JPS6311675A - アルミナ基板への無電解めつき方法 - Google Patents
アルミナ基板への無電解めつき方法Info
- Publication number
- JPS6311675A JPS6311675A JP15499986A JP15499986A JPS6311675A JP S6311675 A JPS6311675 A JP S6311675A JP 15499986 A JP15499986 A JP 15499986A JP 15499986 A JP15499986 A JP 15499986A JP S6311675 A JPS6311675 A JP S6311675A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- electroless plating
- plating
- alumina
- alumina substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 41
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 35
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 18
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 12
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 9
- 238000007788 roughening Methods 0.000 claims description 9
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 abstract description 26
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 11
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 7
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 7
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000047 product Substances 0.000 description 4
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 4
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 3
- 230000001235 sensitizing effect Effects 0.000 description 3
- KWSLGOVYXMQPPX-UHFFFAOYSA-N 5-[3-(trifluoromethyl)phenyl]-2h-tetrazole Chemical compound FC(F)(F)C1=CC=CC(C2=NNN=N2)=C1 KWSLGOVYXMQPPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N EDTA Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910017974 NH40H Inorganic materials 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N lactic acid Chemical compound CC(O)C(O)=O JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006259 organic additive Substances 0.000 description 2
- 238000007873 sieving Methods 0.000 description 2
- 239000001509 sodium citrate Substances 0.000 description 2
- NLJMYIDDQXHKNR-UHFFFAOYSA-K sodium citrate Chemical compound O.O.[Na+].[Na+].[Na+].[O-]C(=O)CC(O)(CC([O-])=O)C([O-])=O NLJMYIDDQXHKNR-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 229910001379 sodium hypophosphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 2
- VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)-N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C(=O)NCCC(N1CC2=C(CC1)NN=N2)=O VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 1
- NIPNSKYNPDTRPC-UHFFFAOYSA-N N-[2-oxo-2-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(CNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 NIPNSKYNPDTRPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AFCARXCZXQIEQB-UHFFFAOYSA-N N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(CCNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 AFCARXCZXQIEQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003929 acidic solution Substances 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 1
- 238000006555 catalytic reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000366 copper(II) sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004310 lactic acid Substances 0.000 description 1
- 235000014655 lactic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000008267 milk Substances 0.000 description 1
- 210000004080 milk Anatomy 0.000 description 1
- 235000013336 milk Nutrition 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L nickel sulfate Chemical compound [Ni+2].[O-]S([O-])(=O)=O LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000363 nickel(II) sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005554 pickling Methods 0.000 description 1
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
- C23C18/1851—Pretreatment of the material to be coated of surfaces of non-metallic or semiconducting in organic material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
- C23C18/1851—Pretreatment of the material to be coated of surfaces of non-metallic or semiconducting in organic material
- C23C18/1855—Pretreatment of the material to be coated of surfaces of non-metallic or semiconducting in organic material by mechanical pretreatment, e.g. grinding, sanding
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/18—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
- H05K3/181—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
- H05K3/381—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by special treatment of the substrate
