JPS6313054A - 像形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

〔産業上の利用分野〕 本発明は電子写真法による画像形成方法に閃し、特に微
粒子トナー及びアモルファスシリコンを主体とした表面
改質層を有する像形成体を用いた像形成方法に関する。 〔発明の背景〕 従来電子写真法により画像を形成する際、得られる画像
の解像力及び画質がトナーの粒径と密接な関係があるこ
とは周知である。即ち高解像力できめ細かい画像をうる
ためには出来るだけ微細なトナーを用いる必要がある６
例えば特開昭５８−６８０４７号公報には１０μ論以下
の微粒子成分を８０ｗｔ％以上含有するトナーを用いて
画像を形成する技術が開示されている。又特開昭５９−
１８１３６２号公報には１０μ−以下の微細なトナーを
用いてｃｄｓ感光体上の静電像を非接触現像法により現
像して画像を形成する技術が開示されている。 しかしながら前記微細なトナーを用いて像形成を行なう
方法は、以下にのべる障害があるため実用化を達成でき
ないのが現状である。 即ち前記微粒子トナーを用いた場合、トナーが像形成体
表面に比較的強固に吸着し、クリーニング工程で清掃し
ても容易に除去されずに残留して、像形成体の電子写真
特性を劣化せしめる。その理由としては、トナーが小粒
径となる程像形成体表面により近接して付着し、７７ン
デアワールズカ及ゾ鏡像力等に基づく付着力がより大き
く作用する、さらには小粒径のトナーの一部がクリーニ
ングブレードの下をくぐりぬ（すてクリーニングされな
いなどのため、結果的に像形成体表面を残留トナーが被
覆してしまい該像形成体の特性を劣化せしめるものと推
察される。ところで像形成体のクリーニング効果を増大
させるための技術も検討さ、　　れている。 例乏ば、特開昭６０−１７６０５３号公報には、マレイ
ン酸と亜鉛、マグネシウム、カルシウム等との金属塩ニ
ステアリン酸と亜鉛、カドミウム、バリウム、鉛、鉄、
ニッケル、コバルト、銅、アルミニウム、マグネシウム
等との金属塩：二塩基性ステアリン酸鉛ニオレイン酸と
亜鉛、マグネシウム、鉄、コバルト、銅、鉛、カルシウ
ム等との金属塩：パルミチン酸とアルミニウム、カルシ
ウム等との金属塩二カプリル酸鉛：カプロン酸鉛：リノ
ール酸と亜鉛、コバルト等との金属鉛。 ：　リシノール酸カルシウム　：　リシノレイン酸と亜
鉛、カドミウム等との金属塩及びこれらの混合物をトナ
ーに０．０１〜１０重量％含有せしめる技術が知られて
いる。しかしながらかかる技術は該公報の実施例に記載
されるような１０μ又はそれ以上の粒径のトナーを用い
た像形成方法には効果があるが、前記のように高画質の
達成を目的として１０μ−以下の微粒子トナーを主体と
する現像剤を用いて像形成を行なう場合にはクリーニン
グに際して十分な効果が発揮されない。 一方耐クリーニング性にすぐれた像形成体（以後感光体
と称する）の検討も行なわれでいる０例えば特公昭６０
−３５０５９号公報には、従来のＳｅ感光体、ｃｄｓ感
光体、Ｏｐｅ感光体に代えて無公害で耐光性、耐コロナ
イオン性、耐温湿度性にすぐれ、かつ高硬度（ヴイッカ
ース硬度６０のＳｅ感光層に比してヴイッカース硬度１
　、０００〜１　、２００　）で機械的耐摩耗性に優れ
た１−Ｓｉ感光層を有する感光体であって、さらにその
表面にポリエチレンテレフタレート、ボリカーボネーＹ
１ポリ弗化エチレン等の樹脂保険層を設けて耐湿性、耐
摩耗性及びクリーニング性等を改善するようにした技術
が記載されている。 前記公報記載の感光体において機械的耐摩耗性に優れた
ａ　　Ｓｉ感光層上にさらに保護層を設けた理由は以下
のようである。 即ち、前記感光層を構成するａ−Ｓｉは、元来５ｉ−Ｓ
ｉの結合手が切れた所謂ゆるダングリングボンドを有す
るため、エネルギーギャップ内に多くの局在準位を有し
、熱励起担体のホッピング伝導が生じて暗抵抗が小さい
外、光励起担体が前記局在準位にトラップされて光導電
性が発揮されない等の欠陥を有している。そこで好まし
い光導電性を付与するため水素原子（Ｈ）及び／又はハ
ロゲン原子（Ｘ）を結合させて前記ダングリングボンド
を埋めてａ−Ｓｉ　：　Ｈ＊　ａ−Ｓｉ　：　Ｘ又はａ
−Ｓｉ：Ｈ：Ｘ等の構成とされた感光層を形成するよう
にしている。かかる感光層は光導電性はすぐれているが
、暗抵抗が低く、その抵抗率は１０’〜１０＠ΩＣ−で
ありでａ　　Ｓｅに比して１万分の１にすぎない、又か
かる感光層は長期に亙る経時変化では、大気や湿気の作
用及びコロナ放電に基づく化学種の影響を受けるように
なり、受要電位が者しく低下することがある。 そこで前記公報記載のｔｈ−Ｓｉ層を有する感光体上に
さらに前記絶縁性樹脂から成る表面改質層（保護層）を
設ける構成としている。さら、に又本出願人が先に提案
した特願昭６０−２２５６４６号明細には、ａＳｉ層を
有する感光体を用いて、その表面に＾１２０．。 Ｔａ２０ｓｙ　ＣｅＯ２，Ｚｒ０２ｅ　Ｔｉ１ｔｓ　ｓ
ｇｏｆ　ＺｎＯ＊　ＰｂＯ＊　ＨｇＦｚ＋ＺｎＳ等の絶
縁性無機物質を４０ＯＡ”　〜５，０ＯＯＡ’厚に被覆
した表面改質層を設けて、感光体の機械的強度を高め、
耐久性を向上せしめる技術が開示されている。 〔発明が解決すべき問題点〕 しかしながら前記したように高画質を達成するために必
要不可欠とされる微粒子トナーを用いて像形成を行なう
場合には、トナーが感光体表面に強く付着し、通常のク
リーニングでは十分除去することがで！Ｉｆ１必然的に
通常のクリーニング部材の圧接力３０ｇ／ｅｔａの数倍
の圧接力での強力なりリーニングが要請される。そこで
前記特公昭６０−３５０５９号公報記載の樹・脂改質層
