JPH08288591A - ピン嵌合型光モジュール - Google Patents
ピン嵌合型光モジュールInfo
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- JPH08288591A JPH08288591A JP8541995A JP8541995A JPH08288591A JP H08288591 A JPH08288591 A JP H08288591A JP 8541995 A JP8541995 A JP 8541995A JP 8541995 A JP8541995 A JP 8541995A JP H08288591 A JPH08288591 A JP H08288591A
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- JP
- Japan
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- semiconductor element
- carrier
- optical
- optical semiconductor
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- Pending
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 光導波路チップ11を搭載した支持体13と光半
導体素子17を搭載した基体19とを、ガイドピン33により
位置決めして結合するタイプのピン嵌合型光モジュール
において、光半導体素子17をキャリア35に搭載し、その
キャリア35を基体19に形成した溝37に嵌め込んで固定し
たもの。 【効果】 光半導体素子を搭載するキャリアと、キャリ
アを嵌め込み固定する基体とを別個に製作できるため、
工程を並列化することが可能であり、しかも光半導体素
子とキャリア、キャリアと基体の位置決めも容易であ
る。したがって量産性に優れ、コスト低減を図ることが
できる。
導体素子17を搭載した基体19とを、ガイドピン33により
位置決めして結合するタイプのピン嵌合型光モジュール
において、光半導体素子17をキャリア35に搭載し、その
キャリア35を基体19に形成した溝37に嵌め込んで固定し
たもの。 【効果】 光半導体素子を搭載するキャリアと、キャリ
アを嵌め込み固定する基体とを別個に製作できるため、
工程を並列化することが可能であり、しかも光半導体素
子とキャリア、キャリアと基体の位置決めも容易であ
る。したがって量産性に優れ、コスト低減を図ることが
できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光導波路チップと光半
導体素子とを接続した光モジュールに関するものであ
る。
導体素子とを接続した光モジュールに関するものであ
る。
【０００２】
【従来技術】光導波路チップと光半導体素子（レーザー
ダイオード等）を接続するには、高度の精密実装技術が
必要となる。このため従来は、光導波路チップの一部に
光半導体素子搭載用の台座を形成し、その上に光半導体
素子を載置した後、光半導体素子を発振させて光導波路
からの出射光をモニターしながら光強度が最大になると
ころで光半導体素子を光導波路チップ上に固定する方法
がとられてきた。
ダイオード等）を接続するには、高度の精密実装技術が
必要となる。このため従来は、光導波路チップの一部に
光半導体素子搭載用の台座を形成し、その上に光半導体
素子を載置した後、光半導体素子を発振させて光導波路
からの出射光をモニターしながら光強度が最大になると
ころで光半導体素子を光導波路チップ上に固定する方法
がとられてきた。
【０００３】しかしこの方法は、光導波路チップに光半
導体素子搭載用の台座を形成する加工が必要なため工程
が複雑化すること、調芯しながらの位置決めに時間がか
かること等から経済性、量産性が低い。
導体素子搭載用の台座を形成する加工が必要なため工程
が複雑化すること、調芯しながらの位置決めに時間がか
かること等から経済性、量産性が低い。
【０００４】そこで光半導体素子を光導波路チップとは
別の基体に搭載し、その基体と光導波路チップとを適当
