JPS63129627A - 半導体ウエハのウエツト処理装置 - Google Patents
半導体ウエハのウエツト処理装置Info
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- JPS63129627A JPS63129627A JP27536386A JP27536386A JPS63129627A JP S63129627 A JPS63129627 A JP S63129627A JP 27536386 A JP27536386 A JP 27536386A JP 27536386 A JP27536386 A JP 27536386A JP S63129627 A JPS63129627 A JP S63129627A
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Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は、半導体クエハのエツチング、レジスト除去
、洗浄等を行なう半導体ウェハのウェット処理装置に関
するものである。
、洗浄等を行なう半導体ウェハのウェット処理装置に関
するものである。
（従来の技術）
第２図は、実開昭６１−１１７２４８号公報に記載され
た従来のこの種の装置の構成例を示す図である。流し槽
１００は仕切り板１０１により複数の槽１００ａ、１０
０ｂに区画されている。両槽１００ａ、１００ｂの底面
には排水管１０２〜１０４が各々連結されている。槽１
００ａ、１００ｂには流し板１０５，１０６が設けられ
、流し板１０５上には薬液処理槽１０７が、流し板１０
６上には洗浄槽１０８が設置されている。処理槽１０７
，１０８には、その底面に弁ヲ有する排水管１０９，１
１０が設けられ、又、廃液用の耐熱管１１１が設けられ
ている。各処理槽１０７．１０８には槽内の液体を昇温
及び恒温にするための加熱装置が設けられている。処理
槽１０７には薬液１１２が、処理槽１０８には洗浄液１
１３が入れられている。
た従来のこの種の装置の構成例を示す図である。流し槽
１００は仕切り板１０１により複数の槽１００ａ、１０
０ｂに区画されている。両槽１００ａ、１００ｂの底面
には排水管１０２〜１０４が各々連結されている。槽１
００ａ、１００ｂには流し板１０５，１０６が設けられ
、流し板１０５上には薬液処理槽１０７が、流し板１０
６上には洗浄槽１０８が設置されている。処理槽１０７
，１０８には、その底面に弁ヲ有する排水管１０９，１
１０が設けられ、又、廃液用の耐熱管１１１が設けられ
ている。各処理槽１０７．１０８には槽内の液体を昇温
及び恒温にするための加熱装置が設けられている。処理
槽１０７には薬液１１２が、処理槽１０８には洗浄液１
１３が入れられている。
次に、動作について説明する。図示しない搬送機構によ
り搬送されるキャリアゼツクス内に収納された複数枚の
半導体ウェハを、一定時間薬液処理槽１０７内に投入す
る。すると、半導体ウェハが薬液１１２により処理され
る。この処理後、半導体ウェハをキャリアボックスごと
薬液処理槽１０７から取出して洗浄槽１０８に移し、半
導体ウェハに付着した薬液を洗浄液１１３で洗い流す。
り搬送されるキャリアゼツクス内に収納された複数枚の
半導体ウェハを、一定時間薬液処理槽１０７内に投入す
る。すると、半導体ウェハが薬液１１２により処理され
る。この処理後、半導体ウェハをキャリアボックスごと
薬液処理槽１０７から取出して洗浄槽１０８に移し、半
導体ウェハに付着した薬液を洗浄液１１３で洗い流す。
この後、半導体ウェハを取出して乾燥させる。なお、こ
の処理時には、薬液１１２からの有害蒸気を排気ダクト
で外部に排気する。
の処理時には、薬液１１２からの有害蒸気を排気ダクト
で外部に排気する。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら上記構成の装置では、薬液１１２０面が大
気に対して開放状態で薬液１１２が使用されるため、そ