では前記強力なりリーニングを施した場合、表面が摩耗
損傷して改質層の機能を喪失するようになる。さらには
前記改質層は絶縁層であるため感光体に光照射したとき
の残留電位が大となり、画質が悪化しやすい等の欠点も
有している。かかる欠点は特願昭６０−２２５６４６号
明細書に記載される絶縁性無機物質を改質ＩＩ！とした
感光体においても同様である。 〔問題点を解決するための手段〕 （発明の目的） 本発明の目的は電子写真法に基づき高解像力かつ高画質
のコピー画像が安定して得られる画像形成方法を従供す
ることにある。 （発明の構成） 前記の目的は像形成体上に形成された静電像を微粒子ト
ナーにより現像してトナー像を形成し、該トナー像を転
写材に転写する工程を有する像形成方法において、前記
感光体（像形成体）がａ−Ｓｉを特徴とする特に炭素原
子（Ｃ）、酸素原子（０）、窒素原子（Ｎ）等の改質原
子の少なくと１２１種を含有する表面改質層を有し、か
つ前記トナーの重量平均粒径が６μｌ以下で好ましくは
１μｍ以上とされる像形成方法により達成される。 〔発明の詳細な説明〕 まず本発明に用いられる感光体につき以下に説明する。 前記したようにａ−Ｓｉ層は元来該層中にグングリング
ボンドを有していて多くの局在準位を有するものである
から、実用上の光導電性がない、しかいｔ−Ｓｉ層中に
水素原子（Ｉ■）及び／又は弗素原子（Ｆ）等のハロゲ
ン（Ｘ）を導入して曲記グングリングボンドを封鎖する
ことにより好ましい光導電性が付与される。かくして光
導電性が付与されたａ−Ｓｉ　：　Ｈ（Ｘ）ｆｆｉにお
いても、暗抵抗が低く、耐環境性に乏しい等の欠点を有
するものであるが、前記ａ　−Ｓｉ　：　Ｈ（Ｘ　）１
ｒｌにさらにＣ，Ｏ，Ｎ等の原子を導入すると、前記欠
点が改良される外、電子写真に必要な特性例えば暗抵抗
等が改首される。コノことは例えば”Ｐｈ１１．　Ｈａ
ｇ、　Ｖｏｆ、　３５″（１９７８）に記載されており
、本発明に係る感光体は前記文献記載の知見を更に一歩
進めて、Ｃ，Ｏ，Ｎ等の原子が導入されて下記諸特性が
大幅に改良されたａ−Ｓｉから成る光導電性薄層を改質
層として感光体上に設けた点に特徴がある。 即ち本発明に係る感光体は無公害でかつ耐光性、耐コロ
ナイオン性、耐温湿度性のすべてにすぐれていて全環境
型である外、表面改質層の硬度が、例えばヴイッカース
硬度ｔ　、　ｏｏｏ〜２．０００と極めて大きく、機械
的強度が抜群にすぐれたものとなる。 前記表面改質層の８！械的強度が特にすぐれている理由
としては、ａ　　ＳｉｗＩが本来機械的強度の点ですぐ
れている外に、導入されたＣ　、Ｎ　、Ｏ等の原子とＳ
ｉ原子との結合がＳｉ原子相互の結合力に比して、より
強大であるためと推察される。そこで必要に応じて感光
体のクリーニング効果を強化させる場合、クリーニング
部材の前記感光体への圧接力を例えば５０〜１５０ｇ／
ｃ１１としても、これに耐えうる表面性を有するものと
なる。又前記のように表面層が極めて硬いためか、感光
体上に形成されたトナー像の転写材への転写率が極めて
すぐれたものとなる。その理由としては、感光体の表面
層が硬いため相対的に表面エネルギーが小さくなると考
えられ、該表面層へのトナーの付着力が減少して静電力
による転写材への転写効率が増大するものと推察される
。その外感光体の表面層が硬いため該層中へのトナーの
うめ込みがないことも便利である。かくして転写材上の
画像の画質が向上する外、クリーニング工程に到る残留
トナーが減少し、クリーニング効率が増大することにも
なる。 前記したように本発明に係る感光体の表面改質層は、そ
れ自体がすぐれた光導電性を有すると共にＣ，Ｏ，Ｎ等
の改質原子（Ｙ）が導入されたことにより暗所抵抗率が
１０”−１０’りΩａｍ（ａ−Ｓｉ：Ｈの場合は１０６
〜１０９Ωａｍ）と増大され、感光体表面での電荷保持
を良好ならしめている。 か（して、感光体表面に付与された重電荷を光照射によ
り滅箕して静電像を形成するという電子写真の基本動作
を可能なせしめている。さらには帯電、光減衰の繰り返
えし特性が安定化され、感光体を長期間　（例えば１ケ
月以上）放置しても良好な電位特性の再現が可能とされ
る。 本発明の像形成方法においては、重量平均粒径６μ−以
下という極めて微細なトナー　（特に５μ論以下２０ｗ
ｔ％以上含有するトナー）を用いると共に、前記のよう
な特性のすぐれた感光体を用いろことにより、例えば９
〜１２．５本／簡曽という電子写真画像としては高解像
力できめ細かな画像を常に安定して得ることができると
いうＷ徴がある。 本発明に係る表面改質層は前記のようにＣ，Ｏ。 Ｎ等の改質原子（Ｙ）の少なくとも１種を含有せしめる
ことによりすぐれた特性を発揮するものであるが、前記
改質原子（Ｙ）は層中に均一に含有されてもよく、又不
拘−に含有されてもよい、不均一含有の場合は好ましく
は下の感光層に接する面から表面に向かうに従い、次第
に含有量が増大するようにされる。 かかる表面改質層は通常感光層上に直接又は必要により
中間層を介して設けられ、該光導電層とシ（ハＺｎＯ＋
　Ｔｉ０ｚｔ　ＣｄＳ＋　ｔｈｓ＊）無機化合’ｌＪ光
導電材料をバイングー樹脂中に分散して成る感光層、Ｔ
ｅ又は＾Ｓ等を合金として含むＳｅ感光層、７タロシア
ニン系顔料、アゾ系顔料、多環キノン系顔料及び必要に
より芳香族アミノ化合物等の電荷輸送物質を含有させて
成る有機感光層等がある。前記有機感光層は、電荷発生
層と電荷輸送層との２層に機能分離されてよく、この場
合表面改質層は前記２層のうちの表面側（上層）の層上
に設けられる。 しかしながら本発明においては同じ装置を用いて、又同
