JPS63102199A - メモリ作用を備えたエレクトロルミネセントデイスプレイ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は光伝導エレクトロルミネセントデイスプレイに
関し、より詳細には、メモリ作用を備えた低光＃Ａ（フ
ィリング）レベル金有するエレクトロルミネセントデイ
スプレイに関するものである。

かかる装置は基本的には公知である。例えば、フランス
特許出願第２．５７４，９７２号およびＩＥＥＥ！ｉ１
’ｒａｎｓ、　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｄｅｖｉｃｅｓ　　
のピー・チオウルーズ等による論文「光学結合によるエ
フステ／シックメモリを備えたモノリシック薄膜光伝導
体入ＣＥＬ構造」は第１図に示したディスプレイ金記載
している。このディスプレイは透明基板１０、透明行（
ロー）１ｔｔｆ＋１２（図示断面はこれらの行の１つに
沿うと仮定される）、エレクトロルミネセント層１４、
光伝導層１６および列（コラム）　ｉｔ＆１８からなる
。

列および行電極からなる装置は交流電圧発生器２０に接
続される。さらに、行電極１２は行アドレッシング回路
２２Ｌｔ−介して前記発生器２０に接続されそして列電
極１８は行アドレッシング回路２２Ｌに列アドレッシン
グ回路２２Ｃによって接続される。観察は、好ましくは
符号２３で基板１０を横切って行なわれる。

この装置は以下のように作動する。電圧Ｖ絵素または画
素（ピクセル）を囲繞する電極間に印加される。発光は
、前記賦圧がエレクトロルミネセンス現象を得るのに必
要な一定の電界しきい値に対応する値ＶＩに達するまで
現われない。この値から、励起点が光念発する。Ｎ４１
４により後方に発出された光放射の部分は絶縁体から導
電体に変化する光伝導体１６に衝突する。したがって、
事実上すべての電圧はエレクトロルミネセント層１４に
印加されかつそれに印加される電界は急激に増大する。

それゆえ、電圧はエレクトロルミネセンス停止なしに減
じられることができる。エレクトロルミネセンスは電界
が再びｖ１以下の値ｖ２に対応するしきい値以下に降下
したときのみ消滅する。電極に印加される７「圧がｖｌ
とｖ２との間のｖ３に等しいならば、電圧は維持または
保持される。それはいわゆる電圧維持または保持１！極
に永続的に印加される＃起電圧ｖ３を供給する発生器２
０である。アドレッシング回路２２Ｌおよび２２１”の
作用は励起し念い点に短時間だけＶｌ−ｖ３に等しい大
きさの電圧増加を供給することである。発光点を消す九
めに、短時間だけｖ２以下の電圧に持ち来たすクリアリ
ングまたはブランキングパルスを印加する必要がある。

発生器２０は正弦電圧発生器にすることができる。しか
しながら、また、パルスまたは方形波信号発生器も適す
る。

前述した装置は電気的なアドレッシングを有するのみの
特別な特徴を有している。しかしながら、また、電子ビ
ームによるアドレッシングを有する装置であるように、
光学的アドレッシング装置も可能である。

前に引用した文献の装置において、使用される層は薄く
、すなわち、約１ミクロンの厚さを有する。しかしなが
ら、非薄膜層を有するこの型のディスプレイはま次フラ
ンス特許出願第２．３３５．９０２号に記載されたよう
に公知である。すなわち、これは厚膜層光伝導体または
粉末を基礎にしたエレクトロルミネセント構造（連続ま
たは交番励起）である。

本明細書の以下の記載において、ｐｃは光伝導層の略号
として、ＥＬはエレクトロルミネセント層の略号として
そしてＰ（１！−［ＣＬはこれら２つの層を組み合して
いるディスプレイの略号として使用される。

