ＮＨ融点１７３〜１７６°Ｃ ７〔：ズミ＞Ｈ融点７５〜８２°Ｃ ＣＨ，０ （〕ミ＞　Ｈ融点１８７．５〜１８９°Ｃ１（〕ハ）Ｉ
Ｉ　　　　融点１６３．５〜１６４．５°Ｃ（ハ）化合
物（■）の合成 ｎ 参考例５ Ｎ−（４−ブロモブチル）ビシクロ（２，２゜１〕へブ
タン−２，３−ジ−エキソ−カルボキシイミドの合成 ビシクロ（２，２，１）へブタン−２，３−ジ−エキソ
−カルボキシイミド（５０ｇ）、テトラメチレンブロマ
イド（３２７ｇＬ無水炭酸カリウム（５０ｇ）及びアセ
トン（５００ａｔＺ）の混合液を撹拌下、５時間還流加
熱した。冷却後、無機物を濾別し、濾液を減圧上蒸留す
ることにより、標記化金物を油状物として得た。

７１．４ｇ（７８，６％）　　ｂｐ。

１７３−１８０°Ｃ／　０．０４　ｆｆｉｍ）ＩｇＩ　
Ｒシ二ＡＬ”（ａｍ−’）　　：　１７６５．１７００
．１４３０、１３９５、 参考例６ Ｎ−（４−ブロモブチル）フタルイミドの合成フタルイ
ミドカリウム２　ｇ　（１０，８ｍｍ、ｏｌ）、１゜４
−ジブロムブタン１０．８　ｔ＜　（５０ｍｍｏｌ）お
よび乾燥ジメチルホルムアミド１０−の混合液を浴温９
０〜１００°Ｃにて１０時間撹拌した。次いで析出晶を
濾去後濾圧下溶媒の留去を行った。更に、過剰の１．４
−ジブロムブタンを留去し、残渣をシリカゲルのカラム
クロマトグラフィーで精製を行い標記化合物を得た。（
融点８１〜８２°Ｃ）参考例５または６の方法に準じて
以下の化合物を得た。

〔以下余白〕

参考例７ Ｎ−（４−ブロム−３−ヒドロキシブチル）シクロヘキ
サン−１，２−ジ−カルボキシイミドの合成 Ｎ−（３−フチニル）シクロヘキサン−１，２−ジカル
ボキシイミド１　ｇ　（４，８ｍｓ＋ｏｌ）　、Ｎ−ブ
ロムコハク酸イミド０．８６　ｇ　（４，８ｍｍｏｌ）
および水２ｍｌの混合物を室温にて４時間撹拌した。反
応終了後、水を加え不溶物を溶解後、ベンゼンで抽出を
行った。ベンゼン層を飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネ
シウムで乾燥を行い、更に溶媒を減圧上留去すると１．
４　ｇ　（９５，８％）の標記化合物を得た。

Ｉ　ＲνＷｉ４”（ｃｍ−’）　　：　１１６０．１７
００．１４４０．１４００、 （ニ）化合物（Ｘ）の合成 〔余白〕 参考例日 Ｎ−（４−ピペラジニルブチル）ビシクロ〔２゜２、ｌ
］ヘプタン−２，３−ジ−エキソ−カルボキシイミドの
合成 Ｎ−（４−ブロモブチル）ビシクロＣ２，２゜１〕へブ
タン−２，３−ジ−エキソ−カルボキシイミド３０　ｇ
　（０，１ｍｏｌ）ピペラジン８６ｇ　（１ｍｏｌ）及
びトルエン２５０　ｃａｌの混合物を２時間還流を行っ
た。反応終了後、氷水冷却を行い析出晶を濾去し、濾液
を減圧上濃縮した。残渣をシリカゲルのカラムクロマト
グラフィーで精製を行い標記化合物を得た。

