JPS63115071A - 導電経路のテスト方法 - Google Patents
導電経路のテスト方法Info
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- JPS63115071A JPS63115071A JP62232755A JP23275587A JPS63115071A JP S63115071 A JPS63115071 A JP S63115071A JP 62232755 A JP62232755 A JP 62232755A JP 23275587 A JP23275587 A JP 23275587A JP S63115071 A JPS63115071 A JP S63115071A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/302—Contactless testing
- G01R31/308—Contactless testing using non-ionising electromagnetic radiation, e.g. optical radiation
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- Testing Of Short-Circuits, Discontinuities, Leakage, Or Incorrect Line Connections (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
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- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
A、産業上の利用分野
本発明は、回路基板の電気結線のテスト、より具体的に
は集積回路チップ実装用ボードの相互結線およびヴ1イ
ア接続のテストに関する。
は集積回路チップ実装用ボードの相互結線およびヴ1イ
ア接続のテストに関する。
B、従来技術
実装中の集積回路およびその相互結線のテストは、電子
装置およびデータ処理装置の製造における重要な課題で
ある。テスト方法が迅速であることおよびその実行のた
めに準備作業があまり必要でないことが特に重要である
。
装置およびデータ処理装置の製造における重要な課題で
ある。テスト方法が迅速であることおよびその実行のた
めに準備作業があまり必要でないことが特に重要である
。
原則的に、テストは、普通の接続ビンまたは機械的接触
探針を介して回路に電力とデータ信号を印加し、その結
果得られるデータ信号と電気的状態を回路から抽出する
ことによって行なうことができる。ただし、このような
テストは、実現可能な接続数が限られているので、時間
がかかりかつあまり有効でない。したがって、今日値」
されている高度集積回路や高密度実装には、あまり適し
ていない。
探針を介して回路に電力とデータ信号を印加し、その結
果得られるデータ信号と電気的状態を回路から抽出する
ことによって行なうことができる。ただし、このような
テストは、実現可能な接続数が限られているので、時間
がかかりかつあまり有効でない。したがって、今日値」
されている高度集積回路や高密度実装には、あまり適し
ていない。
したがって、電子線またはレーザ技術を利用した非接触
式テスト法が最近いくつか提案されている。電子線テス
トは、5cann ing誌第5巻(1983年)の1
02〜122ページ所載の「集積回路電子線テストの基
礎(Fundamentals of Electro
nBeam Testing of Integrat
ed C1rcuits) J と題するE、メンツェ
ル(Menzel )の論文に記載された。電子線が受
動モードまたは能動モードで非接触式探針として使用さ
れる。ただし、テストに電子線を用いることには、多少
の欠点と限界がある。
式テスト法が最近いくつか提案されている。電子線テス
トは、5cann ing誌第5巻(1983年)の1
02〜122ページ所載の「集積回路電子線テストの基
礎(Fundamentals of Electro
nBeam Testing of Integrat
ed C1rcuits) J と題するE、メンツェ
ル(Menzel )の論文に記載された。電子線が受
動モードまたは能動モードで非接触式探針として使用さ
れる。ただし、テストに電子線を用いることには、多少
の欠点と限界がある。
入射電子が基板の仕事関数よりもはるかに大きなエネル
ギーをもつので、電子線で基板を走査またはフラッシン
グすると、基板も帯電される、すなわち2次電子が生じ
る。この2次電子が、基板上の異なる2点間の電圧コン
トラストに強く影響して、測定を妨害する。さらに、高
エネルギー電子が反射されるため、必要な情報を担って
いる低エネルギー電子からそれを分離しなければならな
いので、位置検出用検出器を使用した多数の異なる点で
の同時測定が甚だ複雑になる。
ギーをもつので、電子線で基板を走査またはフラッシン
グすると、基板も帯電される、すなわち2次電子が生じ
る。この2次電子が、基板上の異なる2点間の電圧コン
トラストに強く影響して、測定を妨害する。さらに、高
エネルギー電子が反射されるため、必要な情報を担って
いる低エネルギー電子からそれを分離しなければならな
