JPH02245712A - オプチカルハイブリッドic用基板 - Google Patents
オプチカルハイブリッドic用基板Info
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- JPH02245712A JPH02245712A JP6602789A JP6602789A JPH02245712A JP H02245712 A JPH02245712 A JP H02245712A JP 6602789 A JP6602789 A JP 6602789A JP 6602789 A JP6602789 A JP 6602789A JP H02245712 A JPH02245712 A JP H02245712A
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Landscapes
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
光学系部材を備えたオプチカルハイブリッドIC用基板
に関し、 光学系部材単体と℃での製造・調整等が不要な、生産自
動化を容易ならしめる作業性の良好な簡易構造のオプチ
カルハイブリッドIC用基板を提供することを目的とし
、 基板に搭載されるべき光半導体チップを外部の光学系に
結合する光学系部材を具えたオプチカルハイブリッドI
C用基板において、上記光結合用の光学系部材は予め焼
結により基板に一体形成されるよう構成する。
に関し、 光学系部材単体と℃での製造・調整等が不要な、生産自
動化を容易ならしめる作業性の良好な簡易構造のオプチ
カルハイブリッドIC用基板を提供することを目的とし
、 基板に搭載されるべき光半導体チップを外部の光学系に
結合する光学系部材を具えたオプチカルハイブリッドI
C用基板において、上記光結合用の光学系部材は予め焼
結により基板に一体形成されるよう構成する。
本発明は、光半導体チップを外部の種々の光学機器等の
光学系に結合するための光学系部材を備えたオプチカル
ハイブリッドIC用基板に関する。
光学系に結合するための光学系部材を備えたオプチカル
ハイブリッドIC用基板に関する。
近年、光結合用の光学系部材、光半導体チップ、及び駆
動用電子回路の3つの構成要素を1つの基板上に一体化
したオプチカルハイブリッドIC(以下、0HIC)の
研究が活発に行われている。これらの構成要素は別個に
製造されそれぞれ単体で調整等された後に基板、一般に
従来のいわゆる電気ハイブリッドIC用基板に搭載され
る。そして、光学系部材と光半導体チップとは光学的に
、光半導体チップと電子回路とは電気的にそれぞれ接続
・調整され、DHICが出来上がる。
動用電子回路の3つの構成要素を1つの基板上に一体化
したオプチカルハイブリッドIC(以下、0HIC)の
研究が活発に行われている。これらの構成要素は別個に
製造されそれぞれ単体で調整等された後に基板、一般に
従来のいわゆる電気ハイブリッドIC用基板に搭載され
る。そして、光学系部材と光半導体チップとは光学的に
、光半導体チップと電子回路とは電気的にそれぞれ接続
・調整され、DHICが出来上がる。
しかるに、上記光学系部材の単体の製造・調整及び基板
への搭載並びに光半導体チップとの光接続等の作業は、
光半導体チップ及び電子回路を基板に搭載してワイヤボ
ンディングする等の作業と根本的に異なり、機械的な加
工及び光学的な組み立て等の面において高い精度が要求
されるためにその作業は長時間化・複雑化し、このため
この取扱い作業性の悪さがOH1,Cの効果的な生産自
動化等を阻害している。
への搭載並びに光半導体チップとの光接続等の作業は、
光半導体チップ及び電子回路を基板に搭載してワイヤボ
ンディングする等の作業と根本的に異なり、機械的な加
工及び光学的な組み立て等の面において高い精度が要求
されるためにその作業は長時間化・複雑化し、このため
この取扱い作業性の悪さがOH1,Cの効果的な生産自
動化等を阻害している。
以上の点に鑑み本発明においては、上記光学系部材単体
の製造・調整等を不要となし、DHIC製造工程の自動
化を容易ならしめる作業性の良好な簡易構造のオプチカ
ルハイブリッドIC用基板を提供することを課題とする
。
の製造・調整等を不要となし、DHIC製造工程の自動
化を容易ならしめる作業性の良好な簡易構造のオプチカ