じ材料を用いて連続して！ｌ遺でき、かつ感光層と表面
改質層との接着性、表面改質層の表面性の制御が容易で
あるなどの理由で同質のａ　−Ｓｉ感光層とするのが好
ましい。 以下本発明に係る感光体の特性を第１図の代表的具体例
に基づいて説明する。 第１図において１はａ−Ｓｉ系電子写真感光体を示し、
この感光体１はＡ１等のドラム状導電性基板２上にＰ＋
型ブロッキング層５と、電荷輸送Ｎ３と、中間層７と、
電荷発生層４と、表面改質層６とが積層された構造から
成っている。電荷ブロッキング層５は、周期律表第３Ａ
族元素（例えばＢ。 Ａ１．　Ｃａ）がヘビードープされかつＣ、Ｏ、Ｎ等の
改質原子（Ｙ）の少なくとも１種を含有するａ−Ｓｉ　
Ｙ：Ｈ（Ｘ）（例えばａ　　Ｓｉ　：　Ｃ：　Ｈ（Ｘ）
、　ａ−Ｓｉ：Ｃ：　Ｏ：　Ｈ（Ｘ）、　ａ−Ｓｉ　：
　Ｎ　：　Ｈ（Ｘ）＝の−Ｓｉ　：　Ｎ　　：　Ｏ：　
Ｈ（Ｘ）、　ａ−Ｓｉ　：　Ｏ：　Ｈ（Ｘ）又はａ−Ｓ
ｉＣ：　Ｏ：　Ｎ　　：　）（（Ｘ）等から成っている
。 電荷輸送層３は、周期律表第３Ａ族元素がライトドープ
されかつ前記ブロッキング層５の場合と同様Ｃ、Ｏ、Ｎ
等の改質原子（Ｙ）の少なくとも１種を含有するａ−Ｓ
ｉ　：　Ｙ　　：　Ｈ（Ｘ）から成っている。 中間層７は必須ではないが、若しこれを設けるとすれば
前記改質原子（Ｙ）の少なくとも１種を含有するａ−Ｓ
ｉ　：　Ｙ　　：　Ｈ（Ｘ）から成り、かつ、前記改質
原子（Ｙ）の含有量を前記電荷輸送層３より少なくする
のがよい、又電荷発生Ｍ４は、必要により周期律表第３
Ａ族元索がライトドープされたａ−Ｓｉ　：　Ｈ（Ｘ）
から成っており、表面改質層６は、前記改質原子（Ｙ）
が下層の電荷発生層４を保護し、かつ感光体１の特性を
改質するに必要なｉ含有されたａ−Ｓｉ　：　Ｙ　　：
　Ｈ（Ｘ）から成っている。又必要により前記電荷発生
層４と表面改質Ｎ６との開に第２の中間層を設けること
ができ、この場合は改質原子（Ｙ）の含有量が前記表面
改質／！！１６より少なくされるのがよい。 次に前記感光体１の各層についてさらに詳述する。前記
表面改質層６は前記したように感光体の湿度、大気、オ
ゾン等による作用を遮断して電位特性の経時劣化を防止
し、表面が高硬度であることから、現像転写、クリーニ
ング等の工程における機械的耐摩耗性を確保し、さらに
は耐熱性にすぐれていることから熱を付与する粘着転写
を可能とする。かかるすぐれた特性を感光体に付与する
ためには前記表面改質層Ｇ中にＣ、Ｏ、Ｎ等の改質原子
（Ｙ）の１種又は複数種を含有させるが、それらの含有
量は以下のようである。 即ち改質原子（Ｙ）の含有量がＳ　ｉ　十Ｙ　＝　１０
０ａ　ｔｍ％としたとき、０．５ａｔｍ％≦（Ｙ）≦９
０ａｔＩ１１％、好ましくは１０ａＬｍ％≦（Ｙ’ｌ≦
７０ａＬｍ％　（以下ａｔ１１１％を単に％と称する）
であることが望ましい、改質原子（Ｙ）の含有量が０．
５％以上とすることは、前記特性を発揮する上で望まし
く、又感光体の暗所抵抗が１０目〜１０′１Ωａｍと所
ヌの値となり、かつ光学的エネルギーギャップが広がっ
て、可視光に対して光学的に透明な所謂ゆる窓効果を奏
するようになり、照射光が下層の感光層　（電荷発生層
）に十分な全到達可能とされる。改質原子（Ｙ）の含有
量が０．５％未満では、機械的損傷等の欠点を生じ易く
、かつ感光体の暗所抵抗が不足し、かつ照射光の一部が
表面改質層中に吸収されて感光体の感度が低下するよう
になる。 又改質原子（Ｙ）の含有量が９０％を越えると過剰とな
り半導体特性が失なわれるようになる。 又製造時の層形成速度が７しく低下して製造効率が悪く
なるなどの開運を生ずるので、Ｙの含有量は９０％以下
とするのがよい。 次に表面改ｒｒＩＭ　（ａ−Ｓｉ　：　Ｙ　　：　）１
．Ｉ［ｉ７）　６ｆ’）膜厚りは４００Ａ’　　≦Ｌ≦
１μｍの範囲、好ましくは４００八〇≦ｔ＜　５，０Ｏ
ＯＡ　”　とするのがよい。即ち、その膜厚が１μｍ　
ｆｉ：越える場合には、残留電位■７が高くなり過ぎ、
かつ光感度の低下も生じて、感光体１の良好な特性を失
うようになる。また、膜厚を４００Ａ”未満とした場合
、トンネル効果によって感光体１表面に付与された電荷
が消失するので）１７電されな（なり、又暗滅箕の増大
や光感度の低下が生ずるようになる。 電荷発生層４については、帯電能を向上する為には、電
荷発生Ｒ１Ｊ４の高抵抗化とキャリアの移動度の向上と
を図ってもよい、その為には、電荷発生層４にＢ原子を
導入して真性化しても良い。この場合、後述のグロー放
電分解時に（０２１１６）　／　Ｃ５１１１，）　＝　
０．０１〜１０容量＋１９−とするのがよ＜、０．０５
〜５容量ｐｐｍが更によく、０．０７〜３容旦ｐｐｍが
最適である。 また、電荷発生層４は２〜１５μ鵠とするのがよく、電
荷発生層４の層厚が２μ−未満であると光感度が充分で
なく、下層へ尤が浸透し易く、また１５μ論を越えると
残留電位が上昇し、実用上不充分である。 中間層７は、キャリアの注入効率を高めるために設けら
れるものであって、その組成としては、０．０１％≦（
Ｙ）６４０％がよ（，０，０１％≦（Ｙ）６２０％が更
によ＜　、０．０１％≦（Ｙ）≦１５％が最適である。 但し、Ｙの含有量は、電荷輸送層３より少なく　（望ま
しくは、電荷輸送ＮＪ３の含有量の１７６〜５／６）な
っている。 この中間層７には、周期表第３Ａ族元素をライトドープ
するのがよく、例えば後述のグロー放電分解時に（ＢＪ
ｇ　）　／　（５ｉＨ−）　＝　０．１〜１００容量ｐ
ｐ鎗とするのがよ＜　、０．５〜５０容：！１ｐｐ−が
更によく、１〜２０容量ｐｐ曽が最適である。 また、中間層７の膜厚は０．０１〜２μ−とするのがよ
いが、ｏ、ｏｉμ瞳未満だとその効果が弱り、２μ−を
