JPS6311772B2 - - Google Patents
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- JPS6311772B2 JPS6311772B2 JP55090786A JP9078680A JPS6311772B2 JP S6311772 B2 JPS6311772 B2 JP S6311772B2 JP 55090786 A JP55090786 A JP 55090786A JP 9078680 A JP9078680 A JP 9078680A JP S6311772 B2 JPS6311772 B2 JP S6311772B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F4/00—Processes for removing metallic material from surfaces, not provided for in group C23F1/00 or C23F3/00
Landscapes
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は乾式食刻方法に係り、更に具体的に云
えば、乾式食刻方法に於て食刻気体の供給及び反
応領域に於ける気体流を制御するための技術に係
る。
えば、乾式食刻方法に於て食刻気体の供給及び反
応領域に於ける気体流を制御するための技術に係
る。
半導体装置の製造に於ては、液体による食刻に
代つて、例えばテトラフルオルメタン（CF4）の
気体を用いたプラズマ食刻方法が広く用いられる
様になつている。プラズマ食刻はシリコン並びに
窒化シリコン及び酸化シリコンの如きその化合物
そして又モリブデン層及びタングステン層を食刻
するために高周波グロー放電中で反応性気体を用
いる。プラズマ食刻及び反応性イオン食刻はしば
しば乾式食刻技術又は乾式処理技術と称されてい
る。乾式処理技術の基本的な目標は、食刻速度、
食刻の均一性、選択性、及び食刻による限定に於
て最も好ましい状態を達成することである。従来
技術による乾式食刻方法は、高い電磁場に於ける
正及び負のイオンの不均一な分布が不規則な食刻
を生じ得る点に於て、しばしば問題を生じた。
代つて、例えばテトラフルオルメタン（CF4）の
気体を用いたプラズマ食刻方法が広く用いられる
様になつている。プラズマ食刻はシリコン並びに
窒化シリコン及び酸化シリコンの如きその化合物
そして又モリブデン層及びタングステン層を食刻
するために高周波グロー放電中で反応性気体を用
いる。プラズマ食刻及び反応性イオン食刻はしば
しば乾式食刻技術又は乾式処理技術と称されてい
る。乾式処理技術の基本的な目標は、食刻速度、
食刻の均一性、選択性、及び食刻による限定に於
て最も好ましい状態を達成することである。従来
技術による乾式食刻方法は、高い電磁場に於ける
正及び負のイオンの不均一な分布が不規則な食刻
を生じ得る点に於て、しばしば問題を生じた。
乾式処理技術に於ける食刻気体流の一般的特徴
は、この技術には高真空が用いられているため
に、希薄気体力学の領域に属するものである。具
体的に云えば、その気体流は、自由分子流の領域
及び自由分子流と連続流との中間に生じる遷移流
の領域に於て生じる。従つて、反応領域に於ける
気体流の振舞は専ら分子衝突現象によつて特徴付
けられる。乾式処理技術に於ける反応領域の条件
の下での質量の流れの効果を予測するためには、
連続流の力学は役立たない。
は、この技術には高真空が用いられているため
に、希薄気体力学の領域に属するものである。具
体的に云えば、その気体流は、自由分子流の領域
及び自由分子流と連続流との中間に生じる遷移流
の領域に於て生じる。従つて、反応領域に於ける
気体流の振舞は専ら分子衝突現象によつて特徴付
けられる。乾式処理技術に於ける反応領域の条件
の下での質量の流れの効果を予測するためには、
連続流の力学は役立たない。
一般的に、今日の乾式処理技術に於ては、種々
の動作条件の下に於て食刻動作に変化が生じてい
る。食刻動作に影響を与える主な変化は、食刻さ
れている物体を包囲している反応領域に於ける気
体のフイールドの特性及び均一性に於ける変化で
ある。本発明は、反応領域に於ける均一な、極め
て効果的な気体のフイールドの特性を達成且つ制
御するための新規な方法及び装置に係る。
の動作条件の下に於て食刻動作に変化が生じてい