薄膜ＰＣ−ＦｊＬ装置は１００）ｌｚと同じ位低い周波
数においてその輝度−電圧特性におけるヒステリシスを
有する。１００）１ｚで作用するメモリおよび４０　ｍ
ｗ／、４以下の消費で少なくとも７０　Ｃｄ／ｓｊの輝
寂を有するｐｃ−ＥＬ構造の溝底を合理的に考えること
ができる。また、暗赤色膜ま之は層ｐｃが後部アルミニ
ウム！極をマスクしかつ目視コントラストを著しく増加
することが指摘されるならば、達成される性能が多数の
用途を許容することは明らかである。

しかしながら、上述した作動条件（周波数１００Ｈｚ　
）下では２つの困難に遭遇する。

まず、メモリ作用は装置が約４００ルツクスを越える照
明を受けるとすぐに消滅する。これは周囲照明が層ＰＣ
を励起することにより装置の早期照明を引き起すという
事実による。問題を簡単化することにより、ヒステリシ
スｐＣ−ＥＬに関しての周囲光の作用は照明された状態
における層ＥＬによるＰＣの照明に対する周囲照明の比
に依存するということができる。しかしながら、１００
１１２と同じ位低い周波数において、周波数に比例する
エレクトロルミネセント放出レベルはスクリーンＰＣ−
ＥＬの読取り性（レジビリティ）に十分であるが、４０
０ルツクスの照明がメモリ作用を妨害しないことを十分
高くは保証しない。

さらに、装置ＰＣ−ＥＬにおいて層ｐｃによって供給さ
れる電流密度は、構造ＥＬの容量的作動の結果として、
周波数にほぼ比例する。１００Ｈ２において、この電流
密度は比較的低くかつ層ｐｃの光転導度の応答時間は、
少なくとも水素化アモルファスシリコンに基礎を置いｆ
ｃ膚ＰＣＬ７）ｍ合に低電流に関して長いことが知られ
ている。低周波数でのメモリ作用の持続性に寄与するこ
の現象は低１周波数での装［Ｐ（’！−ＥＬのスイッチ
ング時間（オンおよびオフ）を増加する欠点をこうむる
。

スイッチング時間は代表的な正弦または三角形電圧の場
合において電圧信号の繰返し期間（周波数反転）と同じ
程変の大きさからなる。し友がって１０ｍ８のスイッチ
ング時間は、多くの用途に互換性があるように、マトリ
クススクリーンＰＣ−ＥＬＫ関してほぼ１ｏｏｌｌｚで
各行を友はラインごとに得られる（しかし、２．５秒／
イメージを使用するミニチルスクリーンの場合において
十分である）。これらの問題に対する自明の解決は保持
または維持電圧の周波数を増加することからなる。

スクリーンの消費される電力および照度はその場名に同
じ比率で増加される。したがって、Ｉ　ＫＨｚの周波数
に関して、スイッチング時間は１ｍｓに持ち来之されそ
してメモリ作用ｐＣ−ＥＬは実質上１５００ルツクスま
での周囲照明に反応しないが、消散゛電力はその場合に
０．４Ｗ／ｃＪ、すなわち１０Ｘ１０Ｘ２０の代表的な
表示面（完全に照明されたスクリーン）に関して８０Ｗ
であり、照度は不必要に高い値（７００ｃｄ／ｍ”）に
持ち来比される。

他の問題はメモリ作用ＰＣ−ＥＬの原理に関連づけられ
る。中心の１つ以外のすべての画素が照明されるマトリ
クススクリ−７ＰＣ−ＥＬの極端な例を検討することが
できる。放出光の一部はガラス基板の内面上に反射され
かつ第２図に示されるように、隣接する画素に到達する
ことができる。

そこに１ｗ１ｐｎ−ＥＬ３２および金５　’ｉ極３４で
覆われたガラス支持体３０を見ることができる。

画素ｐＸ２　、ＰＸ３　、ＰＸ４等は照明されかつ画素
ＰＸ１は消されると仮定される。プレート６０の前面上
の全反射により照明された画素からの幾つかの光線路を
見ることができる。

