JPS6312376B2 - - Google Patents

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JPS6312376B2
JPS6312376B2 JP57164454A JP16445482A JPS6312376B2 JP S6312376 B2 JPS6312376 B2 JP S6312376B2 JP 57164454 A JP57164454 A JP 57164454A JP 16445482 A JP16445482 A JP 16445482A JP S6312376 B2 JPS6312376 B2 JP S6312376B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
concentration
silicon
oxygen
defects
silicon substrate
Prior art date
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Expired
Application number
JP57164454A
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English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JPS5954220A (ja
Inventor
Yoshiaki Suzuki
Osamu Mizuno
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
Nippon Electric Co Ltd
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Publication date
Application filed by Nippon Electric Co Ltd filed Critical Nippon Electric Co Ltd
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Publication of JPS5954220A publication Critical patent/JPS5954220A/ja
Publication of JPS6312376B2 publication Critical patent/JPS6312376B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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    • H10P14/2905—
    • H10P14/24—
    • H10P14/3411—
    • H10P14/3442—
JP57164454A 1982-09-21 1982-09-21 半導体装置の製造方法 Granted JPS5954220A (ja)

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JPS5954220A JPS5954220A (ja) 1984-03-29
JPS6312376B2 true JPS6312376B2 (OSRAM) 1988-03-18

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JP2725460B2 (ja) * 1991-01-22 1998-03-11 日本電気株式会社 エピタキシャルウェハーの製造方法
JP3384506B2 (ja) * 1993-03-30 2003-03-10 ソニー株式会社 半導体基板の製造方法
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