る。食刻動作に影響を与える主な変化は、食刻さ
れている物体を包囲している反応領域に於ける気
体のフイールドの特性及び均一性に於ける変化で
ある。本発明は、反応領域に於ける均一な、極め
て効果的な気体のフイールドの特性を達成且つ制
御するための新規な方法及び装置に係る。
次に、本発明について概略的に説明する。従
来、乾式処理技術に於ては、食刻気体は、その方
法に於て用いられている高真空のフイールドによ
つて引起される気体の流出により与えられる流れ
の特性によつて生じる自然輸送現象により、均一
な流れの分布を生じるものと考えられている。本
発明に於ては、真空により引出されることによつ
て生じた流れのパターンは極めて不均一でありそ
して食刻気体を反応領域中に音速で導入すること
によつて、食刻の均一性に於ける25乃至30％とい
う著しい改良が達成され得ることが発見された。
来、乾式処理技術に於ては、食刻気体は、その方
法に於て用いられている高真空のフイールドによ
つて引起される気体の流出により与えられる流れ
の特性によつて生じる自然輸送現象により、均一
な流れの分布を生じるものと考えられている。本
発明に於ては、真空により引出されることによつ
て生じた流れのパターンは極めて不均一でありそ
して食刻気体を反応領域中に音速で導入すること
によつて、食刻の均一性に於ける25乃至30％とい
う著しい改良が達成され得ることが発見された。
高真空状態の下で均一な気体分子のフイールド
を形成するための本発明による方法及び装置に於
ては、食刻気体の源が反応領域に於ける真空圧と
比べて相対的に高圧で供給される。高圧の気体の
源は少くとも１つのノズルに上記気体を供給する
マニホルド中に導入される。上記ノズルは、比較
的高圧のマニホルドから真空圧の反応領域への気
体通路がノズルから気体を音速で放出させる様な
構造を有している。ノズルの端部に於て気体が音
速で放出されることにより、気体分子は、反応領
域中に食刻している物体に近接して極めて均一な
気体のフイールドを生ぜしめる強く渦巻く流れの
パターンを形成する。
を形成するための本発明による方法及び装置に於
ては、食刻気体の源が反応領域に於ける真空圧と
比べて相対的に高圧で供給される。高圧の気体の
源は少くとも１つのノズルに上記気体を供給する
マニホルド中に導入される。上記ノズルは、比較
的高圧のマニホルドから真空圧の反応領域への気
体通路がノズルから気体を音速で放出させる様な
構造を有している。ノズルの端部に於て気体が音
速で放出されることにより、気体分子は、反応領
域中に食刻している物体に近接して極めて均一な
気体のフイールドを生ぜしめる強く渦巻く流れの
パターンを形成する。
次に、図面を参照して、本発明をその好実施例
について更に詳細に説明する。第１図は、半導体
材料のウエハ又はスライスであり得る基板２９の
露出表面上に乾式食刻又は気相付着を行うための
装置を示している。上記装置は食刻及び付着以外
の他の基板処理にも用いられる。例えば、上記装
置は基板の露出表面上に於て材料の付着又は除去
を行うスパツタリング方法にも用いられ得る。
について更に詳細に説明する。第１図は、半導体
材料のウエハ又はスライスであり得る基板２９の
露出表面上に乾式食刻又は気相付着を行うための
装置を示している。上記装置は食刻及び付着以外
の他の基板処理にも用いられる。例えば、上記装
置は基板の露出表面上に於て材料の付着又は除去
を行うスパツタリング方法にも用いられ得る。
第１図の装置は、下部プレート１１、側壁１
３、及び上部プレート１５から成る。下部プレー
ト、側壁、及び上部プレートは排気可能なチエン
バを限定するために相互に封止関係で接続されて
いる。気体マニホルド組立体１７が排気可能なチ
エンバ内に配置されている。回転可能な支持体１
９が気体マニホルド組立体１７の下に配置されて
いる。回転可能な支持体１９と気体マニホルド組
立体１７との間の空間は反応領域２１を限定して
いる。両者とも平行な円柱状プレート部材である
第１電極２３及び第２電極２５が反応領域内に設
けられている。第１電極は高周波の源（図示せ
ず）に電気的に結合され、第２電極は典型的には
接地電位である基準電位に電気的に結合されてい
る。基板２９が所望の位置に配置される様に回転
可能な支持体を回転させるために駆動機構２７が
設けられている。反応領域２１を排気するために
排気口３１に真空の源（図示せず）が結合されて