いので、位置検出用検出器を使用した多数の異なる点で
の同時測定が甚だ複雑になる。
その後、集積回路のテストにレーザ光線を利用すること
が提案された。レーザ光線の光子はターゲットからの電
子放出を励起することができるので、レーザ光線を利用
して電子回路構成の非接触式テストを行なうことができ
る。
が提案された。レーザ光線の光子はターゲットからの電
子放出を励起することができるので、レーザ光線を利用
して電子回路構成の非接触式テストを行なうことができ
る。
「集積回路の非接触式テスト(NoncontactT
esting of Integrated C1rc
uit) Jと題するヨーロッパ特許出願箱86103
212.6号は、レーザ光線を走査式にこれらテスト点
の行に当てて、テスト点の動作条件に応じて光電子を発
生させる技術を開示している。次に、発生した電子が2
次元アレイの電子検出器に送られて、解析が可能になる
。
esting of Integrated C1rc
uit) Jと題するヨーロッパ特許出願箱86103
212.6号は、レーザ光線を走査式にこれらテスト点
の行に当てて、テスト点の動作条件に応じて光電子を発
生させる技術を開示している。次に、発生した電子が2
次元アレイの電子検出器に送られて、解析が可能になる
。
ヨーロッパ特許出願箱86!110460.2号には、
レーザ光を回路チップの全表面に当てて、各点に存在す
る電圧に応じて光電子を発生させるというテスト手順が
記載されている。発生した電子を、発光ターゲットに送
ってターゲットの像を評価するか、またはチャネル・プ
レートに送りさらに発光ターゲットおよび光学処理系に
送る。
レーザ光を回路チップの全表面に当てて、各点に存在す
る電圧に応じて光電子を発生させるというテスト手順が
記載されている。発生した電子を、発光ターゲットに送
ってターゲットの像を評価するか、またはチャネル・プ
レートに送りさらに発光ターゲットおよび光学処理系に
送る。
C1発明が解決しようとする問題点
上記2件のヨーロッパ特許出願で開示されているどちら
のシステムでも、通常のビンおよびチップ接続を介して
電力およびテスト・データ信号をテスト回路に印加して
、テスト回路をテスト手順で検出すべき動作状態にする
必要がある。このことは、これらのテスト方法の限界で
ある。
のシステムでも、通常のビンおよびチップ接続を介して
電力およびテスト・データ信号をテスト回路に印加して
、テスト回路をテスト手順で検出すべき動作状態にする
必要がある。このことは、これらのテスト方法の限界で
ある。
本発明の主目的は、完全に非接触式であり、したがって
テストしようとする回路に電力およびテスト・データを
印加するために接続を設ける必要がないテスト方法を提
供することにある。
テストしようとする回路に電力およびテスト・データを
印加するために接続を設ける必要がないテスト方法を提
供することにある。
本発明のもう1つの目的は、集積回路用実装ボード内の
導線をテストするのに特に適したテスト方法を考案する
ことにある。
導線をテストするのに特に適したテスト方法を考案する
ことにある。
本発明のもう1つの目的は、電子線の印加を要せず、し
たがって高い電圧フントラストが達成できるテスト手順
を提供することにある。
たがって高い電圧フントラストが達成できるテスト手順
を提供することにある。
さらにもう1つの目的は、基板を貫通するヴ1イア接続
の簡単で迅速な同時テストが可能なテスト方法である。
の簡単で迅速な同時テストが可能なテスト方法である。
D9問題点を解決するための手段
これらの目的を達成するため、本発明の方法では、まず
基板上の回路の所定のパッドにレーザを照射して、そこ
から光電子を放出させ、パッドを正に帯電させる。そう
すると、これらの所定のパッドおよびそのそれぞれに接
続されているすべての導線とパッドが特定の電圧レベル
になる。そのあと再び回路板表面にレーザ光線を坐でて
、パッドからの光電子放出を励起する。今度は、その強
度は、各パッドの予め確立された電圧に依存する。
基板上の回路の所定のパッドにレーザを照射して、そこ
から光電子を放出させ、パッドを正に帯電させる。そう
すると、これらの所定のパッドおよびそのそれぞれに接
続されているすべての導線とパッドが特定の電圧レベル
になる。そのあと再び回路板表面にレーザ光線を坐でて
、パッドからの光電子放出を励起する。今度は、その強
度は、各パッドの予め確立された電圧に依存する。
光電子はチャネル・プレート装置に送られて増幅され、
その結果得られる強度パターンの評価がらどのパッドが
所定のパッドと実際に電気的に接続しているか、またど
のパッドが接続していないがを検出する。
その結果得られる強度パターンの評価がらどのパッドが
所定のパッドと実際に電気的に接続しているか、またど
のパッドが接続していないがを検出する。
この方法は、表面導線や埋込み導線にもヴアイア接続に
も適用できるという利点がある。この方法を用いると、
電子線技術などでは不可能な複数の結線の同時テストが
可能になる。
も適用できるという利点がある。この方法を用いると、
電子線技術などでは不可能な複数の結線の同時テストが
可能になる。
E、実施例
E−11発明の原理
本発明のテスト手順は、主として実装、すなわち回路の
テストと回路板上のパッド相互間に設けられている導線
のテストに関連するものである。