この反射は主としてガラスと連係する臨界角変を越える
入射角（はぼ４２°　）に関して生じる。

このような寄生作用は幾つかの陰極線管において生じる
（後光効果と呼ばれる）。その結果として消され九画素
ＰＸ１は、ｄがガラス板の厚さでありかつ代表的には３
闘である、２ｄを越える距離において画素ＰＸ１のまわ
りに配置された照明画素によって妨害される。構造ｐＣ
−ＥＬの場合（ておいて、妨害は以下の通りである。「
すべての照明された」環境（検討される画素全線１ハで
、照明されるすべてのスクリーン）における１つの画素
は、ｖ、１の場合における画素によりこうむられた寄生
照明により、「すべて消された」環境における画素に比
して減じられ念ヒステリシスマージンを有する。通常の
解像度（少なくとも３ポイント／龍）に関して、画素間
の距離は３１１１に比して小さくかつエレクトロルミネ
セント放出が消された画素から「みて」均一であるとみ
なされることができかつそれゆえそれは空間的に平均し
た照度、すなわち消された画素の妨害の大きさにおいて
極めて重大である占有された表面（絵素間の空間を含む
）に対する有用な放出間の比を形成する。

本発明の目的はこれら２つの欠点を除去することである
。

まず、スクリーンの解像度は目がその近隣から１つの画
素をかろうじて識別するとき人間工学的に十分に高いこ
とが指摘される。目の識別力は３０工で約１００μｍで
ある。データ処理端末のディスプレイへの用途の場合に
おいて、画素の基本間隔は３００μｍより小さくかつ目
は、その大きさが代表的には少なくとも２００μｍであ
る画素の形状および輪郭を識別するのに困難を有する。

これらの条件下で、平均輝度により、すなわち放出領域
および非放出領域を考慮することによりスクリーンの目
視外観を特徴づけることができる。

ｐＣ−ｇＬ型タデイスプレイ場合に戻って、周囲照明に
対するメモリ作用ＰＣ−ＥＢＬの感度は層ｇＬによる＠
　ｐ　ｃの局部的または点状照明に対する周囲照明の比
の関数である。同じ方法において相互の画素寄生光学結
合に対するメモリ作用ｐｃ−ＥＬの感度は点状輝度に対
する平均輝度の関数である。しかしながら、それは人間
工学的に極めて重大である平均輝度である。

かくして、本発明はスクリーンＰＣ−ＥＬの画素の充填
レベル、すなわち全表面に対する画素の放出面の比をか
なりの減少を促す。この方法において、かなりの値で平
均輝度を維持することができ、一方実質上保持周波数に
作用することにより点状輝度を増大する。し次がって、
前に使用された数値、すなわち７００　Ｃｄ／ｍ２０点
状輝度およびＩ　ＫＨｚで０．４　ｗ　／　ｃｄの局部
電力密（ｆを再び使用し、例えば１／３５の充填レベル
を選ぶとき、平均電力密度は約１０　ｍＷ／１４に降下
しかつ平均輝度は層ＰＣによる「ブラック層」作用を考
慮して許容し得る２０Ｃｄ／ｍ　である。高い点状輝度
は周囲照明に対するメモリ作用の良好な免除を保証し、
第１以下の平均輝度は後光効果に関連づけられる妨害を
無視し得る。３．３ポイント／趨の解像度を有するスク
リーンの場合において、６の因数による前後の電極の幅
を単に減じることにより１／３６の充填（フィリング）
レベル、すなわち値５０μｍを得ることができる。し九
がって、画素は５０×５０μｍの放出面および３００μ
ｍの間隔を有している。かくして、優れた読取り性およ
び２Ｗのみの消費電力、すなわち４０Ｃｄ／ｍ”　　の
平均輝度を有しかつブラックｌを持たない現在市場にあ
るスクリーンＥＬ以下の大きさの、１０Ｘ２０ｃ４スク
リーンを製造することができる。