いる。処理中に食刻工程の進行状態を観察するた
めに監視口３３が設けられている。回転可能な支
持体の上面及び気体マニホルド組立体の下面に
は、食刻雰囲気に対してそれらを保護するため
に、石英ライナ３５が設けられている。高周波の
源が付勢されそして適当な気体が反応領域中に導
入されたとき、上記両電極間の空間にグロー放電
反応が生じる。石英ライナ３５はグロー放電反応
に於て第１電極及び回転可能な支持体の表面を保
護する。
３、及び上部プレート１５から成る。下部プレー
ト、側壁、及び上部プレートは排気可能なチエン
バを限定するために相互に封止関係で接続されて
いる。気体マニホルド組立体１７が排気可能なチ
エンバ内に配置されている。回転可能な支持体１
９が気体マニホルド組立体１７の下に配置されて
いる。回転可能な支持体１９と気体マニホルド組
立体１７との間の空間は反応領域２１を限定して
いる。両者とも平行な円柱状プレート部材である
第１電極２３及び第２電極２５が反応領域内に設
けられている。第１電極は高周波の源（図示せ
ず）に電気的に結合され、第２電極は典型的には
接地電位である基準電位に電気的に結合されてい
る。基板２９が所望の位置に配置される様に回転
可能な支持体を回転させるために駆動機構２７が
設けられている。反応領域２１を排気するために
排気口３１に真空の源（図示せず）が結合されて
いる。処理中に食刻工程の進行状態を観察するた
めに監視口３３が設けられている。回転可能な支
持体の上面及び気体マニホルド組立体の下面に
は、食刻雰囲気に対してそれらを保護するため
に、石英ライナ３５が設けられている。高周波の
源が付勢されそして適当な気体が反応領域中に導
入されたとき、上記両電極間の空間にグロー放電
反応が生じる。石英ライナ３５はグロー放電反応
に於て第１電極及び回転可能な支持体の表面を保
護する。
気体マニホルド組立体１７は、気体導入口３
７、気体マニホルド３９、及び気体ノズル組立体
４１を含む。食刻処理中に気体マニホルド組立体
１７を冷却するために、複数の冷却材通路４３が
設けられている。
７、気体マニホルド３９、及び気体ノズル組立体
４１を含む。食刻処理中に気体マニホルド組立体
１７を冷却するために、複数の冷却材通路４３が
設けられている。
気体ノズル組立体４１の動作原理は第２図乃至
第４図から理解され得る。第２図乃至第４図に示
されている如く、気体ノズル組立体は通路部材４
５及びバツキング部材４７を含む。通路部材４５
はチヤンネル４９及び溝５１が設けられる様に機
械加工されている。溝５１はチヤンネル４９と連
結しており、チヤンネル４９から通路部材４５の
周辺端部迄伸びている。通路部材４５はボルト又
はねじ（図示せず）の如き適当な手段によりバツ
キング部材４７に固定される。それらが固定され
て組立てられたとき、チヤンネル４９及び溝５１
はマニホルドとノズルとして働く複数の気体通路
とを限定する。気体供給口５３はバツキング部材
４７に固定されており、バツキング部材４７中に
形成された開孔５５を経て通路部材４５のチヤン
ネル４９と連結している。
第４図から理解され得る。第２図乃至第４図に示
されている如く、気体ノズル組立体は通路部材４
５及びバツキング部材４７を含む。通路部材４５
はチヤンネル４９及び溝５１が設けられる様に機
械加工されている。溝５１はチヤンネル４９と連
結しており、チヤンネル４９から通路部材４５の
周辺端部迄伸びている。通路部材４５はボルト又
はねじ（図示せず）の如き適当な手段によりバツ
キング部材４７に固定される。それらが固定され
て組立てられたとき、チヤンネル４９及び溝５１
はマニホルドとノズルとして働く複数の気体通路
とを限定する。気体供給口５３はバツキング部材
４７に固定されており、バツキング部材４７中に
形成された開孔５５を経て通路部材４５のチヤン
ネル４９と連結している。
第３図に示されている如く、溝５１の構造は三
角形の断面を有していることが好ましい。三角形
の断面は製造が容易であるために好ましい。半円
形、矩形、正方形又は多角形の如き他の形状の断
面も適当である。又、通路部材及びバツキング部
材の両方の表面を、円形、卵形又は菱形の形状が
得られる様に機械加工してもよい。しかしなが
ら、通路部材及びバツキング部材の両方が機械加
工される場合には、両部材を整合する必要があ
る。そのため、通路部材のみを機械加工すること
が好ましい。
角形の断面を有していることが好ましい。三角形