テストと回路板上のパッド相互間に設けられている導線
のテストに関連するものである。
このような回路板は、前もってテスト済みの個々のチッ
プを担持し相互接続させるのに使用される。
プを担持し相互接続させるのに使用される。
第1A図〜第1C図は、この新しいテスト方法の概略図
である。この方法の3つの段階が、第1A図〜第1C図
に表わされている。レーザ光線によって照射される表面
からの光電子放出を可能にするためにテストを真空中で
行なう点に留意されたい。
である。この方法の3つの段階が、第1A図〜第1C図
に表わされている。レーザ光線によって照射される表面
からの光電子放出を可能にするためにテストを真空中で
行なう点に留意されたい。
第1A図では、テストしようとする回路または導体を含
む回路板11にレーザ装置13(紫外線レーザ)からレ
ーザ光線を当てる。レーザ光線は、走査機構によって回
路板11上の選んだ点に当てることができ、オン・オフ
切替えができる。テストしようとする導体によってそれ
ぞれ相互接続された2対のパッドP11/P12および
P21/P22が示されている。この第1段階で、一方
のパッド、たとえばP21にレーザ光線が当てられる。
む回路板11にレーザ装置13(紫外線レーザ)からレ
ーザ光線を当てる。レーザ光線は、走査機構によって回
路板11上の選んだ点に当てることができ、オン・オフ
切替えができる。テストしようとする導体によってそれ
ぞれ相互接続された2対のパッドP11/P12および
P21/P22が示されている。この第1段階で、一方
のパッド、たとえばP21にレーザ光線が当てられる。
この個所にある導電性材料からの光電子放出によって、
パッド21は正に帯電するが、回路板11の周囲の絶縁
体表面は帯電しない。こうした秀れたコントラストの理
由は、レーザ照射の光子エネルギーが、金属製パッドか
ら光電子を励起するには充分大きいが、セラミック製基
板から光電子を励起するには小さすぎるように選ばれて
いることである。(セクション2で示されているように
)発生した光電子を集めるために、グリッドを設ける必
要がある。
パッド21は正に帯電するが、回路板11の周囲の絶縁
体表面は帯電しない。こうした秀れたコントラストの理
由は、レーザ照射の光子エネルギーが、金属製パッドか
ら光電子を励起するには充分大きいが、セラミック製基
板から光電子を励起するには小さすぎるように選ばれて
いることである。(セクション2で示されているように
)発生した光電子を集めるために、グリッドを設ける必
要がある。
選択したパッドP2i上に集まった電荷は、P21に接
続されている電気回路の全部分を介して、この場合には
導線を介してパッドP22へと伝播していく。したがっ
てP21とP22の間の回路に損傷がない場合、P21
およびP22も回路板の他の全表面と異なる電位になる
はずである。ただし、P21とP22の中間の導体中に
断線がある場合には、P22が高電位になるこ七はない
はずである。さらに、P21とPI3間に短絡がある場
合には、電荷が両方のパッドP12とpHに分布して、
パッドP21とP22だけでなくパッドP12とPll
も高電位になるはずである。選ばれたパッドおよびそれ
に接続しているパッドの電圧レベルは、使用するレーザ
の出力、照射時間、および導体材料に依存する。
続されている電気回路の全部分を介して、この場合には
導線を介してパッドP22へと伝播していく。したがっ
てP21とP22の間の回路に損傷がない場合、P21
およびP22も回路板の他の全表面と異なる電位になる
はずである。ただし、P21とP22の中間の導体中に
断線がある場合には、P22が高電位になるこ七はない
はずである。さらに、P21とPI3間に短絡がある場
合には、電荷が両方のパッドP12とpHに分布して、
パッドP21とP22だけでなくパッドP12とPll
も高電位になるはずである。選ばれたパッドおよびそれ
に接続しているパッドの電圧レベルは、使用するレーザ
の出力、照射時間、および導体材料に依存する。
したがって、まずテストしようとする回路の選んだ点を
選択的に帯電させてから、どの非照射個所に高電位が現
われるかを検出することにより、回路または導体中の欠
陥が検出できる。第1B図および第1C図の操作は検出
操作のために実行される。これは実際には電圧コントラ
ストの測定である段階(第1B図)では、回路板11の
表面全体がレーザ装置13から広角のレーザ光線によっ
てフラッシングされる。このため、全金属スポットから
光電子放出が起こる。しかし、予め帯電している個所か
ら出る電子の運動エネルギーは、帯電していない個所か
らの電子よりも低い。この低エネルギー電子は、障壁を
通り抜けて検出装置に到達することができない。したが
って、回路板1工の表面上の他の金属スポットよりも高
エネルギー状態にある金属スポットからは、検出可能な
光電子放出が生じない。回路に損傷がない場合、本例で
はこれらのスポットはP21とP22となるはずである
。
選択的に帯電させてから、どの非照射個所に高電位が現
われるかを検出することにより、回路または導体中の欠
陥が検出できる。第1B図および第1C図の操作は検出
操作のために実行される。これは実際には電圧コントラ
ストの測定である段階(第1B図)では、回路板11の
表面全体がレーザ装置13から広角のレーザ光線によっ
てフラッシングされる。このため、全金属スポットから
光電子放出が起こる。しかし、予め帯電している個所か
