JPS63121655A - 膜形成装置 - Google Patents

膜形成装置

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JPS63121655A
JPS63121655A JP26625386A JP26625386A JPS63121655A JP S63121655 A JPS63121655 A JP S63121655A JP 26625386 A JP26625386 A JP 26625386A JP 26625386 A JP26625386 A JP 26625386A JP S63121655 A JPS63121655 A JP S63121655A
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Japan
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shutter
holder
substrate
ion
film forming
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JP26625386A
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Junichi Tatemichi
潤一 立道
Masahiro Tanii
正博 谷井
Yasunori Ando
靖典 安東
Kiyoshi Ogata
潔 緒方
Satoshi Muramatsu
智 村松
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Nissin Electric Co Ltd
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Nissin Electric Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 この発明は、イオンビーム照射と真空蒸着を併用して基
板表面に膜を形成する膜形成装置に関し、特にそのシャ
ッターの改良に関する。
〈従来の技術〉 この種膜形成装置としては、単一のイオン源と、単一の
蒸発源とを用いて、イオンビーム照射と真空蒸着とを同
時もしくは、交互に行うようにしたものがある。
近年、この種膜形成過程において、例えば、真空蒸着と
同時に低エネルギーでイオンビームを照射した後に、高
エネルギーでイオンビームを照射することが試みられて
いる。
この種装置としては、例えば第5図に示す如く、真空容
器1内に基板2を保持するホルダ6が設けられ、ホルダ
6の矢印Aのような回転中心に対してほぼ左右対称な所
に、相対的に高エネルギー(例えば1KeV〜50 K
eV程度の範囲)のイオンビーム41を発生し得る高エ
ネルギーイオン瀬4と、相対的に低エネルギー(例えば
5QeV〜1に6V程度の範囲)のイオンビーム51を
発生し得る低エネルギーイオン源5とがそれぞれ斜め下
方からホルダ6の方に向けて配置されている。
ホルダ6はホルダ駆動装置9に取り付けられており、当
該ホルダ駆動装置9は、ホルダ6を矢印Aのように回転
させてそこに保持された基板2の表面の向きを高エネル
ギーイオン源4側と低エネルギーイオン源5側とに変更
できる機能や、ホルダ6を矢印Bのように回転させて基
板2をその面内で回転させる機能等を有し、各イオンビ
ームの入射角が任意に設定できるように形成されている
更に、真空容器1内のホルダ6の下方であってホルダ3
の矢印人のような回転中心に対してほぼ左右対称な所に
、蒸発物質61および71をそれぞれ発生し得る2台の
蒸発源6および7がそれぞれ配置されており、前者は高
エネルギーイオン源4側に向けられた基板2の表面の方
に、後者は低エネルギーイオン源5側に向けられた基板
2の表面の方にそれぞれ向くようにされている。
そして、基板2に入射する高エネルギーのイオンビーム
41、低エネルギーのイオンビーム51、蒸発物質61
および蒸発物質71等を断続するシャッター8がホルダ
3と高エネルギーイオン源4、低エネルギーイオン源5
、蒸発源6および蒸発源7の間に介在して設けられてい
る。このシャッター、8の構造は第6図に示すように、
平板状の遮蔽板82′にビームパワーおよび蒸発源から
の輻射熱による温度−ヒ昇を低くするため冷却パイプ8
7がロー付けにより固着されている。この冷却ノ(イブ
87はパイプ状のアーム88の中を挿通して真空容器1
の外部に導出されており、内部に冷却水や冷却ガス等か
らなる冷却媒体が循環するようにされている。そして、
シャッター8は第4図の平面断面図に示すように、真空
容器1の外部に設けられたシャッター駆動装置(図示せ
ず)によって矢印の方向に平行移動して開閉がなされる
〈発明が解決しようとする問題点〉 ところが、このような構成によれば、シャッター8を平
板状にして基板2に入射する高エネルギーのイオンビー
ム41、低エネルギーのイオンビーム51、蒸発物質6
1および蒸発物質71等を遮蔽するには第6図にて示す
シャッター8の幅寸法Wがかなり大きなものとなる。シ
ャッター8の幅寸法Wが大きくなるとvK4図の平面断
面図に示すように、真空容器1の直径寸法りが大きくな
る。
また、矢印の方向にシャッター8を開閉すると、第6図
に示す遮蔽板82′の両端が上下方向に揺動するため、
支持金具86にねじれの力が加わることから支持金具8
6は強固なものが必要で、材料が大きくなる。更に、真
空容器1の直径寸法りが大きくなるとシャッターのアー
ム88が長くなることからアーム88は強固なものが必
要で、材料が大きくなる等の問題がある。
〈問題点を解決するための手段〉 本発明の膜形成装置は、シャッターを複数のイオン源に
それぞれ向かい合う面を擁するものにすることを特徴と
する。
〈作用〉 シャッターの形状を複数のイオン源にそれぞれ向かい合
う面を擁するものにすると、その両端は折り曲げた形に
