JPS63108727A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS63108727A JPS63108727A JP25448086A JP25448086A JPS63108727A JP S63108727 A JPS63108727 A JP S63108727A JP 25448086 A JP25448086 A JP 25448086A JP 25448086 A JP25448086 A JP 25448086A JP S63108727 A JPS63108727 A JP S63108727A
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- insulating film
- silicon nitride
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- Pending
Links
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Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体装置に関し、特にその信頼性の改善
に関するものである。
に関するものである。
従来の技術を、第２図を用いて説明する。
第２図は、ｎ型エピタキシャル基板に形成されたｎｐｎ
）ランジスタを示す図である。この図で示されるトラン
ジスタでは、まず、ｎ１基＆ｌ上に成長させたｎ〕エピ
タキシャル層２にポロンを拡散してｐ型ベース領域３を
形成し、次にリンを拡散することによってｎ型のエミッ
タ領域４およびチャネルストンバ領域５を形成する。そ
して、所定の部分の酸化１１’ＪＷ６を残して酸化膜を
除去し、アルミニウム電極７を形成して最後に保護膜と
してシリコン窒化１！Ｊ８をチップ全面に形成し、外部
電極取り出し部ｌＯおよびチップ周辺のグイシング領域
９のシリコン窒化１１１８を除去して完成する。
）ランジスタを示す図である。この図で示されるトラン
ジスタでは、まず、ｎ１基＆ｌ上に成長させたｎ〕エピ
タキシャル層２にポロンを拡散してｐ型ベース領域３を
形成し、次にリンを拡散することによってｎ型のエミッ
タ領域４およびチャネルストンバ領域５を形成する。そ
して、所定の部分の酸化１１’ＪＷ６を残して酸化膜を
除去し、アルミニウム電極７を形成して最後に保護膜と
してシリコン窒化１！Ｊ８をチップ全面に形成し、外部
電極取り出し部ｌＯおよびチップ周辺のグイシング領域
９のシリコン窒化１１１８を除去して完成する。
モールドタイプのトランジスタの場合、モールド材が水
分を吸収して膨潤する結果、モールド内部に容易に水分
が侵入する。このため、モールドパッケージに使用され
るトランジスタには、チップ自体に、侵入した汚染に対
する優れた耐性、特に耐湿性が要求される。
分を吸収して膨潤する結果、モールド内部に容易に水分
が侵入する。このため、モールドパッケージに使用され
るトランジスタには、チップ自体に、侵入した汚染に対
する優れた耐性、特に耐湿性が要求される。
従来は、トランジスタの最表面は２−８笛ｔ％のリンを
含んだりん珪酸ガラス（以下ＰＳＧと呼ぶ）で被われて
いた。これは、リンが重合域イオンをゲッターしてシリ
コン表面を安定化する効果があるからであった。しかし
、一方ではリンは吸湿性があるために素子に侵入した水
分を吸収して特性に悪影響を及ぼし、低電流での電流増
幅率を低下させたり、漏れ電流を増加させたりする問題
がある。そのため、最近ではｐｓｃ１９！の上にさらに
シリコン窒化膜を形成して保護Ｍりとして使用している
。
含んだりん珪酸ガラス（以下ＰＳＧと呼ぶ）で被われて
いた。これは、リンが重合域イオンをゲッターしてシリ
コン表面を安定化する効果があるからであった。しかし
、一方ではリンは吸湿性があるために素子に侵入した水
分を吸収して特性に悪影響を及ぼし、低電流での電流増
幅率を低下させたり、漏れ電流を増加させたりする問題
がある。そのため、最近ではｐｓｃ１９！の上にさらに
シリコン窒化膜を形成して保護Ｍりとして使用している
。
ところが、従来のシリコン窒化膜を用いるトランジスタ
では、第２図のようにしてチップ周辺部のアルミニウム
電極上でシリコン窒化膜を終端していたので、チップ外
部にアルミニウムが露出することになり、シリコン窒化
膜とアルミニウムとの界面、あるいはアルミニウムとシ
リコンとの界面から水分等が侵入するために、チップの
周辺部でシリコン窒化膜が剥離し、あるいはクランクが
発生して、いた、その結果、シリコン窒化膜が有効に働
かずあまり耐湿性が改善されなかった。
では、第２図のようにしてチップ周辺部のアルミニウム
電極上でシリコン窒化膜を終端していたので、チップ外
部にアルミニウムが露出することになり、シリコン窒化
