JPS63128170A - イオンプレ−テイング装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、工具鋼、シリコンウェハ等の基体の表面に薄
膜を形成するに使用されるイオンプレーティング装置に
関する。

（従来の技術） 従来、この種の装置は、第１図示のように、寞空室ａ内
に、ホルダーｂに取付けた工具鋼等の基体Ｃと、蒸発源
ｄとを間隔を存して設け、該基体Ｃの背後にこれを加熱
するためのヒーターｅを設けるを一般とする。そしてイ
オンプレーティングに際しては、まず真空室ａ内を高真
空状態とし、ヒーターｅにより基体Ｃを加熱する。次で
ガス導入管ｆを介して＾ｒガスを真空室ａ内へ導入し、
ホルダーｂに電源ｑから電圧を印加し、基体Ｃの近傍に
グロー放電を発生させ、基体Ｃの表面の放電洗浄を行な
う。このあと、該蒸発源ｄを作動させこれより蒸発する
蒸発材料りの分子及び必要によりガス導入管；から導入
される原料ガスのガス分子の一部をイオン化電極等によ
りイオン化する。一部がイオン化した蒸発材料りの分子
等は、基板Ｃの表面に付着し、第２図示のように簿膜ｊ
が形成される。尚、該基板Ｃには必要に応じて電源ｋか
ら負の電圧が印加される。

（発明が解決しようとする問題点） 前記のような従来のイオンプレーティング装置は、基体
Ｃとこれに形成されるｌｌｊとの密特性を得ると共に膜
質を制御するために、ヒーターｅにて基体Ｃを加熱する
必要がある。この加熱で基体Ｃに歪みが生じたり熱で該
基体Ｃが溶解する不都合を生じ勝ちであり、更に基体Ｃ
に加熱と放電洗浄を施す処理工程を要するのでイオンプ
レーティングの時間が長くなり、また膜の密着性の大き
いものが得られない問題があった。

また、従来のイオンプレーティング装置では、基体Ｃに
形成される薄１１！ｊの膜質は、基体Ｃの温度、蒸発材
料りの蒸発速度、加速エネルギー、イオン化率等の多数
のパラメーターにより制御しなければならず、コントロ
ールが容易でなく、しかも特定の物質以外の膜を形成す
ることは出来ない制限があった。

本発明はこうしたイオンプレーティングに於ける不都合
等を解決することを目的とするものである。

（問題点を解決するための手段） 本発明では、真空室内に間隔を存して基体と蒸発源を設
け、該蒸発源から蒸発する蒸発物質をイオン手段により
イオン化して該基体の表面に付着させるようにしたもの
に於いて、該真空室に、該基体の表面へ高エネルギーの
イオンを照射する１個若しくは複数個の高エネルギー源
を設けることにより前記問題点を解決するようにした。

（作　用） 該真空室内を高真空化し、例えばホローカソード型の蒸
発源を作動させ、該蒸発源から蒸発する物質は該蒸発源
のイオン化手段としての作用により一部がイオン化され
る。この作用は従来のイオンプレーティングと同様であ
るが、この蒸発源の作動と同時に或は前後に高エネルギ
ーイオン源を作動させることにより基体の表面層に該基
体の原子と高エネルギーイオン源からの原子との混合層
、或は該基体の原子と高エネルギーイオン源からの原子
と蒸発源からの原子との混合層、若しくは基体の原子と
蒸発源からの原子との混合層を形成する。そして、この
混合層の上に蒸発源を作動させて従来のイオンプレーテ
ィング処理による付＠膜又は蒸発源及び高エネルギーイ
オン源を作動させて該付着膜の原子と高エネルギーイオ
ン源からの原子が混合した付着膜を形成する。

こうしたプロセスによって該基体の表面層において、基
体と付着膜とが強く結合し、基体の加熱と放電洗浄を行
わずに基体と付着膜との密着性を従来のイオンプレーテ
ィングよりも向上させることが出来る。

また、照射する高エネルギーイオンのエネルギーと照射
口を該高エネルギーイオン源への電気石を制御すること
により簡単に制御出来るので、従来のイオンプレーティ
ング装置では容易でなかった付着膜の膜質の制御を容易
に行なえ、しかも高エネルギーイオンのエネルギーがイ
オンプレーティングにおける蒸着粒子のエネルギーに較
べて２〜３桁も大きいので、従来は形成不可能であった
新しい物質膜例えばダイヤモンド膜を形成することが出
来る。

（実施例） 本発明の実施例を別紙図面に基づき説明すると、第３図
に於て符号（１）は真空ポンプにより真空排気された真
空室、（２）は該真空室（１）内のホルダー（３）に取
付けした工具鋼等の基体、（４）は該基体（りの下方に
間隔を存して設置したホローカソード型の蒸発源を示し
、該蒸発源（４）内には蒸発するＴｉその他の蒸発材料
（５）が収容される。

（６）は必要に応じてＣ，ＩＩ２等の原料ガスを真空室
（１）内に導入するガス導入管、（７）はホルダ（３）
に必要に応じて負電位を与える電源である。

該真空室（１）内には、例えば２０〜１００にｅＶのイ
オンを基体（２）に照射する高エネルギーイオン源（８
）を設け、これを前記蒸発源（４）と前後して或は同時
に作動させて基体（りにイオンプレーティングを行なう
ようにした。