なることから、シャッターの幅寸法は小さいものになる
〈実施例〉 第1図はこの発明の一実施例に係る膜形成装置を示す概
略図であり、第5図と同等部分は同一符号を付している
第1図に示すように、シャッター8の両端を折り曲げ、
その折り曲げた面を複数のイオン源、例えば、高エネル
ギーイオン源4および低エネルギーイオン源5にそれぞ
れ向かい合うようにする。
このようにすると、第2図にて示すシャッター8の幅寸
法Wは、第6図にて示すシャッター8の幅寸法Wよりも
小さなものとなる。シャッター8の幅寸法Wが小さくな
ると第6図の平面断面図に示すように、真空容器1の直
径寸法りは第4図にて示す真空容器1の直径寸法りより
も小さなものとなる。シャッター8の幅寸法Wおよび真
空容器1の直径寸法りが小さくなると、第2図のシャッ
ター8の支持金具86およびアーム88は第6図に示す
平板状のものに比較して強度的に負担が軽くなり使用す
る材料が小さなものとなる。
尚、第2図に示すようにシャッター8の構成を、取付板
81と遮蔽板82、遮蔽板86、遮蔽板84の組み合せ
構造にし、且つ、遮蔽板82乃至84を例えばボルト8
5等により着脱自在に取付けると、異質の膜を形成する
とき遮蔽板に前の物質が付着していて、これが不純物と
なって後の成膜に悪影響を及ぼすことより、これを取り
除く作業に際して、これら遮蔽板82乃至84が容易に
取りはずせるため便利である。更に、取付板81に例え
ば熱伝導率および機−m叩工性が良好な銅を用い、冷却
パイプ87に例えばS;祈f1rJf−性力嗅好で熱伝
導率も比校的良好なステンレスを用い、遮蔽板82乃至
84に例えばスパッタ率が低いモリブデンまたはタンタ
ルを用いると、シャッター全体として熱伝導率の良好な
スパッタ率の低いものとなるため、シャッターの冷却効
果を大きく、また、真空容器内の汚れを少なくすること
が出来る。
〈発明の効果〉 以上のようにこの発明によれば、シャッターの幅寸法が
小さくなることより、真空容器の直径寸法を小さくする
ことが出来、更にシャッターの支持金具およびアームの
材料も小さくすることが出来るので装置として小型にな
り経済的である。
【図面の簡単な説明】
第1図は、この発明の一実施例に係る膜形成装置を示す
概略図で、第2図はそのシャッタ一部分の詳細図、第6
図は第1図の平面断面図を示す。 第5図は、従来例の膜形成装置を示す概略図で、第6図
はそのシャッタ一部分の詳細図、第4図は第5図の平面
断面図を示す。 1・・・真空容器、2・・・基板、6・・・ホルダ、4
・・・高エネルギーイオン源、41・・・高エネルギー
のイオンビーム、5・・・低エネルギーイオン源、51
・・・低エネルギーのイオンビーム、6.7.、、蒸発
源、61゜71・・・蒸発物質、8・・・シャッター、
9・・・ホルダ駆動装置。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 真空容器内でイオン源によるイオンビーム照射と蒸発源
    による真空蒸着を併用して基板表面に膜を形成する装置
    において、真空容器内に設けられていて基板を保持可能
    なホルダと、互いに異なる方向からホルダの方に向けら
    れていてイオンビームを発生する複数のイオン源と、1
    台以上の蒸発源と、イオン源にそれぞれ向かい合う面を
    擁し、基板に入射するイオンビームおよび蒸発物質を断
    続する1台のシャッターを備えることを特徴とする膜形
    成装置。
JP26625386A 1986-11-08 1986-11-08 膜形成装置 Expired - Fee Related JPH0733571B2 (ja)

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JPS63121655A true JPS63121655A (ja) 1988-05-25
JPH0733571B2 JPH0733571B2 (ja) 1995-04-12

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4942063A (en) * 1989-04-20 1990-07-17 North American Philips Corporation Method for controlling the thickness distribution of an interference filter
US4982695A (en) * 1989-04-20 1991-01-08 North American Philips Corporation Method and apparatus for controlling the thickness distribution of an interference filter

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4942063A (en) * 1989-04-20 1990-07-17 North American Philips Corporation Method for controlling the thickness distribution of an interference filter
US4982695A (en) * 1989-04-20 1991-01-08 North American Philips Corporation Method and apparatus for controlling the thickness distribution of an interference filter

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JPH0733571B2 (ja) 1995-04-12

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