要約すると、本発明によれば、ディスプレイｐｃ−ＥＬ
は１５％以下でかつ好都合には２．５〜１゜チの間の低
充填レベルを有する。この配置はスクリーンの高電力節
約に関連づけられる比較的高い周波数保持成圧（代表的
にはＩ　ＫＨｚ以上）を使用することにより周囲照明お
よび相互画素寄生結合（後光効果）に対するメモリ作用
ｐＣ−２Ｌのかなりの免除の獲得を可能【する。

以下に、本発明を非限定的な実施例および添付図面に関
連してより詳細に説明する。

画素の充填レベルを減じるための第１手段は後部電極（
一般にアルミニウムから作られる）の幅および／または
前部電極（一般にスズおよび酸化インジウム（ＩＴＯ）
または両方から作られる）の幅を減少することからなる
。

例えば、第３図は５０μｍの幅を有する、行の形のアル
ミニウムＩＥ極４０および行の形でかつ同一幅からなる
ＩＩ’Ｏ電極４２を示す。２つの電極装置の間隔は３０
０μｍ１すなわち電極の１＠０６倍である。し友がって
、画素充填レベルは１／３６または２．７％である。

この配置により引き起されｔかなりの活動表面の減少は
他の幾つかの利点を呈する。これはまずスクリーンの全
容！（電力消費と同一比率において）かつしたがって保
持電圧を供給する電気回路の電流要求の減少に至る。同
一方法において、谷行または列の容量の減少ｆｉ電極に
供給する集積回路の電流要求（アドレッシングするため
の）を低減する。他の実質的な利点は製造効率に関する
。

付与され次表面単位当りの欠点密度に関して、調造効率
は装置の活動着面に多いに依存する。それゆえ、提案し
た解決はスクリーンＥＣＬの製造効率の！Ａ著な増加に
至りかつし几がってかなりのコスト低減になる。

大きなスクリーン（約１ｍ”以上）の場合において、透
明［極（ＩＴＯ）の抵抗は高くかつ一端とその他端との
間の電圧降下およびこれらの行に沿う画素の照明および
消灯特性の不均一性に至ることができる。この抵抗を減
じるために、第４図に示される、２つの放出領域間（す
なわち、２つのアルミニウム行間）のギャップにおいて
！・ＴＯ電極を広くすることができる。

中間解像度（例えばデータ処理用途に関して３ポイント
／ｊＩｍ以下）について、例えば第３図および第４図の
場合におけるような、単一局部領域への画素の放出の集
中は快適な目視を減じるかも知れない。画素に割り当て
られた領域にわたって放出全分布するのが好ましい。独
特な解決は画素を副画素に分割することである。このた
め、後部ま几は前部もしくけ両方の電極は、第５図およ
び第６図に示されるように、副電極に分割される。

第５図は画素において３つの副電極Ａ、ＢおよびＣに分
割された電極４０を示す。列４２は１部片内にある。そ
の場合に画素４４は３つの副画素４４Ａ、４４Ｂおよび
４４Ｃから形成される。

第６図において、行４０は３つの副電極Ａ、ＢおよびＣ
からなりかつ列４２は２つの副電極りおよびＢからなり
、画素４４は６つの副画素に分解される。

この場合に、充填レベルは６％である。しかしながら、
画素の「範囲」は優れておりかつ画素の放出は正規の使
用条件下で均一に現われる。例えば、５００μ！Ｏ（２
ポイント／龍）の間隔に関しては、副画素の寸法は５０
Ｘ５０μｍである。

電極が単に画素に分割されることが指摘され、同一電極
の副電極は事実上、行の１部分の非作動を引き起す電気
的破壊による副画素の考え得る破壊を回避するために、
画素間の点ａｂ、ｂｃ。

６ｅにより相互に接続されている。かくして、副電極間
に存するブリッジにより、遮断された副電極の電気的連
続性はその隣接する副を極または複数の副電極により回
復される。これらの電気的点け、第６図に破線で示され
る方法において、副画素間の空間を使用するとき、すべ
ての相互画素空間にまたは減じられた周波数で、または
逆に多数存在する。符号４３は列側電極間の行側電極を
接合するブリッジを示す。符号４５は列副電甑を互いに
接合するブリッジを示す。その場合に補助的な副画素４
４′が発生される。

