JPS63122226A - ダイボンデイング装置 - Google Patents
ダイボンデイング装置Info
- Publication number
- JPS63122226A JPS63122226A JP26906286A JP26906286A JPS63122226A JP S63122226 A JPS63122226 A JP S63122226A JP 26906286 A JP26906286 A JP 26906286A JP 26906286 A JP26906286 A JP 26906286A JP S63122226 A JPS63122226 A JP S63122226A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- collet
- semiconductor element
- flat plate
- die bonding
- bonded
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 36
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体素子等の部品片を高密度に実装するため
のダイボンディング装置に関するものである。
のダイボンディング装置に関するものである。
従来の技術
一般的なダイボンディング装置は、特開昭５８−１８０
０３１号公報等に例示されている。ここではその従来の
ダイボンディング装置に於て特に、部品片、−例として
半導体素子を吸着し、ボンディング基板の所定位置まで
移動させる真空吸着ツール（以下コレットと称する）に
関して第４図および第５図を用いて説明する。
０３１号公報等に例示されている。ここではその従来の
ダイボンディング装置に於て特に、部品片、−例として
半導体素子を吸着し、ボンディング基板の所定位置まで
移動させる真空吸着ツール（以下コレットと称する）に
関して第４図および第５図を用いて説明する。
第４図に示すように、コレット１０は真空吸引孔１１を
具備し、またこのコレット１０の下部内面は四角鏝面と
なっている。
具備し、またこのコレット１０の下部内面は四角鏝面と
なっている。
また、第５図に示すようにボンディング用の半導体素子
４を複数個−列にボンディング基板７上にボンディング
する場合、まずテーブル１２・上に置かれた半導体素子
４は真空吸引孔１１から吸引され、四角鏝面１３の４つ
の面に当接しコレット１０に保持される。次いで、矢印
６ａに沿ってボンディング基板７上の所定の位置まで搬
送され、ボンディング用の樹脂８上に順次ボンディング
される。
４を複数個−列にボンディング基板７上にボンディング
する場合、まずテーブル１２・上に置かれた半導体素子
４は真空吸引孔１１から吸引され、四角鏝面１３の４つ
の面に当接しコレット１０に保持される。次いで、矢印
６ａに沿ってボンディング基板７上の所定の位置まで搬
送され、ボンディング用の樹脂８上に順次ボンディング
される。
発明が解決しようとする問題点
しかし、上記従来のダイボンディング装置では、半導体
素子４を複数個順次−列にボンディングする場合、コレ
ット１０の外形寸法が半導体素子４に比べ大きいため、
ボンディング間隔が狭くなると半導体素子４の形状から
はみ出したコレツト１０の外形部が、既にボンディング
された隣の半導体素子４ａに当たってしまう。つまり、
ボンディング間隔がこのコレット１０の外形寸法により
制限され、高密度の実装が困難であった。
素子４を複数個順次−列にボンディングする場合、コレ
ット１０の外形寸法が半導体素子４に比べ大きいため、
ボンディング間隔が狭くなると半導体素子４の形状から
はみ出したコレツト１０の外形部が、既にボンディング
された隣の半導体素子４ａに当たってしまう。つまり、
ボンディング間隔がこのコレット１０の外形寸法により
制限され、高密度の実装が困難であった。
問題点を解決するための手段
そこで本発明は上記問題点に鑑みて成されたもので、部
品片を吸着しボンディング基板の所定位置に移動させる
平板と、この平板に前記吸着のための真空吸引孔と、前
記平板の直交する２つの側面のみに前記部品片の位置決
めのための側板とを備えたダイボンディング装置をその
手段とする。
品片を吸着しボンディング基板の所定位置に移動させる
平板と、この平板に前記吸着のための真空吸引孔と、前
記平板の直交する２つの側面のみに前記部品片の位置決
めのための側板とを備えたダイボンディング装置をその
手段とする。
作用
部品片がテーブル上で角度θだけ傾いていても、平板に
設けられた互いに直交する２つの側板より、その傾きを
修正することが出来る。
設けられた互いに直交する２つの側板より、その傾きを
修正することが出来る。
また、この平板には直交する２つ′の側面にしか位置決
め用の側板がなく、このため部品片を吸着した場合、他
の２側面からはこの平板の外形部がはみ出すことはない
。従って、部品片を複数個順次−列にボンディングする