の断面は製造が容易であるために好ましい。半円
形、矩形、正方形又は多角形の如き他の形状の断
面も適当である。又、通路部材及びバツキング部
材の両方の表面を、円形、卵形又は菱形の形状が
得られる様に機械加工してもよい。しかしなが
ら、通路部材及びバツキング部材の両方が機械加
工される場合には、両部材を整合する必要があ
る。そのため、通路部材のみを機械加工すること
が好ましい。
動作に於て、比較的低い絶対圧を有しそして真
空チエンバの圧力に比べて相対的に高い圧力を有
する食刻気体がチヤンネル４９により形成されて
いるマニホルド中に導入されそして溝５１により
形成されている気体通路を通過する。食刻気体の
圧力は約0.07乃至約0.7Kg／cm2のゲージ圧である
ことが好ましい。気体通路は約1.3乃至約2.5cmの
範囲の長さ及び約13乃至約32×10-6cm2の範囲の断
面積を有していることが好ましい。気体通路の長
さと断面積との比は、約0.04×106乃至約0.2×106
cm-1の範囲であることが好ましい。気体通路の好
ましい寸法のパラメータは、食刻気体の音速がマ
ニホルド中の食刻ガスの比較的低い絶対圧に於て
達成され得る様なノズル構造体を与える。
空チエンバの圧力に比べて相対的に高い圧力を有
する食刻気体がチヤンネル４９により形成されて
いるマニホルド中に導入されそして溝５１により
形成されている気体通路を通過する。食刻気体の
圧力は約0.07乃至約0.7Kg／cm2のゲージ圧である
ことが好ましい。気体通路は約1.3乃至約2.5cmの
範囲の長さ及び約13乃至約32×10-6cm2の範囲の断
面積を有していることが好ましい。気体通路の長
さと断面積との比は、約0.04×106乃至約0.2×106
cm-1の範囲であることが好ましい。気体通路の好
ましい寸法のパラメータは、食刻気体の音速がマ
ニホルド中の食刻ガスの比較的低い絶対圧に於て
達成され得る様なノズル構造体を与える。
上述の如く長さ、断面積、及び長さと断面積と
の比のパラメータを有する気体通路は、マニホル
ドの圧力がマニホルドの長さ全体に亘つて実質的
に一定である様な、気体流に対する総通路抵抗を
与える。上述の気体通路のパラメータは又、気体
が通路を経て通過する結果、気体がノズルから放
出されるときに音速が達成される様なエネルギ消
費係数を与える。音速の達成はノズルの真空終端
部からの爆発的放出を促進し、この様な放出は反
応領域中に強く渦巻く均一な気体分子の分散を生
ぜしめる。ところで、流体力学において知られて
いるように、気体は音速に達しない速度で噴出さ
れる場合と、音速に近い速度（遷音速）で噴出さ
れる場合と、超音速で噴出される場合とで、その
物理的性質が全く異なり、特に遷音速の場合きわ
めて特異的な現象があらわれる。すなわち、本発
明はこの遷音速の気体流を利用したものと言うこ
とができる。尚、遷音速流に関する説明として
は、例えばランダウ＝リフシツツ著、竹内均訳
「流体力学２」東京図書、1971年の359〜360ペー
ジ、473〜476ページ等を参照されたい。
の比のパラメータを有する気体通路は、マニホル
ドの圧力がマニホルドの長さ全体に亘つて実質的
に一定である様な、気体流に対する総通路抵抗を
与える。上述の気体通路のパラメータは又、気体
が通路を経て通過する結果、気体がノズルから放
出されるときに音速が達成される様なエネルギ消
費係数を与える。音速の達成はノズルの真空終端
部からの爆発的放出を促進し、この様な放出は反
応領域中に強く渦巻く均一な気体分子の分散を生
ぜしめる。ところで、流体力学において知られて
いるように、気体は音速に達しない速度で噴出さ
れる場合と、音速に近い速度（遷音速）で噴出さ
れる場合と、超音速で噴出される場合とで、その
物理的性質が全く異なり、特に遷音速の場合きわ
めて特異的な現象があらわれる。すなわち、本発
明はこの遷音速の気体流を利用したものと言うこ
とができる。尚、遷音速流に関する説明として
は、例えばランダウ＝リフシツツ著、竹内均訳
「流体力学２」東京図書、1971年の359〜360ペー
ジ、473〜476ページ等を参照されたい。
第５図に示されている如く、本発明による気体
ノズル構造体は、２つ又はそれ以上の気体が流入
される様にそしてそれらの気体が排気可能なチエ
ンバ中に放出されるときにそれらの気体の混合が
促進される様に適合される。第５図のノズル構造
体に於ては、上述のマニホルド及び気体通路を設