な位置決め手段により調芯作業なしで接続することが検
討されている。
別の基体に搭載し、その基体と光導波路チップとを適当
な位置決め手段により調芯作業なしで接続することが検
討されている。
【０００５】その一例を図５および図６に示す。図５は
光モジュール全体の斜視図、図６はその一部の斜視図で
ある。図において、１１は光導波路チップ、１３は光導
波路チップ１１の支持体、１５は支持体１３に形成され
た２本の平行なピン穴である。また１７は光半導体素
子、１９は光半導体素子１７を搭載した基体、２１は基
体１９に被せられるカバー、２３はカバー２１の下面中
央部に形成された収納溝、２５は基体１９上面のＶ溝と
カバー２１下面のＶ溝によって形成された２本の平行な
ピン穴である。さらに２７はテープ状の光ファイバ心
線、２９は光ファイバ心線２７の端部に取り付けられた
光コネクタ、３１は光コネクタ２９に形成された２本の
平行なピン穴である。
光モジュール全体の斜視図、図６はその一部の斜視図で
ある。図において、１１は光導波路チップ、１３は光導
波路チップ１１の支持体、１５は支持体１３に形成され
た２本の平行なピン穴である。また１７は光半導体素
子、１９は光半導体素子１７を搭載した基体、２１は基
体１９に被せられるカバー、２３はカバー２１の下面中
央部に形成された収納溝、２５は基体１９上面のＶ溝と
カバー２１下面のＶ溝によって形成された２本の平行な
ピン穴である。さらに２７はテープ状の光ファイバ心
線、２９は光ファイバ心線２７の端部に取り付けられた
光コネクタ、３１は光コネクタ２９に形成された２本の
平行なピン穴である。
【０００６】この光モジュールは、それぞれのピン穴１
５、２５、３１あるいはピン穴１５と２５、ピン穴１５
と３１に跨がるようにガイドピン３３を嵌合すると、光
導波路チップ１１と光半導体素子１７、光導波路チップ
１１と光ファイバ心線２７の光軸が一致し、その状態で
それぞれ部品を結合できるものである。
５、２５、３１あるいはピン穴１５と２５、ピン穴１５
と３１に跨がるようにガイドピン３３を嵌合すると、光
導波路チップ１１と光半導体素子１７、光導波路チップ
１１と光ファイバ心線２７の光軸が一致し、その状態で
それぞれ部品を結合できるものである。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし従来のピン嵌合
型光モジュールは、図６に示すように光半導体素子１７
を基体１９の表面に直接実装する構造であるため、光半
導体素子を基体に実装する時に高精度の位置決めが要求
され、実装作業が難しい。また実装後に基体の加工を行
うと光半導体素子を破損する可能性が高いので、端面研
磨などの基体の加工がすべて終了してから光半導体素子
を実装しなければならないことや、基体表面に光半導体
素子用の電極を形成しなければならないこと等から、工
程が多く、量産性がわるいという問題がある。
型光モジュールは、図６に示すように光半導体素子１７
を基体１９の表面に直接実装する構造であるため、光半
導体素子を基体に実装する時に高精度の位置決めが要求
され、実装作業が難しい。また実装後に基体の加工を行
うと光半導体素子を破損する可能性が高いので、端面研
磨などの基体の加工がすべて終了してから光半導体素子
を実装しなければならないことや、基体表面に光半導体
素子用の電極を形成しなければならないこと等から、工
程が多く、量産性がわるいという問題がある。
【０００８】本発明の目的は、光半導体素子の基体への
搭載を容易に行える量産性に優れたピン嵌合型光モジュ
ールを提供することにある。
搭載を容易に行える量産性に優れたピン嵌合型光モジュ
ールを提供することにある。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】この目的を達成するた
め本発明は、光導波路チップを搭載した支持体と光半導
体素子を搭載した基体とを、ガイドピンにより位置決め
して結合するタイプのピン嵌合型光モジュールにおい
て、前記光半導体素子をキャリアに搭載し、そのキャリ
アを前記基体に形成した溝に嵌め込んで固定したことを
特徴とするものである。
め本発明は、光導波路チップを搭載した支持体と光半導
体素子を搭載した基体とを、ガイドピンにより位置決め