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
出発材料たるアルミナ基板は、焼結したセラミック多結
晶体である。基板としては、（１）電気的絶縁性が良い
こと、（２）高温で物理的及び化学的に安定であること
、（３）反り等のない均一厚のものが入手しうること、
（４）熱放散性が比較的良好であること、（５）スルー
ホール等の加工が可能であること等が一般に要求され、
９４％以上の純度のアルミナ基板が現在のところこれら
要求を全般的に満すものである。アルミナ基板は、アル
ミナ粒子にＣａＯ，ＭＵ Ｏ等のバインダーを添加混合
し、成形及び焼結の工程を経由して生成される。こうし
たアルミナ基板は市販されている。
晶体である。基板としては、（１）電気的絶縁性が良い
こと、（２）高温で物理的及び化学的に安定であること
、（３）反り等のない均一厚のものが入手しうること、
（４）熱放散性が比較的良好であること、（５）スルー
ホール等の加工が可能であること等が一般に要求され、
９４％以上の純度のアルミナ基板が現在のところこれら
要求を全般的に満すものである。アルミナ基板は、アル
ミナ粒子にＣａＯ，ＭＵ Ｏ等のバインダーを添加混合
し、成形及び焼結の工程を経由して生成される。こうし
たアルミナ基板は市販されている。
アルミナ基板は、油脂等の汚れを除去するべくアルカリ
脂肪、水洗等の予備洗浄工程を経由した後、粗化処理さ
れる。この粗化処理は、アンカー効果を発現するため、
アルミナ粒界を侵食させるもので、ＨＦ系酸溶液による
処理、アルカリ溶融塩への浸漬、アルカリ溶液を塗布し
焼成する方法等によってもたらされる。この粗化処理に
よって微細な凹凸がアルミナ基板表面に均一に発生し、
模に無電解めっき皮膜の析出に際してアンカ一点となる
。こうしたアンカ一点がアルミナ基板表面全体に一様に
分布していることが重要である。
脂肪、水洗等の予備洗浄工程を経由した後、粗化処理さ
れる。この粗化処理は、アンカー効果を発現するため、
アルミナ粒界を侵食させるもので、ＨＦ系酸溶液による
処理、アルカリ溶融塩への浸漬、アルカリ溶液を塗布し
焼成する方法等によってもたらされる。この粗化処理に
よって微細な凹凸がアルミナ基板表面に均一に発生し、
模に無電解めっき皮膜の析出に際してアンカ一点となる
。こうしたアンカ一点がアルミナ基板表面全体に一様に
分布していることが重要である。
ところが、こうした表面粗化工程は反面では基板表面に
結合力の弱い、即ち脱落しやすいアルミナ粒子を発生せ
しめているのである。結合力の弱いアルミナ粒子上にい
くら無電解めっき皮膜を形成しても密着性の良い皮膜は
得られない。このような結合力の弱いアルミナ粒子は無
電解めっき前に強制的に徹底して除去しておく必要があ
るのである。従来法はこの認識を全面的に欠いていた。
結合力の弱い、即ち脱落しやすいアルミナ粒子を発生せ
しめているのである。結合力の弱いアルミナ粒子上にい
くら無電解めっき皮膜を形成しても密着性の良い皮膜は
得られない。このような結合力の弱いアルミナ粒子は無
電解めっき前に強制的に徹底して除去しておく必要があ
るのである。従来法はこの認識を全面的に欠いていた。
結合力の弱いアルミナ粒子は従来からの通常的洗浄では
完全に除去しえない。
完全に除去しえない。
そこで、本発明に従えば、粗化後の基板は超音波洗浄に
より充分な期間、代表的に１０分以上洗浄が施される。
より充分な期間、代表的に１０分以上洗浄が施される。
超音波洗浄は、粗化処理によってバインダーが侵食され
、結合力が弱くなったアルミナ粒子をふるい落すのにき
わめて効果的である。
、結合力が弱くなったアルミナ粒子をふるい落すのにき
わめて効果的である。
一般に１０分未満では基板表面に結合力の弱い粒子が残
留する。長期間をかける程、こうした粒子のふるい落し
効果は完全となるが、ある程度かけても効果は飽和する
ので、一般に１０〜１２０分で充分である。アルミナ粒
子の強制離脱によりアンカー効果の層進も期持しえる。
留する。長期間をかける程、こうした粒子のふるい落し
効果は完全となるが、ある程度かけても効果は飽和する
ので、一般に１０〜１２０分で充分である。アルミナ粒
子の強制離脱によりアンカー効果の層進も期持しえる。
無電解めっき用基板の超音波洗浄自体は知られているが
、その機械的振動及び流体圧作用により粗化後の結合力
の弱いアルミナ粒子を強制除去することは本発明による
初めての知見である。
、その機械的振動及び流体圧作用により粗化後の結合力
の弱いアルミナ粒子を強制除去することは本発明による
初めての知見である。
超音波洗浄されたアルミナ基板は水洗機触媒付与工程に
供される。アルミナ基板のようにめっき液に不活性な基
板表面に無電解めっきを施す為には、めっき金属の成長
核となり、めっき反応の触媒として働く微粒子を基盤表
面に付着させることが必要であり、これが触媒付与と呼
ばれている。
供される。アルミナ基板のようにめっき液に不活性な基
板表面に無電解めっきを施す為には、めっき金属の成長