けるために、２つの通路部材４５がチヤンネル及
び溝を有する様に機械加工されている。２つの通
路部材４５は、上述のマニホルド及び気体通路を
形成するために、バツキング部材４７と金属間接
触で結合されている。
ノズル構造体は、２つ又はそれ以上の気体が流入
される様にそしてそれらの気体が排気可能なチエ
ンバ中に放出されるときにそれらの気体の混合が
促進される様に適合される。第５図のノズル構造
体に於ては、上述のマニホルド及び気体通路を設
けるために、２つの通路部材４５がチヤンネル及
び溝を有する様に機械加工されている。２つの通
路部材４５は、上述のマニホルド及び気体通路を
形成するために、バツキング部材４７と金属間接
触で結合されている。
第５図に示されている如く、バツキング部材４
７は通路部材４５の終端部の手前で終端してい
る。第６図に示されている如く、これは混合部分
５７を設け、この部分に於て２つの気体の種が強
く混合されそして反応領域２１中に放出される前
に均一な気体混合物を形成する。バツキング部材
４７の終端部と通路部材４５の終端部との間の間
隔は厳密なものではなく、実際に於て通路部材４
５の終端部より短くても、等しくても、又は長く
てもよい。２つの気体の種が音速で放出されるこ
とによつて、バツキング部材４７の終端部の位置
に関係なく、強く渦巻く２つの気体の関係が生じ
る。
７は通路部材４５の終端部の手前で終端してい
る。第６図に示されている如く、これは混合部分
５７を設け、この部分に於て２つの気体の種が強
く混合されそして反応領域２１中に放出される前
に均一な気体混合物を形成する。バツキング部材
４７の終端部と通路部材４５の終端部との間の間
隔は厳密なものではなく、実際に於て通路部材４
５の終端部より短くても、等しくても、又は長く
てもよい。２つの気体の種が音速で放出されるこ
とによつて、バツキング部材４７の終端部の位置
に関係なく、強く渦巻く２つの気体の関係が生じ
る。
第７図は気体ノズル組立体４１の好ましい実施
例を示している。第７図の気体ノズル組立体４１
は、第２図の平坦なプレートが円錐形の部材とし
て形成された形の第２図の気体ノズル組立体４１
であると考えられ得る。第７図に示される如く、
気体ノズル組立体４１は、取付シヤフト５９、ノ
ズル本体６１、及び挿入部６３を含む。第８図に
良く示されている如く、挿入部６３はその円錐形
の表面に沿つて機械加工された三角形の溝５１を
有している。それらの溝は第２図乃至第４図の構
造体に関連して既に述べた様に気体通路を形成す
るために用いられる。保持リング６５は、シヤフ
ト５９及び挿入部６３が軸方向に固定されるが、
挿入部６３はシヤフト５９の周囲を回転し得る様
に、それらを保持するために用いられている。ス
パナ開孔６９は、シヤフト５９が上部プレート７
３中のねじ切りされているソケツト７１にシヤフ
トのねじ切りされている端部７５によつて取付け
られるときに、挿入部６３を保持するために設け
られている。六角形ソケツト７７は、シヤフト５
９を回転させて上部プレート７３と係合させるた
めレンチを受けるために設けられている。
例を示している。第７図の気体ノズル組立体４１
は、第２図の平坦なプレートが円錐形の部材とし
て形成された形の第２図の気体ノズル組立体４１
であると考えられ得る。第７図に示される如く、
気体ノズル組立体４１は、取付シヤフト５９、ノ
ズル本体６１、及び挿入部６３を含む。第８図に
良く示されている如く、挿入部６３はその円錐形
の表面に沿つて機械加工された三角形の溝５１を
有している。それらの溝は第２図乃至第４図の構
造体に関連して既に述べた様に気体通路を形成す
るために用いられる。保持リング６５は、シヤフ
ト５９及び挿入部６３が軸方向に固定されるが、
挿入部６３はシヤフト５９の周囲を回転し得る様
に、それらを保持するために用いられている。ス
パナ開孔６９は、シヤフト５９が上部プレート７
３中のねじ切りされているソケツト７１にシヤフ
トのねじ切りされている端部７５によつて取付け
られるときに、挿入部６３を保持するために設け
られている。六角形ソケツト７７は、シヤフト５
９を回転させて上部プレート７３と係合させるた
めレンチを受けるために設けられている。
第７図の気体ノズル組立体を組立てるには、始
めにシヤフト５９が挿入部６３の開孔６６中に挿
入されそして保持リング６５が取付けられる。挿
入部６３はシヤフト５９上を自由に回転し得る。
次に、組立てられた挿入部６３及びシヤフト５９