膜とアルミニウムとの界面、あるいはアルミニウムとシ
リコンとの界面から水分等が侵入するために、チップの
周辺部でシリコン窒化膜が剥離し、あるいはクランクが
発生して、いた、その結果、シリコン窒化膜が有効に働
かずあまり耐湿性が改善されなかった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、保護膜の剥離あるいはクランクを防止でき、
素子の信頼性の高い半導体装置を得ることを目的とする
。
たもので、保護膜の剥離あるいはクランクを防止でき、
素子の信頼性の高い半導体装置を得ることを目的とする
。
この発明に係る半導体装置は、半導体素子側面を被い基
板まで達するように第２の絶縁膜を形成したものである
。
板まで達するように第２の絶縁膜を形成したものである
。
この発明においては、半導体素子側面をシリコン窒化膜
等の第２の絶縁膜で被うことにより、この部分からの汚
染、特に水分の侵入が抑えられる。
等の第２の絶縁膜で被うことにより、この部分からの汚
染、特に水分の侵入が抑えられる。
第１図によりこの発明の一実施例を説明する。
第１図は、第２図と同じ（ｎｐｎのエピタキシャルトラ
ンジスタを示す図である０図において、１はｎ１基板、
２はこの基板１上に成長されたｎ−エピタキシャル層、
３はこのエピタキシャル層２にボロンを拡散して形成さ
れたｐ型ベース領域、４はｎ型エミフタ領域、５はチャ
ネルストッパ領域、６は第１の絶縁膜である酸化膜、７
はアルミニウム電極、８は保護膜となる第２の絶縁膜で
あるシリコン窒化膜、９はダイシング領域、ｌｏは外部
電極取り出し部である。また、線Ａ−Ａ″はウェハ上で
の隣接チップとの境界を示している。
ンジスタを示す図である０図において、１はｎ１基板、
２はこの基板１上に成長されたｎ−エピタキシャル層、
３はこのエピタキシャル層２にボロンを拡散して形成さ
れたｐ型ベース領域、４はｎ型エミフタ領域、５はチャ
ネルストッパ領域、６は第１の絶縁膜である酸化膜、７
はアルミニウム電極、８は保護膜となる第２の絶縁膜で
あるシリコン窒化膜、９はダイシング領域、ｌｏは外部
電極取り出し部である。また、線Ａ−Ａ″はウェハ上で
の隣接チップとの境界を示している。
この半導体装置の製造方法は従来とほぼ同様であり、た
だチップ周辺部でのシリコン窒化膜８の終端の仕方が違
っているだけである。つまり、チップ外部にアルミニウ
ム７とシリコン５との界面およびアルミニウム７とシリ
コン窒化膜８との界面が露出しないように、シリコン窒
化１ｆ９！８でその部分のチップ側面を基板まで被って
いる。これにより、この部分からの汚染、特に水分の侵
入が抑えられ、従来のトランジスタで発生していた保護
膜の剥離あるいはクランクを解消することができ、素子
の耐湿性が改善される。
だチップ周辺部でのシリコン窒化膜８の終端の仕方が違
っているだけである。つまり、チップ外部にアルミニウ
ム７とシリコン５との界面およびアルミニウム７とシリ
コン窒化膜８との界面が露出しないように、シリコン窒
化１ｆ９！８でその部分のチップ側面を基板まで被って
いる。これにより、この部分からの汚染、特に水分の侵
入が抑えられ、従来のトランジスタで発生していた保護
膜の剥離あるいはクランクを解消することができ、素子
の耐湿性が改善される。
第３図は、チップ周辺にアルミニウム電極が無い場合の
シリコン窒化膜８終端部を拡大して示したものであり、
この場合はＰＳＧｌｆｉ６とシリコン５との界面が露出
しないようにその部分をシリコン窒化膜８で被っている
。
シリコン窒化膜８終端部を拡大して示したものであり、
この場合はＰＳＧｌｆｉ６とシリコン５との界面が露出
しないようにその部分をシリコン窒化膜８で被っている
。
なお、以上の葎１では、ｎｐｎｌ−ランジスタを用いて
説明したが、ｐｎｐ）ランジスタ、あるいはＭＯ３Ｉ−
ランジスタ、あるいはＩＣにおいても本発明は有効であ
る。
説明したが、ｐｎｐ）ランジスタ、あるいはＭＯ３Ｉ−
ランジスタ、あるいはＩＣにおいても本発明は有効であ
る。
また、シリコン窒化膜８の代りにシリコン酸化膜、ある
いはポリイミドのような樹脂を用いても本発明が有効で
あることは言うまでもない。
いはポリイミドのような樹脂を用いても本発明が有効で
あることは言うまでもない。
（発明の効果〕
以上説明したように、この発明に係る半導体装置によれ
ば、第２の絶縁膜を平導体素子側面を被い基板まで達す
るように形成したので、この部分からの汚染、特に水分
の侵入を抑えることができ、従来発生していた保Ｐｉｌ
ｌの剥離あるいはクランクを解消することができ、素子
の信頼性を向上できる効果がある。
ば、第２の絶縁膜を平導体素子側面を被い基板まで達す
るように形成したので、この部分からの汚染、特に水分
の侵入を抑えることができ、従来発生していた保Ｐｉｌ
ｌの剥離あるいはクランクを解消することができ、素子