核となり、めっき反応の触媒として働く微粒子を基盤表
面に付着させることが必要であり、これが触媒付与と呼
ばれている。
触媒付与工程は、センシタイジングとアクチベーティン
グの２段階から構成される。触媒としては現在ではスズ
及びパラジウムを使用するものが広く採用されている。
グの２段階から構成される。触媒としては現在ではスズ
及びパラジウムを使用するものが広く採用されている。
これはスズ−パラジウム−波型（混合型）触媒液を用い
ても実施しうるが、本発明においてはスズ液とパラジウ
ム液とを別々に適用する、二液型触媒の使用が好ましい
。即ち、Ｓｎ Ｃｌ ２ 、 Ｓｎ ＳＯ２等の酸性溶
液を用いてＰｄ２＋を還元するためのＳ０２＋を吸着さ
せるセンシタイジング段階と、その後Ｐｄ Ｃ１２等の
溶液を用いてＰｄ核を形成するアクチベーティング段階
によって触媒付与は実施される。
ても実施しうるが、本発明においてはスズ液とパラジウ
ム液とを別々に適用する、二液型触媒の使用が好ましい
。即ち、Ｓｎ Ｃｌ ２ 、 Ｓｎ ＳＯ２等の酸性溶
液を用いてＰｄ２＋を還元するためのＳ０２＋を吸着さ
せるセンシタイジング段階と、その後Ｐｄ Ｃ１２等の
溶液を用いてＰｄ核を形成するアクチベーティング段階
によって触媒付与は実施される。
無電解めっき皮膜を均一にしかも密着性良く形成するに
は、この触媒付与工程も重要な鍵をにぎっている。良好
な無電解めっき皮膜を形成するには析出が過度に速くな
りすぎない範囲（粉状めっきが析出しない範囲）で充分
量のＰｄ核を基板表面に付着しておくことが必要である
。
は、この触媒付与工程も重要な鍵をにぎっている。良好
な無電解めっき皮膜を形成するには析出が過度に速くな
りすぎない範囲（粉状めっきが析出しない範囲）で充分
量のＰｄ核を基板表面に付着しておくことが必要である
。
現在一般的に採用されている触媒液では実は予想程にＰ
ｄ核が形成されていないことが判明した。
ｄ核が形成されていないことが判明した。
従来も、触媒付与工程を繰返すことは行なわれていたが
、せいぜい−回繰返す程度にすぎず、密着性と関連して
充分に配慮されたものでなかった。
、せいぜい−回繰返す程度にすぎず、密着性と関連して
充分に配慮されたものでなかった。
従って、本発明に従えば、充分量のＰｄ核が付着するよ
う触媒付与工程が反覆的に繰返される。ここで［充分量
のＰｄ核の付着」とは、過度のパラジウム核付着による
急激な無電解めっき反応によって粒状めっきが生成しな
い程度において多量のｐｄ核を付着させることと定義す
る。
う触媒付与工程が反覆的に繰返される。ここで［充分量
のＰｄ核の付着」とは、過度のパラジウム核付着による
急激な無電解めっき反応によって粒状めっきが生成しな
い程度において多量のｐｄ核を付着させることと定義す
る。
反覆数は、アルミナ基板表面の性状、触媒液の種類及び
濃度、無電解めっき条件等に依存するので一義的に決定
しえないが、現在の一般的方法に基づけば２〜４回が適
当である。１回では基板上にＰｄ核が均一に生成せず、
他方５回以上では過度にＰｄ核が生成し、粉状めっきを
生じる。
濃度、無電解めっき条件等に依存するので一義的に決定
しえないが、現在の一般的方法に基づけば２〜４回が適
当である。１回では基板上にＰｄ核が均一に生成せず、
他方５回以上では過度にＰｄ核が生成し、粉状めっきを
生じる。
こうして充分に触媒付与されたアルミナ基板は水洗機無
電解めっき工程に置かれる。無電解めっきは、銅、ニッ
ケル、貴金属等を代表とする。無電解めっきは従来から
実施されているめっき液及びめっき条件に従って実施さ
れる。参考までに、銅及びニッケルの無電解めっき液組
成及び条件の一例を示しておく。
電解めっき工程に置かれる。無電解めっきは、銅、ニッ
ケル、貴金属等を代表とする。無電解めっきは従来から
実施されているめっき液及びめっき条件に従って実施さ
れる。参考までに、銅及びニッケルの無電解めっき液組
成及び条件の一例を示しておく。
と１」Ｌ肚及コ」［
液組成 ＣｕＳＯ４・５Ｈ２゜
７〜１２ｇ／Ｊ！。
ＥＤＴＡ ２５〜６０ｇ／ヱ
有機添加剤 適量
界面活性剤
めっき条件 ｐＨ１１，５〜１３
液温 ７０〜７５℃
連続撹拌
無電解ニッケルめっき
めっき液 Ｎ１５Ｏ＋ ・６Ｈ２０
１２〜２０ ｇ／４
クエン酸ナトリウム
４０〜５０ｇ／ｆ
次亜リン酸ナトリウム
８〜１２ｙ／、ｅ
乳酸 ２〜４ｒｄ／ｌ
？ｈつき条件 Ｏｌ−１（ＮＨ４０Ｈ）７．５〜８．２
温度 ４０〜４５℃
めっき厚は用途により異なるが０．５〜３０μｍが一般
であり、プリント配線板の場合１０〜２０μｍ、好まし
くは１５μｍ前後である。
であり、プリント配線板の場合１０〜２０μｍ、好まし
くは１５μｍ前後である。
無電解めっきされたアルミナ基板は、水洗後５０〜１０
０℃で充分に乾燥される。
０℃で充分に乾燥される。
こうして得られた無電解めっき皮膜はかなりの水準の内
部応力を有し、こうした内部応力は密着性悪化の大きな
要因となることが見出された。そこで、本発明に従えば