越えると却って感度が低下し易くなる。この中間層は２
層以上で形成することもできる。 電荷輸送層３については、帯電能、感度を最適化する為
には、Ｂ原子を導入して真性化してもよい、真性化の為
ドープ量は、（Ｂ２１１！　）　／　（５ｉｌｌ−）＝
０．１〜１００容量ｐｐ−がよ＜、０．５〜５０容ｉｔ
　ｐｐｍが更によく、１〜２０容量ｐｐ−が最適である
。電荷輸送層３の膜厚は５〜５０μ−とするのがよく、
電荷発生層４よりも厚くするのがよい、また、電荷発生
層３の組成は、０．５％≦（Ｙ）６４０％がよく、好ま
しくは０．７％≦（Ｙ）６２０％であり、０．８％≦〔
Ｙ〕≦１５％が最適である。 また、上記電荷ブロッキング層５は、基板２からの電子
の注入を充分に防ぎ、感度、帯電能の向上のためには、
周期表第３Ａ族元素（例えばボロン）をグミ−放電分解
でドープしてＰ型（更にはＰ＋型）化する。ドーピング
量は、例えばＣＢ２１１．）／　（ＳｉＨ＜　）　＝　
１０〜１０，０００容量ｐｐ鴫がよく、１００〜５゜０
００容量ｐｐ簡が更によく、５００〜３，０００容量ｐ
ｐ輸が最適である。 また、電荷ブロッキング層５の組成は０．５％≦（Ｙ）
６４０％がよく、更に０．７％≦（Ｙ）６２０％がより
、０．８％（Ｙ）≦１５％が最適である。 また、ブロッキング層５の膜厚は０．０１〜１０μ論が
よい、　０．０１μ−未満であるとブロッキング効果か
弱く、また１０μｍを越えると電荷輸送能が悪くなり易
い。 なお、上記の各層は水素又はハロゲン　（例えばフッ素
）を含有することが必要である。特に、電荷発生層３中
の水素含有量は、ダングリングボンドを補償して光導電
性及び電荷保持性を向上させるために必須不可欠であっ
て、１０〜３０％であるのが望ましい、この含有量範囲
は表面改質Ｎ６、中間層７、ブロッキングＮ５及び電荷
輸送Ｎ３も同様である。また、導電型を制御するための
不純物として、Ｐ型化のためにボロン以外にもＡＩｌ、
　Ｇａ。 Ｉｎ、　ＴＩ等の周期表！１ｎａＡ族元素を使用でさる
。 なお、前記説明において、前記表面数′！ｉ層中に含有
される改質原子（Ｙ）としては前記のようにＣ１０、Ｎ
の少なくとも一種であり、得られる層は例えばａ−Ｓｉ
：Ｃ：ＩＩ（Ｘ）、ａ　　ｓｉ：ｃ　　：ｏ　　：Ｈ（
Ｘ）、ａ−Ｓｉ　：　Ｎ　　：　Ｈ（Ｘ）、　ａ−３ｉ
　：　Ｎ　　：　０：　　　Ｈ（Ｘ）、　　　ａ−Ｓｉ
　　　：　　　Ｃ：　　　Ｎ　　　　：　　　Ｈ（Ｘ）
、　　　ａ−Ｓｉ　　　：Ｃ：Ｎ：Ｏ：Ｈ（Ｘ）等のい
づれでもよい。 しかしながら改質原子（Ｙ）としてＣ原子又はＮ原子を
含有する場合は前記０．５％≦〔Ｃ又は８３６９０％、
好ましくは１０％≦〔Ｃ又は８３５７０％とされてよい
が、０原子を含有する場合は０．５％く、

〔０〕≦７０
％、好ましくは５％≦（０）６３０％とされるのが好ま
しい。又前記Ｃ，０、Ｎの各原子が複数種含有される場
合はＣ：０：Ｎ＝Ｏ〜９０：０．５〜７０：　０〜９０
の割合とされるのがよく、総体としては前記０．５％〜
９０％範囲内に納まるべきである。 次に、上記した感光体１　（例えばドラム状）の製造方
法及びその装ｆｉ（グロー放電装ｆ１）を第２図につい
て説明する。 この装置１１の真空槽１２内ではドラム状の基板２が垂
直に回転可能にセットされ、ヒーター１５で基板２を内
側から所定温度に加熱し得るようになっている。基板２
に対向してその周囲に、ガス導出口１３付きの円筒状高
周波電極１フが配され、基板２との間に高周波電源１６
によりグロー放電が生ぜしめられる。なお、図中の２２
はＳｉシ又はガス状シリコン化合物の供給源、２３はＣ
１，等の炭化水素ガスの供給源、２４はＮ２等の窒素化
合物ガスの供給源、２５はＯｌ等の酸素化合物がスの供
給源、２６は＾ｒ等のキャリアガス供給源、２７は不純
物ガス　（例えばＢ＊Ｈｉ）供給源、２８は各流量計で
ある。このグロー放電装置において、まず支持体である
例えばへｌ基板２の表面を清浄化した後に真空槽ｌＺ内
に配置し、真空槽１２内のガス圧１０−’Ｔｏｒｒとな
るように調節して排気し、かつ基板２を所定温度、特に
１００〜３５０℃（望ましくは１５０〜３００℃）に加
熱保持する０次いで、高純度の不活性ガスをキャリアガ
スとして、Ｓ　ｉ　ＩＩ　、又はガス状シリコン化合物
、ＣＨ，、Ｏ，等を適宜真空槽ＩＺ内に導入し、例えば
０．０１〜１０Ｔｏｒｒの反応圧下で高周波電源１Ｂに
より高周波電圧（例えば１３．５６ＭＨｚ）を印加する
。これによって、上記各反応ガスを電極１７と基板２と
の間でグロー放電分解し、Ｐ＋型ａＳｉ：Ｃ：Ｈ，ｉ型
ａＳｉ：Ｃ：Ｈ。 ｉ型ａ−Ｓｉ：Ｃ：Ｈ％ａ−Ｓｉ：Ｈ％ａ　　Ｓｉ：Ｃ
：Ｈを上記の層５．３．７．４．６として基板２上に連
続的に（即ち、例えば第１図の例に対応して）堆積させ
る。 上記９１造方法においては、基板２上にａ−Ｓｉｉの層
を製膜する工程で基板２の温度を１００〜３５０℃とし
ているので、感光体のｇｔ質（ｖｆに電気的特性）を良
くすることができる。 なお、上記ａ−Ｓｉ系感光体感光体の形成時において、
ダングリングボンドを補償するためには、上記したＨの
かわりに、或いはト■と併用してハロゲン原子、例えば
フッ素を５ＩＦ４等の形で導入し、ａ−Ｓｉ　：　Ｆ、
ａ−５ｉ　：　Ｈ：　Ｆ、ａ−Ｓｉ　：　Ｃ：　Ｆ。 ｔ−Ｓｉ：Ｃ：Ｈ：Ｆ、ａ−Ｓｉ：Ｃ：Ｏ：Ｆ。 ａ−３ｉ：Ｃ：Ｏ：Ｈ：Ｆ等とすることもできる。この
場合のフッ素量は０．５〜１０％が望ましい。 なお、上記の５！遣方法はグロー放電分解法によるもの
であるが、これ以外にもスパッタリング法、イオンブレ
ーティング法や、水素放電管で活性化又はイオン化され