ら出る電子の運動エネルギーは、帯電していない個所か
らの電子よりも低い。この低エネルギー電子は、障壁を
通り抜けて検出装置に到達することができない。したが
って、回路板1工の表面上の他の金属スポットよりも高
エネルギー状態にある金属スポットからは、検出可能な
光電子放出が生じない。回路に損傷がない場合、本例で
はこれらのスポットはP21とP22となるはずである
。
第1C図の段階では、非帯電金属表面領域からの光電子
放出パターンを検出する。チャネル−プレート15と位
置検出用検出器17からなる装置がこの目的に使用され
る。このようなチャネル・プレート15は、電子増幅プ
レートの高密度アレイであり、周知である。これは、高
利得の光電子強度をもたらす。位置検出用検出器17は
、各スポットを別々に帯電させることができる蛍光プレ
ートまたは半導体プレートでよいが、検出された電子の
空間分布を明らかにする。この空間分布は回銘板表面上
のすべての非M7J1金属スポットの位置を指示するも
のである。この空間情報は時系列データ列に転換してか
ら、たとえば記憶したりコンピュータで直接処理してテ
スト結果を得ることができる。もちろん、正確に高エネ
ルギー光電子を集め低エネルギー光電子を拒絶するため
に、回路板11とチャネル拳プレード15の間の真空中
に電気グリッド手段を設けなければならない。
放出パターンを検出する。チャネル−プレート15と位
置検出用検出器17からなる装置がこの目的に使用され
る。このようなチャネル・プレート15は、電子増幅プ
レートの高密度アレイであり、周知である。これは、高
利得の光電子強度をもたらす。位置検出用検出器17は
、各スポットを別々に帯電させることができる蛍光プレ
ートまたは半導体プレートでよいが、検出された電子の
空間分布を明らかにする。この空間分布は回銘板表面上
のすべての非M7J1金属スポットの位置を指示するも
のである。この空間情報は時系列データ列に転換してか
ら、たとえば記憶したりコンピュータで直接処理してテ
スト結果を得ることができる。もちろん、正確に高エネ
ルギー光電子を集め低エネルギー光電子を拒絶するため
に、回路板11とチャネル拳プレード15の間の真空中
に電気グリッド手段を設けなければならない。
E−2,ヴアイア接続のテスト
従来は、回路板の片面だけでテストが行なわれていた。
ヴ1イア接続、すなわち回路板の異なる表面上にあるパ
ッド相互間を結ぶ導線をテストするには、誘導された電
荷が充分長い時間持続する場合、第2A図の段階のあと
回路板をひっくり返さなければならず、または、第2B
図および第2C図に示すように、回路板の反対側にフラ
ッシング・レーザとチャネル・プレート/検出器装置を
設けなければならない。第2A図〜第2C図の場合、そ
れぞれ回路板の互に反対の面11Aと11Bに配置され
ているパッド対P31/P32ないしPθ1/P62の
間にヴアイア接続が設けられている。その他の点は、第
1図に関して説明した手順段階と同じである。
ッド相互間を結ぶ導線をテストするには、誘導された電
荷が充分長い時間持続する場合、第2A図の段階のあと
回路板をひっくり返さなければならず、または、第2B
図および第2C図に示すように、回路板の反対側にフラ
ッシング・レーザとチャネル・プレート/検出器装置を
設けなければならない。第2A図〜第2C図の場合、そ
れぞれ回路板の互に反対の面11Aと11Bに配置され
ているパッド対P31/P32ないしPθ1/P62の
間にヴアイア接続が設けられている。その他の点は、第
1図に関して説明した手順段階と同じである。
もちろん、回路板のすべてのヴアイア接続を同時にテス
トすることも可能である。この場合、テスト手順の第1
段階(第2A図)で、レーザ光線で表面領域11A全体
にフラッシングして、回路板のIIA側に位置する全グ
アイア・パッドを帯電させる。そうすると、損傷のない
すべてのヴアイアでは、反対側表面11B上のそれぞれ
のパッドが帯電されることになり、断線のある各ヴアイ
アでは、反対側表面11B上の対応するパッドに電荷が
存在しないことになる。ヴアイア同時テストの場合の第
2および第3段階(第2B図および第2C図)は、ヴア
イア個別テストの場合と同じである。つまり、レーザ光
線によって反対側表面11B全体をフラッシングし、チ
ャネル・プレート/検出器の装置によって光電子放出パ
ターンを検出する。
トすることも可能である。この場合、テスト手順の第1
段階(第2A図)で、レーザ光線で表面領域11A全体
にフラッシングして、回路板のIIA側に位置する全グ
アイア・パッドを帯電させる。そうすると、損傷のない
すべてのヴアイアでは、反対側表面11B上のそれぞれ
のパッドが帯電されることになり、断線のある各ヴアイ
アでは、反対側表面11B上の対応するパッドに電荷が
存在しないことになる。ヴアイア同時テストの場合の第
2および第3段階(第2B図および第2C図)は、ヴア
イア個別テストの場合と同じである。つまり、レーザ光
線によって反対側表面11B全体をフラッシングし、チ
ャネル・プレート/検出器の装置によって光電子放出パ
ターンを検出する。
E−30本発明を利用したテスト装置
第3図は、本発明を利用するためのテスト装置を示した
ものである。この装置は、底板2工のついた真空室1θ
を含む。回路板(パッケージ基板)11を保持するため
に支持台23が設けられている。回路板11の表面上に