の有害蒸気の発生が著るしく、特に薬液１１２を高温に
して使用した場合にその発生がはなはだしく、作業者に
とって有害であるばかシでなく装置自体も腐食してしま
う。このため、排気ダク）１−設けて有害蒸気を排気し
ているが、十分排気するためには大きな排気容量を必要
とし排気ダクトの大形化に伴ないその運転のためのコス
トが極めて大きく、経済的負担が大となる。又、半導体
ウェハは個別に処理槽１０７，１０８に順次に収容され
て処理されるために処理槽１０７゜１０８に収容するた
めのキャリアボックスを必要とし、このキャリアボック
ス及び処理槽１０７゜１０８の洗浄も必要とされ、非常
に手間がかかる問題点があった。
気に対して開放状態で薬液１１２が使用されるため、そ
の有害蒸気の発生が著るしく、特に薬液１１２を高温に
して使用した場合にその発生がはなはだしく、作業者に
とって有害であるばかシでなく装置自体も腐食してしま
う。このため、排気ダク）１−設けて有害蒸気を排気し
ているが、十分排気するためには大きな排気容量を必要
とし排気ダクトの大形化に伴ないその運転のためのコス
トが極めて大きく、経済的負担が大となる。又、半導体
ウェハは個別に処理槽１０７，１０８に順次に収容され
て処理されるために処理槽１０７゜１０８に収容するた
めのキャリアボックスを必要とし、このキャリアボック
ス及び処理槽１０７゜１０８の洗浄も必要とされ、非常
に手間がかかる問題点があった。
この発明は、以上述べた有害蒸気の発生を防止し、キャ
リアボックスを不要にすると共に排気コストを大幅に削
減できる半導体ウェハのウェットこの発明は半導体ウェ
ハのウェット処理装置において、半導体ウェハをセツテ
ィングした密閉構造の処理箱に少なくとも一対の処理流
体注入口とその排出口を設け、処理流体を密閉状態で貯
蔵する処理流体タンクに処理流体圧送用の圧送部と処理
流体を戻すための排出パイプ部を接続し、圧送部の先端
部を処理流体注入口に、排出パイプの先端部を処理流体
排出口に各々着脱可能にし、それらを装着した時に処理
流体を処理箱と処理流体タンクの間で循環させて半導体
ウェハを処理する。
リアボックスを不要にすると共に排気コストを大幅に削
減できる半導体ウェハのウェットこの発明は半導体ウェ
ハのウェット処理装置において、半導体ウェハをセツテ
ィングした密閉構造の処理箱に少なくとも一対の処理流
体注入口とその排出口を設け、処理流体を密閉状態で貯
蔵する処理流体タンクに処理流体圧送用の圧送部と処理
流体を戻すための排出パイプ部を接続し、圧送部の先端
部を処理流体注入口に、排出パイプの先端部を処理流体
排出口に各々着脱可能にし、それらを装着した時に処理
流体を処理箱と処理流体タンクの間で循環させて半導体
ウェハを処理する。
（実施例）
以下、この発明の一実施例を図面に基づいて説明する。
第１図はこの発明の一実施例による半導体ウェハのウェ
ット処理装置の構ｇｔ−示す。同図において、半導体支
持治具１によって支持された多数枚の半導体ウェハ２ｆ
ｔ収納している処理箱としての洗浄箱３は、薬液に侵さ
れない材料例えば４弗化エチレン樹脂又はシリーン結晶
板等により密閉構造的に形成され、上部に薬液注入口３
ａ、洗浄液注入口３ｂ及び高温ガス注入口３Ｃを備え、
底部に薬液排出口３ｄ、洗浄液排出口３Ｃ及び高温ガス
排出口３ｆｔ−備えている。又、洗浄箱３は、半導体支
持治具１から半導体ウエノＳ２′？：出入れ可能な周知
の構造となっている。薬液４を貯蔵している薬液タンク
５は、薬液４が蒸発し有害蒸気となって大気中に流出し
ないように密閉構造とされ、その底部に接続されたバイ
ブロには薬液４を送出するためのポンプ７が接続されて
いる。このポンプ７の出口にはフレキシブルパイプ８が
接続され、その先端には薬液注入口３ａに着脱可能にし
てワンタッチで接続される第１コネクタ８ａが装着され
ている。又、薬液タンク５の上部にはフレキシブルパイ
プ９が接続され、その先端には薬液排出口３ｄに着脱可
能にしてワンタッチで接続される第２コネクタ９ａが装
着されている。洗浄液１０を貯蔵している洗浄液タンク
１１は、洗浄液が蒸発して飛散しないように密閉構造と