ルハイブリッドIC用基板を提供することを課題とする
。
上記課題を解決するために本発明によれば、基板に搭載
されるべき光半導体チップを外部の光学系に結合する光
学系部材を具えたオプチカルハイブリッドIC用基板に
おいて、上記光結合用の光学系部材は予め焼結により基
板に一体形成されることを構成上の特徴とする。
されるべき光半導体チップを外部の光学系に結合する光
学系部材を具えたオプチカルハイブリッドIC用基板に
おいて、上記光結合用の光学系部材は予め焼結により基
板に一体形成されることを構成上の特徴とする。
光学系部材を基板に焼結により予め固定してしまうため
、従来の如く別体で製造・調整して基板に搭載する手間
を省略でき、作業性等が向上し、0旧Cの生産自動化が
容易になる。
、従来の如く別体で製造・調整して基板に搭載する手間
を省略でき、作業性等が向上し、0旧Cの生産自動化が
容易になる。
以下、図示実施例に基づき本発明を説明する。
第1図は本発明に係るオプチカルハイブリッドIC用基
板の一実施例の長手断面図であり、基板1はセラミック
材か°ら成り、この微粉末を金型中で加圧成型後、高温
(1000℃程度)に加熱して焼き固める、いわゆる焼
結法により形成されている。
板の一実施例の長手断面図であり、基板1はセラミック
材か°ら成り、この微粉末を金型中で加圧成型後、高温
(1000℃程度)に加熱して焼き固める、いわゆる焼
結法により形成されている。
この基板1の一端(左端)の隆起部2には、光が通過す
る開孔3が形成され、開孔3の略中夫には球状の光結合
用のレンズ4が埋め込まれている。
る開孔3が形成され、開孔3の略中夫には球状の光結合
用のレンズ4が埋め込まれている。
このレンズ4は基板1を焼結する前に予め開孔3に埋め
込まれ、従って焼結時にはレンズ4の両側の開孔周壁が
内側に盛り上がり、焼結後にはレンズ4は開孔3内に極
めて堅固に固定される。なお、レンズ4はこの焼結温度
で融解しない例えばサファイアで形成される。
込まれ、従って焼結時にはレンズ4の両側の開孔周壁が
内側に盛り上がり、焼結後にはレンズ4は開孔3内に極
めて堅固に固定される。なお、レンズ4はこの焼結温度
で融解しない例えばサファイアで形成される。
基板1上の領域5及び6は光半導体チップ(図示せず)
及び電子回路部品(図示せず)がそれぞれ搭載される部
分であり、金(Au)メツキ等の表面処理後に回路パタ
ーン5a= 6aが形成される。
及び電子回路部品(図示せず)がそれぞれ搭載される部
分であり、金(Au)メツキ等の表面処理後に回路パタ
ーン5a= 6aが形成される。
以上のように、予め光結合用のレンズ4を基板1に埋め
込んで焼結により頑強に固定し、基板1と一体形成して
おくため、従来のような光学系単体の製造・調整等が不
要であり、またその一体性からその後の取扱い等が極め
て容易となり、自動化を行い易い。また、レンズ4の固
定が簡易且つ確実に行えその固定信頼性も高いため、本
基板1を用いることにより信頼性の高いより小型の0)
IIC実現が可能となる。そして、以下にその製造工程
を詳説するが、本基板1が極めて製造容易であるために
、その製造コストの低減を良好に果すことができる。
込んで焼結により頑強に固定し、基板1と一体形成して
おくため、従来のような光学系単体の製造・調整等が不
要であり、またその一体性からその後の取扱い等が極め
て容易となり、自動化を行い易い。また、レンズ4の固
定が簡易且つ確実に行えその固定信頼性も高いため、本
基板1を用いることにより信頼性の高いより小型の0)
IIC実現が可能となる。そして、以下にその製造工程
を詳説するが、本基板1が極めて製造容易であるために
、その製造コストの低減を良好に果すことができる。
ここで、本基板1の実際の製造工程について詳細に説明
すると、第2図を参照するに、先ず焼結前の軟らかい粘
土状のセラミック材を所定形状に一次成形しくステップ
201) 、サファイア製の球状のレンズ4を埋め込む
(ステップ203)。そして、これを焼結して焼き固め
る(ステップ205)。これにより、前述の如くレンズ
4は基板1に一体的に強固に固着される。次いで、この
焼結後の基板1の二次加工を行う(ステップ207)。
すると、第2図を参照するに、先ず焼結前の軟らかい粘
土状のセラミック材を所定形状に一次成形しくステップ
201) 、サファイア製の球状のレンズ4を埋め込む