がノズル本体６１と合わせられる。挿入部とシヤ
フトとの組立体はスパナによつて然るべき位置に
保持されそしてシヤフトがレンチによつて上部プ
レート中にねじ込まれる。Ｏ形リング６７は、シ
ヤフト５９と挿入部６３との対向表面の間を気体
が通過することを防ぐために設けられている。
めにシヤフト５９が挿入部６３の開孔６６中に挿
入されそして保持リング６５が取付けられる。挿
入部６３はシヤフト５９上を自由に回転し得る。
次に、組立てられた挿入部６３及びシヤフト５９
がノズル本体６１と合わせられる。挿入部とシヤ
フトとの組立体はスパナによつて然るべき位置に
保持されそしてシヤフトがレンチによつて上部プ
レート中にねじ込まれる。Ｏ形リング６７は、シ
ヤフト５９と挿入部６３との対向表面の間を気体
が通過することを防ぐために設けられている。
然るべき位置に配置されたとき、挿入部６３の
溝は対向するブロツク７９の表面に近接して気体
通路を形成する。Ｏ形リング８１は表面の間を気
体が通過することを防ぐために設けられている。
溝は対向するブロツク７９の表面に近接して気体
通路を形成する。Ｏ形リング８１は表面の間を気
体が通過することを防ぐために設けられている。
本発明は、特定の気体流の特性に関して可変の
通路の長さを設ける様に用いられ得る。第９図に
示されている如く、挿入部６３は円錐の表面中に
機械加工された溝を有する、斜めに先端を切断さ
れた円錐台から成つている。斜めに先端を切断さ
れた円錐台であるために、それらの溝は可変の長
さを有する。その様な挿入部６３がノズル本体６
１中に挿入されるとき、可変の長さを有する溝５
１は、シヤフト５９が然るべき位置にねじ込まれ
るときに挿入部６３を所望の位置に保持すること
によつて予め設定され得る。
通路の長さを設ける様に用いられ得る。第９図に
示されている如く、挿入部６３は円錐の表面中に
機械加工された溝を有する、斜めに先端を切断さ
れた円錐台から成つている。斜めに先端を切断さ
れた円錐台であるために、それらの溝は可変の長
さを有する。その様な挿入部６３がノズル本体６
１中に挿入されるとき、可変の長さを有する溝５
１は、シヤフト５９が然るべき位置にねじ込まれ
るときに挿入部６３を所望の位置に保持すること
によつて予め設定され得る。
以上に於て種々の実施例に関して述べた種々の
構造の特徴はそれらと異なる方法で組合わされて
もよく、本発明の要旨及び範囲を逸脱することな
く他の変更も成され得ることを理解されたい。
構造の特徴はそれらと異なる方法で組合わされて
もよく、本発明の要旨及び範囲を逸脱することな
く他の変更も成され得ることを理解されたい。
第１図は本発明を用いた食刻装置を示す縦断面
図であり、第２図は本発明の１実施例に於ける気
体ノズル組立体を示す上面図であり、第３図は第
２図の線３―３に於ける部分的に破断された側面
図であり、第４図は第２図の線４―４に於ける縦
断面図であり、第５図は第１図の食刻装置中に２
つの気体流が導入され得る構造体を有している、
本発明の他の実施例に於ける気体ノズル組立体を
示す縦断面図であり、第６図は第５図の気体ノズ
ル組立体の終端部を示す部分的拡大断面図であ
り、第７図は第１図の食刻装置中に容易に挿入さ
れ得る、本発明のもう１つの実施例に於ける気体
ノズル組立体を示す縦断面図であり、第８図はノ
ズル出口の構造を示している、第７図の線８―８
に於ける上面図であり、第９図は種々の通路の長
さが設けられる、本発明の更に他の実施例に於け
るノズル挿入部を示す縦断面図である。 １１…下部プレート、１３…側壁、１５…上部
プレート、１７…気体マニホルド組立体、１９…
回転可能な支持体、２１…反応領域、２３…第１
電極、２５…第２電極、２７…駆動機構、２９…
基板、３１…排気口、３３…監視口、３５…石英
ライナ、３７…気体導入口、３９…気体マニホル
ド、４１…気体ノズル組立体、４３…冷却材通
路、４５…通路部材、４７…バツキング部材、４
９…チヤンネル（マニホルド）、５１…溝（気体
通路）、５３…気体供給口、５５…バツキング部
材４７の開孔、５７…混合部分、５９…取付シヤ
フト、６１…ノズル本体、６３…挿入部、６５…
保持リング、６６…開孔、６７，８１…Ｏ形リン
グ、６９…スパナ開孔、７１…ソケツト、７３…
上部プレート、７５…シヤフト端部、７７…六角
形ソケツト、７９…対向ブロツク。
図であり、第２図は本発明の１実施例に於ける気
体ノズル組立体を示す上面図であり、第３図は第
