JPS6312187A - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents
半導体レ−ザ装置Info
- Publication number
- JPS6312187A JPS6312187A JP15661586A JP15661586A JPS6312187A JP S6312187 A JPS6312187 A JP S6312187A JP 15661586 A JP15661586 A JP 15661586A JP 15661586 A JP15661586 A JP 15661586A JP S6312187 A JPS6312187 A JP S6312187A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- lens
- laser element
- ferrule
- fixed
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 27
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 13
- 239000000835 fiber Substances 0.000 abstract description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 6
- 238000005476 soldering Methods 0.000 abstract description 6
- 230000008878 coupling Effects 0.000 abstract description 5
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 abstract description 5
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 abstract description 5
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 abstract description 5
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 abstract description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 4
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体レーザ素子と光学系と光フアイバ素子の
一体化をはかる技術の改良に関する。
一体化をはかる技術の改良に関する。
従来の技術
最近、半導体レーザ素子と光フッイノくとを結合させる
半導体レーザ装置は、光通信等の分野でかなり利用され
ている。この装置は、ψ1jえば、特開昭57−211
288号公報に記載されている構成が知られている。こ
の半導体レーザ装置の場合には、半導体レーザ素子に対
し、第ルンズの光軸調整と固定、次に、第2レンズの光
軸調整と固定。
半導体レーザ装置は、光通信等の分野でかなり利用され
ている。この装置は、ψ1jえば、特開昭57−211
288号公報に記載されている構成が知られている。こ
の半導体レーザ装置の場合には、半導体レーザ素子に対
し、第ルンズの光軸調整と固定、次に、第2レンズの光
軸調整と固定。
さらに、光ファイバの光軸調整と固定というように、光
軸調整と固定を3回必要としていた。
軸調整と固定を3回必要としていた。
発明が解決しようとする問題点
しかし、上述のような半導体レーザ素子と光ファイバの
結合方法では、3回の光軸調整及び固定に、多大の時間
を要し、半導体レーザ装置の生産性が非常に低いという
問題が生じていた。
結合方法では、3回の光軸調整及び固定に、多大の時間
を要し、半導体レーザ装置の生産性が非常に低いという
問題が生じていた。
問題点を解決するだめの手段
本発明はあらかじめ位置規制されているアライメント基
板上に集束、結像用レンズ及び光フアイバ支持用フェル
ールを金属固定した後に、半導体レーザ素子を動作させ
ながら、最適結合位置で金属固定することにより一体化
した半導体レーザ素子と元ファイバとの一体化をはかっ
た半導体レーザ装置である。
板上に集束、結像用レンズ及び光フアイバ支持用フェル
ールを金属固定した後に、半導体レーザ素子を動作させ
ながら、最適結合位置で金属固定することにより一体化
した半導体レーザ素子と元ファイバとの一体化をはかっ
た半導体レーザ装置である。
作 用
不発明は半導体レーザ素子と光フッイノ(との結合にお
いて、集光結像用レンズ系光フアイバ支持用フェルール
及び前記半導体レーザ素子の位置規制が施されているア
ライメント基板を用いているので半導体レーザ装置の生
産性及び信頼性を著しく向上させることを可能とするも
のである。
いて、集光結像用レンズ系光フアイバ支持用フェルール
及び前記半導体レーザ素子の位置規制が施されているア
ライメント基板を用いているので半導体レーザ装置の生
産性及び信頼性を著しく向上させることを可能とするも
のである。
実施例
以下、本発明の一実施例を添付図面に基づき簡単に説明
する。アライメント基板7は、受光素子1、半導体レー
ザ素子2、第ルンズ3、第2レンズ゛4、及びファイバ
支持用フェルール6を配置するための5つの部分から構
成されており、固定部には、メタライズが施されている
ため各部品の金属固定が可能である。また、アライメン
ト基板7には、集束用の第ルンズ3、結像用の第2レン
ズ4、及びファイバ支持用フェルール6の光軸調整用の
溝が形成されており、溝に半田を充填後、加熱するだけ
で光軸調整及び固定ができる。第ルンズ3、第2レンズ
4及びフェルール6−5[1]定後、半導体レーザ素子
2を動作させ、最適結合位置で、半導体レーザ素子2を
半田固定する。最後にモニタ用の受光素子1を半導体レ
ーザ素子2の位置に合わせて同様に半田固定する。
する。アライメント基板7は、受光素子1、半導体レー
ザ素子2、第ルンズ3、第2レンズ゛4、及びファイバ
支持用フェルール6を配置するための5つの部分から構
成されており、固定部には、メタライズが施されている
ため各部品の金属固定が可能である。また、アライメン
ト基板7には、集束用の第ルンズ3、結像用の第2レン
ズ4、及びファイバ支持用フェルール6の光軸調整用の
溝が形成されており、溝に半田を充填後、加熱するだけ
で光軸調整及び固定ができる。第ルンズ3、第2レンズ
4及びフェルール6−5[1]定後、半導体レーザ素子
2を動作させ、最適結合位置で、半導体レーザ素子2を
半田固定する。最後にモニタ用の受光素子1を半導体レ
ーザ素子2の位置に合わせて同様に半田固定する。
以上のように、本発明によれば、第ルンズ3、第2L/
7/(4、及Uファイバ支持用フェルール5を、位置規
制されたアライメント基板7上に配置し、加熱するだけ
で、各部品の光軸調整及び金属固定が可能であり、非常
に高生産性でかつ高信頼性の半導体レーザ装置が得られ