、電気接続パッド25が略図で示しである。テストされ
る回路または導線は、この図面には示されていない。
ものである。この装置は、底板2工のついた真空室1θ
を含む。回路板(パッケージ基板)11を保持するため
に支持台23が設けられている。回路板11の表面上に
、電気接続パッド25が略図で示しである。テストされ
る回路または導線は、この図面には示されていない。
レーザ装置13は、紫外線レーザ光源27と走査部/投
光l装置29からなる。走査部/投光部29は、光源2
7から放出されたレーザ光線を集束させ偏向させて回路
板If上の選択した点に当てるのに適した手段である。
光l装置29からなる。走査部/投光部29は、光源2
7から放出されたレーザ光線を集束させ偏向させて回路
板If上の選択した点に当てるのに適した手段である。
走査部/投光部は、回転多面鏡プラス集束/光線散開用
対物レンズに基づく、純粋に光学的なレーザ走査顕微鏡
で使用されているような市販システムでよい。このよう
な集束偏向手段は周知なので、本明細書で詳しく説明す
る必要はない。
対物レンズに基づく、純粋に光学的なレーザ走査顕微鏡
で使用されているような市販システムでよい。このよう
な集束偏向手段は周知なので、本明細書で詳しく説明す
る必要はない。
(光線をオン・オフに切り替える)レーザ光源27と走
査部/投光部29に適当な側御信号(テストのため帯電
すべく選択した点の座標信号、または広角レーザ光線を
もたらすための制御信号)を供給するために、制御装置
31が設けられている。どのテスト手順用の基礎データ
も、処理装置/記憶製置33に記憶され、制御装置31
に供給される。
査部/投光部29に適当な側御信号(テストのため帯電
すべく選択した点の座標信号、または広角レーザ光線を
もたらすための制御信号)を供給するために、制御装置
31が設けられている。どのテスト手順用の基礎データ
も、処理装置/記憶製置33に記憶され、制御装置31
に供給される。
第1B図の段階においてレーザ光線によるフラッシング
に応じて回路板11の表面から放出された光電子を真の
空間関係で受は取るために、チャネル・プレート15が
設けられている。選択したパッドからの光電子を集め、
光電子をチャネル拳プレードにうまく移送させるために
、2つのグリッドが設けられている。つまり、回路板1
1からの光電子を、引き寄せて、加速させる電位(VA
CC)を有する加速グリッド35がある。このグリッド
35の典型的な電位は、100ポルトである。低エネル
ギー光電子を拒絶し、したがって電圧弁別を可能にする
ために、グリッド35を通過した電子を減速させる減速
電位(VRET)ををする減速グリッド37が設けられ
ている。このグリッド37の典型的な電位は、−10ボ
ルトと+10ボルトの間である。電位(VACC)と(
VRE丁)をグリッドに与えるため、電圧電源39が設
けられており、正確なグリッド電位を選定するための制
御信号を制御装置31から受は取る。
に応じて回路板11の表面から放出された光電子を真の
空間関係で受は取るために、チャネル・プレート15が
設けられている。選択したパッドからの光電子を集め、
光電子をチャネル拳プレードにうまく移送させるために
、2つのグリッドが設けられている。つまり、回路板1
1からの光電子を、引き寄せて、加速させる電位(VA
CC)を有する加速グリッド35がある。このグリッド
35の典型的な電位は、100ポルトである。低エネル
ギー光電子を拒絶し、したがって電圧弁別を可能にする
ために、グリッド35を通過した電子を減速させる減速
電位(VRET)ををする減速グリッド37が設けられ
ている。このグリッド37の典型的な電位は、−10ボ
ルトと+10ボルトの間である。電位(VACC)と(
VRE丁)をグリッドに与えるため、電圧電源39が設
けられており、正確なグリッド電位を選定するための制
御信号を制御装置31から受は取る。
回路板11の表面上での金属スポットの電位の空間分布
を表わす、チャネル・プレート15から供給される電子
が、位置検出用検出器17に伝播する。それが蛍光層の
場合、その像がテレビ・カメラで記録できる。このカメ
ラの走査信号は、検出器17上での照射空間分布の逐次
表現であり、記録後にそれを評価できる。検出器が帯電
可能な半導体プレートの場合、信号評価機構41の役割
をする市販の電荷結合素子(COD)カメラによってそ
れを直接読み出すことができる。この信号評価機構は、
テスト結果のデータを処理装置/記憶装置33に順次送
り込み、そこからデータを抽出して最終評価し、または
各回路板のテスト結果の印刷出力を得ることができる。
を表わす、チャネル・プレート15から供給される電子
が、位置検出用検出器17に伝播する。それが蛍光層の
場合、その像がテレビ・カメラで記録できる。このカメ
ラの走査信号は、検出器17上での照射空間分布の逐次
表現であり、記録後にそれを評価できる。検出器が帯電
可能な半導体プレートの場合、信号評価機構41の役割
をする市販の電荷結合素子(COD)カメラによってそ
れを直接読み出すことができる。この信号評価機構は、
テスト結果のデータを処理装置/記憶装置33に順次送
り込み、そこからデータを抽出して最終評価し、または
各回路板のテスト結果の印刷出力を得ることができる。
E−4,テストできる回路/導線の構成第4図は、本発
明のテスト方法を使用するとき利用できる種々の基本的
テスト方法を図示したものである。