、応力除去を目的とする焼成が行われる。最初に述べた
ように、酸化銅とアルミナとを反応させる目的で高温焼
成が行われたことがあったが、ここでは応力除去を目的
とするため１００〜３００℃の低温焼成が行なわれる。
部応力を有し、こうした内部応力は密着性悪化の大きな
要因となることが見出された。そこで、本発明に従えば
、応力除去を目的とする焼成が行われる。最初に述べた
ように、酸化銅とアルミナとを反応させる目的で高温焼
成が行われたことがあったが、ここでは応力除去を目的
とするため１００〜３００℃の低温焼成が行なわれる。
乾燥と焼成とを二段処理として行うことが良質の無電解
銅めっきアルミナ基板を得る点で有益である。前処理及
びめっき工程により基板中に水分が残留しているが、そ
のままではめっき皮膜の腐食、色むら（はん点）、密着
強度低下の原因となる。５０〜１００℃において例えば
２０〜４０分充分な乾燥を行った後、１００〜３００℃
で例えば４０〜１２０分焼成を行うという二段処理を行
うことで初めて水分を完全に除去した応力除去されため
つき皮膜が得られる。焼成温度が高すぎると、皮膜の酸
化や変色が起きやすくなる。
銅めっきアルミナ基板を得る点で有益である。前処理及
びめっき工程により基板中に水分が残留しているが、そ
のままではめっき皮膜の腐食、色むら（はん点）、密着
強度低下の原因となる。５０〜１００℃において例えば
２０〜４０分充分な乾燥を行った後、１００〜３００℃
で例えば４０〜１２０分焼成を行うという二段処理を行
うことで初めて水分を完全に除去した応力除去されため
つき皮膜が得られる。焼成温度が高すぎると、皮膜の酸
化や変色が起きやすくなる。
この後、酸洗、防錆処理等の工程を経由して無電解めっ
きアルミナ基板製品が完成する。
きアルミナ基板製品が完成する。
発明の効果
１〉基板とめっき皮膜との密着性が高い（工業的要求密
着強度１．５７（ｇ／ｎ＋ｍ２以上）。
着強度１．５７（ｇ／ｎ＋ｍ２以上）。
２）高温条件でも密着性は高いまま変化しない。
３）下地めっきを必要としない（エツチングしゃすい）
。
。
４）高温処理を必要としない。
５）均一性の良好なめっきが得られる。
これらにより、益々厳しくなる印刷回路板その他への高
度の信頼性及び高品質化に対応することが出来る。
度の信頼性及び高品質化に対応することが出来る。
実施例１
９６％純度のアルミナ基板に対して次の工程条件で粗化
、超音波洗浄及び触媒付与した：アルカリ脱脂 ５０
℃、５分 ↓ 水 洗 ↓ 粗 化 Ｎａ ＯＨ溶液、 ３００℃。
、超音波洗浄及び触媒付与した：アルカリ脱脂 ５０
℃、５分 ↓ 水 洗 ↓ 粗 化 Ｎａ ＯＨ溶液、 ３００℃。
↓ １０分
水 洗
↓
超音波洗浄 ３０分
↓
水 洗
↓
次いで、こうして触媒付与された基板に次のめつき液組
成及び条件で無電解銅めっきを施した：めっき液組成及
び条件 ＣＵ ８０４ ・５Ｈ２０１０ｇ／Ｊ！ＥＤＴＡ
３Ｃ１／ヱ 界面活性剤 適量 有機添加剤 適量 ｐＨ（ＮａＯＨ＞ １２．８ 温度７２℃、空気撹拌 最後に、無電解銅めっきアルミナ基板に次の条件で乾燥
及び焼成を行った： 無電解銅めっきアルミナ基板 ↓ 乾−一２−８０℃×３０分 ↓ 焼 成 １５０℃×１ｈｒ ↓ 酸 洗 硫Ｍ５％×２分 ↓ ゛ 水 洗 ↓ 製品 この製品に対して２＋ｕ＋角のパターンでパターン形成
しそして密着性を試験する為Ｑ、８ｍｍφの銅線をハン
ダ付けし、上に引上げることによるｐｕｌｌ試験にかけ
た。試験の結果２Ｋｇ／ＩＩＩＩＩ１２以上の密着強度
が示され、最終的に剥離前にアルミナ基板の方が破壊さ
れた。本発明方法が密着性改善にきわめて効果的である
ことが確認しうる。
成及び条件で無電解銅めっきを施した：めっき液組成及
び条件 ＣＵ ８０４ ・５Ｈ２０１０ｇ／Ｊ！ＥＤＴＡ
３Ｃ１／ヱ 界面活性剤 適量 有機添加剤 適量 ｐＨ（ＮａＯＨ＞ １２．８ 温度７２℃、空気撹拌 最後に、無電解銅めっきアルミナ基板に次の条件で乾燥
及び焼成を行った： 無電解銅めっきアルミナ基板 ↓ 乾−一２−８０℃×３０分 ↓ 焼 成 １５０℃×１ｈｒ ↓ 酸 洗 硫Ｍ５％×２分 ↓ ゛ 水 洗 ↓ 製品 この製品に対して２＋ｕ＋角のパターンでパターン形成
しそして密着性を試験する為Ｑ、８ｍｍφの銅線をハン
ダ付けし、上に引上げることによるｐｕｌｌ試験にかけ
た。試験の結果２Ｋｇ／ＩＩＩＩＩ１２以上の密着強度
が示され、最終的に剥離前にアルミナ基板の方が破壊さ
れた。本発明方法が密着性改善にきわめて効果的である
ことが確認しうる。
比較例１−１
上記実施例１において超音波洗浄を３分に短縮した。そ
の結果、めっき時にふくれが発生した。
の結果、めっき時にふくれが発生した。
密着強度はほとんど無い状態であった。
比較例１−２
上記実施例１においてセンシタイジング及びアクチベー
ティングを１回のみ行った結果、めつきむらが生じた。
ティングを１回のみ行った結果、めつきむらが生じた。
逆に５回繰返した結果、めっきが粉状となった。
比較例１−３
実施例１において焼成を行わなかった。Ｆｕｌｌ試験の