(ステップ203)。そして、これを焼結して焼き固め
る(ステップ205)。これにより、前述の如くレンズ
4は基板1に一体的に強固に固着される。次いで、この
焼結後の基板1の二次加工を行う(ステップ207)。
すなわち、基板1の光半導体チップ搭載部5に光半導体
チップを搭載したときにレンズ4とこれとの光軸が一致
するようにするため、搭載部5を研摩して高さ出しを行
う。これは、例えば赤色のヘリウム・ネオン(leNe
)レーザをレンズ4に照射して搭載部5に集光せしめ、
この高さになるように研摩を行って高さ方向に追い込ん
でいけばよい。次いで、光半導体チップ搭載部5及び電
子回路部品搭載部6を例えば金(Au)メツキで表面処
理を行い(ステンブ209)、さらに回路パターンを成
形する(ステップ211)。この後、所定の検査を行う
(ステップ213)ことにより本実施例の基板1が完成
する。以後、本基板1には光半導体や電子回路部品が搭
載され、ワイヤボンディング等がなされ、0)11cが
出来上がる。
チップを搭載したときにレンズ4とこれとの光軸が一致
するようにするため、搭載部5を研摩して高さ出しを行
う。これは、例えば赤色のヘリウム・ネオン(leNe
)レーザをレンズ4に照射して搭載部5に集光せしめ、
この高さになるように研摩を行って高さ方向に追い込ん
でいけばよい。次いで、光半導体チップ搭載部5及び電
子回路部品搭載部6を例えば金(Au)メツキで表面処
理を行い(ステンブ209)、さらに回路パターンを成
形する(ステップ211)。この後、所定の検査を行う
(ステップ213)ことにより本実施例の基板1が完成
する。以後、本基板1には光半導体や電子回路部品が搭
載され、ワイヤボンディング等がなされ、0)11cが
出来上がる。
なふ、本実施例においては球状のレンズ4を用いている
が、本発明自体は何らこれに制限されず、円筒状、凸状
、凹状、非球面状等の様々のレンズを用いる場合にも適
用できる。
が、本発明自体は何らこれに制限されず、円筒状、凸状
、凹状、非球面状等の様々のレンズを用いる場合にも適
用できる。
また、光結合用のレンズを介さないで例えば光ファイバ
を直接的に光半導体チップに光結合する場合があるが、
本発明はこのような場合にも適用可能である。すなわち
、そのような場合には光ファイバの端部にこれを保持す
るフェルールが取り付けられるので、第1図のレンズ4
の代わりにこれと同様の材質のフェルール14を焼結前
に埋め込んでおき、これをレンズ4と同様に焼結により
基板1に対して一体的に固定すればよい(第3図)。
を直接的に光半導体チップに光結合する場合があるが、
本発明はこのような場合にも適用可能である。すなわち
、そのような場合には光ファイバの端部にこれを保持す
るフェルールが取り付けられるので、第1図のレンズ4
の代わりにこれと同様の材質のフェルール14を焼結前
に埋め込んでおき、これをレンズ4と同様に焼結により
基板1に対して一体的に固定すればよい(第3図)。
これにより、光ファイバ16をフェルール14の光フア
イバ保持用の貫通孔14aに装着するのみで、これと後
に基板1に搭載されるべき光半導体チップとの光接続を
簡便且つ確実に行える。そして、このような基板1によ
りその後の自動化が極めて容易に行われ得ることは上記
実施例と同様である。
イバ保持用の貫通孔14aに装着するのみで、これと後
に基板1に搭載されるべき光半導体チップとの光接続を
簡便且つ確実に行える。そして、このような基板1によ
りその後の自動化が極めて容易に行われ得ることは上記
実施例と同様である。
さらに、従来であれば第5図に示すような電極21にボ
ンディングワイヤ22等で接続された光半導体チップ2
3を具えたキャリア24と所定の光学機器等とを接続す
る場合にも同様に光結合用の光学系部材の単体調整等の
煩わしさがあったが、本発明の思想を同様に適用し、第
4図に示す更に別の実施例の如く、キャリア31自体に
光学系部材(この場合、レンズ32)を予め一体的に焼
結により固定しておけば、従来の不都合は一掃でき、取
扱い上極めて良好なものとすることができる。
ンディングワイヤ22等で接続された光半導体チップ2
3を具えたキャリア24と所定の光学機器等とを接続す
る場合にも同様に光結合用の光学系部材の単体調整等の
煩わしさがあったが、本発明の思想を同様に適用し、第
4図に示す更に別の実施例の如く、キャリア31自体に