た水素導入下でＳｉを蒸発させる方法（特に、本出順人
による特開昭５６−７８４１３号（１、デ顆昭５４−１
５２４５５号）の方法）等によっても上記感光体の製造
が可能である。 又本発明に係る感光体においては、例えば特開昭５９−
２０４０４８号公報に記載されているようにａ　　Ｓｉ
：Ｈ（Ｘ）感光層上にＣ，Ｏ，Ｎ等の改質原子（Ｙ）の
少な（とも１種を層形成の過程で漸次増加して含有させ
た表面改質層を設けるようにしてもよい。 例えば第１図の電荷発生層４上に、該電荷発生層４ｇＡ
からみて改質原子（Ｙ）を１％から最表面５０％まで漸
増させた表面改質層６を設けるようにしてもよい。 前記ａ−Ｓｉ：Ｈ（Ｘ）感光体１は必ずしも正帯電用と
するものではなく、負帯電用の感光体としてもよい、し
かしこの場合感光層を構成する各層に導入されるドープ
剤は周期律表第３Ａ族元素（Ｂ。 八〇、　Ｇａ、　Ｉｎ等）に代えて周期律表第５Ａ族元
素（Ｐ、八ｓ、　Ｓｂ、　Ｂｉ等）としてもよい、なお
、感光体１の前記中間層７及びブロッキング層５を設け
ることは必須の要件ではない。 又感光体１の感光層を電荷発生層４と電荷輸送層３とか
ら成る機能分離型とせず、両方の機能を兼ね設えた単一
の光導電層により構成してもよい。 さらに又感光体１の感光層が有機感光層、セレン、１１
．　＄、　ｉ　ｍ、ＣｄＳｂ　シ＜　ハＺｎｏ等（７）
ｔ）（脂分子ｆＬ感光層であってもよい。 本発明に係る感光体１の基板２としては、導電性及び絶
縁性のいづれであってもよい、導電性基体としでは例え
ば、ステンレス、＾Ｉｔ　Ｃｒ、　Ｎｏ、　Ｉｒ。 Ｎｂ、　Ｔｅ、　Ｖ、　Ｔｉ、　Ｐｔ、　Ｐｄ等の金属
又はこれ等の合金が挙げられる。電気絶縁性基板として
は、ポリエステル、ポリエチレン、ポリカーボネート、
セルローズトリアセテート、ポリプロピレン、ポリ塩化
ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミ
ド等の合成１［ｔのフィルム又はシート、ガラス、セラ
ミック、紙等が通常使用される。二扛等の電気絶縁性基
板は、好適には少なくともその一方の表面を導電処理さ
れるのが望ましい。 例えば、ガラスであれば、ＩｎｚＯｉ＋　５ｎ０２等で
その表面が導電処理され、或いはポリエステルフィルム
等の合成樹脂フィルムであれば、＾ｌ＋　Ａｇ、　Ｐｂ
＋Ｚｎ、旧、＾ｕ、　Ｃｒｙ　Ｈｏ、Ｉｒ、　Ｎｂｔ　
Ｔａｇ　Ｖ、　Ｔｉｅ　Ｐｔ等の金属で真空蒸着、電子
ビーム蒸着、スパッタリング等で処理し、又は前記金属
でラミネート処理して、その表面が導電処理される。基
板の形状としては、円筒状、ベルＦ状、板状等、任意の
形状とし得、所望によって、その形状は決定されるが、
連続高速複写の場合には、無端ベルト状又は円筒状とす
るのが望ましい。 基体の厚さは、所望通りの像形成部材が形成される様に
適宜決定されるが、像形成部材として可撓性が要求され
る場合には、基板としての機能が充分発揮される範囲内
であれば、可能な限り薄くされる。百年ら、この様な場
合、支持体の製造上及び取扱い上、８！械的強度等の点
から、通常は、１０μ以上とされる。 次に本発明の像形成方法に用いられるトナーとしては、
磁性又は非磁性の絶縁性（体積抵抗１０１２ΩｃＩ１１
以上）又は導電性（体積抵抗１０１２Ωａｍ未満）のト
ナーがある。又かかるトナーを用いた現像剤としては、
前記トナーを主成分とする一成分現像剤又はキャリアと
組み合わせて成る二成分現像剤がある。しかしながら前
記各種トナーのいづれにおいてもその重量平均粒径が６
μ論以下で好ましくは１μ−以上とされ、かつ５μ論以
下のトナーがトナー総体の２０ｗｔ％以上であることが
必要とされる６重量平均粒径が６μ輪を超え、かつ重量
平均粒径５μ−以下のトナーがトナー総体の２０ｗｔ％
未満の場合は、例えば解像力９以上という望ましい画像
が得られず、又重量平均粒径が１μ−を下回ると画像濃
度が低くカプリ易いなどの欠点が生ずる。 前記絶縁性トナーを得るには、後記する熱可塑性又は熱
硬化性バイングー樹脂中に着色剤を１５ｗＬ％以下、必
要により荷電１１制御剤を５ｗｔ％以下混合、溶融、練
肉、冷却、粉砕し、さらに前記粒径となるよう分級され
る。又得られたトナーをさらに熱処理して球形トナーと
されてもよい、さらに又着色剤その他の添加剤をバイン
グー樹脂モノマー中に含有せしめたものを撹拌下に逍粒
瓜介して球形トナーを得るようにしてもよい。前記トナ
ーに用いられるバイングー樹脂としては、例えばスチレ
ン樹脂、スチレン−アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、
スチレン−ブタジェン樹脂、アクリル８１脂などの付加
重合型樹脂、ポリアミド樹脂、ポリスルホネートリｆ脂
、ポリウレタン樹脂などの縮合重合型樹脂、さらにエポ
キシ樹脂などを例示することができる。 これら樹脂のうち付加重合型↑ｊ１脂を形成するための
単量体としては、スチレン、０−メチルスチレン、ｍ−
７チルスチレン、ｐ−メチルスチレン、３゜４−ジクロ
ルスチレンなどのスチレン類；エチレン、プロピレン、
ブチレン、イソブチレンなどのエチレン系不飽和モノオ
レフィン類；塩化ビニル、塩化ビニリデン、臭化ビニル
、弗化ビニルなどのハロゲン化ビニル類；酢酸ビニル、
プロピオン酸ビニル、ペンゾエ酸ビニル酢酸ビニルなど
のビニルエステル類ニアクリル酸メチル、アクリル酸エ
チル、アクリル酸ｎ−ブチル、アクリル酸イソブチル、
アクリル酸プロピル、アクリルａ　ｎ　−オクチル、ア
クリル酸ドデシル、アクリル酸ラウリル、アクリル酸２
−エチルヘキシル、メタアクリル酸ｎ−オクチル、メタ
アクリル酸ドデシル、メタアクリル酸うツリル、メタア
