JPS63111162A - 連続溶融メツキ方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は溶融亜鉛メッキ等の連続′ｆＪ融メツメツキ方
法けるメッキ浴の温度調整方法に関する。

〔従来の技術とその問題点〕

連続溶融亜鉛メッキ、合金化溶融亜鉛メッキ、あるいは
Ｚ　ｎ−Ａｆ！、等の合金溶融メッキを行う場合におい
て、メッキ製品の品質を確保するためにはメッキ浴温と
、鋼板のメッキ浴への浸入温度がｍ要な管理項目である
。しかし、１つの連続溶融メッキ装置を用いて、種々の
材質の鋼板にメッキを行う場合、それに応じてその都度
メッキ浴の温度を適正な値に変更しなければならない。

例えば第２図に示す如く、メッキ母材である鋼板中のＳ
ｉ　含仔量が増加すると、メッキ密行性が低下してしま
うため、密着性を確保するためにはＳｉ　　含ｆｆ　ｆ
ｉの増加に応じてメッキ浴温を上げる必要がある。しか
し、メッキ浴、例えばＺｎ　メッキ浴の容量は約１００
トン前後と大きいため、そのＩＵを１０°Ｃ上昇させる
ために２００　Ｋｗの電熱ヒーターで加熱しても約３０
分もの長時間を要する。つまりその間のメッキ製品は不
良品が生じてしまう。また、メッキ浴全体の温度を上昇
させると、それに伴ってＺｎ　の酸化物であるドロスの
発生が増大し、メッキ品質の低下や、Ｚｎ　原単位の悪
化を招くことになる。

さらに、Ｓｉ含有量の多い鋼板（例えばＳｔ≧０．５％
）をメッキする際は密着性を確保するために約５００℃
前後の高いメッキ浴温で操業を行う必要があるが、次に
メッキすべき鋼板がＳｉ　含「量の低い母材（例えばＳ
ｉＳ２．２％）に変更される場合において、メッキ浴温
は急速に低下させることができない。どのような場合、
鋼板中の成分がＳｉ含有率の低い一般材を高温のメッキ
浴でＺｎ　　メッキを行うと、メッキ層と母材の界面に
Ｆｃ−Ｚｎ　の合金層が異常発達を起しやすくなり、い
わゆるメッキ焼けと称する変色が生じ、メッキ製品の品
質を低下させることになる。このようにメッキ浴温の迅
速調整は品質を確保する上で極めて重要であるが、従来
の４度ｇ整方法ではとうてい７４足できないのが現状で
ある。

したがってメッキ品種の切替時に要求されるメッキ浴温
の迅速な調整を可能とならしめる方法が求められている
。

Ｃ間ご点を解決するための手段〕 本発明は、上記目的を達成するために、連続溶融メッキ
装置のスナウトのメッキ浴浸部分に温度：Ａ整装置を設
け、メッキ品種、メッキ母材の材質、メッキ浴温、後処
理条件等の操業条件に応じて前記温度調整装置にてスナ
ウト内部のメッキ浴昌度を調整しながらメッキすること
を特徴とする。

〔作　　　用〕

本発明の連続溶融メッキ方法では、スナウト内部のメッ
キ浴浸部分に温度調整手段を設け、メッキ品種の切替時
に要求されるメッキ浴温に応じて迅速にスナウト内部の
メッキ浴温を変更できる。

〔実　施　例〕

以下、本発明をその実施例を示す図面に基づいて詳細に
説明する。

第１図は本発明を実施するための連続溶融メッキ装置の
概略の構成を示す図である。同図中、（Ｉ）はメッキを
行う鋼板であり、図示しない連続熱処理炉よりスナウ）
　（２１を通ってメッキ浴中に浸ｃ責され、ジンクロー
ル（４）を経てワイピングノズル（５）で所定のメッキ
付着量に調整される。スナウト（２）のメッキ浴浸部分
には誘導加熱方式等の加熱手段と、水冷方式による冷却
手段を備えた温度調整装置（６）を設けており、スナウ
ト（２）内部のメッキ浴温を調整するようになっている
。この温度調整装置（６）により鋼板（１）がメッキ浴
中へ浸漬開始する部分のみの浴温を所望の温度に調整可
能となる。なお、スナウト内部のメッキ浴温を例えば４
６０〜５００°Ｃに調整する場合、他の全体のメッキ浴
温は前述の温度範囲の中の最低温度の近傍に設定してお
くのが省エネルギー、ドロス発生の点より好ましい。

このようにスナウト内部のメッキ浴温のみを調整する理
由は、前述のメッキ密着性および合金層の異常発達抑制
については、メッキ浴中へ鋼板が浸入する時点の温度が
最も大きな影口を与えるためである。

スナウト（２）内部にはメッキ浴温を測定するための温
度計■が設けてあり、測温値は制ｇａ装置（８）に取込
まれ、外部から与えられる目標温度と比較演算され、目
標温度に一致させるべく演算結果をそれぞれ加熱制御装
置（９）、冷却水量制御装置（１■へ出力する。例えば
測温値が目標温度よりも低い場合はその差に応じて必要
な加熱電力を演算により求め、加熱制御装置（９）へ出
力する。また逆に測温値が目標温度よりも高い場合はそ
の差に応じて、必要な冷却水量を演算にて求め、冷却水
量制御装置（１０１へ出力する。