明のテスト方法を使用するとき利用できる種々の基本的
テスト方法を図示したものである。
第4A図には、パッド対相互間の少数の単純な結線A1
、A2、A3、A4が示されている。上側に示した側断
面図を見るとわかるように、これらの結線はすべて回路
板の表面に位置している。
、A2、A3、A4が示されている。上側に示した側断
面図を見るとわかるように、これらの結線はすべて回路
板の表面に位置している。
テストするには、まずレーザ光線を結線At、A2また
はA3の左のパッドに選択的に当てる(各結線は別々に
テストする)。図では、これをrLJと記した矢印で示
す。検出を、「D」と記した矢印で示す。正常な結線A
1では、検出の結果、電荷が右のパッドに伝播している
ことが示されるはずである(「1」で示す)。断線のあ
る結線A2では、期待される電位が右のパッドでは検出
されないはずである(「0」で示す)。正常な結線へ3
では、右のパッドでの結果はA1の場合と同じである。
はA3の左のパッドに選択的に当てる(各結線は別々に
テストする)。図では、これをrLJと記した矢印で示
す。検出を、「D」と記した矢印で示す。正常な結線A
1では、検出の結果、電荷が右のパッドに伝播している
ことが示されるはずである(「1」で示す)。断線のあ
る結線A2では、期待される電位が右のパッドでは検出
されないはずである(「0」で示す)。正常な結線へ3
では、右のパッドでの結果はA1の場合と同じである。
しかし、A3とA4の間には短絡があると仮定されてい
る。したがって、結線A4の片方のパッドにレーザ光線
が当たらなくても、A3の片方のパッドを帯電させた後
の検出段階でA4のパッドから高電位の指示が出る(右
のパッド上に「1」で示す)。
る。したがって、結線A4の片方のパッドにレーザ光線
が当たらなくても、A3の片方のパッドを帯電させた後
の検出段階でA4のパッドから高電位の指示が出る(右
のパッド上に「1」で示す)。
第4B図には、表面パッド対相互間の4つの埋込み結線
Bl、B2、B3、B4が示されている。
Bl、B2、B3、B4が示されている。
埋め込まれた導線は目に見えないし、レーザ光線で帯電
させることもできないが、それでも本発明の方法によっ
てテストすることができる。レーザでパッドを選択的に
帯電させ、その結果パッド上に生じた電位を続いて検出
することに関して、第4A図に示した説明が、第4B図
の場合にもあてはまる。
させることもできないが、それでも本発明の方法によっ
てテストすることができる。レーザでパッドを選択的に
帯電させ、その結果パッド上に生じた電位を続いて検出
することに関して、第4A図に示した説明が、第4B図
の場合にもあてはまる。
第4C図には、回路板の両側の表面に位置するパッドを
相互接続する複数のヴアイア接続が示されている。既述
のように、これらのヴアイア接続もまた本発明の方法に
よってうまくテストできる。
相互接続する複数のヴアイア接続が示されている。既述
のように、これらのヴアイア接続もまた本発明の方法に
よってうまくテストできる。
場合(A)と(B)の唯一の相違は、レーザ光線(L)
による最初の選択的帯電を回路板の片面で行ない、その
結果生じた電位分布(D)の検出を回路板の反対面で行
なうことである。
による最初の選択的帯電を回路板の片面で行ない、その
結果生じた電位分布(D)の検出を回路板の反対面で行
なうことである。
もちろん、テストしようとする回路板(パッケージ基板
)は、第4図に示す任意の電気結線の組合せを持つもの
でもよく、より複雑な結線(分岐導線、導線網など)が
あってもよい。適切な逐次段階でテストを行なうとき、
別々の「回路網」でそれぞれ保全性をテストすることが
でき、「回路網」相互間の短絡も容易に検出できる。
)は、第4図に示す任意の電気結線の組合せを持つもの
でもよく、より複雑な結線(分岐導線、導線網など)が
あってもよい。適切な逐次段階でテストを行なうとき、
別々の「回路網」でそれぞれ保全性をテストすることが
でき、「回路網」相互間の短絡も容易に検出できる。
もちろん、たとえば、同時にテストする結線が相互間の
短絡が不可能なほど離れている場合に、異なる接続線ま
たはヴ1イア接続を同時にテストすることも可能である
。
短絡が不可能なほど離れている場合に、異なる接続線ま
たはヴ1イア接続を同時にテストすることも可能である
。
F6発明の効果
従来の電子線テスト技術に比較すると本発明は次のよう
な利点を有している。
な利点を有している。
電子線テスト技術では、位置検出用検出器を使用する場
合、高エネルギー電子(反射電子線)を低エネルギー(
2次)電子から分離する際に問題がある。電子線の場合
、(約1,0OOeVの)反射電子線の高エネルギーも
チャネル・プレートに到達して、電圧コントラスト情報
を破壊することになる。この電圧に関する情報は低エネ
ルギー電子中にあるからである。この情報光電子放出で
は、Oevないし1eVの範囲のエネルギーで放出され
る電子だけが存在し、それが検査する試料の表面上の電
圧に関する情報も含んでいる。
合、高エネルギー電子(反射電子線)を低エネルギー(
2次)電子から分離する際に問題がある。電子線の場合
、(約1,0OOeVの)反射電子線の高エネルギーも
チャネル・プレートに到達して、電圧コントラスト情報
を破壊することになる。この電圧に関する情報は低エネ
ルギー電子中にあるからである。この情報光電子放出で