結果、密着強度は平均１ 、４ Ｋ９／ｒａｍ２となり
低下した。
結果、密着強度は平均１ 、４ Ｋ９／ｒａｍ２となり
低下した。
これら比較例から、超音波洗浄、反覆触媒付与及び焼成
の重要性が明らかである。
の重要性が明らかである。
実施例２
実施例１において、銅めっきに代えて、次のめっき液組
成及び条件で無電解ニッケルめっきを施した。
成及び条件で無電解ニッケルめっきを施した。
ＮｉＳＯ４・６Ｈ２０１５ｇ／ｆ
クエン酸ナトリウム ４５ｇ／ｆ
次亜リン酸ナトリウム １Ｃ１／４
乳 Ｗｌ ３ｄ／ｆｐ
Ｈ（ＮＨ４０Ｈ） ８・ Ｏ温 度
４３℃浸漬時間
３０分 優れた密着性のニッケル皮膜が得られた。
Ｈ（ＮＨ４０Ｈ） ８・ Ｏ温 度
４３℃浸漬時間
３０分 優れた密着性のニッケル皮膜が得られた。
手続補正書
昭和６１年１１月４日
特許庁長官 黒 １）明 雄 殿
事件の表示 昭和６１年特願第 １５４９９９号発明の
名称 アルミナ基板への無電解めっき方法補正をする
者 事件との関係 特許出願人名 称
日本鉱業株式会社
名称 アルミナ基板への無電解めっき方法補正をする
者 事件との関係 特許出願人名 称
日本鉱業株式会社
Claims (1)
- １）アルミナ基板を粗化し、触媒付与しそして無電解め
つきを行うことによるアルミナ基板への無電解めっき方
法において、粗化後に超音波洗浄により基板表面上の結
合力の弱い粒子を除去し、均一な無電解めっきを形成す
るに充分量の触媒付与を行うべく触媒付与工程を反覆し
、そして生成する無電解めつき皮膜を乾燥後焼成して該
皮膜の応力除去を行うことを特徴とするアルミナ基板へ
の無電解めっき方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15499986A JPS6311675A (ja) | 1986-07-03 | 1986-07-03 | アルミナ基板への無電解めつき方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15499986A JPS6311675A (ja) | 1986-07-03 | 1986-07-03 | アルミナ基板への無電解めつき方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6311675A true JPS6311675A (ja) | 1988-01-19 |
Family
ID=15596486
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15499986A Pending JPS6311675A (ja) | 1986-07-03 | 1986-07-03 | アルミナ基板への無電解めつき方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6311675A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02126701A (ja) * | 1988-11-07 | 1990-05-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 誘電体共振器の製造方法 |
| JP2006152431A (ja) * | 2004-10-21 | 2006-06-15 | Alps Electric Co Ltd | めっき基板、無電解めっき方法およびこの方法を用いた回路形成方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5428831A (en) * | 1977-08-06 | 1979-03-03 | Hoechst Ag | Contraceptive |
| JPS5687658A (en) * | 1979-12-17 | 1981-07-16 | Tokyo Mekki:Kk | Method of making electroless plating on nonconductor surface |
| JPS5933665A (ja) * | 1982-08-19 | 1984-02-23 | Marantz Japan Inc | コンパクト・デイスク・オ−ト・プレ−ヤにおけるデイスク・ボツクス |
-
1986
- 1986-07-03 JP JP15499986A patent/JPS6311675A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5428831A (en) * | 1977-08-06 | 1979-03-03 | Hoechst Ag | Contraceptive |
| JPS5687658A (en) * | 1979-12-17 | 1981-07-16 | Tokyo Mekki:Kk | Method of making electroless plating on nonconductor surface |