場合もこの平板の外形部が既にボンディングされた隣の
部品片に当たることがない。
め用の側板がなく、このため部品片を吸着した場合、他
の２側面からはこの平板の外形部がはみ出すことはない
。従って、部品片を複数個順次−列にボンディングする
場合もこの平板の外形部が既にボンディングされた隣の
部品片に当たることがない。
実施例
以下本発明の一実施例を添付図面を基に説明する。第１
図に示すように、コレット１は真空吸引孔２を具備し、
またこのコレット１の互いに直交する２つの側面には側
板３ａ、３ｂが半導体素子４の位置決めのために設けで
ある。また、半導体素子４は、テーブル５ａ上に真空吸
引孔５ｂにより弱（吸着されている。
図に示すように、コレット１は真空吸引孔２を具備し、
またこのコレット１の互いに直交する２つの側面には側
板３ａ、３ｂが半導体素子４の位置決めのために設けで
ある。また、半導体素子４は、テーブル５ａ上に真空吸
引孔５ｂにより弱（吸着されている。
まず、コレット１の下面の高さを半導体素子４の上面か
ら１０μ−程度の高さまで近づける。この状態で半導体
素子４がテーブル５ａ上で角度θだけ傾いていても、コ
レット１に設けられた互いに直交する２つの側板３ａ、
３ｂのみで角度が補正され、従来と同様に正確な位置決
めを行い吸着することが出来る。
ら１０μ−程度の高さまで近づける。この状態で半導体
素子４がテーブル５ａ上で角度θだけ傾いていても、コ
レット１に設けられた互いに直交する２つの側板３ａ、
３ｂのみで角度が補正され、従来と同様に正確な位置決
めを行い吸着することが出来る。
これを以下で具体的に説明する。第２図は、テーブル５
ａ上に角度θ傾いて仮置きされた半導体素子４を上面か
ら見た図であり、特にその傾きの補正のための側板３ａ
、３ｂの働きについて説明する。半導体素子４は、テー
ブル５ａに設けられた真空吸引孔５ｂにより軽く吸着さ
れている。まず、コレット１を半導体素子４に近づけ、
更にコレット１に設けられた側板３ａ、３ｂがなす角度
β内を矢印８の方向へ移動さ、側板３ａ、３ｂを半導体
素子４に近付ける（テーブル５ａを移動させる場合は矢
印８と逆方向に移動させる）。この移動により側板３ａ
の点３Ｃに半導体素子４のコーナー４ｂが当接し、更に
この側板３ａは矢印８の方向へ移動し、それに伴って半
導体素子４のコーナー４ｂは、この板面に沿ってゆるや
かに反時計方向に回転しながら、側板間のコーナー３ｄ
まで移動する。従って、半導体素子４の傾きθは補正さ
れ、かつその半導体素子４の１つのコーナ４ｂをこの側
板間のコーナー３ｄに正確に位置決め出来る。
ａ上に角度θ傾いて仮置きされた半導体素子４を上面か
ら見た図であり、特にその傾きの補正のための側板３ａ
、３ｂの働きについて説明する。半導体素子４は、テー
ブル５ａに設けられた真空吸引孔５ｂにより軽く吸着さ
れている。まず、コレット１を半導体素子４に近づけ、
更にコレット１に設けられた側板３ａ、３ｂがなす角度
β内を矢印８の方向へ移動さ、側板３ａ、３ｂを半導体
素子４に近付ける（テーブル５ａを移動させる場合は矢
印８と逆方向に移動させる）。この移動により側板３ａ
の点３Ｃに半導体素子４のコーナー４ｂが当接し、更に
この側板３ａは矢印８の方向へ移動し、それに伴って半
導体素子４のコーナー４ｂは、この板面に沿ってゆるや
かに反時計方向に回転しながら、側板間のコーナー３ｄ
まで移動する。従って、半導体素子４の傾きθは補正さ
れ、かつその半導体素子４の１つのコーナ４ｂをこの側
板間のコーナー３ｄに正確に位置決め出来る。
この状態で、コレット１を下げて、半導体素子４の上面
にコレット１のなめらかな下面を当接させ、真空吸引孔
２により半導体素子４をコレット１に吸着する。
にコレット１のなめらかな下面を当接させ、真空吸引孔
２により半導体素子４をコレット１に吸着する。
次いで、第３図に示すように、矢印６に沿ってボンディ
ング基板７上の所定位置まで移動させ、あらかじめ塗布
されたダイボンディング用の樹脂８に半導体素子４を当
接、押圧する。ここで、半導体素子４がダイボンディン
グ用の樹脂８により接着固定された後に、真空吸引を停
止し、コレット１を上昇させることでダイボンディング
は終了する。
ング基板７上の所定位置まで移動させ、あらかじめ塗布
されたダイボンディング用の樹脂８に半導体素子４を当
接、押圧する。ここで、半導体素子４がダイボンディン
グ用の樹脂８により接着固定された後に、真空吸引を停
止し、コレット１を上昇させることでダイボンディング
は終了する。
この時、コレット１には直交する２つの側面にしか位置
決め用の側板３ａ、３ｂがなく、このため矢印９方向に
半導体素子４を複数個順次−列にボンディングする場合
、コレット１の外形部が、既にボンディングされた隣の
半導体素子４ａに当たってしまうことはない。従って、
例えば、従来では不可能であった半導体素子間が１００
μｍ以下にすることも出来る。即ち、半導体素子４を極
めて高密度にボンディングすることが容易に行える。
決め用の側板３ａ、３ｂがなく、このため矢印９方向に