その作動を説明すると、洗浄した基体（２）をホルダー
（３）に接触良く取付け、真空室（１）内が高真空状態
になると、高エネルギーイオン源（８）を作動させて基
体（２）の表面へ例えばＡｒ”　、Ｎ＋等の高エネルギ
ーイオンの照射し、これと同時に又は前後して従来と同
じイオンプレーティング処理を蒸発ｍ（４）により行な
う。これによって第３図に見られるように、該基体（２
）の数百〜数千人の表面層に高エネルギーイオンの原子
と基体（りの原子との混合層（９）、或は高エネルギー
イオンの原子と蒸発源（４）から飛来する蒸発材料（５
）の原子及び基体（２）の原子との混合層ａＯ１或は該
蒸発材料（５）の原子と基体（乃の原子との混合層ＣＩ
ｔ）が形成される。

そしてこの混合層の上に、蒸発源（４）を作動させ、或
は更に高エネルギーイオン源（８）を作動させることに
より、従来と同様のイオンプレーティング処理による付
着膜（＋２１又は該付着１５Ｉ（＋２１の原子と高エネ
ルギーイオンの原子とが混合した付着ＩＩ（１３を形成
する。

こうしたプロセスによれば、基体（りの表面層に於て混
合層が形成されるために基体（２）と付着ＩＢ■又は０
３が従来のイオンプレーティングの場合よりも密着性が
向上し、基体（りの加熱や放電洗浄が不要であるので基
体（２）の変形がなく処理時間を短縮出来る。

また基体（２）に照射する高エネルギーイオンのエネル
ギーと照０４ｆｆｉは高エネルギーイオン源（８）への
電気量を制御することにより容易に調節出来るので、付
着膜（１２又はａ３の膜質をイオンのエネルギーや蒸発
量等の制御の難しい従来のイオンプレーティング装置よ
りも正確に制御することが出来、更に高エネルギーイオ
ンのエネルギーがイオンプレーティングによる蒸着粒子
のエネルギーに較べて２〜３桁も大きいので、従来は形
成不可能であった新しい物質例えばダイヤモンドの付着
膜を基体（りに形成することが出来る。

具体的には工具鋼の基体（２）を設け、ホローカソード
型蒸発源に（４）に蒸発物質としてＴｉを用意し、ガス
導入管（６）からＮ２の原料ガスを導入するようにし、
更に高エネルギーイオンａ　（８）から５０にｅνでＮ
＋イオンを照射する。これによりまず基体（２）の表面
層に鋼、Ｔｉ、Ｈの混合層を形成し、次でＴｉ、Ｈの付
着膜を形成することが出来、該付着膜の基体（りに対す
る密着性が従来のものより良いものが得られた。

また基体の加熱及び放電洗浄には、従来約２０分間必要
であったが、本発明による混合層の形成に要する時間は
約５分であり、イオンプレーティングの処理時間も大幅
に短縮出来る。

第３図に於て、符号０＠はホルダ（３）への冷却水の循
環回路を示す。

ガス導入管（６）から必要に応じて各種の原料ガスを導
入すれば各種の原子組成の付着膜を形成出来、ホルダ（
３）に電源（Ｄから負電位を与えれば基体（わに対して
より密着性の良い付着膜を形成出来る。

尚、ホローカソード型の蒸発源（４）として、蒸発源の
側方に設けたホローカソードからのビームを磁場により
偏向させるようにしたものを図示したが、蒸発源の上方
にホローカソードを設ける式のホローカソード型蒸発源
を使用してもよく、電子ビーム型や誘導加熱型の蒸発源
としこれにイオン化手段としてイオン化電極を設けたも
の等であってもよい。

また高エネルギーイオン源（８）として、フリーマン型
イオン源、ホローカソード型イオン源、パケット型イオ
ン源或は近時開発されたアークヂャンバーに電気的に絶
縁された別室からプラズマビームを導入する型式のブラ
スマフィラメント型イオン源等が使用される。そして第
５図示のように真空室（１）に複数の高エネルギーイオ
ン源（８ａ）（８ｂ）を設け、例えば一方のイオン源（
８ａ）を高電圧小電流型のフリーマン型或はホローカソ
ード型のものとし、他方のイオン源（８ｂ）を低電圧大
電流のパケット型とすることも可能であり、これらのイ
オン源を任意に作動させることにより例えば複雑な組成
の混合層（ＩＯや付着層ａ３を形成出来る。

尚、該ホルダ（３）は、旋回自在に構成し、蒸発源（４
）との距離を可変すべく昇降自在に構成し、更には蒸発
源（４）とイオン源とへ交互に向くように揺動自在とす
ることも来る。

（発明の効果） 以上のように本発明によるときは、イオンプレーティン
グ装置の真空室内に基体の表面へ高エネルギーイオンを
照射するイオン源を設けるようにしたので、基体に加熱
や放電洗浄を行なうことなくイオンプレーティング処理
を施せ、基体の変形や損傷を防止出来ると共に処理時間
を短縮出来、基体の表面に形成される付着膜の密着性を
向上させる得、膜質の制御も容易で従来のイオンプレー
ティングでは得られない物質の膜や硬い膜を形成出来て
有用性が広がる等の効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来のイオンプレーティング装置の武断側面図
、第２図は従来の基体に形成される膜の説明図、第３図
は本発明の実施例の武断側面図、第４図は本発明装置に
より基体に形成された膜の説明図、第５図は本発明の他
の実施例の武断側面図である。 （１）・・・真空室 （り・・・基体 （３）・・・ホルダ （４）・・・蒸発源 （５）・・・蒸発材料 （８）・・・高エネルギーイオン源 第１図 第２図　　　　第４図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 真空室内に間隔を存して基体と蒸発源を設け、該蒸発源
   から蒸発する蒸発物質をイオン化手段によりイオン化し
   て該基体の表面に付着させるようにしたものに於いて、
   該真空室に、該基本体の表面へ高エネルギーのイオンを
   照射する１個若しくは複数個の高エネルギーイオン源を
   設けたことを特徴とするイオンプレーティング装置。