ｒＲ＋ｚ二４４’（ｃｍ−’）　　　：　３１００　　
　３６００（ｂｒｏａｄ）。

１７６０．１６９０ （ホ）化合物（ＩＸ）および（ＸＩ）の合成１１Ｎ　Ｎ
−Ｇ、　　　　　　　Ｘ’−Ｇ−一ノ （ＩＸ）　　　　　　　（ＸＩ） （ＸＸＩ）　　　　　　　　　　　（ＸＸＩＩ）（ＸＸ
Ｖ［） ３−（１−ピペラジニル）−６−クロル−１゜２−ベン
ズイソチアゾール（ＸＸＶＩ）の合成■　゛濃塩酸水１
５０＠ｌおよび水１５０ｄの溶液中へ、撹拌下、内１ｏ
〜５°Ｃにて４−クロルアントラニル酸（ＸＸＩ）　８
５．５　ｇ　、苛性ソーダ２０．５ｇ。

亜硝酸ナトリウム３５ｇおよび水ｌｌの溶液を滴下し、
３０分間保冷した。次いで酢酸ナトリウムを加え、溶液
のｐＨを５〜６とし、得られたジアゾ溶液をキサントゲ
ン酸カリウム２４０ｇおよび水７５０　ｍｌの溶液中へ
７５〜８０°Ｃにて滴下、滴下終了後、同温度にて１時
間保温を行った。

不溶物を濾去し、濾液を濃塩酸水を用いてｐＨを約３と
する。析出晶を濾取し、更に１０％苛性ソーダ水４００
＠１に溶かし、不溶物を濾去、ＷＬｔ夜を８０〜９０″
Ｃで２時間保温した。冷却後、濃塩酸水を加えｐＨを１
とし、析出晶を濾取、得られた結晶をメタノール２１に
懸濁させ、コラ素５０ｇを加え、室温撹拌を２時間行っ
た。析出晶を濾取し、１番品３５ｇ、２番晶３１ｇのジ
チオ体（Ｘｉ）を得た。（融点３０９〜３１０″Ｃ） ■　上記ジチオ体（ＸＸＩＩ）３０ｇをチオニルクロラ
イドと５時間還流を行い、更に不溶物を濾去後、減圧下
チオニルクロライドを留去した。残渣の粗結晶をテトラ
ヒドロフラン３００ｄに溶かし、内温Ｏ〜５　”Ｃにて
アンモニアガスを吹き込み、析出品を濾取し、アミド体
（ＸＸＩ）２４ｇを得た。（融点３０１−３０５°Ｃ） ■　上記アミド体（ＸＸＩ［ｌ）Ｉｇおよび五塩化リン
１．６８ｇを混合し、１６０°Ｃで３時間保温、冷却後
、ベンゼン抽出、有機層を水洗後、乾燥、減圧上溶媒を
留去し、ベンズイソチアゾール体（ＸＸＩＶ）６５２■
を得た。（融点１０３〜１０６°Ｃ）■　上記ベンズイ
ソチアゾール体（ＸＸＩＶ）　１．８　ｇとピペラジン
１５ｇの混合物を１２０°Ｃにて１０時間反応を行った
。反応液をクロロホルムで抽出を行い、水洗、乾燥後、
減圧上溶媒を留去した。