され、その底部に接続されたノＲイブ１２には洗浄液を
送出するためのポンプ１３が接続されている。このポン
プ１３の出口にはフレキシブルパイプ１４が接続され、
その先端には洗浄液注入口３ｂに着脱可能にしてワンタ
ッチで接続される第３−ネクタ１４ａが装着されている
。又、洗浄液タンク１１の上部にはフレキシブルパイプ
１５が接続され、その先端には洗浄液排出口３ｅに着脱
可能にしてワンタッチで接続される第４コネクタ１５ａ
が装着されている。高温ガス注入パイプ１６の先端に第
５コネクタ１６ａが、又、高温ガス排出パイプ１７の先
端に第６コネクタ１７ａが各々装着され、各々が高温ガ
ス注入口３Ｃ及び高温ガス排出口３ｆに着脱可能にして
ワンタッチで接続される。なお、上記注入口３ａ〜３Ｃ
及び上記排出口３ｄ〜３ｆの各々は、コネクタ８ａ、１
４ａ、１６ａ、９ａ。
ット処理装置の構ｇｔ−示す。同図において、半導体支
持治具１によって支持された多数枚の半導体ウェハ２ｆ
ｔ収納している処理箱としての洗浄箱３は、薬液に侵さ
れない材料例えば４弗化エチレン樹脂又はシリーン結晶
板等により密閉構造的に形成され、上部に薬液注入口３
ａ、洗浄液注入口３ｂ及び高温ガス注入口３Ｃを備え、
底部に薬液排出口３ｄ、洗浄液排出口３Ｃ及び高温ガス
排出口３ｆｔ−備えている。又、洗浄箱３は、半導体支
持治具１から半導体ウエノＳ２′？：出入れ可能な周知
の構造となっている。薬液４を貯蔵している薬液タンク
５は、薬液４が蒸発し有害蒸気となって大気中に流出し
ないように密閉構造とされ、その底部に接続されたバイ
ブロには薬液４を送出するためのポンプ７が接続されて
いる。このポンプ７の出口にはフレキシブルパイプ８が
接続され、その先端には薬液注入口３ａに着脱可能にし
てワンタッチで接続される第１コネクタ８ａが装着され
ている。又、薬液タンク５の上部にはフレキシブルパイ
プ９が接続され、その先端には薬液排出口３ｄに着脱可
能にしてワンタッチで接続される第２コネクタ９ａが装
着されている。洗浄液１０を貯蔵している洗浄液タンク
１１は、洗浄液が蒸発して飛散しないように密閉構造と
され、その底部に接続されたノＲイブ１２には洗浄液を
送出するためのポンプ１３が接続されている。このポン
プ１３の出口にはフレキシブルパイプ１４が接続され、
その先端には洗浄液注入口３ｂに着脱可能にしてワンタ
ッチで接続される第３−ネクタ１４ａが装着されている
。又、洗浄液タンク１１の上部にはフレキシブルパイプ
１５が接続され、その先端には洗浄液排出口３ｅに着脱
可能にしてワンタッチで接続される第４コネクタ１５ａ
が装着されている。高温ガス注入パイプ１６の先端に第
５コネクタ１６ａが、又、高温ガス排出パイプ１７の先
端に第６コネクタ１７ａが各々装着され、各々が高温ガ
ス注入口３Ｃ及び高温ガス排出口３ｆに着脱可能にして
ワンタッチで接続される。なお、上記注入口３ａ〜３Ｃ
及び上記排出口３ｄ〜３ｆの各々は、コネクタ８ａ、１
４ａ、１６ａ、９ａ。
１５ａ、１７ａの各々が接続されない限多周知の機構に
よシ閉状態とされる。又、洗浄箱３の底部は、薬液タン
ク５及び洗浄液タンク１１の位置よシ上部の位置に配置
されている。さらに、両タンク５，１１に加熱装置が必
要に応じて設けられている。
よシ閉状態とされる。又、洗浄箱３の底部は、薬液タン
ク５及び洗浄液タンク１１の位置よシ上部の位置に配置
されている。さらに、両タンク５，１１に加熱装置が必
要に応じて設けられている。
次に、この実施例の動作について説明する。まず、洗浄
箱３内に半導体ウェハ２を多数枚、半導体支持治具１ｅ
利用してセットする。この後、薬液注入口３１に第１コ
ネクタ８ａを、薬液排出口３ｄに第２コネクタ９ａを各
々接続する。次に、ポンプ７を始動させ必要に応じて加
温された薬液タンク５内の薬液４をバイブロからフレキ
シブルパイプ８を通して洗浄箱３内に注入する。この洗
浄箱３内に注入された薬液４は半導体ウェハ２と接触し
て薬液処理後、フレキシブルパイプ９を通って薬液タン
ク５内に戻る。所定時間後、ポンプ７を停止させ第１及