光学系部材(この場合、レンズ32)を予め一体的に焼
結により固定しておけば、従来の不都合は一掃でき、取
扱い上極めて良好なものとすることができる。
なお、第4図に示すキャリア31も所定の電極パターン
21を有するので本発明で言う0HICの一形態として
とらえることができる。
21を有するので本発明で言う0HICの一形態として
とらえることができる。
以上の如く本発明によれば、光学系部材単体としての製
造・調整等が不要となり、基板の取扱い性が向上し、そ
の後の自動化等が容易になる。
造・調整等が不要となり、基板の取扱い性が向上し、そ
の後の自動化等が容易になる。
第1図は本発明に係るオプチカルハイブリッドIC用基
板の一実施例の長手断面図、 第2図は第1図の基板の製造工程を示すブロック図、 第3図は別の実施例の長手断面図、 第4図は更に別の実施例の斜視図、 第5図は従来のキャリアの斜視図である。 1・・・基板、 4・・・レンズ、5・・
・光半導体チップ搭載部、 5a、(ia・・・回路)<ターン、 6・・・電子回路部品搭載部、 14・・・フェルール。 製造工程図 第2図
板の一実施例の長手断面図、 第2図は第1図の基板の製造工程を示すブロック図、 第3図は別の実施例の長手断面図、 第4図は更に別の実施例の斜視図、 第5図は従来のキャリアの斜視図である。 1・・・基板、 4・・・レンズ、5・・
・光半導体チップ搭載部、 5a、(ia・・・回路)<ターン、 6・・・電子回路部品搭載部、 14・・・フェルール。 製造工程図 第2図
Claims (1)
- 1、基板に搭載されるべき光半導体チップを外部の光学
系に結合する光学系部材(4、14)を具えたオプチカ
ルハイブリッドIC用基板において、上記光結合用の光
学系部材(4、14)は予め焼結により基板(1)に一
体形成されることを特徴とするオプチカルハイブリッド
IC用基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6602789A JPH02245712A (ja) | 1989-03-20 | 1989-03-20 | オプチカルハイブリッドic用基板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6602789A JPH02245712A (ja) | 1989-03-20 | 1989-03-20 | オプチカルハイブリッドic用基板 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02245712A true JPH02245712A (ja) | 1990-10-01 |
Family
ID=13304022
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6602789A Pending JPH02245712A (ja) | 1989-03-20 | 1989-03-20 | オプチカルハイブリッドic用基板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02245712A (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5957212A (ja) * | 1982-09-28 | 1984-04-02 | Fujitsu Ltd | 光信号結合用レンズ |
JPS6312187A (ja) * | 1986-07-03 | 1988-01-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
-
1989
- 1989-03-20 JP JP6602789A patent/JPH02245712A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5957212A (ja) * | 1982-09-28 | 1984-04-02 | Fujitsu Ltd | 光信号結合用レンズ |
JPS6312187A (ja) * | 1986-07-03 | 1988-01-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
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