| JPS5933665A (ja) * | 1982-08-19 | 1984-02-23 | Marantz Japan Inc | コンパクト・デイスク・オ−ト・プレ−ヤにおけるデイスク・ボツクス |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02126701A (ja) * | 1988-11-07 | 1990-05-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 誘電体共振器の製造方法 |
| JP2006152431A (ja) * | 2004-10-21 | 2006-06-15 | Alps Electric Co Ltd | めっき基板、無電解めっき方法およびこの方法を用いた回路形成方法 |
| JP4559936B2 (ja) * | 2004-10-21 | 2010-10-13 | アルプス電気株式会社 | 無電解めっき方法およびこの方法を用いた回路形成方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3690921A (en) | Method for strongly adhering a metal film on ceramic substrates | |
| US4078096A (en) | Method of making sensitized polyimide polymers, having catalyst and electroless metal, metal deposits thereon and circuit patterns of various metallization schemes | |
| US5147692A (en) | Electroless plating of nickel onto surfaces such as copper or fused tungston | |
| US5235139A (en) | Method for fabricating printed circuits | |
| KR900005313B1 (ko) | 세라믹기판표면을 요철화 하는 방법과 동 기판을 사용하여 인쇄회로기판을 제조하는 방법 | |
| US3819497A (en) | Electroless and electrolytic copper plating | |
| US3694250A (en) | Electroless copper plating | |
| US4066809A (en) | Method for preparing substrate surfaces for electroless deposition | |
| TW583349B (en) | Method for enhancing the solderability of a surface | |
| JPS636628B2 (ja) | ||
| JPS63297573A (ja) | プラスチツクの付着堅固なメタライジング法 | |
| US5238550A (en) | Electroplating process | |
| JP2003013249A (ja) | 置換金メッキ液 | |
| EP0180265B1 (en) | Method of autocatalytically tin-plating articles of copper or a copper alloy | |
| JP2007126743A (ja) | 無電解めっき用前処理方法及び無電解めっき皮膜の形成方法 | |
| EP0156167B1 (en) | Process for the deposition of a metal from an electroless plating composition | |
| JPS6311675A (ja) | アルミナ基板への無電解めつき方法 | |
| CA2023846A1 (en) | Process for the direct metallization of a non-conducting substrate | |
| JP2761262B2 (ja) | 厚膜印刷基板の製造方法 | |
| US5419829A (en) | Electroplating process | |
| JPH0610146A (ja) | 触媒活性の非常に高いプラチナ金属層を得る方法 | |
| JP4357901B2 (ja) | 無電解めっき用パラジウム触媒液及び触媒化処理方法 | |
| JP3369527B2 (ja) | 表面のはんだ付け性を向上する方法 | |
| JPH09184076A (ja) | 窒化アルミニウムメタライズ基板の製造方法 | |
| JPS6325286A (ja) | 無電解めつき用アルミナ基板 |