高解像度（例えば２５０μｍの間隔）に関しても同様に
、低充填レベルを選ぶことにより、副画素は５０〜１０
０μｍだけ間隔が置かれる（前回の例）。その場合に副
画素に発生する電気的破壊が、伝搬破壊の場合における
と同様に、隣接する副画素に達するのは非常に好ましく
ない。

さらにＰＣ−ＥＬディスプレイに独特であるこの解決に
関する他の重要な利点がある。照明された状態に画素を
スイッチングするとき、照明が局部的に画素中に現われ
かつ漸進的な光学的結合により画素全体に伝搬されるこ
とが指摘される。これはｐｃ−ＥＬディスプレイに画素
の巨視的尺度で両安定特性を付与する。すべての消灯状
態とすべての照明状態との間に中間安定状態はない。幾
つかのスクリーンは、とくに大型のディスプレイに関し
て「点状」の欠陥が完全にない。これらの欠陥または欠
点の幾つかは異物粒子（はこり）によって発生されるが
、他は薄膜成長欠陥である。

それらは小さなサイズ（５０μｍ以下）からなりかつエ
レクトロルミネセンスしきい値の局部的減少に至ること
ができる。その場合にそれらは平均エレクトロルミネセ
ンスしきい値（ｐｃ　−ＥＬ作用なしのエレクトロルミ
ネセントデイスプレイの場合〕において輝点の形で現わ
れる。ディスプレイがＰＣ−ＥＣＬ型からなるならば、
かかる輝点はヒステリシスマージンｐＣ−ＥＬに顕著な
減少を時々生じる画素の照明の早期初期化に至ることが
できる。提案の方法を基礎にして、画素が適当な数の副
画素（４以上）に分割されるならば、照明状態伝搬は１
つの副画素の範囲に制限され、副画素は互いに光電的に
絶縁される。画素中の点状欠陥の存在は最悪の場合には
１つの副画素の照明を妨害するのみである。例えば、画
素が６個の副画素に分割されるならば、消灯状態におけ
る画素の１つの副画素の偶発的照明は完全に受答し得る
約１／６だけの平均コントラストの減少に至る。

電極を副電極に分割する概念はＥＣＬスクリーン（ｐｃ
　−ａＬスクリーンではなく）においてすでに提案され
ている。このような技術はフランス特許出Ｒ第２，４８
９，０２３号に記載されている。スクリーンにおいて画
素を副画素に分割することができる。この従来技術にお
いて、画素のかかる形状の目的は、電気的破壊の場合に
おいて、副画素へのその伝搬を制限しかつしたがって画
素の完全な破壊および電極の遮断を回避することである
。

本発明において提案された変形例は光転導体効果に関連
づけられる追加の利点を有する。ここで求められる効果
は、画素全体にわたる放出の良好な分布を維持しながら
、画素充填レベルの顕著な減少、ならびに層の点状欠陥
（輝点）に関連する画素の照明の良好な免除である。こ
れらの効果はＰＣ−ｇＬディスプレイに独特である。し
たがって、上述した特許明細書が限定されるメモリなし
のエレクトロルミネセノスの場合において、すべての場
合に例えば２５チを越える最大充填レベルが求められる
。この九め、従来技術においては、行および列電極を分
割する必要があつ次。したがって、例えば行電極を分割
するのみのとき、電気的破壊は行側電極に沿って副画素
に伝搬することができかつディスプレイに関しては破滅
的である列の遮断に至るかも知れない。しかしながら、
本発明において、２つのｉ！極網〔列または行〕の一方
のみの分割で所望の効果を得るのに十分である（例えば
ｆｘｓ図比較）。同時に２つの電極装ｆｉ１を分割する
ことは結果の改善を可能にするが、絶対必要ではない。