して結合するタイプのピン嵌合型光モジュールにおい
て、前記光半導体素子をキャリアに搭載し、そのキャリ
アを前記基体に形成した溝に嵌め込んで固定したことを
特徴とするものである。
【００１０】また前記キャリアは、その表面に、光半導
体素子の電極を接続する電極パターンを形成したもので
あることが望ましい。
体素子の電極を接続する電極パターンを形成したもので
あることが望ましい。
【００１１】
【作用】本発明に使用するキャリアは、光半導体素子を
搭載するだけの部材であるから、光半導体素子を搭載し
た後または搭載する前に精密加工をすればよく、光半導
体素子をキャリアに固定する際に精密な位置合わせは不
要である。またキャリアを嵌め込む基体側の溝はピン嵌
合用のＶ溝と同様に精密に形成することは容易である。
したがって半導体素子を搭載したキャリアを基体の溝に
嵌め込み固定するだけで、高精度の組立てを行うことが
でき、量産性に優れている。
搭載するだけの部材であるから、光半導体素子を搭載し
た後または搭載する前に精密加工をすればよく、光半導
体素子をキャリアに固定する際に精密な位置合わせは不
要である。またキャリアを嵌め込む基体側の溝はピン嵌
合用のＶ溝と同様に精密に形成することは容易である。
したがって半導体素子を搭載したキャリアを基体の溝に
嵌め込み固定するだけで、高精度の組立てを行うことが
でき、量産性に優れている。
【００１２】またキャリアの表面に上記のような電極パ
ターンを形成しておけば、キャリア上に光半導体素子を
実装する時に、光半導体素子と電極パターンの電気的接
続を行うことができ、さらにキャリアを基体に固定した
後に、前記電極パターンと光半導体素子駆動回路との電
気的接続を行うことができるので、組立てがさらに容易
になる。
ターンを形成しておけば、キャリア上に光半導体素子を
実装する時に、光半導体素子と電極パターンの電気的接
続を行うことができ、さらにキャリアを基体に固定した
後に、前記電極パターンと光半導体素子駆動回路との電
気的接続を行うことができるので、組立てがさらに容易
になる。
【００１３】
〔実施例１〕図１および図２は本発明の第１の実施例を
示す。図１および図２において、先に説明した図５およ
び図６と同一部分には同一符号を付してある。このピン
嵌合型光モジュールは、光導波路チップ１１を搭載した
支持体１３とレーザーダイオード等の光半導体素子１７
を搭載した基体１９とを、ガイドピン３３により位置決
めして結合するという点では、従来の光モジュールと同
様である。また光導波路チップ１１を搭載した支持体１
３の構造も従来と同様である。
示す。図１および図２において、先に説明した図５およ
び図６と同一部分には同一符号を付してある。このピン
嵌合型光モジュールは、光導波路チップ１１を搭載した
支持体１３とレーザーダイオード等の光半導体素子１７
を搭載した基体１９とを、ガイドピン３３により位置決
めして結合するという点では、従来の光モジュールと同
様である。また光導波路チップ１１を搭載した支持体１
３の構造も従来と同様である。
【００１４】この光モジュールの特徴は、光半導体素子
１７をキャリア３５に搭載し、そのキャリア３５を基体
１９に形成した溝３７に嵌め込んで固定したことであ
る。基体の溝３７はキャリア３５を精密嵌合できる寸法
に形成されている。またキャリア３５の表面には、光半
導体素子１７の電極を接続する電極パターン３９が形成
されている。
１７をキャリア３５に搭載し、そのキャリア３５を基体
１９に形成した溝３７に嵌め込んで固定したことであ
る。基体の溝３７はキャリア３５を精密嵌合できる寸法
に形成されている。またキャリア３５の表面には、光半
導体素子１７の電極を接続する電極パターン３９が形成
されている。
【００１５】この光モジュールの組立てに際しては、ま
ず光半導体素子１７をキャリア３５に実装する。この時
の位置決め精度はラフでよく、実装後にキャリア３５を
ドライエッチング等により精密加工して精度を出す。光
半導体素子１７の電極は実装時に電極パターン３９に電
気的に接続される。
ず光半導体素子１７をキャリア３５に実装する。この時
の位置決め精度はラフでよく、実装後にキャリア３５を
ドライエッチング等により精密加工して精度を出す。光
半導体素子１７の電極は実装時に電極パターン３９に電