２図の線３―３に於ける部分的に破断された側面
図であり、第４図は第２図の線４―４に於ける縦
断面図であり、第５図は第１図の食刻装置中に２
つの気体流が導入され得る構造体を有している、
本発明の他の実施例に於ける気体ノズル組立体を
示す縦断面図であり、第６図は第５図の気体ノズ
ル組立体の終端部を示す部分的拡大断面図であ
り、第７図は第１図の食刻装置中に容易に挿入さ
れ得る、本発明のもう１つの実施例に於ける気体
ノズル組立体を示す縦断面図であり、第８図はノ
ズル出口の構造を示している、第７図の線８―８
に於ける上面図であり、第９図は種々の通路の長
さが設けられる、本発明の更に他の実施例に於け
るノズル挿入部を示す縦断面図である。 １１…下部プレート、１３…側壁、１５…上部
プレート、１７…気体マニホルド組立体、１９…
回転可能な支持体、２１…反応領域、２３…第１
電極、２５…第２電極、２７…駆動機構、２９…
基板、３１…排気口、３３…監視口、３５…石英
ライナ、３７…気体導入口、３９…気体マニホル
ド、４１…気体ノズル組立体、４３…冷却材通
路、４５…通路部材、４７…バツキング部材、４
９…チヤンネル（マニホルド）、５１…溝（気体
通路）、５３…気体供給口、５５…バツキング部
材４７の開孔、５７…混合部分、５９…取付シヤ
フト、６１…ノズル本体、６３…挿入部、６５…
保持リング、６６…開孔、６７，８１…Ｏ形リン
グ、６９…スパナ開孔、７１…ソケツト、７３…
上部プレート、７５…シヤフト端部、７７…六角
形ソケツト、７９…対向ブロツク。
Claims (1)
- １ 反応気体の源を設け、少くとも１つのノズル
に上記気体を供給するためのマニホルド中に上記
気体を導入し、上記マニホルド及び上記ノズルを
経て上記気体を、上記気体の源より低い圧力状態
に維持されているチエンバ内に通して、上記気体
を上記ノズルから上記チエンバ中にほぼ音速に等
しい速度で放出し、上記チエンバ内の上記気体か
らプラズマを生成して上記チエンバ内の加工対象
物を食刻すること、を含むドライ食刻方法。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/079,759 US4270999A (en) | 1979-09-28 | 1979-09-28 | Method and apparatus for gas feed control in a dry etching process |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5651828A JPS5651828A (en) | 1981-05-09 |
| JPS6311772B2 true JPS6311772B2 (ja) | 1988-03-16 |
Family
ID=22152623
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9078680A Granted JPS5651828A (en) | 1979-09-28 | 1980-07-04 | Method and device for forming field for uniform gaseous molecule |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4270999A (ja) |
| EP (1) | EP0026337B2 (ja) |
| JP (1) | JPS5651828A (ja) |
| DE (1) | DE3069019D1 (ja) |
Families Citing this family (49)
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-
1980
- 1980-07-04 JP JP9078680A patent/JPS5651828A/ja active Granted
- 1980-08-29 EP EP80105152A patent/EP0026337B2/de not_active Expired
- 1980-08-29 DE DE8080105152T patent/DE3069019D1/de not_active Expired
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