最後に、ＰＣ−ＥＬ効果によりかつその結果として、低
充填レベルが選ばれる。この結果は副画素が４ポイント
／ｆｌの高解像度に関して互いから少なくとも５０μｍ
だけ間隔が置かれるということである。これは例えば画
素当り９副画素を有する９％のレベルに対応する。上述
した引例が適用されかつ５０チのレベルを有するメモリ
なしのエレクトロルミネセントスクリーンの場合におい
て副画素間の空間は約２５μｍに低減される。破壊の最
小の大きさく自己解消破壊の大きさ〕が約３０μｍの直
径を有するとするならば、２５μｍの「溝」のかなりの
危険があり、この「溝（トレンチ）」は全体として画素
によって一掃される。しかしながら、ＰＣ−ＢＬスクリ
ーンの場合において、各電極の容量のかなりの減少は破
壊の時間で利用し得る蓄えられたエネルギに多いに依存
することが知られている自己解消破壊の大きさを減じる
効果を有しかつしたがって伝搬破壊によって一掃される
ことができる副画素間の距離を減少する。

それゆえ、事実上ＰＣ−ＥＬスクリーンに関Ｌ−Ｃ上述
した５０μｍバリアを一掃することはできない。

したがって、フランス特許出願第２．４８９．０２３号
により提供され之保護作用は約４ポイント／ＩＩ翼より
良好な解像度に関して著しく低下するが、ｐｃ−ＥＬ作
用によって可能とされる充填レベルの減少は高嬶像変で
前記作用をカバーするのに２重に寄与することが理解さ
れることができる。

光伝導層がもはや吸収性（いわゆる前述した「ブラック
」層〕ではなくかつその代りに透明または少なくとも半
透明である場合を検討することも興味がある。原則とし
て、この場合は光伝導材料の適宜な選択によりかつ十分
に薄い光伝導１を使用することにより実現されることが
できる。

この場合に、低充填レベルの選択は重要な結果を有する
。したがって、この場合に、まず、その構造が第１図に
示される光伝導エレクトロルミネセントデイスプレイは
、一般に不透明金属（アルミニウム等）から作られる列
電極１８のネットワークを除いて、透明層のみを有する
。しかしながら、低充填レベルＦ’）選ぶことにより、
列電極１８によって被覆されるディスプレイの表面の比
率、すなわち不透明比率を最小にすることができる。

この比率は一般に、／Ｔである。さらに、Ｆが６％であ
る第６図の例において、ディスプレイ表面の２５ｃ１１
のみが列電極４２によって被覆される。したがって、低
充填レベルを有する光伝導エレクトロルミネセントメモ
リスクリーンは、光伝導層がそれ自体透明であるならば
、その列電極が不透明材料から作られるとしても、本質
的に透明である。

代表的な５０％充填レベルを有する従来のエレクトロル
ミネセントスクリーンは列ネットワークにより７０ｑ６
被覆されかつそれゆえ実質上不透明である。

擬似透明であるエレクトロルミネセントデイスプレイは
多くの用途を有する。例えば、それは他のディスプレイ
ま念は陸地測量図（軍事分野）に重畳されることができ
る。

以前に、画素の７ドレツシングは電気的性質からなると
仮定された。フランス特許出願第２．５７４，９７２号
はこのアドレッシングの原理を記載している。

しかしながら、アドレッシングは走査レーザビーム、光
学ペンまたは電子ビームによって得られることができる
。この場合に、それはもはやスクリーンの行および列を
個々にアドレスする必要はない。

また、行を互いにかつ列を互いに電気的に絶縁する必要
はない。しかしながら、１つの画素の照明が隣接する画
素の照明を生じないことが保証されねばならない。

本発明によって促された解決は電極装置として第７図に
示されるように２つのグリッドを使用することである。

下方グリッド５０および上方グリッド５２は半分の間隔
だけ横方向にかつ垂直に相互に移動される。かくして、
互い違いの方法において配置された画素のマ）　ＩＪク
スが形成され、２つの隣接する画素間の距離は出発グリ
ッドの間隔の１／、／Ｔ倍に等しい。