クリル酸２−エチルヘキシル、メタアクリル酸ステアリ
ル、メタアクリル酸フェニル、メタアクリル酸ジメチル
７ミノエチル、メタアクリル酸ジェチルアミノエチ生な
どのａ−メチレン脂肪族モノカルボン酸エステル；アク
リロニトリル、メタアクリロニトリル、アクリルアミド
などのアクリル酸若しくはメタアクリル酸誘導体；ビニ
ルメチルエーテル、ビニルエチルエーテル、ビニルイソ
ブチルエーテルなどのビニルエーテル類；ビニルメチル
ケトン、ビニルへキシルケトン、メチルイソプロペニル
ケトンなどのビニルケトン類；Ｎ−ビニルヒロール、Ｎ
−ビニルカルバゾール、Ｎ−ビニルインドール、Ｎ−ビ
ニルピロリドンなとのＮ−ビニル化合物頚；ビニルナフ
タリン類等のモノオレフィン系単量体；プロパジエン、
ブタジェン、イソプレン、クロロプレン、ペンタジェン
、ヘキサジエンなどのノオレフインｉｓｔ体を例示する
ことることができる。これらの単量体は単独であるいは
２種以上のものを組み合わせて用いることができる。 また、縮合型１４脂を形成するための単量体としては、
エチレングリフール、トリエチレングリコール、１，３
−プロピレングリコール等を例示することができる。 次に前記トナーに含有される着色剤としては、例えばカ
ーボンブラック、アニリンブラック、７アーネスブラツ
ク、ランプブラック、７タロシア二ンプルー、メチレン
ブルー、ビクトリアブルー、アニリンブルー、ウルトラ
マリンブルー、オーラミン、クロムイエロー、キノリン
イエロー、ハンサイエロー、ローダミン８１０−ズベン
ガル、アリザリンレーキ等がある。又必要により添加さ
れる荷電制御剤としては、電子供与性基を有する染料、
顔料その他のアミン誘導体から成る正荷電制御剤及び電
子吸引性基を有する染料、顔料その他のシアノ基、ハロ
ゲン原子、ニトロ基等を有する有機化合物から成る負荷
電制御剤がある。 又前記絶縁性）ナーが磁性トナーとされる場合に含有さ
れる磁性材料としては、磁場によってその方向に極めて
強く磁化する物質、例乏ば、鉄、コバルト、ニッケル等
の、金属、フェライト、マグネタイト、ヘマタイト等を
初めとする鉄、コバルト、ニッケル等の強磁性を示す元
素を含む合金あるいは化合物、又は強磁性体を含まない
が適当に熱処理することによって強磁性を示すようにな
る合金、例えばマンガン−銅−アルミニウムあるいはマ
ンガン−銅−錫などのマンガンと銅とを含むホイスラー
合金または二酸化クロムなどがあり、それらの材料から
成る０、０５〜３μ−程度の微粉末が５〜７０ｗｔ％含
有される。 又前記絶縁性トナーは磁性キャリアと混合されて二成分
現像剤として用いられる場合が多い、その理由としては
、現像剤の流動性及び摩擦帯電性等の制御が容易であっ
て、現像性がすぐれる等の特徴があるためである。前記
磁性キャリアとしては前記磁性トナーで用いた磁性材料
の微粉末を前記トナーで用いられたと同様のバイング樹
脂中に２０−３００ｗｔ％、好ましくは５０−１５０ｗ
ｔ％分散含有されて成り、その重量平均粒径は５〜８０
μ論、好ましくは５〜４０μ輪とされる。 又前記磁性キャリアは前記粒径の磁性材料のみから成っ
てもよく、さらに該キャリアの表面に樹脂を被覆してコ
ーテッドキャリアとしてもよい。 かかる磁性キャリアは、バイアス電圧によって電荷が該
キャリア内に注入されて感光体面に付着したり、バイア
ス電流が該キャリアを介して漏洩して潜像電荷を消失し
たりする欠点をなくすため、その抵抗率を１０８Ω１Ｊ
ｆｉ以上、好ましくは１０′′ΩＱｕ以上、より好まし
くは１０′′ΩｃＩＱ以上とするのがよ　−い。 なお、キャリア　（又はトナー）の固有抵抗は、粒子を
０．５ｃＩ１１２断面積を有する容器に入れてタッピン
グしたのち、詰められた粒子上に１　ｋｇ／　ｃｍ’の
荷重をかけ、荷ｍと底面電ムとの間に１０２〜１０″′
Ｖ／ｃｍの電界が生じる電圧を印加し、そのとき流れる
電流値を読み取り、所定の計算を行うことによって求め
られる。二のときキャリア　（又はトナー）粒子層の厚
さは１ｍｍ程度とされる。さらに前記ＦＪｆ上被覆キャ
リア又は樹脂分散キャリアにおいては、該キャリアを用
いる現像剤の流動性を向上させるとともにキャリアとト
ナー間の摩擦帯電性を向上させ、かつキャリア粒子同志
又はキャリアとトナー間のブロッキングを起りにくくす
るため、球形化されるのが好ましい。 かがる球形化キャリアを得るには、例えば０４　ｍ被覆
キャリアの場合、予め球形に成形された磁性体粒子に４
１１脂を薄層に被覆加工すればよく、又樹脂分散キャリ
アの場合は磁性体微粉末を樹脂・に分散して成る分散粒
子を熱処理して球形化するがもしくはスプレードライ法
により直接球形粒子を製造すればよい。 前記二成分現像剤は前記キャリアとトナーを重量比で９
７〜８５：３〜１５で混合し、かつ必要によりトナーに
対して０．１〜１．０重量％の疎水性シリカ、フロイダ
ルシリ力、シリコンフェス等の流動化創及び脂肪酸金属
塩、弗素系界面活性Ｍ等のりｌ）−二ング助削その地代
分子量ポリアルキレン等のオフセット防止剤等を添加す
ることができる。 前記−成分又は二成分現像剤に用いられる非磁性絶縁性
トナーはパイングー用層が軟質の粘着成分と硬質の高分
子成分から成る圧力定着トナーとされでもよい、かかる
圧力定着トナーを製造するには、前記絶縁性トナーの製
法と同様着色剤その池を加えて溶融、混線、冷却、粉砕
、分級して得られるが、好ましくは着色側その他を含有
する軟質成分の芯材を硬質高分子ポリマーで！１１．覆
して成るカプセルトナーとするのがよい、かかるカプセ
ルトナーを得るには例えば！ｎ　５ｉｔｕ重合法が用い
られる。即ち予め前記溶融、混練、冷却、粉砕法により