気的に接続される。
【００１６】一方、基体１９とカバー２１はＶ溝２５
Ａ、２５Ｂでガイドピン３３を挟んだ状態で接着され
る。このあと基体１９の溝３７に、光半導体素子１７を
搭載したキャリア３５が嵌め込まれる。キャリア３５は
光半導体素子１７と基体１９の端面が一致したところで
接着剤等により基体１９に固定される。その後、ガイド
ピン３３を、光導波路チップ１１を搭載した支持体１３
のピン穴１５に挿入すれば、光導波路チップ１１と光半
導体素子１７が光軸を一致させた状態で接続される。
Ａ、２５Ｂでガイドピン３３を挟んだ状態で接着され
る。このあと基体１９の溝３７に、光半導体素子１７を
搭載したキャリア３５が嵌め込まれる。キャリア３５は
光半導体素子１７と基体１９の端面が一致したところで
接着剤等により基体１９に固定される。その後、ガイド
ピン３３を、光導波路チップ１１を搭載した支持体１３
のピン穴１５に挿入すれば、光導波路チップ１１と光半
導体素子１７が光軸を一致させた状態で接続される。
【００１７】基体１９およびキャリア３５の材質は特に
制限されないが、光半導体素子１７のヒートシンクとし
ての役割をも果たすためには熱伝導性の良好な材料を使
用することが望ましく、例えば銅、シリコン、ダイヤモ
ンド、窒化アルミ等を使用することができる。またキャ
リア３５の断面は図面では長方形としたが、他の形状で
あってもよい。また光導波路チップ１１の支持体１３の
材質は例えばプラスチックであるが、金属またはセラミ
ック等とすることもできる。
制限されないが、光半導体素子１７のヒートシンクとし
ての役割をも果たすためには熱伝導性の良好な材料を使
用することが望ましく、例えば銅、シリコン、ダイヤモ
ンド、窒化アルミ等を使用することができる。またキャ
リア３５の断面は図面では長方形としたが、他の形状で
あってもよい。また光導波路チップ１１の支持体１３の
材質は例えばプラスチックであるが、金属またはセラミ
ック等とすることもできる。
【００１８】〔実施例２〕図３は本発明の第２の実施例
を示す。この実施例は、外形精度を出したキャリア３５
の前端に、光半導体素子を精密嵌合する寸法の凹部４１
を形成し、その凹部４１に光半導体素子１７を嵌め込ん
で固定したものである。このようにすればキャリア３５
と光半導体素子１７の位置決めを正確かつ容易に行え
る。上記以外の構成は実施例１と同じであるので、図
示、説明を省略する。
を示す。この実施例は、外形精度を出したキャリア３５
の前端に、光半導体素子を精密嵌合する寸法の凹部４１
を形成し、その凹部４１に光半導体素子１７を嵌め込ん
で固定したものである。このようにすればキャリア３５
と光半導体素子１７の位置決めを正確かつ容易に行え
る。上記以外の構成は実施例１と同じであるので、図
示、説明を省略する。
【００１９】〔実施例３〕図４は本発明の第３の実施例
を示す。この実施例は、外形精度を出したキャリア３５
の光半導体素子搭載部に高精度位置決め用のマーカー４
３を設け、光半導体素子１７にもそれに対応するマーカ
ー４５を設けて、このマーカー４３、４５を基準にして
光半導体素子１７の実装を行うようにしたものである。
を示す。この実施例は、外形精度を出したキャリア３５
の光半導体素子搭載部に高精度位置決め用のマーカー４
３を設け、光半導体素子１７にもそれに対応するマーカ
ー４５を設けて、このマーカー４３、４５を基準にして
光半導体素子１７の実装を行うようにしたものである。
【００２０】マーカー４３、４５の形状は特に制限され
ないが、マーカー４３、４５はキャリア３５側も光半導
体素子１７側も表面の電極パターンの形成と同時に形成
するのが簡単である。またその際、光半導体素子および
キャリアを透過するモニター光を使用すると、光半導体
素子搭載時にその場で位置合わせが可能となる。上記以
外の構成は実施例１と同じであるので、図示、説明を省
略する。
ないが、マーカー４３、４５はキャリア３５側も光半導
体素子１７側も表面の電極パターンの形成と同時に形成
するのが簡単である。またその際、光半導体素子および
キャリアを透過するモニター光を使用すると、光半導体
素子搭載時にその場で位置合わせが可能となる。上記以
外の構成は実施例１と同じであるので、図示、説明を省