残渣をシリカゲルを用いて、中圧液体クロマトグラフィ
ーで精製を行い、標記化合物（ＸＸＶＩ）を２１０■得
た。

Ｎ　Ｍ　Ｒ（ｉｎ　ＣＤＣｌ３．δｐｐｌＩ）２、０　
（ＩＩ（、Ｓ）、　　　２．９〜３．１　（４Ｎ）。

３．３〜３．６　（４８）、　　７．２９　（ＩＩＩ、
　　ｄ、ｄＬ７、７２　（ＬＨ，ｄＬ　　７．７５　（
ＩＩＩ、　　ｄ）（へ）化合物（ＸＩＶ）の合成 参考例１Ｏ Ｎ−プロパルギル　ビシクロ（２，２，１１へブタン−
２，３−ジ−エキソ−カルボキシイミドの合成 プロパルギルアミン（１，１２ｇ）の乾燥テトラヒドロ
フラン（１０ｄ）溶液中へ、室温、撹拌下、無水ビシク
ロ（２，２，１）へブタン−２，３−ジ−エキソ−カル
ボン酸（１６４ｇ）の乾燥テトラヒドロフラン（１０＠
７）ｉ液を滴下した後、徐々に加熱して溶媒等を留去し
、油浴温を１５０°Ｃにして、３０分そのまま保った。

残留物をクロマト精製することにより、標記化合物を、
８１％で得た。（融点９４〜９４．５℃） 参考例１１ Ｎ−プロパルギル−ビシクロ（２，２，１）へブタン−
２，３−ジ−エキソ−カルボキシイミドの合成 ビシクロ（２，２，１）へブタン−２，３−ジ−エキソ
−カルボキシイミド（３，３０ｇ）、プロパルギルブロ
マイド（２，６２ｇ）及び無水炭酸カリウム粉末（３，
３２ｇ）の乾燥アセトン（３０ｍ７）溶液を窒素寛流中
、加熱還流下、１時間撹拌を続けた。

冷却後、無ｍ物を濾別し、濾液を減圧下、濃縮して得ら
れた残渣に、クロロホルム（２０ｄｌびｎ−ヘキサン（
２０ｍｇを加えて結晶を溶解させた後に、不溶物をセラ
イトを用いて濾別した。

そのａ液をエバボレートし、残渣をｎ−ヘキサンより再
結晶することにより、標記化合物を９１％で得た。　（
融点９４〜９４．５°Ｃ）参考例１０または１１の方法
に準じて以下の化金物を得た。

（ト）化合物（χ■）の合成 〔以下余白〕 参考例１２ Ｎ−（３，４−エポキシブチル）ビシクロ〔２゜２．１
〕ヘプクン−２，３−ジ−エキソ−カルボキシイミドの
合成 ビシクロＣ２，２，１）へブタン−２，３−ジ−エキソ
−カルボキシイミド２．３　ｇ　（１４，２ｎ＋ｍｏｌ
　）１．１−ブロム−１，２−エポキシブタン２　ｇ　
（１４，２ｍｍｏｌ）　、ＫｚＣＣｈ２．９　ｇ　（２
１，３ｍ１ｏ＋）およびアセトン３５ｍ７の混合物を８
．５時間還流下、撹拌を行った。反応終了後、反応液を
冷却し、浮遊物を濾去した。濾液を減圧上濃縮し、残渣
にトルエン１００ｍ７及び飽和食塩水５０ｍ７を加え抽
出を行った。水層を更にトルエン１００−で再抽出を行
い、有機層を併せ硫酸マグネシウムで乾燥を行った。

溶媒を減圧濃縮し、残渣をシリカゲルを用いてカラムク
ロマトグラフィーを行い、２．６ｇ（７９，４％）の標
記化合物を得た。

ｆ　Ｒｖ：４４’（ｃｍ−’）　　：　　１７６５、１
７００．１４８０、　１４４０、 参考例１３ ■　Ｎ−（３−ブテニル）ビシクロＣ２，２，１）ヘプ
タン−２，３−ジ−エキソ−カルボキシイミドの合成 ビシクロＣ２，２，ｌ）ヘプタン−２，３−ジ−エキソ
−カルボキシイミド１．６５ｇとジメチルホルムアミド
５ｍ７の混合液中へ、室温撹拌下４−ブロムー１−ブテ
ン１．６２　ｇのジメチルホルムアミド３ｍ１溶液を加
え、さらに粉末無水炭酸カリウム２．０７　ｇを加えた
。反応混合液を昇温し、内温９０〜１００°Ｃにて１時
間反応を行った。反応液ヘクロロホルムを加えた後、濾
過し、濾液を減圧下１ｌａ１ｉ！を行った。残渣ヘドル
エンを加え、水洗後乾燥を行い、減圧下溶媒を留去し２
．２２　ｇの標記化合物を油状物として得た。