芯材を調製し、該芯材をカプセル被覆用被覆用ビニル−
とその重合開始剤を含む溶媒中に分散させ、次いで該分
散液を水中で撹拌下に懸濁重合してカプセルトナーを得
る。 前記カプセルトナーの製法に用いられる粘着成分として
は、例えばステアリン酸、パルミチン酸、ミリスチン酸
、ラウリン酸、カプリンａ”９の高級脂肪酸類、ステア
リン酸アルミニウム、ステアリン酸鉛、ステアリン酸バ
リウム、ステアリン酸マグネシウム、ステアリン酸亜鉛
、パルミチン酸亜鉛等の高級脂肪酸金属塩類、水添ヒマ
シ油、ココア脂、メチルヒドロキンステアレート、グリ
セロールモノヒドロキシステアレート等の高級脂肪酸誘
導体、オクタデカン７ミド、ヘキサデカンアミド、テト
ラデカンアミド、ドデカンアミド、デカンアミド、オク
タンアミド、ヘキサンアミド等の高級脂肪酸７ミド類、
密ろう、カルナウバろう、マイクロクリスタリンワック
ス等のワックス類、ロジン、水添ロジン、ロジンエステ
ル等のロジン誘導体、乾性油型又は半乾性油型アルキド
、ロジン変性アルキド、フェノール変性アルキ１！、ス
チレン化アルキド、エポキシ変性７エ７−ル？；ｆ　Ｉ
ＪＩ？、天然樹脂変性７エ／−ル用脂、アミ７Ｂ（詣、
シリコーン樹脂、ポリウレタン、エリア樹脂、ポリエス
テル等の縮合系ポリマー、アクリル酸とｉｔ　’ｒ！フ
ルキルアクリレートとの共重合オリゴマー、アクリル酸
と長鎖フルキルメタクリレートとの共重合オリゴマー、
メタクリル酸と長鎖アルキルアクリレートとの共重合オ
リゴマー、メタクリル酸と長鎖アルキルメタクリレート
との共重合オリゴマー、スチレンと長鎖アルキル７クリ
レートとの共重合オリゴマー、スチレンと艮鎖アルキル
メタクリレ−トとの共重合オリゴマー、ポリエチレン等
のポリオレフィン、酸化ポリエチレン、パラフィン、Ｘ
ａフルコール等のワックス類、エチレン−酢酸ビニル共
重合体、エチレン−ビニルフルキルエーテル共重合体、
無水マレインＷｌ系共重合体、アスフアルト、ギルンナ
イト等の石油系残査、インブチレンゴム、スチレンブタ
ジェンゴム、ニトリルゴム、塩化ゴム等のゴム類が挙げ
られる。 さらに前記カプセルトナーのカプセル剤としては前記絶
縁性トナーのバイングー用樹脂又はそのモノマーが用い
られる。 前記−成分又は二成分現像剤に用いられるトナーは磁性
又は非磁性の導電性トナーであってもよい、かかる導電
性トナーは前記絶縁性トナー又はカプセルトナー粒子の
表面に導電化剤として、例えばカーボンブラック、金属
粉、磁性粉、４級アンモニウム塩、沃化鋼、沃化錫、酸
化インノユウム、酸化インノツム錫、導電性酸化亜鉛、
導電性酸化チタン等を融着被覆して形成され、その体積
抵抗は１Ｑ１３Ωｅｅ１未満とされる。 なお本発明で云うトナー及びキャリアの粒径はいづれも
重量平均粒径であってコールタ社製のコールタカウンタ
により測定された値である。　　一本発明に係る前記微
粒子トナーを用いた現像剤を用いかつ前記表面改質層を
有する感光体を用いて像形成を行なう方法としては、ま
ず第３図の前記像形成体３０上に原稿に対応した像露光
を施こして静電像を形成し、該静電像を例えば磁気ブラ
シ現像波ｊｉ２９により現像してトナー像を形成する。 このトナー像は給紙装置から像形成プロセスとタイミン
グを合わせて給送された転写材上に例えば静電的に転写
され熱ロール定着される。又前記トナーがカプセルトナ
ーの場合は、静電的に転写された後加圧定着　（必要に
より熱を併用してもよい）され、前記トナーが導電性ト
ナーの場合は、１〜１０ｋｇ／ｃ＋＊の押圧力で押圧転
写され熱ロールに定着される。転写後の感光体はクリー
ニングブラシ、クリーニングブレード又は磁気ブラシ等
を例えば５０〜１５０Ｆｔ／ｃ−の圧接力で圧接下に強
カクリー二ングされ、次の像形成に設えられる。 第３図の現像装置２９において３０は感光体、３１はｌ
、真鍮等の非磁性スリーブで矢印Ｆ方向に回転され、３
２はＮ、Ｓ交互の複数の磁極を有する磁気ロールで矢印
Ｇ方向に回転される。３３は前記スリーブ３１上を搬送
される現像剤の量を規制する現像剤層厚規制部材で、３
４は感光体３０とスリーブ３１との間に例えば５０〜５
００Ｖのバイアスを印加する直流電源、３５は現像剤槽
で、３６は該現像剤槽内の現像削りを撹拌混合する撹拌
器、３７はホッパー３８内のトナーＴを現像剤［３５内
に定量補給するトナー補給ローラである。又Ｒはバイア
ス調整用抵抗でｄは現像頌域における感光体３０とスリ
ーブ３１との間隙であり、本発明に係る微粒子トナーを
用いる現像剤においては１００〜２　、０００μｍの範
囲とするのが好ましい、なお本発明に係る現像波ｒ！１
２９としては、磁気ブラシ現像装置とはかぎらず、カス
ケード現像装置、噴霧現像装ｒ！１等であってもよい。 〔実施例〕 以下本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明
の実施の態様はこれにより限定されるちのではない。 まず本実施例に用いられる現像剤は以下のようである。 ）ナー： 上記材料をボールで５時間にわたり十分混合した後１７
０℃の２本ロールで混練した６次いで自然放冷後カッタ
ーミルで粗粉砕し、さらにジェット気流を用いた微粉砕
機で粉砕し、さらに風力分級器で分級して別表に示す重
量平均粒径４，０μｍ、５．０μｍ１１７．０μ鴎、　
ｉｏ、ｏμｍの４種のトナーを得た。これらのトナーは
それぞれ下記製法の磁性キャリアと９０（キヤ＋７７）
：１０（）ナー）の重量比で混合されて４種類の現像剤
が調製され本実施例に供された。 キャリア　： スチレン−メタクリル酸メチル （１：　１）　共１１体ａＨＩｔｔ　　’　　　　５重