の信頼性を向上できる効果がある。
第１図は本発明の一実施例による半導体装置を示す断面
図、第２図は従来の半導体装置を示す断面図、第３図は
本発明の他の実施例による半導体装置を示す断面図であ
る。 １はｎ型半導体基板、２はｎ型エピタキシャル層、３は
ｐ型ベース領域、４はｎ型エミフタ領域、５はｎ型チャ
ネルストッパ領域、６はｐｓｃ膜、７はアルミニウム電
極、８はシリコン窒化膜、９はダイシング領域、ＩＯは
外部重極取り出し用の穴である。 なお、図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。
図、第２図は従来の半導体装置を示す断面図、第３図は
本発明の他の実施例による半導体装置を示す断面図であ
る。 １はｎ型半導体基板、２はｎ型エピタキシャル層、３は
ｐ型ベース領域、４はｎ型エミフタ領域、５はｎ型チャ
ネルストッパ領域、６はｐｓｃ膜、７はアルミニウム電
極、８はシリコン窒化膜、９はダイシング領域、ＩＯは
外部重極取り出し用の穴である。 なお、図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (4)
- （１）１主面上に複数の半導体素子を形成した半導体基
板と、該主面上を保護してなる第１の絶縁膜と、上記半
導体素子間を電気的に接続する金属膜と、上記第１の絶
縁膜と該金属膜の上に形成された第２の絶縁膜とを有し
、上記半導体素子周囲に上記半導体基板を露出させてな
る半導体装置において、 上記第２の絶縁膜は上記半導体素子の側面を被い、上記
半導体基板まで達するように形成されたものであること
を特徴とする半導体装置。 - （２）上記第２の絶縁膜はシリコン窒化膜であることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体装置。 - （３）上記第２の絶縁膜はシリコン酸化膜であることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体装置。 - （４）上記第２の絶縁膜はポリイミド膜であることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25448086A JPS63108727A (ja) | 1986-10-24 | 1986-10-24 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25448086A JPS63108727A (ja) | 1986-10-24 | 1986-10-24 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63108727A true JPS63108727A (ja) | 1988-05-13 |
Family
ID=17265636
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25448086A Pending JPS63108727A (ja) | 1986-10-24 | 1986-10-24 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63108727A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03197036A (ja) * | 1989-12-26 | 1991-08-28 | Sekisui Chem Co Ltd | 複合断熱シート |
| JP2001287293A (ja) * | 2000-04-05 | 2001-10-16 | Honda Motor Co Ltd | 積層樹脂成形品およびその製造方法 |
| JP2003200515A (ja) * | 2003-01-29 | 2003-07-15 | Honda Motor Co Ltd | 積層樹脂材 |
-
1986
- 1986-10-24 JP JP25448086A patent/JPS63108727A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03197036A (ja) * | 1989-12-26 | 1991-08-28 | Sekisui Chem Co Ltd | 複合断熱シート |
| JP2001287293A (ja) * | 2000-04-05 | 2001-10-16 | Honda Motor Co Ltd | 積層樹脂成形品およびその製造方法 |
| JP2003200515A (ja) * | 2003-01-29 | 2003-07-15 | Honda Motor Co Ltd | 積層樹脂材 |
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