JPS63119038A - 情報記録媒体用原盤の製造方法 - Google Patents
情報記録媒体用原盤の製造方法Info
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- JPS63119038A JPS63119038A JP26388586A JP26388586A JPS63119038A JP S63119038 A JPS63119038 A JP S63119038A JP 26388586 A JP26388586 A JP 26388586A JP 26388586 A JP26388586 A JP 26388586A JP S63119038 A JPS63119038 A JP S63119038A
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Landscapes
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、情報記録媒体の製作時、それに案内溝やマー
カー等の凹凸を設けるために用いられる情報記録媒体用
原盤の製造方法に関する。
カー等の凹凸を設けるために用いられる情報記録媒体用
原盤の製造方法に関する。
従来、情報記録媒体用原盤は、次のように製造されてい
た。即ち、まずガラス盤上に塗布されたフォトレジスト
膜に、レーザビームを用いてパターン形成し、次いで、
これを原型としてニッケル電鋳を通常複数回繰り返えす
ことにより、パターンの転写された電鋳型として製造さ
れていた。
た。即ち、まずガラス盤上に塗布されたフォトレジスト
膜に、レーザビームを用いてパターン形成し、次いで、
これを原型としてニッケル電鋳を通常複数回繰り返えす
ことにより、パターンの転写された電鋳型として製造さ
れていた。
しかし、耐久性が低いことから、特開昭５８−１５８０
５７号あるいは特開昭５８−１０４１９０号で示されて
いる様に、情報記録媒体用原盤本体の表面にＣｒＮ、
ＡＩＮ 、 ＴｉＮ等の高硬度物質の層を設け、耐久性
の向上を図っている。
５７号あるいは特開昭５８−１０４１９０号で示されて
いる様に、情報記録媒体用原盤本体の表面にＣｒＮ、
ＡＩＮ 、 ＴｉＮ等の高硬度物質の層を設け、耐久性
の向上を図っている。
しかし、特開昭５８−１５８０５７号の方法は、耐久性
を十分向上させるため高硬度物質の層を厚くすると、精
度上問題が生ずる。また、特開昭５８−１０４１９０号
の方法は、高硬度物質が被着された母型にメッキし、メ
ッキと共に該物質を剥離して電鋳型を製造するが、該物
質とメッキとを一体化して剥離することが容易でない。
を十分向上させるため高硬度物質の層を厚くすると、精
度上問題が生ずる。また、特開昭５８−１０４１９０号
の方法は、高硬度物質が被着された母型にメッキし、メ
ッキと共に該物質を剥離して電鋳型を製造するが、該物
質とメッキとを一体化して剥離することが容易でない。
更に両者とも、電鋳型の一種であることから型製作に時
間がかかるという欠点があった。
間がかかるという欠点があった。
本発明は、情報記録媒体用原盤の本体の一部に硬質薄膜
を用いる等の手法を採用することにより、型全体として
の耐久性の向上と製作時間の短縮化を図り、しかも上述
従来例のような種々の欠点を取り除いた情報記録媒体用
原盤の製造方法を提供することにある。
を用いる等の手法を採用することにより、型全体として
の耐久性の向上と製作時間の短縮化を図り、しかも上述
従来例のような種々の欠点を取り除いた情報記録媒体用
原盤の製造方法を提供することにある。
上記の目的は、基材上に硬質薄膜を成膜し、その上にバ
ターニングされたレジストの層を形成し、次いで、エツ
チング処理し、その後、レジストの層を除去することを
特徴とする、情報記録媒体用原盤の製造方法により達成
できる。
ターニングされたレジストの層を形成し、次いで、エツ
チング処理し、その後、レジストの層を除去することを
特徴とする、情報記録媒体用原盤の製造方法により達成
できる。
以下、本発明を図面を参照して詳細に説明する。
第１図に、本発明の方法の一態様を示す。この態様にお
いては、まず、基材１の上に硬質薄膜２を成膜する［工
程１、図、（Ａ）→（Ｂ）］。基材１の材質としては、
本悪様の最終製品たる情報記録媒体用原盤において要求
される耐久性に、応するだけの強度を備えたものが制限
なく使用できるが、十分な耐久性を獲得するため、でき
るだけその特性が高いものを使用するとよ−い。基板材