ｉｓをトルエン１００ｍ１に溶解し、これに平均粒径３
０μ−のフェライト粒子１００ｇを混合したものをスプ
レードライ法で噴ｒ５乾燥して樹脂ｍ覆されたニーテン
ドキャリアとする。 次に本実施例に用いられる感光体は以下のようである。 グロー放電分解法により、ドラム状へ！支持体上にｍ１
図の構造の電子写真感光体を作製した。 即ち、平滑な表面を持つドラム状＾ｌ基板２の表面を清
浄化した後に、第２図の真空槽１１内に配置し、真空槽
１１内のガス圧が１０−’Ｔｏｒｒとなるように調節し
て排気し、かつ基板２を所定温度、特に１００〜３５０
℃　（望ましくは１５０〜３００℃）に加熱保持する。 次いで、高純度のΔｒガスをキャリアガスとして導入し
、０．５Ｔｏｒｒの背圧のもとで周波数１３．５６旧Ｉ
Ｚの高周波電力を印加し、１０分間の予備放電を行った
０次いで、Ｓ　ｉ　Ｉ＋　４とＣＨ，、Ｌｌ＋、からな
る反応ガスを導入し、流量比１　　：　　１　　：　　
１　　：　（１，５Ｘ１ｏ−Ｊの（＾ｒ＋５ｉ１１．＋
ｃＩ！４＋Ｂｚｌｌｓ）混合ガスをグロー放電分解する
ことｌこより、電荷ブロッキング機能を担うＢ４型のａ
−Ｓｉ　：　Ｃ：　ＨＲｊ　５と、ａＳｉ：Ｃ：Ｉ（電
荷輸送！ｒ！Ｊ（但、（Ｄｄｌａ　〕／　（５ｉｌｌ−
：ｌ　＝　１０６　ｆｌｐｐｍ、　（Ｃ）　＝１０％）
３、ａＳｉ：Ｃ：Ｉ−１中１７１１Ｋｊ（但、（ｌ１２
１１ｇ　）　／　（５ｉｌｌ＋　）　＝　９　ｐｐｍ、
（Ｃ１］＝５９６）７を６μｍ／Ｉ＋ｒの堆積速度で順
次別表記載のＪ７さに５１膜した。引き続きＣ１１４″
′９のガスの供給を停止し、Ｓ：）［、及Ｖｃｍ１１．
を放電分解して、別表記載の厚さ）ａ−Ｓｉ　：　Ｈ電
荷発生層（但、ＣＢ２１１６）　／（５ｉｌｌ、）　＝
０．１容ｆｉｐｐｍ）　４　全形成Ｌ　タ、犬イテｏ２
゜Ｃ）１．及び／又はＮ２￥？の改質ガスを別表記載の
含有量となるよう槽１１内に導入しつつ放電分解して別
表記載の厚みを有する表面改質ｗＩ６を形成した。 かくして９種類の本発明に係る感光１ドを調製すると共
に、さらに別表記載の６種類の比較用感光体をｇ製した
。 前記のようにして得られた４種類の現像剤及び１５種類
の感光体を組合せて用いセン感光体に代えて本実施例の
ａ　　Ｓｉ感光体が組み込まれたＵ−ＢｉＸ１６００Ｍ
Ｒ（小西六写真工業社５りを用−１で１８種類の像形成
を行ない、その結果を下記条件で評価して別表に示した
。 評価条件 （１）解像カニ解像力テストチャートをコピーし、ＩＩ
ＩＩｗ当りのＭ像本数を目視判定した。 （２）画像ボケ　：５．５ポイント英字がつぶれて１’
ｌｌ読できないとき　−−−−−−−−−Ｘ何とかｆす
読できるとき　−一一一一△明瞭に判読できるとき　−
一一一−○ （３）耐久性：２０万フビーで 傷及び汚れが多い　−−−−−−−−−Ｘ傷の発生１〜
１０ケ所−一−−−−−Δ前記別表の結果から本発明に
係る感光体及び現像ルＩを用いて像形成を竹なった実施
例−二おいては得られた画像はいづれも解像力、画質共
にすぐれしかも多数回（つかえしｒ：、場合でも画質の
低下がなく安定していることがわかる。これに反して比
較例においては、解像力及び画質が悪く、かつくりかえ
し過程で傷の２生及び画質の低下が多いことがわかる。 〔発明の効果〕 以上の説明から明らかなように本発明°の像形成方法に
よれば、極めて微細なトナーを用いて像形成を行なった
場合でも感光体の疲労劣化がなく高含イ像、高画質の画
像が安定して得られる等の効果が突される。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の感光体層構成を示す断面図、１５２図
は感光体製造ＶＣ置の断面図、第３図は代表的現像装こ
の断面図である。 １．３０−−−一感光体く像形成体）　、　２　−−−
一基板３−−−−一電荷輸送層、４　−−−−一電荷発
生層５　−−−−−ブロッキング層、６　−−−−一表
面改質層７　−−−−一中間層、１１−−−−一感光体
製造装置１２−−−−−真空槽、１３−−−−−　ｆｆ
ス導出ロ１４＋ｌ５−−−−−ヒーター、１ｌｌｉ−−
−−一高周波Ｔｉ源１７−−−−−高周波電極 ２２−−−−−５ｉｌｌ、又はガス状シリコン化合物の
供給源 ２３−−−−−　Ｃ１１，等の炭化水素ガスの供給源２
４−−−−−　Ｎ　２１の窒素化合物ガスの供給源２５
−−−−−０２″！Ｐの酸素化合物ガスの供給源２６−
−−−−＾ｒ等のキャリアがスの供給源２７−−−−−
　Ｂ２１１ｓ等の不純物ガスの供給源２３−−−−御名
流量計、２９−一−−−現像装置３１−−−−−スリー
ブ、３２−−−−一磁気ロール３３−−−−−現像剤Ｎ
厚規制部材 ３４−−−−−バイアス電源、：１５−−−−一現像剤
槽３６−−−−−撹件器、３７−−−−−　）ナー補給
ローラ３８−−−−−ホッパー

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）像形成体上に形成された静電像を微粒子トナーに
   より現像してトナー像を形成し、該トナー像を転写材に
   転写する工程を有する像形成方法において、前記像形成
   体がアモルファスシリコンを主体とする表面改質層を有
   し、かつ前記トナーの重量平均粒径が６μｍ以下である
   ことを特徴とする像形成方法。
2. （２）前記トナーが重量平均粒径５μｍ以下の成分を２
   ０重量％以上含有する特許請求の範囲第１項記載の像形
   成方法。
3. （３）前記表面改質層が炭素原子、酸素原子及び窒素原
   子のうちの少なくとも１種を含有するアモルファス水素
   化及び／又はハロゲン化シリコンからなる特許請求の範
   囲第１項記載の像形成方法。