半導体素子４を複数個順次−列にボンディングする場合
、コレット１の外形部が、既にボンディングされた隣の
半導体素子４ａに当たってしまうことはない。従って、
例えば、従来では不可能であった半導体素子間が１００
μｍ以下にすることも出来る。即ち、半導体素子４を極
めて高密度にボンディングすることが容易に行える。
発明の効果
以上述べてきたように、本発明のグイボンデイン装置に
よれば、コレットに設けられた半導体素子等の部品片の
位置決め用の側板は、互いに直交する２側面にしかな（
、このため半導体素子等の部品片を複数個順次−列にボ
ンディングする場合、コレットの外形部が既にボンディ
ングされた隣の部品片に当たってしまうことはない。つ
まり、ボンディング間隔がこのコレットの外形寸法によ
り制限されることはなく、極めて高密度なダイボンディ
ングが可能となる。
よれば、コレットに設けられた半導体素子等の部品片の
位置決め用の側板は、互いに直交する２側面にしかな（
、このため半導体素子等の部品片を複数個順次−列にボ
ンディングする場合、コレットの外形部が既にボンディ
ングされた隣の部品片に当たってしまうことはない。つ
まり、ボンディング間隔がこのコレットの外形寸法によ
り制限されることはなく、極めて高密度なダイボンディ
ングが可能となる。
従って、本発明のグイボンデイン装置は半導体素子等の
部品片の高密度な実装に極めて有益である。
部品片の高密度な実装に極めて有益である。
第１図は本発明の一実施例に於けるダイボンディング装
置の部分斜視図、第２図は同装置のコレットに設けられ
た側板の働きを示す部分上面図、第３図は同装置による
組立概略を断面で示す図、第４図は従来のダイボンディ
ング装置の部分斜視図、第５図は同装置による組立概略
を断面で示す図である。 １−ｍ−コレット、２−ｍ−真空吸引孔、３ａ、３ｂ−
ｍ−側板、４−−一半導体素子、５ａ−−−テーブル、
５ｂ−ｍ−真空吸引孔 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 はが１名第１図 第２＠ 第 ３ 図 第４図 第５図
置の部分斜視図、第２図は同装置のコレットに設けられ
た側板の働きを示す部分上面図、第３図は同装置による
組立概略を断面で示す図、第４図は従来のダイボンディ
ング装置の部分斜視図、第５図は同装置による組立概略
を断面で示す図である。 １−ｍ−コレット、２−ｍ−真空吸引孔、３ａ、３ｂ−
ｍ−側板、４−−一半導体素子、５ａ−−−テーブル、
５ｂ−ｍ−真空吸引孔 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 はが１名第１図 第２＠ 第 ３ 図 第４図 第５図
Claims (1)
- 部品片を吸着しボンディング基板の所定位置に移動さ
せる平板と、この平板に前記吸着のための真空吸引孔と
、前記平板の直交する２つの側面のみに前記部品片の位
置決めのための側板とを備えたダイボンディング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26906286A JPS63122226A (ja) | 1986-11-12 | 1986-11-12 | ダイボンデイング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26906286A JPS63122226A (ja) | 1986-11-12 | 1986-11-12 | ダイボンデイング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63122226A true JPS63122226A (ja) | 1988-05-26 |
Family
ID=17467120
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26906286A Pending JPS63122226A (ja) | 1986-11-12 | 1986-11-12 | ダイボンデイング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63122226A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0461241A (ja) * | 1990-06-28 | 1992-02-27 | Rohm Co Ltd | 半導体チップの位置決め方法 |
-
1986
- 1986-11-12 JP JP26906286A patent/JPS63122226A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0461241A (ja) * | 1990-06-28 | 1992-02-27 | Rohm Co Ltd | 半導体チップの位置決め方法 |
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