び第２コネクタ８ａ、９ａを薬液注入口３ａ及び薬液排
出口３ｄから切離す。次に、洗浄液注入口３ｂＫ第３コ
ネクタ１４ａｅ、洗浄液排出口３ｅに第４コネクタ１５
！を各々接続する。次に、ポンプ１３を始動させ必要に
応じて加温された洗浄液タンクｌｌ内の洗浄液１０をパ
イプ１２からフレキシブルパイプ１４を通して洗浄箱３
内に注入して半導体ウェハ２の洗浄を行う。洗浄後の洗
浄液１０は、洗浄箱３からフレキシブルパイプ１５を通
って洗浄液タンク１１内に戻る。洗浄終了後、ポンプ１
３ｔ−停止させ、第３及び第４コネクタ１４ａ、１５ａ
ｉ注入口３ｂ及び排出口３ｅから切離す。次に、第５及
び第６コネクタ１６ａ、１７ａｔ−注入口３Ｃ及び排出
口３ｆに接続し、高温ガスを洗浄箱３内に吹込み、洗浄
箱３内及び半導体ウェハ２等を強制的に急速乾燥させる
。乾燥後には、第５及び第６コネクタ１６ａ。
箱３内に半導体ウェハ２を多数枚、半導体支持治具１ｅ
利用してセットする。この後、薬液注入口３１に第１コ
ネクタ８ａを、薬液排出口３ｄに第２コネクタ９ａを各
々接続する。次に、ポンプ７を始動させ必要に応じて加
温された薬液タンク５内の薬液４をバイブロからフレキ
シブルパイプ８を通して洗浄箱３内に注入する。この洗
浄箱３内に注入された薬液４は半導体ウェハ２と接触し
て薬液処理後、フレキシブルパイプ９を通って薬液タン
ク５内に戻る。所定時間後、ポンプ７を停止させ第１及
び第２コネクタ８ａ、９ａを薬液注入口３ａ及び薬液排
出口３ｄから切離す。次に、洗浄液注入口３ｂＫ第３コ
ネクタ１４ａｅ、洗浄液排出口３ｅに第４コネクタ１５
！を各々接続する。次に、ポンプ１３を始動させ必要に
応じて加温された洗浄液タンクｌｌ内の洗浄液１０をパ
イプ１２からフレキシブルパイプ１４を通して洗浄箱３
内に注入して半導体ウェハ２の洗浄を行う。洗浄後の洗
浄液１０は、洗浄箱３からフレキシブルパイプ１５を通
って洗浄液タンク１１内に戻る。洗浄終了後、ポンプ１
３ｔ−停止させ、第３及び第４コネクタ１４ａ、１５ａ
ｉ注入口３ｂ及び排出口３ｅから切離す。次に、第５及
び第６コネクタ１６ａ、１７ａｔ−注入口３Ｃ及び排出
口３ｆに接続し、高温ガスを洗浄箱３内に吹込み、洗浄
箱３内及び半導体ウェハ２等を強制的に急速乾燥させる
。乾燥後には、第５及び第６コネクタ１６ａ。
１７ａｔ−両口３ｃ、３ｆから切離し、洗浄し乾燥し九
半導体ウェハ２を洗浄箱３内から外部に取出せばよい。
半導体ウェハ２を洗浄箱３内から外部に取出せばよい。
以上のように、この発明によるウェット処理システムは
半導体ウェハのエツチング、洗浄、レジスト除去工程に
有効に利用できる。
半導体ウェハのエツチング、洗浄、レジスト除去工程に
有効に利用できる。
（発明の効果）
以上、詳細に説明したようにこの発明によれば、処理用
流体が大気中に開放されないようにしたので、処理用流
体が有害蒸気となって大気中に流出することがなく、大
気中の塵埃等が処理用流体に混入することもなく、ウェ
ット処理中の半導体ウェハへの塵埃の付着が防止され、
又、排気ダクト運転時の排気量を大幅に低減できるので
その運転コストが安くでき、しかも、キャリアボックス
を不要としたためにキャリアボックスやその搬送機構を
不要とし装置を簡単化できる効果が期待できる。
流体が大気中に開放されないようにしたので、処理用流
体が有害蒸気となって大気中に流出することがなく、大
気中の塵埃等が処理用流体に混入することもなく、ウェ
ット処理中の半導体ウェハへの塵埃の付着が防止され、
又、排気ダクト運転時の排気量を大幅に低減できるので
その運転コストが安くでき、しかも、キャリアボックス
を不要としたためにキャリアボックスやその搬送機構を
不要とし装置を簡単化できる効果が期待できる。
第１図はこの発明の一実施例による装置の構成図、第２
図は従来例を説明する九めの装置の構成図である。 １・・・半導体ウェハ支持治具、２・・・半導体ウエノ
・、３・・・処理箱、３ａ〜３Ｃ・・・注入口、３ｄ〜
３ｆ・・・排出口、４・・・薬液、５・・・薬液タンク
、６．１２・・・パイプ、７．１３・・・ポンプ、８，