質の具体例としては、超硬合金、マルエージング鋼等の
金型用鋼、シリコン、石英が挙げられる。基材１は、必
要なだけ、鏡面研磨し、洗浄して用いる。
いては、まず、基材１の上に硬質薄膜２を成膜する［工
程１、図、（Ａ）→（Ｂ）］。基材１の材質としては、
本悪様の最終製品たる情報記録媒体用原盤において要求
される耐久性に、応するだけの強度を備えたものが制限
なく使用できるが、十分な耐久性を獲得するため、でき
るだけその特性が高いものを使用するとよ−い。基板材
質の具体例としては、超硬合金、マルエージング鋼等の
金型用鋼、シリコン、石英が挙げられる。基材１は、必
要なだけ、鏡面研磨し、洗浄して用いる。
硬質薄膜２の材質は、下記工程３が実施できる範囲内の
硬度となる物質の中から選択する必要があるが、その範
囲内で、基材と同様、最終製品が要求する耐久性にみあ
うだけの硬度となり得る物質から選択すればよい。ただ
し、できるだけ硬く、且つ薄膜が形成しやすいものの中
から選ぶのが好ましい。硬質薄膜２の材質の具体例とし
てはＴｉＮ 、 Ｓｉ３Ｎ４ 、（：ｒＮ 、 ＴｉＣ
ＳｉＣ、Ｗ（：、 Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２、ＴｉＯ２，
５ｉ０２、ＨｆＢｚ、ＴｉＢ２、Ｓｉ、 Ｇｃ％Ｂ等が
挙げられる。硬質薄膜３の成膜法は、適宜選定すればよ
いが、例えば、活性化蒸着法、イオンブレーティング、
スパッタリングが挙げられる。硬質薄膜の膜厚は、少な
くとも下記工程３で形成する凹凸の深さ以上とすること
が工程３のスムーズな実施のためには好ましい。通常は
その膜厚は、０．５μ〜５．０鱗程度とすればよい。
硬度となる物質の中から選択する必要があるが、その範
囲内で、基材と同様、最終製品が要求する耐久性にみあ
うだけの硬度となり得る物質から選択すればよい。ただ
し、できるだけ硬く、且つ薄膜が形成しやすいものの中
から選ぶのが好ましい。硬質薄膜２の材質の具体例とし
てはＴｉＮ 、 Ｓｉ３Ｎ４ 、（：ｒＮ 、 ＴｉＣ
ＳｉＣ、Ｗ（：、 Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２、ＴｉＯ２，
５ｉ０２、ＨｆＢｚ、ＴｉＢ２、Ｓｉ、 Ｇｃ％Ｂ等が
挙げられる。硬質薄膜３の成膜法は、適宜選定すればよ
いが、例えば、活性化蒸着法、イオンブレーティング、
スパッタリングが挙げられる。硬質薄膜の膜厚は、少な
くとも下記工程３で形成する凹凸の深さ以上とすること
が工程３のスムーズな実施のためには好ましい。通常は
その膜厚は、０．５μ〜５．０鱗程度とすればよい。
茨に硬質薄膜２の上面に、パターン化されたフォトレジ
スト層を形成する［工程２、図、（Ｂ）→（Ｃ）］。こ
のためには通常のフォトリソ技術を利用すればよいが、
他の種類のレジストを用いるときにはそれに応じた方法
を利用すればよい。
スト層を形成する［工程２、図、（Ｂ）→（Ｃ）］。こ
のためには通常のフォトリソ技術を利用すればよいが、
他の種類のレジストを用いるときにはそれに応じた方法
を利用すればよい。
次に、ドライエツチングによりレジスト層に覆われてな
い硬質薄膜を所望の深さにエツチングする［工程３、図
、（Ｃ）→（Ｄ）］。
い硬質薄膜を所望の深さにエツチングする［工程３、図
、（Ｃ）→（Ｄ）］。
続いて残存レジストを除去して情報記録媒体用原盤を完
成する［工程４、図、（Ｄ）→（Ｅ）］。
成する［工程４、図、（Ｄ）→（Ｅ）］。
上述した態様において、硬質薄膜２の表面粗さを小さく
するためには硬質薄膜２成膜後に、その表面を鏡面研磨
するとよい。
するためには硬質薄膜２成膜後に、その表面を鏡面研磨
するとよい。
実施例１
鏡面研磨されたマルエージング鋼製の基材１にイオンブ
レーティング法によりＴｉＮの硬質薄膜２（厚さ：１鱗
）を成膜した。次にフォトリソ技術により厚さ１μのフ
ォトレジスト（商品名、ＡＺ１３７０）層のパターンを
形成した。
レーティング法によりＴｉＮの硬質薄膜２（厚さ：１鱗
）を成膜した。次にフォトリソ技術により厚さ１μのフ
ォトレジスト（商品名、ＡＺ１３７０）層のパターンを
形成した。
ドライエツチングはりアクティブイオンエツチング方式
により行なった。反応ガスとしてＣＦ。
により行なった。反応ガスとしてＣＦ。
を真空度７ Ｐａ、 Ｒ，Ｆ、放電パワー１５０ Ｗで
エツチングすることによりＴｉＮのエツチングパターン
を形成した。
エツチングすることによりＴｉＮのエツチングパターン
を形成した。