Ｉ　ＲνＷ４Ｌ’（ｃｍ−’）　　：　３０５０．３０
００．２９２５．１４８５、 ■　Ｎ−（３，４−エポキシブチル）ビシクロ（２，２
，１）へブタン−２，３−ジ−エキソ−カルボキシイミ
ドの合成 Ｎ−（３−ブテニル）ビシクロ（２，２，ｌ〕へブタン
−２，３−ジ−エキソ−カルボキシイミド２．０５　ｇ
のジクロルメタン１５−溶液中へ、室温撹拌下、メクク
ロル過安息香酸２．４ｇのジクロルメタン３５−溶液を
加え、１５時間反応を行った。反応終了後、チオ硫酸ナ
トリウムの水溶液で処理を行い、さらに重炭酸ナトリウ
ム水溶液で洗浄し、乾燥後、溶媒を減圧留去した。残渣
をシリカゲルを用いてクロマト精製を行い、２．ｏ３ｇ
（９６，４％）の標記化合物を油状物として得た。

ＩＲシ二４Ｌ”（ｃｍ−’）　　：　　１７６５、１７
００．１４８０、　１４４０゜ 参考例１２または１３の方法に準して以下の化合物を得
た。

〔以下余白〕

実施例１ ｎ Ｎ−（４−（４−（６−クロル−１，２−ベンズイソチ
アゾール−３−イルツー１−ピペラジニル〕ブチル〕ビ
シクロ（２，２，１）へブタン−２，３−ジ−エキソ−
カルボキシイミドの合成Ｎ−（４−ブロムブチル）ビシ
クロ（２，２゜■〕へブタン−２，３−ジ−エキソ−カ
ルボキシイミド３００■、３−（１−ピペラジニル）６
−クロル−１，２−ベンズイソチアゾール２９０■、炭
酸カリウム３８０■、沃化カリウム４６■およびアセト
ニトリル１５ｍの混合液を４時間環流した。溶媒を減圧
下留去し、残渣に氷水を加え酢酸エチルで抽出、硫酸マ
グネシウムで乾燥後、減圧下溶媒を留去した。残渣をシ
リカゲルを用いてクロマト精製を行い、更に塩化水素で
処理し、収量１２０■、収率２５．３％の標記化合物を
得た。〔融点２１９〜２２１°Ｃ（塩酸塩）〕 実施例２ υ Ｎ−（４−（４−（４−フルオルベンゾイル）−１−ピ
ペラジニル〕ブチル〕ビシクロ（２，２゜１）へブタン
−２，３−ジ−エキソ−カルボキシイミドの合成 Ｎ−（４−ピペラジニルブチル）ビシクロ〔２゜２．１
］へブタン−２，３−ジ−エキソ−カルボキンイミド１
．８ｇ、トリエチルアミン０．７　ｇおよびテトラヒド
ロフラン１８ｄ中は氷水冷下Ｐ−フルオルベンゾイルク
ロライド１．１ｇのテトラヒビ０フ９フ１１ ３０分攪拌し、不溶物を濾去した．濾液を減圧下４縮し
、残渣をシリカゲルを用いてクロマト精製を行い、更に
塩化水素で処理し、収量２．０ｇ、収率７３，１％の標
記化合物を得た．（融点２５３〜２５４°Ｃ） 実施例３ υ Ｎ−　Ｃ４−　（４−　（ベンズチア−ゾール−２−イ
ル）−１−ピペラジニル〕ブチル〕ビシクロ〔２、２．
１）へブタン−２，３−ジ−エキソ−カルボキシイミド
の合成 Ｎ−（４−ピペラジニルブチル）ビシクロ〔２。