は、Oevないし1eVの範囲のエネルギーで放出され
る電子だけが存在し、それが検査する試料の表面上の電
圧に関する情報も含んでいる。
単一スポットの測定時間またはロード時間が電子線技術
と光電子放出技術でほぼ同等であるとすると、レーザ励
起光電子放出でのみフラッシング方式が働くため、後者
の技術の方が全測定時間がずっと短くなる。テストにお
いて、電子線技術では単一スポットの測定時間が光電子
放出の場合よりも4倍大きいことが判明している。した
がって、フラッシング方式が可能な全パッケージのテス
トではずっと大きな改善が得られる。
と光電子放出技術でほぼ同等であるとすると、レーザ励
起光電子放出でのみフラッシング方式が働くため、後者
の技術の方が全測定時間がずっと短くなる。テストにお
いて、電子線技術では単一スポットの測定時間が光電子
放出の場合よりも4倍大きいことが判明している。した
がって、フラッシング方式が可能な全パッケージのテス
トではずっと大きな改善が得られる。
第1A図〜第1C図は、回路板の片面にあるパッド相互
間の結線をテストする本発明のテスト方法の各段階の概
略図である。 第2A図〜第2C図は、ヴアイア接続をテストする本発
明の方法の各段階の概略図である。 第3図は、本発明方法を実行するためのテスト装置内の
重要な構成要素とそれらの相互関係を示す概略図である
。 第4A図〜第4C図は、様々な導線構造と結線に対する
本発明の様々なテスト方法の概略図である。 出願人 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ
・コーポレーシロン 代理人 弁理士 頓 宮 孝 −(外1名) 第1C図 挾:Ji悲 第2B区
間の結線をテストする本発明のテスト方法の各段階の概
略図である。 第2A図〜第2C図は、ヴアイア接続をテストする本発
明の方法の各段階の概略図である。 第3図は、本発明方法を実行するためのテスト装置内の
重要な構成要素とそれらの相互関係を示す概略図である
。 第4A図〜第4C図は、様々な導線構造と結線に対する
本発明の様々なテスト方法の概略図である。 出願人 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ
・コーポレーシロン 代理人 弁理士 頓 宮 孝 −(外1名) 第1C図 挾:Ji悲 第2B区
Claims (2)
- (1)非導電性材料より成る回路基板上または基板中の
導電経路であって、基板表面上の少なくとも2つの非被
覆パッドに接続された導電経路をテストする方法であっ
て、 上記パッドから光電子放出を引き起こすのに充分なエネ
ルギーを有する光ビームの照射により上記基板表面上の
少なくとも1つのパッドを帯電させ、上記光ビームを照
射したパッドおよび該パッドに電気的に接続されたパッ
ドに特定の電圧レベルを誘起し、 上記基板に第2の光ビームを照射することにより、パッ
ドから、電圧に依存した光電子放出を生じさせ、 上記電圧に依存した光電子放出を検出するステップを含
む、 導電経路のテスト方法。 - (2)上記電圧に依存した光電子放出を生じさせる光ビ
ームが、上記基板上に全面的に照射され、上記検出がチ
ャネル・プレートにより行なわれる特許請求の範囲第(
1)項記載の導電経路のテスト方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP86114711.4 | 1986-10-23 | ||
EP86114711A EP0264481B1 (en) | 1986-10-23 | 1986-10-23 | Testing method for integrated circuit packaging boards using a laser in vacuum |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63115071A true JPS63115071A (ja) | 1988-05-19 |
JPH0614084B2 JPH0614084B2 (ja) | 1994-02-23 |
Family
ID=8195524
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62232755A Expired - Lifetime JPH0614084B2 (ja) | 1986-10-23 | 1987-09-18 | 導電経路のテスト方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4843329A (ja) |
EP (1) | EP0264481B1 (ja) |
JP (1) | JPH0614084B2 (ja) |
DE (1) | DE3685331D1 (ja) |
Families Citing this family (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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US4978908A (en) * | 1989-03-22 | 1990-12-18 | Texas Instruments Incorporated | Scanning electron microscope based parametric testing method and apparatus |