るものである。本実施例ではアライメント基板7はセラ
ミック製であるが、熱膨張係数め小さい材質であれば他
のものでもよい。第ルンズ3は球レンズ、第2レンズ4
には収束性ロッドレンズを用いた。
7/(4、及Uファイバ支持用フェルール5を、位置規
制されたアライメント基板7上に配置し、加熱するだけ
で、各部品の光軸調整及び金属固定が可能であり、非常
に高生産性でかつ高信頼性の半導体レーザ装置が得られ
るものである。本実施例ではアライメント基板7はセラ
ミック製であるが、熱膨張係数め小さい材質であれば他
のものでもよい。第ルンズ3は球レンズ、第2レンズ4
には収束性ロッドレンズを用いた。
各部の加熱方法としては、ヒーター加熱を用いたが、非
接触局部加熱でもよい。さらに、固定材料としての半田
剤は、Au−3n、Po−3nを用いたが各部品の組成
が変形しない程度の融点を有するものであればその池の
ものでもかまわない。
接触局部加熱でもよい。さらに、固定材料としての半田
剤は、Au−3n、Po−3nを用いたが各部品の組成
が変形しない程度の融点を有するものであればその池の
ものでもかまわない。
発明の効果
以上のように1本発明によれば、集束用、結像用レンズ
及びファイバ支持用フェルールを位置規制用の溝を有す
るアライメント基板上に固定するだけで、各部品の光軸
調整及び位置固定が可能となり、非常に生産性及び信頼
性の高い半導体レーザ装置を提供でき実用面での効果は
犬である。
及びファイバ支持用フェルールを位置規制用の溝を有す
るアライメント基板上に固定するだけで、各部品の光軸
調整及び位置固定が可能となり、非常に生産性及び信頼
性の高い半導体レーザ装置を提供でき実用面での効果は
犬である。
図は本発明の一実施例の半導体レーザ装置の構成図であ
る。 1・・・・・・受光素子、2・・・・・・半導体レーザ
素子、3・・・・・・第ルンズ、4・・・・・・第2レ
ンズ、5・・・・・・ファイバ支持用フェルール、6・
・・・・・ファイバ、7・・・・・・アライメント基板
。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名7ア
ラ4メジH4又
る。 1・・・・・・受光素子、2・・・・・・半導体レーザ
素子、3・・・・・・第ルンズ、4・・・・・・第2レ
ンズ、5・・・・・・ファイバ支持用フェルール、6・
・・・・・ファイバ、7・・・・・・アライメント基板
。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名7ア
ラ4メジH4又
Claims (1)
- 半導体レーザ素子と、前記半導体レーザ素子からの光を
集束結像するレンズ系と、前記レンズ系を介した光を入
射される光ファイバーを構成要素とし、前記構成要素を
配置する溝を設けた前記アライメント基板の溝に前記半
導体レーザ素子、レンズ系および光ファイバーを固定し
て同軸上に配列した半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15661586A JPS6312187A (ja) | 1986-07-03 | 1986-07-03 | 半導体レ−ザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15661586A JPS6312187A (ja) | 1986-07-03 | 1986-07-03 | 半導体レ−ザ装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6312187A true JPS6312187A (ja) | 1988-01-19 |
Family
ID=15631601
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15661586A Pending JPS6312187A (ja) | 1986-07-03 | 1986-07-03 | 半導体レ−ザ装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6312187A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02245712A (ja) * | 1989-03-20 | 1990-10-01 | Fujitsu Ltd | オプチカルハイブリッドic用基板 |
JPH04152307A (ja) * | 1990-10-17 | 1992-05-26 | Hitachi Ltd | 光半導体モジュール |
US6443631B1 (en) | 2001-02-20 | 2002-09-03 | Avanti Optics Corporation | Optical module with solder bond |
US6546173B2 (en) | 2001-02-20 | 2003-04-08 | Avanti Optics Corporation | Optical module |
US6546172B2 (en) | 2001-02-20 | 2003-04-08 | Avanti Optics Corporation | Optical device |
WO2002082148A3 (de) * | 2001-04-05 | 2003-10-09 | Unique M O D E Ag | Optisches oder optoelektronisches modul |
-
1986
- 1986-07-03 JP JP15661586A patent/JPS6312187A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02245712A (ja) * | 1989-03-20 | 1990-10-01 | Fujitsu Ltd | オプチカルハイブリッドic用基板 |
JPH04152307A (ja) * | 1990-10-17 | 1992-05-26 | Hitachi Ltd | 光半導体モジュール |
US6443631B1 (en) | 2001-02-20 | 2002-09-03 | Avanti Optics Corporation | Optical module with solder bond |
US6546173B2 (en) | 2001-02-20 | 2003-04-08 | Avanti Optics Corporation | Optical module |
US6546172B2 (en) | 2001-02-20 | 2003-04-08 | Avanti Optics Corporation | Optical device |
WO2002082148A3 (de) * | 2001-04-05 | 2003-10-09 | Unique M O D E Ag | Optisches oder optoelektronisches modul |
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