２、１〕へブタン−２．３−ジ−エキソ−カルボキシイ
ミド２ｇ５２−クロルヘンズチアゾール１。

１ｇ、炭酸カリウム１．４ｇおよびジメチルホルムアミ
ド２０ｍ１の混合液を９０〜１００°Ｃにて４時間保温
、水１５０ｄに空け、クロロホルムにて抽出、水洗更に
硫酸マグネシウムで乾燥を行い、減圧上溶媒を留去した
。残渣をシリカゲルを用いてクロマト精製を行い、収ｆ
ｉｔ１．９号、収率６６．２％の標記化合物を得た。（
融点１５７．５〜１６０°Ｃ）実施例に示した方法に従
って以下に示した化合物を合成することができる。

化合物番号Ｉ Ｎ−（４−（４−（６−メチル−１，２−ベンズイソチ
アゾール−３−イル）−１−ピペラジニル〕ブチル〕シ
クロヘキサン−１，２−ジカルボキシイミド 化合物番号２ Ｎ−（４−（４−（６−フルオロ−１，２−ベンズイソ
チアゾール−３−イル）−１−ピペラジニル〕ブチル〕
シクロヘキサン−１，２−ジカルボキシイミド 化合物番号３ Ｎ−（４−（４−（６−メドキシー１．２−ベンズイソ
チアゾール−３−イル）−１−ピペラジニル〕ブチル〕
ンクロヘキサン−１，２−ジカルボキシイミド 化合物番号４ Ｎ−［４−（４−（６−トリフルオロメチル−１，２−
ベンズイソチアゾール−３−イル）−１−ピペラジニル
〕ブチル］シクロヘキサン−１１２−ジカルボキシイミ
ド 化合物番号５ Ｎ−（４−（４−（６−フルオロ−１，２−ベンズイソ
チアゾール−３−イル）−１−ピペラジニル〕ブチル〕
ビンクロ（２，２，１）へブタ−５−エン−２，３−ジ
−エンド−カルボキシイミド 化合物番号６ Ｎ−（４−（４−（６−フルオロ−１，２−ベンズイソ
チアゾール−３−イル）−１−ピペラジニルクー２−ヒ
ドロキシブチル〕シクロヘキサン−１，２−ジ−カルボ
キシイミド 化合物番号７ Ｎ−（４−〔４−（６−フルオロ−１，２−ベンズイソ
チアゾール−３−イル）−１−ピペラジニル〕−３−ヒ
ドロキシブチル〕シクロヘキサン−１，２−ジカルボキ
シイミド 化合物番号８ Ｎ−（４−（４−（６−フルオロ−１，２−ベンズイソ
チアゾール−３−イル）−１−ピペラジニル〕−２−ト
ランスブテニル〕シクロヘキサン−１，２−ジカルボキ
シイミド 化合物番号９ Ｎ−（３−Ｃ４−（６−フルオロ−１，２−ベンズイソ
チアゾール−３−イル）−１−ピペラジニル〕プロピル
〕シクロヘキサン−１，２−ジカルボキシイミド 化合物番号１Ｏ Ｎ−（２−Ｃ４−（６−フルオロ−１，２−ベンズイソ
チアゾール−３−イル）−１−ピペラジニル〕エチル〕
シクロヘキサン−１，２−ジカルボキシイミド 化合物番号１１ Ｎ−（１−（４−（６−フルオロ−１，２−ベンズイソ
チアゾール−３−イル）−１−ピペラジニル〕メチル〕
シクロヘキサン−１，２−ジカルボキシイミド 化合物番号１２