垂直間隔は水平間隔と異なることができる。しかしなが
ら、各方向において上方および下方ネットワークに同一
間隔を持つ必要がある。グリッド分岐の幅は下方グリッ
ドと上方グリッドとの間で異なることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図はディスプレイスクリーンｐＣ−ＥＬの原理を示
す概略図、 第２図は隣接する消灯され次面素上の照明された画素の
寄生作用を説明する概略図、 第３図は本発明によるスクリーンのＩ！１実施例を示す
概略図、 第４図は電極が画素間で広げられる変形例を示す概略図
、 第５図は３つの帯片に分割される行電極および非分割列
電極を示す概略図、 第６図は３つに分割される行電極および２つに分割され
る列電極を示す概略図、 第７図は電極が変位されたまたは互い違いにされたグリ
ッドによって構成される光学アドレッシングを有する実
施例を示す概略図である。 図中、１０は透明基板、１２は透明行ｉ極、１４はエレ
クトロルミネセンス層、１６は光伝導層、１８は列電極
、２０は電圧発生器、２２（”は列アトレッジフグ回路
、２２Ｌは行アドレッシング回路、ＰＸ１〜ＰＸ４は画
素、４０は行電極、Ａ。 ａ、Ｃは行電極の副電極、４２は列電極、Ｄ、Ｅは列電
極の副電極、４４は画素である。 ＲＧ、　Ｉ ＦＩＧ、　２ ＲＧ、３ ８Ｇ、４

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. （１）２つのグループの直交電極によつて囲繞される重
   畳した形の光伝導層およびエレクトロルミネセント層を
   使用し、表示点または画素が１方のグループの特定の電
   極および他方のグループの特定の電極のオーバラツプに
   より画成され、また、前記電極に適宜な制御電圧を印加
   できる手段および特定の画素をアドレスするための手段
   を組み込んでいる型のメモリ作用を備えたエレクトロル
   ミネセントデイスプレイにおいて、画素充填レベル、す
   なわち、デイスプレイのすべての画素の表面とデイスプ
   レイの全表面との間の比率が１５％以下であることを特
   徴とするメモリ作用を備えたエレクトロルミネセントデ
   イスプレイ。
2. （２）前記充填レベルが２．５〜１０％の間であること
   を特徴とする特許請求の範囲第１項に記載のメモリ作用
   を備えたエレクトロルミネセントデイスプレイ。
3. （３）少なくとも前記グループの１方の電極は該電極が
   画成する画素において第１の狭い幅および前記画素間の
   第１の幅より大きな第２の幅を有することを特徴とする
   特許請求の範囲第１項に記載のメモリ作用を備えたエレ
   クトロルミネセントデイスプレイ。
4. （４）少なくとも１方のグループの電極は導電性帯片に
   よつて構成され、該帯片はこれらによつて画成される画
   素において、電気的に相互に接続される幾つかの平行副
   電極に分割され、その結果各画素は幾つかの副画素から
   形成されることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記
   載のメモリ作用を備えたエレクトロルミネセントデイス
   プレイ。
5. （５）前記第１グループの電極はＭ個の副電極に各々分
   割される帯片によつて構成されかつ前記第２グループの
   電極はＮ個の副電極に各々分割され、第１グループの帯
   片および第２グループの帯片のオーバラツプにより画成
   される各画素は種々の副電極のＭ・Ｎオーバラツプ領域
   に対応するＭ・Ｎ副電極によつて形成されることを特徴
   とする特許請求の範囲第４項に記載のメモリ作用を傭え
   たエレクトロルミネセントデイスプレイ。
6. （６）前記アドレツシング手段が光学的性質からなるの
   で、前記第１および第２グループの電極は行および列と
   して配置される帯片から形成されかつ特定の間隔が置か
   れるグリツドによつて各々構成され、前記２つのグリツ
   ドは行方向および列方向に半分の間隔で相互に移動され
   ることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載のメモ
   リ作用を備えたエレクトロルミネセントデイスプレイ。