最後にアセトンにより、フォトレジスト層を除去し、情
報記録用原盤を作製した。
報記録用原盤を作製した。
（発明の効果）
本発明によって、次のような効果が得られた。
の硬度、強度の高い基材と硬質薄膜とを利用しているた
め従来の電鋳による金型に比べ耐久性が向上する。例え
ばＳｉ（：、ＷＣ等の炭化物、ＴｉＮ、ＳｉＮの窒化物
ではヌープ硬度２０００Ｋｇ／ｍｍ ２であり、従来の
電鋳による情報記録媒体用原盤より非常に高い。
め従来の電鋳による金型に比べ耐久性が向上する。例え
ばＳｉ（：、ＷＣ等の炭化物、ＴｉＮ、ＳｉＮの窒化物
ではヌープ硬度２０００Ｋｇ／ｍｍ ２であり、従来の
電鋳による情報記録媒体用原盤より非常に高い。
Ｏフォトリソ技術、ドライエツチング等、微細加工技術
を用いるため高精度のパターンができる。
を用いるため高精度のパターンができる。
θ成膜時間も短かく、メッキ工程のような時間のかかる
工程がないので、電鋳型に比べて製作時間が著しく短か
く、コスト低減が可能である。
工程がないので、電鋳型に比べて製作時間が著しく短か
く、コスト低減が可能である。
０前記従来法（特開昭５８−１０４１９０号の方法）に
おける剥離工程のような、スムーズに実施できない工程
を利用しなくてもよい。
おける剥離工程のような、スムーズに実施できない工程
を利用しなくてもよい。
第１図体 本発明の金型製作法の実施態
様を工程順に示す図である。 １：基材、 ２：硬質薄膜。 ３：フォトレジスト層
様を工程順に示す図である。 １：基材、 ２：硬質薄膜。 ３：フォトレジスト層
Claims (3)
- （１）基材上に硬質薄膜を成膜し、その上にパターニン
グされたレジストの層を形成し、次いで、エッチング処
理し、その後、レジストの層を除去することを特徴とす
る、情報記録媒体用原盤の製造方法。 - （２）前記硬質薄膜を無機窒化物、無機炭化物、無機酸
化物、無機硼化物または半導体とする特許請求の範囲第
１項記載の情報記録媒体用原盤の製造方法。 - （３）前記硬質薄膜をＴｉＮ、Ｓｉ＿３Ｎ＿４、ＣｒＮ
、ＴｉＣ、ＳｉＣ、ＷＣ、Ａｌ＿２Ｏ＿３、ＺｒＯ＿２
、ＴｉＯ＿２、ＳｉＯ＿２、ＨｆＢ＿２、ＴｉＢ＿２、
Ｓｉ、Ｇｅ及びＢから成る群より選ばれた１種以上とす
る特許請求の範囲第１項記載の情報記録媒体用原盤の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26388586A JPS63119038A (ja) | 1986-11-07 | 1986-11-07 | 情報記録媒体用原盤の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26388586A JPS63119038A (ja) | 1986-11-07 | 1986-11-07 | 情報記録媒体用原盤の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63119038A true JPS63119038A (ja) | 1988-05-23 |
Family
ID=17395600
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26388586A Pending JPS63119038A (ja) | 1986-11-07 | 1986-11-07 | 情報記録媒体用原盤の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63119038A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5951880A (en) * | 1997-05-26 | 1999-09-14 | Trace Storage Tech. Corp. | Method for making bump disks |
-
1986
- 1986-11-07 JP JP26388586A patent/JPS63119038A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5951880A (en) * | 1997-05-26 | 1999-09-14 | Trace Storage Tech. Corp. | Method for making bump disks |
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