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. （１）一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、Ａはカルボニル基またはスルホニル基を表わし
   、Ｂは、Ａがカルボニル基の場合には、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒ＿１およびＲ＿２は共に水素原子を表わすか
   、いずれか一方が水素原子であり、他方はヒドロキシ基
   、アルキル基またはアルカノイルオキシ基であるか、ま
   たはＲ＿１およびＲ＿２が一緒になってオキソ基を表わ
   す。Ｅはメチレン基、エチレン基または酸素原子を表わ
   し、■は単結合または二重結合を表わす。）で表わされ
   る基、一般式▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｆはメチレン基またはエチレン基を表わし、Ｒ
   ＿１、Ｒ＿２および■は前述と同様の意味を表わす。）
   で表わされる基、 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒ＿１、Ｒ＿２および■は前述と同様の意味を
   表わし、Ｒ＿３、Ｒ＿４、Ｒ＿５、Ｒ＿６、Ｒ＿７、Ｒ
   ＿８は水素原子またはアルキル基を表わす。）で表わさ
   れる基、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒ＿９およびＲ＿１＿０は低級アルキル基を表
   わす。）で表わされる基、または一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒ＿１＿１およびＲ＿１＿２は低級アルキル基
   か、または一緒になって、低級アルキレン基を表わす。 ｎは０、１または２の整数を表わす。）で表わされる基
   を表わし、Ａがスルホニル基である場合には、１，２−
   フェニレン基を表わす。Ｗは低級アルキレン基、低級ア
   ルケニレン基、低級アルキニレン基または水酸基が置換
   していてもよい低級アルキレン基を表わす。Ｇは置換ベ
   ンゾイソチアゾリル基、置換または無置換のベンゾイル
   基、あるいは、置換または無置換のベンズチアゾリル基
   を表す。〕 で表わされるイミド誘導体またはその酸付加塩。
2. （２）一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｗ、Ｅ、Ｇ、Ｒ＿１、Ｒ＿２および■は、特許
   請求の範囲第（１）項の場合と同じ意味を有する）で表
   わされる特許請求の範囲第（１）項記載のイミド誘導体
   またはその酸付加塩。
3. （３）一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｗ、Ｆ、Ｇ、Ｒ＿１、Ｒ＿２および■は、特許
   請求の範囲第（１）項の場合と同じ意味を有する）で表
   わされる特許請求の範囲第（１）項記載のイミド誘導体
   またはその酸付加塩。
4. （４）一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｗ、Ｇ、Ｒ＿１、Ｒ＿２、Ｒ＿３、Ｒ＿４、Ｒ
   ＿５、Ｒ＿６、Ｒ＿７、Ｒ＿８および■は、特許請求の
   範囲第（１）項の場合と同じ意味を有する）で表わされ
   る特許請求の範囲第（１）項記載のイミド誘導体または
   その酸付加塩。
5. （５）一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、ＷおよびＧは、特許請求の範囲第（１）項の場
   合と同じ意味を有する）で表わされる特許請求の範囲第
   （１）項記載のイミド誘導体またはその酸付加塩。
6. （６）一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒ＿９、Ｒ＿１＿０、ＷおよびＧは、特許請求
   の範囲第（１）項の場合と同じ意味を有する）で表わさ
   れる特許請求の範囲第（１）項記載のイミド誘導体また
   はその酸付加塩。
7. （７）一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒ＿１＿１、Ｒ＿１＿２、ＷおよびＧは、特許
   請求の範囲第（１）項の場合と同じ意味を有する）で表
   わされる特許請求の範囲第（１）項記載のイミド誘導体
   またはその酸付加塩。
8. （８）Ｗがテトラメチレン基、−ＣＨ＿２ＣＨ＝ＣＨ−
   ＣＨ＿２−基、−ＣＨ＿２−Ｃ≡Ｃ−ＣＨ＿２−基、▲
   数式、化学式、表等があります▼基または▲数式、化学
   式、表等があります▼であり、Ｇが置換ベンゾイソ チアゾリル基である場合の特許請求の範囲第（１）項記
   載のイミド誘導体およびその酸付加塩。