加熱制御装置（９）は、与えられた加熱電力に基づき、
温度：Ａ整装置（６）の加熱手段へ供給する加熱電力の
制御を行う。また、同様に冷却水量制御装置００）は与
えられた冷却水量に基づき温度調整装置（６）の冷却手
段への冷却水供給量を制御する。

このようにしてスナウト（２）内の温度量制御されたメ
ツ・ト浴に浸漬した鋼板はそれ以降、従来と同様の手順
で処理されてい（。

次に、本発明の実施例について述べる。

スナウト（２）内部のメッキ浴温の、１１　［ｆ　：Ｊ
Ｊ整表装置加熱手段として２０Ｋｗの誘導加熱装置と、
冷却手段として２５Ｉｌ／分の能力を有する水冷装置を
設けて本発明を実施した。この場合の加熱時の応答性は
Ｚｎ比重：　７．１３　ｇ／ｃＺ　Ｎ　スナウトの幅：
　１８００■、スナウト奥行：１５０．、、スナウト’
ｌ’；ｊ　／Ｉ’（ｌ朶さ：５００１１１−の条件で、
約５°Ｃ／分の値が得られた。また、冷却能力も同一条
件で２５１／分の水量にて同様に約５°Ｃ／分であった
。

この装置を用いてＣ：０．０５％、Ｓｉ：０．Ｆｉ％を
含イ１゛する板厚０．５ｍ＋＋の高５ｉｉｒＪ板を連続
焼鈍後、メッキ密行性を確保するためにスナウト内のＺ
ｎ　　メッキ浴温を５００　’Ｃとし、メッキ浴全体の
浴温は４７０°Ｃに設定してライン速度２００ｍ／分で
メッキしたのち、ただちに通常のＣ：０．０５％、Ｓｉ
：０．００５％、板厚０．５１■の一般材に切替えた。

この時、材料の切替え部かスナウトを通過すると同時に
スナウト内のメッキ浴温の目標温度を４７０°Ｃに変更
し、ライン速度を５ｍ／分に低下させながら水冷装置に
て冷却することにより、約６分後にスナウト内のメッキ
浴温を４７０°Ｃに低下させることができた。その結果
、従来の温度調整装置を用いない方法では切替え部以降
のメッキ焼けによる不良部長さが約４５０ｍも発生して
いたのに比べ、本発明によれば上記により不良部長さを
約３０ｍと大幅に低減することができた。

次に上記の場合と逆にＣ：０．０５％、Ｓｉ：０．００
５％、板厚０．５■■の一般材をスナウト内のメッキ浴
温、およびメッキ槽本体のＺｎ　　メッキ浴温をともに
４７０°Ｃでライン速度２００ｍ／分でメッキしたのち
、Ｃ：０．０５％、Ｓｉ：０．００％、板厚０．５１の
高Ｓｉ鋼板に切替えた。その際、材料の切替え部がスナ
ウトを通過すると同時にスナウト内のメッキ浴温の目標
温度を５００°Ｃに変更し、ライン速度を５ｍ／分に低
下させて誘導加熱装置により加熱を行うことにより約６
分後にスナウト内のメッキ浴温を５００°Ｃにすること
ができた。その結果、従来の方法ではメッキ浴温を３０
°Ｃ上昇させるために００分の時間を要し、メッキ密行
性不良部の長さが約４５０ｍも発生していたか、本発明
によれば」−記によりメッキ密着性不良部長さを約３０
ｍに低減することができた。

さらに高Ｓｉ　　材のメッキ密着性を確保するために従
来のメッキ浴全体を５００°Ｃにてｆｆｆｉ　ｆｆｇし
ていり場合に比べ、本発明の如くスナウト内のメッキ浴
温のみを５００°Ｃにし、他のメッキ浴温は４７０°Ｃ
にて操業することによりメッキ浴の加熱電力原単位を約
１０％低減でき、ドロス発生の減少によりメッキ製品の
表面品質の教書と３％のＺｎ　原単位の低減を実現する
ことができた。

なお以上の説明はＺｎ　　メッキについて述べたが、メ
ッキの種類としてはそれ以外の合金溶融メッキ等、ツキ
等、種類を問わず、また後処理としてガルバニール炉を
仔するメッキ設備についても同様の効果を奏することは
言うまでもない。

〔発明の効果〕

以上、述べた如く本発明によればスナウト内のメッキ浴
温を自在に調整可能とし、被メツキ処理材に最ａのメッ
キ浴温で浸漬することにより、品質の改善、省エネルギ
ー、原単位の低減等に極めて作動な連続溶融メッキ方法
を実現できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本考案の実施例を示す構成の概略図、第２図は
Ｓｉ　　含イｆ量とメッキ密行性の関係を示す図である
。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 連続溶融メッキ装置のスナウトのメッキ浴浸漬部分に温
   度調整装置を設け、メッキ品種、メッキ母材の材質、メ
   ッキ浴温、後処理条件等の操業条件に応じて前記温度調
   整装置にてスナウト内部のメッキ浴温度を調整しながら
   メッキすることを特徴とする、連続溶融メッキ方法。