９，１４．１５・・・フレキシブルパイプ、８ ａ ＊
９ ａ ４１４ａ、１５ａ。 １６ａ、 １７ａ・・・第１〜第６コネクタ。
図は従来例を説明する九めの装置の構成図である。 １・・・半導体ウェハ支持治具、２・・・半導体ウエノ
・、３・・・処理箱、３ａ〜３Ｃ・・・注入口、３ｄ〜
３ｆ・・・排出口、４・・・薬液、５・・・薬液タンク
、６．１２・・・パイプ、７．１３・・・ポンプ、８，
９，１４．１５・・・フレキシブルパイプ、８ ａ ＊
９ ａ ４１４ａ、１５ａ。 １６ａ、 １７ａ・・・第１〜第６コネクタ。
Claims (1)
- 密閉構造を有し、多数の半導体ウェハを内部にセッテ
ィングすることが可能で、開閉可能な少なくとも一対の
処理流体注入口及び処理流体排出口とを有する処理箱と
、処理流体を密閉状態で貯蔵する処理流体タンクと、該
処理流体タンクに接続され、上記処理流体を圧送し、そ
の注出口が上記処理流体注入口に着脱可能で、該装着し
た時に上記処理流体注入口を開くコネクタ構造となつて
いる処理流体圧送部と、上記処理流体タンクに接続され
、先端が上記処理流体排出口に着脱可能で、該装着した
時に上記処理流体排出口を開くコネクタ構造となつてい
る排出パイプ部とを備えた半導体ウェハのウェット処理
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27536386A JPS63129627A (ja) | 1986-11-20 | 1986-11-20 | 半導体ウエハのウエツト処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27536386A JPS63129627A (ja) | 1986-11-20 | 1986-11-20 | 半導体ウエハのウエツト処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63129627A true JPS63129627A (ja) | 1988-06-02 |
Family
ID=17554433
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27536386A Pending JPS63129627A (ja) | 1986-11-20 | 1986-11-20 | 半導体ウエハのウエツト処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63129627A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6277203B1 (en) | 1998-09-29 | 2001-08-21 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for cleaning low K dielectric and metal wafer surfaces |
-
1986
- 1986-11-20 JP JP27536386A patent/JPS63129627A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6277203B1 (en) | 1998-09-29 | 2001-08-21 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for cleaning low K dielectric and metal wafer surfaces |
| US6319330B1 (en) | 1998-09-29 | 2001-11-20 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for cleaning low K dielectric and metal wafer surfaces |
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