略する。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように本発明のピン嵌合型
光モジュールは、光半導体素子を搭載するキャリアと、
キャリアを嵌め込み固定する基体とを別個に製作できる
ため、工程を並列化することが可能であり、しかも光半
導体素子とキャリア、キャリアと基体の位置決めも容易
である。したがって量産性に優れ、コスト低減を図るこ
とができる。
光モジュールは、光半導体素子を搭載するキャリアと、
キャリアを嵌め込み固定する基体とを別個に製作できる
ため、工程を並列化することが可能であり、しかも光半
導体素子とキャリア、キャリアと基体の位置決めも容易
である。したがって量産性に優れ、コスト低減を図るこ
とができる。
【図１】 本発明のピン嵌合型光モジュールの第１実施
例を示す斜視図。
例を示す斜視図。
【図２】 図１の光モジュールの光半導体素子側の部品
の分解斜視図。
の分解斜視図。
【図３】 本発明の第２実施例の要部を示す斜視図。
【図４】 本発明の第３実施例の要部を示す斜視図。
【図５】 従来のピン嵌合型光モジュールを示す斜視
図。
図。
【図６】 図５の光モジュールの光半導体素子側の部品
の斜視図。
の斜視図。
１１：光導波路チップ １３：支持体 １５：ピン穴 １７：光半導体素子 １９：基体 ２１：カバー ２５Ａ、２５Ｂ：Ｖ溝 ３３：ガイドピン ３５：キャリア ３７：溝 ３９：電極パターン ４１：凹部 ４３、４５：マーカー
Claims (2)
- 【請求項１】光導波路チップ（１１）を搭載した支持体
（１３）と光半導体素子（１７）を搭載した基体（１
９）とを、ガイドピン（３３）により位置決めして結合
するタイプのピン嵌合型光モジュールにおいて、前記光
半導体素子（１７）をキャリア（３５）に搭載し、その
キャリア（３５）を前記基体（１９）に形成した溝（３
７）に嵌め込んで固定したことを特徴とするピン嵌合型
光モジュール。 - 【請求項２】キャリア（３５）の表面に、光半導体素子
（１７）の電極を接続する電極パターン（３９）が形成
されていることを特徴とする請求項１に記載のピン嵌合
型光モジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8541995A JPH08288591A (ja) | 1995-04-11 | 1995-04-11 | ピン嵌合型光モジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8541995A JPH08288591A (ja) | 1995-04-11 | 1995-04-11 | ピン嵌合型光モジュール |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08288591A true JPH08288591A (ja) | 1996-11-01 |
Family
ID=13858303
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8541995A Pending JPH08288591A (ja) | 1995-04-11 | 1995-04-11 | ピン嵌合型光モジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08288591A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6130979A (en) * | 1997-07-14 | 2000-10-10 | Mitel Semiconductor Ab | Opto-electronic module |
-
1995
- 1995-04-11 JP JP8541995A patent/JPH08288591A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6130979A (en) * | 1997-07-14 | 2000-10-10 | Mitel Semiconductor Ab | Opto-electronic module |
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