US5159752A (en) * | 1989-03-22 | 1992-11-03 | Texas Instruments Incorporated | Scanning electron microscope based parametric testing method and apparatus |
US4970461A (en) * | 1989-06-26 | 1990-11-13 | Lepage Andrew J | Method and apparatus for non-contact opens/shorts testing of electrical circuits |
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AU3354401A (en) | 2000-02-14 | 2001-08-20 | Eco 3 Max Inc. | Process for removing volatile organic compounds from an air stream and apparatustherefor |
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US9952161B2 (en) | 2001-12-06 | 2018-04-24 | Attofemto, Inc. | Methods for obtaining and analyzing digital interferometric data for computer testing and developing semiconductor and anisotropic devices and materials |
US8462350B2 (en) | 2001-12-06 | 2013-06-11 | Attofemto, Inc. | Optically enhanced holographic interferometric testing methods for the development and evaluation of semiconductor devices, materials, wafers, and for monitoring all phases of development and manufacture |
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US7400411B2 (en) * | 2001-12-06 | 2008-07-15 | Attofemto, Inc. | Method for optically testing semiconductor devices |
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KR100982830B1 (ko) | 2003-06-30 | 2010-09-16 | 오에이치티 가부시끼가이샤 | 회로 기판 패턴의 단락 검사 장치 및 단락 검사 방법 |
FR2881832B1 (fr) * | 2005-02-04 | 2007-04-20 | Beamind Soc Par Actions Simpli | Procede de test de conducteurs electriques par effet photoelectrique, au moyen d'une plaque separatrice |
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CN100502021C (zh) * | 2005-06-13 | 2009-06-17 | 佳能株式会社 | 电磁辐射检测设备、辐射检测设备和系统及激光处理方法 |
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-
1986
- 1986-10-23 DE DE8686114711T patent/DE3685331D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1986-10-23 EP EP86114711A patent/EP0264481B1/en not_active Expired
-
1987
- 1987-09-18 JP JP62232755A patent/JPH0614084B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1987-10-09 US US07/107,433 patent/US4843329A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0264481A1 (en) | 1988-04-27 |
EP0264481B1 (en) | 1992-05-13 |
JPH0614084B2 (ja) | 1994-02-23 |
DE3685331D1 (de) | 1992-06-17 |
US4843329A (en) | 1989-06-27 |
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